【課題】ウェーハの表面に触れることなく加工処理することができるレーザダイシング装置及び方法、割断装置及び方法、並びにウェーハ処理方法を提供する。
【解決手段】ウェーハＷは、裏面に透明なダイシング用テープＴが貼着されて、ダイシング用フレームＦにマウントされる。ダイシング用フレームＦにマウントされたウェーハＷは、裏面を吸引されて、透明なウェーハテーブル２０に保持される。レーザ光は、透明なウェーハテーブル２０及び透明なダイシング用テープＴを通してウェーハＷの裏面に入射される。これにより、ウェーハＷの表面に触れることなくウェーハＷを保持して、ウェーハＷの裏面にレーザ光を入射することができ、ウェーハＷの表面に形成された素子等を破壊することなく、レーザダイシングすることができる。 （もっと読む）

【課題】レーザーが接着テープに照射されたり、板状物に完全切断溝が形成されてレーザーが接着テープに照射されても、板状物が貼着された接着テープに貫通穴が形成されない板状物の加工方法を提供する。
【解決手段】板状物２の分割予定ライン２１に沿ってレーザーを照射し分割溝を形成する板状物の加工方法であって、ポリオレフィンフイルムを基材とし表面に接着層が敷設された３００〜４００ｎｍの波長域での全光線透過率が５０％以上であるとともにヘーズが７０％以上の接着テープ４を開口部に設けた環状フレームの接着テープに板状物を貼着する工程と、該板状物をレーザー加工装置のチャックテーブル５１に接着テープを介して保持し、３００〜４００ｎｍの波長のレーザーを照射しつつ加工送りし、板状物に設定された分割予定ラインに沿ってレーザーを照射し、レーザー加工溝を形成するレーザー加工溝形成工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】加工痕における光吸収が低減されるレーザー加工を行えるレーザー加工方法を提供する。
【解決手段】光源からのパルスレーザー光の照射状態を変調させることによって被加工物の表面における照射範囲を変調させることにより、第１の方向に連続する部分を有するが、第１の方向に垂直な断面の状態が第１の方向において変化する被加工領域を形成する。具体的には、パルスレーザー光の単位パルスごとのビームスポットが第１の方向に沿って離散する照射条件でパルスレーザー光を走査するか、パルスレーザー光の照射エネルギーを変調させつつパルスレーザー光を第１の方向に走査するか、それぞれに第１の方向に対し所定の角度を有する第２の方向と第３の方向へのパルスレーザー光の走査を交互に繰り返すことによって、被加工物におけるパルスレーザー光の走査軌跡を第１の方向に沿った分割予定線と繰り返し交互に交差させるかのいずれかで実現される。 （もっと読む）

【課題】加工不具合の発生を抑制可能なレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】レーザ加工装置３００は、レーザ光Ｌをパルス発振するレーザ光源２０２と、レーザ光Ｌを支持台上の加工対象物１の内部に集光させる集光光学系２０４と、支持台を移動させるためのステージ１１１と、レーザ光源２０２及びステージ１１１を制御する制御部２５０と、を備えている。この制御部２５０は、レーザ光Ｌを加工対象物１に集光させ、該レーザ光Ｌを加工対象物１に対して切断予定ライン５に沿って移動させることにより、加工対象物１内におけるレーザ光照射面としての表面３から所定距離の位置に、少なくとも２つの互いに異なるピッチを有する複数の改質スポットを形成させ、これら複数の改質スポットにより改質領域７を形成させる。 （もっと読む）

【課題】載置面にダストが入り込むことを抑制することができるとともに、試料とのリンキング現象（試料が載置面の当接部位に密着して離れない現象）を抑えることが可能な載置用部材を提供する。
【解決手段】試料Ｗを載置するための、複数の凸部２を有する載置面３を備えた、セラミックスからなる載置用部材１であって、凸部２は、試料Ｗが当接する上面５と該上面５から下方に向かう側面６とを有し、該側面６は前記上面５よりも気孔率が小さい。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の欠陥を低減する。また、歩留まり高く欠陥の少ない半導体基板を作製する。また、歩留まり高く半導体装置を作製する。
【解決手段】支持基板に酸化絶縁層を介して半導体層を設け、該半導体層の端部における、支持基板及び酸化絶縁層の密着性を高めた後、半導体層の表面の絶縁層を除去し、半導体層にレーザ光を照射して、平坦化された半導体層を得る。半導体層の端部において、支持基板及び酸化絶縁層の密着性を高めるために、半導体層の表面から、レーザ光を照射する。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ基板のレーザ切削加工において、冷却時にウェーハ基板の表面に付着した切削屑をその表面から除去する。
【解決手段】レーザ切削加工される加工物１２の表面に界面活性剤膜１１を施し、レーザビームを用いる切削加工の間に生み出される切削屑１５が、その表面に付着するのを減らす。また、この界面活性剤膜１１は、好ましくは後で、この界面活性剤膜１１上に被着した切削屑１５１といっしょに除去される。 （もっと読む）

【課題】高い品質の半導体素子（チップ）を歩留り良く生産すること。
【解決手段】先ず、アブレーション作用を有するレーザにより、ダイシング領域に沿って積層膜２の部分のみに溝ＧＶを形成する。次いで、溝ＧＶが形成されている側の面に保護シート３を貼り付け、該保護シートが貼り付けられた当該ウエハの裏面を研削した後、ウエハＷ１の裏面側から半導体基板１Ａに対して透過性を有する波長のレーザ光を上記ダイシング領域に沿って照射し、該基板の内部に改質層ＭＬを形成する。さらに、ウエハＷ１の裏面にシート部材４を貼り付け、保護シート３を除去後、シート部材４を拡張することによって当該ウエハを個々のチップ１０Ｃに分割する。 （もっと読む）

【課題】デバイスの抗折強度が低下することを抑制すること。
【解決手段】ワークＷをワークＷの露出面に直交する方向を回転軸として回転させながら、圧力が６．０[ＭＰａ]以上１４．０[ＭＰａ]以下、より好ましくは圧力が８．０[ＭＰａ]以上１２．０[ＭＰａ]以下の水をワークＷの露出面に供給することによって、スクライブ工程においてワークＷの切断面付近に付着したデブリを除去する。これにより、ワークＷの切断面付近に付着したデブリを効果的に除去することができるので、デバイスの抗折強度が低下することを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】パルスレーザビームの照射条件を最適化することでクラックの発生を制御し、優れた割断特性を実現するレーザダイシング方法を提供する。
【解決手段】被加工基板をステージに載置し、クロック信号を発生し、クロック信号に同期したパルスレーザビームを出射し、被加工基板とパルスレーザビームとを相対的に移動させ、被加工基板へのパルスレーザビームの照射と非照射を、クロック信号に同期して、パルスピッカーを用いてパルスレーザビームの通過と遮断を制御することで、光パルス単位で切り替え、被加工基板に基板表面に達するクラックを形成するレーザダイシング方法であって、パルスレーザビームの照射エネルギー、パルスレーザビームの加工点深さ、および、パルスレーザビームの照射非照射の間隔を制御することにより、クラックが被加工基板表面において連続するよう形成することを特徴とするレーザダイシング方法。 （もっと読む）

【課題】安定した品質のチップを効率よく得ることができる。
【解決手段】レーザー光をウェハＷ内部に照射して、ウェハＷの表面から略６０μｍ〜略８０μｍの深さに切断ラインＬに沿って予備改質領域Ｐ１を形成し、その後予備改質領域から略２０μｍ〜略４０μｍだけウェハＷ裏面側の位置にレーザー光を照射して本改質領域Ｐ２を形成する（ステップＳ１０）。これにより予備改質領域Ｐ１内のクラックＫ１が基準面とウェハＷ表面との間に進展される。基準面までウェハＷを裏面から研削され（ステップＳ１２）、加工変質層が除去されてウェハＷ裏面が鏡面加工され（ステップＳ１４）、ウェハＷ裏面にエキスパンドテープが貼付され（ステップＳ１６）、エキスパンドテープが外側へ拡張されると、ウェハＷが切断ラインで破断されてチップＴに分割される（ステップＳ１８）。 （もっと読む）

【解決手段】 先ず、シリコンインゴット２の外周面２Ｂにスクライバ４Ａによって円周方向溝２Ｄを形成する。次に、第１のレーザ光Ｌ１と第２のレーザ光Ｌ２を重畳させて端面２Ａ側から円周方向溝２Ｄに照射し、その後、両レーザ光Ｌ１、Ｌ２を割断予定面２Ｅに沿って渦巻状の移動軌跡で相対移動させる。これにより、第１のレーザ光Ｌ１によって割断予定面２Ｅとその隣接箇所は結晶方位のない改質領域２Ｆに改質され、そこに第２のレーザ光Ｌ２が照射される。そのため、円周方向溝２Ｄに生じたクラック２０が半径方向に進展してシリコンウェハ２Ｓが切り出される。
【効果】 内部の結晶方位の影響を受けることなく、シリコンインゴット２から所定厚さｔのシリコンウェハ２Ｓを切り出すことができる。 （もっと読む）

【課題】光デバイスを損傷することのない光デバイスユニットの加工方法を提供することである。
【解決手段】光デバイスユニットを、分割予定ラインに沿ってレーザビームを照射して分割溝を形成し個々の光デバイスに分割する光デバイスユニットの加工方法であって、光デバイスユニットの温度と伸び率との関係を規定した相関データを取得するデータ取得工程と、光デバイスユニットの温度を計測する温度計測工程と、分割予定ラインに沿ってレーザビームを照射して分割溝を形成する分割溝形成工程と、該温度計測工程で計測した光デバイスユニットの温度と該データ取得工程で取得した温度に対応する伸び率とに基づいて、分割予定ラインの間隔の伸び量を算出する伸び量算出工程と、該伸び量算出工程によって算出された伸び量に基づいて、レーザビームを照射すべき分割予定ラインの割り出し量を補正する分割予定ライン補正工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】安定した品質のチップを効率よく得ることができる。
【解決手段】レーザー光をウェハＷ内部に照射して、ウェハＷの表面から略６０μｍ〜略８０μｍの深さに切断ラインＬに沿って改質領域を形成し（ステップＳ１０）、ウェハＷの表面から略５０μｍの基準面までウェハＷを裏面から研削する（ステップＳ１２）。このとき、改質領域内のクラックが、基準面とウェハＷ表面との間に進展される。その後、研削によりウェハＷの裏面に形成された加工変質層が除去され、ウェハＷ裏面が鏡面加工され（ステップＳ１４）、ウェハＷ裏面にエキスパンドテープが貼付され（ステップＳ１６）、エキスパンドテープが外側へ拡張されると、ウェハＷが切断ラインで破断されてチップＴに分割される（ステップＳ１８）。 （もっと読む）

【課題】ワーク表面に形成された保護膜の厚みを精度よく測定できる測定方法および測定装置を提供すること。
【解決手段】本発明の測定方法は、ウェーハＷに光吸収剤を含む保護膜６１を形成するステップと、保護膜６１を介してウェーハＷに測定光を照射し、ウェーハＷからの反射光を受光するステップと、事前に作製された保護膜６１の厚みの変化に対するウェーハＷの反射強度の変化を示す測定データを参照して、ウェーハＷの反射強度から保護膜６１の厚みを測定するステップとを有する構成とした。 （もっと読む）

【課題】液柱内を導光されたレーザビームの照射によって発生するデブリが被加工物上に付着することを防止可能なレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】被加工物１１上で加工が進行する方向の下流側から上流側に向かって被加工物にカバー液を供給して被加工物の上面を該カバー液で覆うカバー液供給手段３２を具備し、レーザビーム照射手段２４は、レーザビーム発生手段２５と加工ヘッド２８とを含み、加工ヘッドは、該レーザビーム発生手段から発生されたレーザビームを集光する集光レンズ５０と、被加工物に液体を噴射して、該集光レンズで集光されたレーザビームが導光される液柱を形成する液体噴射手段５２と、液柱を囲繞するとともに、被加工物の上面との間で僅かな隙間を形成して該カバー液の流れが該液柱に衝突するのを防止する防止壁７８とを備え、防止壁は該液柱を形成した液体が流出する開口を有している。 （もっと読む）

【課題】ワーク表面に形成された保護膜の厚みを精度よく測定できる測定方法および測定装置を提供すること。
【解決手段】本発明の測定方法は、ウェーハＷに光吸収剤を含む保護膜６１を形成するステップと、保護膜６１に測定光を照射し、測定光の吸収による保護膜６１の発光を受光するステップと、事前に作製された保護膜６１の厚みの変化に対する保護膜６１の発光による光スペクトルの変化を示す測定データを参照して、保護膜６１の発光強度から保護膜６１の厚みを測定するステップとを有する構成とした。 （もっと読む）

【課題】光導波路や空間光変調素子の損傷および対物レンズの瞳での光損失を回避しつつ、効率よく加工面にレーザ光を伝達できるレーザ加工装置を提供すること。
【解決手段】本発明にかかるレーザ加工装置１００において、制御部１０４は、記憶部５６が記憶する条件表のうち、実行すべき加工工程または加工対象物の種別に対応する条件表にしたがって、空間光変調素子３２から照射されたレーザ光を加工面に投射する対物レンズ３を切り替え、レーザ光源２１と光ファイバ２２との間に設けられる結合レンズを結合レンズ２４ａ，２４ｂのいずれかに切り替えさせることによって、光ファイバ２２から出射されるレーザ光のＮＡを対物レンズ３に合わせて変更させる。 （もっと読む）

【課題】レーザー発振器から発振されるレーザー光線を集光レンズによって集光することなく集光器に伝送することができる光伝送手段を備えたレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】パルスレーザー光線発振器６１が発振したパルスレーザー光線の波長域を拡張する波長域拡張手段６４と、波長域拡張手段によって波長域が拡張されたパルスレーザー光線のパルス時間幅を拡張するパルス時間幅拡張手段６５と、パルス時間幅拡張手段によってパルス時間幅が拡張されたパルスレーザー光線を集光する集光レンズ６６と、集光レンズによって集光されたパルスレーザー光線を入光して伝送する光ファイバー６７と、光ファイバーによって伝送されたパルスレーザー光線を平行光に修正する修正レンズ６８と、修正レンズによって平行光に修正されたパルスレーザー光線を元のパルス時間幅に圧縮して集光器に伝送するパルス時間幅圧縮手段６９とを具備している。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の照射を利用したエッチング加工による半導体装置の製造方法であって、複雑形状や深くて大きい除去領域等のエッチング加工が必要な広範囲の半導体装置の製造に適用可能で、高いエッチング速度が得られる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコンからなる基板１０に対して、焦点位置を移動させてレーザ光Ｌをパルス照射し、前記単結晶シリコンを部分的に多結晶化して、前記単結晶シリコン中に連続した改質層１１を形成する改質層形成工程と、前記改質層１１をエッチングして除去するエッチング工程と、を備える半導体装置の製造方法とする。 （もっと読む）