【課題】加工痕の形成が抑制されるとともに、被加工物の分割がより確実に実現される分割起点の形成が可能となる、レーザー加工装置を提供する。
【解決手段】パルスレーザー光を発する光源と、被加工物が載置される載置部と、を備えるレーザー加工装置が、載置部に載置された被加工物に対して３点曲げにて力を加えることにより、被加工物の加工対象位置に対して引張応力を作用させる応力印加手段、をさらに備え、載置部に載置した被加工物に対し、応力印加手段によって加工対象位置に対して引張応力を作用させた状態で、パルスレーザー光の個々の単位パルス光ごとの被照射領域が被加工面において離散的に形成されるように載置部と光源とを連続的に相対移動させつつパルスレーザー光を被加工物に照射することによって、被照射領域同士の間で被加工物の劈開もしくは裂開を順次に生じさせることにより、被加工物に分割のための起点を形成する。 （もっと読む）

【課題】走査回数を増やすことなく、基板の表面と基板内部とに、短パルスレーザによる加工が行える基板加工装置を提供する。
【解決手段】短パルスレーザ光源３１と、短パルスレーザビームを第一光路側と第二光路側とに分岐する光路分岐部３５と、第二光路側が第一周波数よりも小さな第二周波数で繰り返し発振するように繰り返し発振周波数を変換するパルスピッカー部３９と、第二光路側の出力パワーが第一光路側の出力パワーよりも大きくなるように調整する出力調整部３６と、第一光路側および第二光路側を重ね合わせた合成レーザビームを形成する光路合成部４６と、対物レンズ４９を含み、基板に向けて合成レーザビームを照射する合成レーザビーム照射光学部４８と、合成レーザビームを相対的に走査させる走査機構とを備える。 （もっと読む）

【課題】加工痕の形成が抑制されるとともに、被加工物の分割がより確実に実現される分割起点の形成が可能となる、レーザー加工装置を提供する。
【解決手段】パルスレーザー光を発する光源と、被加工物が載置されるステージと、を備えるレーザー加工装置が、ステージに載置された被加工物の載置面を冷却するための冷却機構をさらに備え、ステージに被加工物を載置し、かつ、冷却機構によって載置面を冷却した状態で、パルスレーザー光の個々の単位パルス光ごとの被照射領域が載置面と対向する被加工面において離散的に形成されるようにステージと光源とを連続的に相対移動させつつパルスレーザー光を被加工物に照射することによって、被照射領域同士の間で被加工物の劈開もしくは裂開を順次に生じさせることにより、被加工物に分割のための起点を形成する。 （もっと読む）

【課題】被加工物に照射するレーザビームの本数を容易に変更可能なレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】レーザビーム照射手段は、レーザビーム６９を発生するレーザビーム発生手段と、該レーザビーム発生手段が発生したレーザビームを集光して被加工物に照射する集光レンズと、該レーザビーム発生手段と該集光レンズとの間の光路に配設され、該レーザビーム発生手段が発生したレーザビームを複数のレーザビームに分岐するレーザビーム分岐手段７４とを含み、該レーザビーム分岐手段は、レーザビームを分岐する分岐数が互に異なる複数の回折光学素子８２ａ〜８２ｇと、該複数の回折光学素子の内の一つを選択的にレーザビームの光路に位置付ける位置付け手段とを含む。 （もっと読む）

【課題】デバイス裏面のダイボンディング用接着フィルムをデバイス毎にレーザで切断するに当たり、デバイスに欠けがあっても切断位置を正しく認識し切断する半導体デバイスの製造方法およびレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】先ダイシングにて分割されたウエーハの裏面に接着フィルムを貼着する接着フィルム装着工程と、分割溝に沿って接着フィルムにレーザー光線を照射し接着フィルムを分割する接着フィルム分割工程とを含み、接着フィルム分割工程では、各デバイス２２間の分割溝２１０の溝幅を検出し、溝幅が許容範囲である場合には溝幅の中心座標値を求め、溝幅が許容範囲を超える場合には中心座標値を求めることなく隣接する次のデバイス間の溝幅の中心座標値を求め、中心座標値を結ぶ一次関数を算出し、それをレーザー光線照射位置２１１とし、レーザー光線照射位置２１１に沿って接着フィルムを切断する。 （もっと読む）

【課題】薄いシリコン基板を製品率を確保して提供する。
【解決手段】レーザ光源１６０、集光レンズ１７０、収差調整板１８０から基板１０にレーザ光１９０を集光し、レーザ光１９０と基板１０を相対的に移動させて、基板１０の表面から所定の深さの範囲において基板の表面に水平方向に形成した、多結晶シリコンの多結晶粒を有してなる内部改質層１４を形成する工程と、基板１０を内部改質層１４又は内部改質層１４近傍において割断する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハの裏面側、あるいは保護膜付ウエハの保護膜側を粘着シートに貼付し、粘着シート側からレーザー光を照射してウエハ裏面あるいは保護膜にマーキングする際に、ウエハや保護膜の熱分解によって発生するガス状の汚染物質を効率よく除去し、マーキング適性の低下や、半導体装置の汚染を防止しうるウエハ加工用粘着シートを提供すること。
【解決手段】 本発明に係るウエハ加工用粘着シートは、貫通孔を有し、波長５３２ｎｍおよび１０６４ｎｍの光透過率が７０％以上であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】薄いシリコン基板を製品率を確保して提供する。
【解決手段】レーザ光源１６０、集光レンズ１７０、収差調整板１８０から基板１０にレーザ光１９０を集光し、レーザ光１９０と基板１０を相対的に移動させて、基板１０に内部改質層１４を形成し、内部改質層１４は、基板１０の表面から所定の深さの範囲に多結晶シリコンの多結晶粒を有してなり、当該内部改質層１４は、基板１０の深さ方向に非対称な構造を有する。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板等をレーザ光によってスクライブする際に、簡単な装置構成で、適切な広さの改質領域を形成できるようにし、また、基板に形成された素子へのダメージを抑える。
【解決手段】この方法は、パルスレーザ光を脆性材料基板に照射して分断予定ラインに沿ってスクライブする方法であって、第１工程と第２工程とを備えている。第１工程は、パルスレーザ光を基板に照射するとともに、分断予定ラインに沿って走査し、基板の表面及び裏面から離れた内部に、分断予定ラインに沿った改質層を形成する工程である。第２工程は、ビーム強度の調整されたパルスレーザ光を基板に照射するとともに、パルスレーザ光の焦点位置を固定して分断予定ラインに沿って走査し、改質層を起点として基板の表面に到達しない深さまで進行する複数の線状加工痕を分断予定ラインに沿って周期的に形成する工程である。 （もっと読む）

【課題】レーザー加工装置における加工の生産性を向上させる。
【解決手段】保持手段に保持された被加工物Ｗとレーザー照射手段とを相対的に加工送り及び割り出し送りしてレーザー加工を行うレーザー加工装置において、保持手段とレーザー照射手段のレーザー照射ヘッド３１とを相対的に加工送りして被加工物Ｗにレーザー光線を照射して加工を行うステップと、加工が終了しレーザー光線が被加工物Ｗを越えた際に加工送りを停止させるステップと、加工送りの停止に要する減速の時間を利用して割り出し送りを行うステップとを実施する制御手段を備える。加工送りの減速の時間を利用して次のレーザー加工を開始できる状態とするため、実質的に割り出し送りに要する時間を０にすることができ、レーザー加工の生産性を改善することができる。 （もっと読む）

【課題】ウェハのレーザー加工時において、該ウェハの裏面に貼付されたフィルム越しにレーザー光を照射しても、ウェハの内部に安定した改質層が形成できるようにする。
【解決手段】金属膜の形成されたウェハ１３の表面に対向する該ウェハ１３の裏面に透明なエキスパンドテープ１５を貼付し、該ウェハ１３の表面を下向きにして液槽１２の所定の位置へ搬送する。その後、液槽１２に液体１１を充填し、ウェハ１３を液体１１の液面で支持する。さらに、レーザーヘッド４０及びコンデンスレンズ２４を含むレーザー照射部を、制御部５０の制御によってＸＹＺθ方向へ駆動させ、ウェハ１３に対してエキスパンドテープ１５越しにレーザー光Ｐを照射して、該ウェハ１３の内部又は表面の改質を行う。ウェハ１３の内部又は表面の改質後に液槽１２から液体１１を排出し、改質層の形成されたウェハ１３の領域で分割離間してチップを生成する。 （もっと読む）

【課題】レーザー光線発信器から発振されたレーザー光線の出力を高速制御することができるレーザー光線照射機構およびレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】レーザー光線発振器と集光レンズとの間に配設された出力調整手段６３とを具備するレーザー光線照射機構であって、出力調整手段は、１／２波長板と、直線偏光のレーザー光線を入光してS偏光成分を反射させP偏光成分を透過せしめる第１の偏光ビームスプリッター面および第２の偏光ビームスプリッター面を備えたプリズム６３２と、S偏光成分とP偏光成分との間に位相差(α)を生成する光路長調整手段６３３と、偏光成分合成手段６３６と、偏光成分合成手段で合成されたレーザー光線を分光する偏光ビームスプリッター面を備え、偏光成分合成手段で合成されたレーザー光線のS偏光成分とP偏光成分との位相差(α＋β)を０度から１８０度の間で制御する制御手段とを具備している。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの表面に形成されたデバイスを破壊することなく、ウェーハの内部に改質層を精度良く形成することができるレーザダイシング装置及び方法並びにウェーハ処理方法を提供する。
【解決手段】レーザ光を透過可能に形成されたウェーハテーブル２０の保持面２２ＡにはウェーハＷの裏面側が屈折液２６を介在させた状態で密着保持される。これにより、ウェーハが撓みなく平坦な状態で保持される。そして、レーザ光をウェーハＷの裏面側からウェーハテーブル２０を介して照射することにより、ウェーハＷの内部に改質層を精度良く形成することが可能となる。また、ウェーハＷの表面に一切触れることなく、ダイシング処理を行うことができる。したがって、ウェーハＷの表面に形成されたデバイスを破壊することなく、ダイシング処理を行うことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の切断を、半導体の変質を防止しながらも高速で行う。
【解決手段】半導体切断装置は、１つの半導体基板１２０を予定切断線に沿って切断することにより複数の半導体装置を切り出す。半導体基板は、プリント基板層とパッケージ樹脂層を有する。予定切断線は、直線形状を有する複数の第１の部分１３１，１３２と該直線形状とは異なる異形線形状を有する複数の第２の部分１３３ａ〜１３３ｄとにより構成される。制御手段１５０は、複数の半導体装置領域に対して設けられた予定切断線のうち、第１の部分の切断前に、レーザ光を用いて第２の部分を切断する。制御手段は、第２の部分の切断において、プリント基板層に対して照射するレーザ光の周波数をパッケージ樹脂層に対して照射するレーザ光の周波数より高くし、プリント基板層に対するレーザ光の走査回数とパッケージ樹脂層に対するレーザ光の走査回数とを異ならせる。 （もっと読む）

【課題】基板上の薄膜をレーザによりスクライブ加工する場合に、大型の集塵機、大量の洗浄液を必要とせず、正確に微細なスクライブ加工を行うレーザ加工方法および装置を提供することを目的とすること。
【解決手段】レーザ光の光軸１０３を加工対象物表面に対し概略垂直に配置し、レーザ光の照射点の領域より大きい液柱状の洗浄液をノズルから噴射して加工を行うレーザ加工方法において、レーザ光の光軸１０３が、ノズル１１３の噴出口１１５の開口中心に対して、加工の進行方向Ｌと反対側の方向に偏心している。あるいは加工の進行方向Ｌに直交する方向の位置に偏心している。 （もっと読む）

【課題】レーザー加工方法及び装置を提供する。
【解決手段】本発明のレーザー加工方法によれば、スキャナー又はポリゴンミラーを用いてレーザービームを動くようにスキャンし、斜角方向に対象物へ照射することにより、対象物を効率よくスクライビング又は切断することができる。 （もっと読む）

【課題】ウエーハ等の被加工物の外周縁をオーバーランしてレーザー光線が粘着テープに照射されたり、被加工物に完全切断溝が形成されてレーザー光線が粘着テープに照射されても、被加工物が貼着された粘着テープに貫通穴を形成することがないレーザー加工方法。
【解決手段】被加工物を保持する保持テーブルと、保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、保持テーブルと該レーザー光線照射手段とを相対的に加工送りする加工送り手段とを具備するレーザー加工方法であって、被加工物を環状のフレームに貼着する被加工物貼着工程と、保持テーブルの保持面に水の層を形成して水の層上に粘着テープを介して被加工物を支持するとともに、環状のフレームを固定する被加工物支持工程と、レーザー光線照射手段からレーザー光線を照射しつつ加工送りし、保持テーブルに支持された被加工物にレーザー加工を施すレーザー加工工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】分割すべき領域の内部にレーザー光線を十分に集光させること。
【解決手段】改質層形成工程を実行する前に、ワーク１の表面にワーク１に対して吸収性を有するレーザー光線ＬＢを照射してワーク１の表面に存在する凹凸１０１を除去する。これにより、改質層形成工程を実行する際に、ワーク１の表面に存在する凹凸１０１によってレーザー光線ＬＢが散乱されることにより、分割すべき領域の内部にレーザー光線ＬＢを十分に集光できなくなることを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】 レーザー光により被加工物を加工する場合に、分解物による被加工物表面の汚染を効果的に低減して、生産効率よくかつ容易にレーザー加工を行うことが可能なレーザー加工方法を提供する。
【解決手段】 本発明のレーザー加工方法は、被加工物に対しレーザー光を照射して加工するレーザー加工方法であって、前記レーザー光の照射の際に発生する分解物を、照射部分の近傍で吸引除去しながら、前記レーザー加工することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ｃ面とオフ角分の角度を成す主面を有する六方晶系ＳｉＣ基板を備える板状の加工対象物を切断予定ラインに沿って精度良く切断することができるレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】 ｃ面とオフ角分の角度を成す表面１２ａを有する六方晶系ＳｉＣ基板１２を備える板状の加工対象物１を準備する。続いて、パルス発振されたレーザ光Ｌの集光点ＰをＳｉＣ基板１２の内部に合わせて、パルスピッチが１０μｍ〜１８μｍとなるように切断予定ライン５ａ，５ｍに沿ってレーザ光Ｌを加工対象物１に照射する。これにより、切断予定ライン５ａ，５ｍに沿って、切断の起点となる改質領域７ａ，７ｍをＳｉＣ基板１２の内部に形成する。 （もっと読む）