【課題】 保護膜剤の過剰使用を抑えるとともに短時間での保護膜形成を可能とするウエーハの加工方法を提供することである。
【解決手段】 表面に形成された複数の交差する分割予定ラインで区画された各領域にそれぞれデバイスが形成されたウエーハの加工方法であって、ウエーハの表面に水溶性樹脂からなる液状保護膜剤を保護膜剤吐出手段から供給しつつウエーハと該保護膜剤吐出手段とを相対移動させ、液状保護膜剤の表面張力を利用してウエーハの表面を被覆する保護膜形成ステップと、該保護膜形成ステップを実施した後、ウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザビームを該保護膜を介して該分割予定ラインに沿ってウエーハに照射して、ウエーハにレーザ加工溝を形成するレーザ加工ステップと、該レーザ加工ステップを実施した後、ウエーハに洗浄水を供給して該保護膜をウエーハ上から除去する保護膜除去ステップと、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板の表面にバファー層を介して積層された光デバイス層に移設基板を接合した後、光デバイス層を損傷させることなくバファー層を確実に破壊してサファイア基板を確実に剥離することができる光デバイスウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板２０の表面にバファー層２２を介して光デバイス層２１が積層された光デバイスウエーハ２に移設基板３を接合する移設基板接合工程と、サファイア基板側からパルスレーザー光線を照射して前記バファー層を破壊するバファー層破壊工程と、バファー層が破壊された光デバイスウエーハのサファイア基板を剥離して光デバイス層を移設基板に移し替えるサファイア基板剥離工程とを含み、バファー層破壊工程において照射するパルスレーザー光線は、波長がサファイア基板の吸収端よりも長く、バファー層の吸収端よりも短く、かつ熱拡散長が２００nm以下となるパルス幅のものを用いる。 （もっと読む）

【課題】 保護膜剤の過剰使用を抑えるとともに短時間での保護膜形成を可能とするウエーハの加工方法を提供することである。
【解決手段】 表面に形成された複数の交差する分割予定ラインで区画された各領域にそれぞれデバイスが形成されたウエーハの加工方法であって、ウエーハの表面側を水溶性保護シートで覆うとともに、該水溶性保護シートとウエーハとの間を減圧してウエーハの表面側に該水溶性保護シートを貼着する水溶性保護シート貼着ステップと、該水溶性保護シート貼着ステップを実施した後、ウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザビームを該水溶性保護シートを介して該分割予定ラインに沿ってウエーハに照射して、ウエーハにレーザ加工溝を形成するレーザ加工ステップと、該レーザ加工ステップを実施した後、ウエーハに洗浄水を供給して該水溶性保護シートをウエーハ上から除去する水溶性保護シート除去ステップと、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】III−Ｖ族化合物半導体層を有するウェハを高精度かつ効率よく切断する。
【解決手段】発光素子の製造方法は、基板の表面上にIII−Ｖ族化合物半導体からなる半導体層が積層されたウェハの基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより改質領域を形成し、この改質領域によって、ウェハをチップ状に切断するための切断予定ラインに沿って基板のレーザ光入射面から所定距離内側に切断起点領域を形成し、切断起点領域に沿ってウェハを切断する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】回折光学素子によって一次光を生成するとともに、一次光に生成されなかった０次光を排除することができるレーザー光線照射装置を提供する。
【解決手段】レーザー光線発振手段と集光レンズとの間に配設され、レーザー光線のスポット形状を規定する回折光学素子と、回折光学素子によってスポット形状を規定した一次光と一次光に生成されなかった０次光のうち、０次光を排除してスポット形状を規定した一次光のみを集光器レンズに導く０次光排除手段とを具備し、０次光排除手段は一次光と０次光が入光する入光面と入光面に対して傾斜し一次光と一次光に対して角度を有する０次光とが出光する出光面を備えた第１のプリズムと、第１のプリズムの出光面から出光された一次光を入光し０次光を反射する０次光反射面と一次光を出光する一次光出光面を備えた第２のプリズムと、第２のプリズムの０次光反射面で反射した０次光を吸収するダンパーとを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】製造ロットが相違したり製造メーカーが異なるサファイア基板であっても適正な改質層を形成することができるサファイア基板の加工方法を提供する。
【解決手段】パルスレーザー光線を照射し、サファイア基板の内部に改質層を形成する加工方法であって、サファイア基板の特性に対応して少なくとも２種類の加工条件を設定する加工条件設定工程と、加工条件が設定されたサファイア基板を判別するための判別条件設定工程と、設定された判別条件に基づいてサファイア基板を判別し、サファイア基板の該加工条件設定工程において設定された少なくとも２種類の加工条件から一つの加工条件を決定する加工条件決定工程と、加工条件決定工程において決定された加工条件に従ってレーザー光線の集光点をサファイア基板の内部に位置付けて分割予定ラインに沿って照射し、サファイア基板の内部に分割予定ラインに沿って改質層を形成する改質層形成工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 レーザビームの照射によって煙が発生して集光器の対物レンズにコンタミが付着しても、コンタミを容易に除去可能なレーザ加工装置を提供することである。
【解決手段】 被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物に対して透過性を有する波長のレーザビームを照射するレーザビーム照射手段と、該チャックテーブルと該レーザビーム照射手段とを相対的に加工送りする加工送り手段とを備えたレーザ加工装置であって、該レーザビーム照射手段は、レーザ発振器と、該レーザ発振器が発振したレーザビームを集光し被加工物の内部に集光点を位置付けて被加工物の内部に改質層を形成する集光器とを含み、該集光器の対物レンズにガスを噴射して対物レンズを洗浄する噴射ノズルと、該噴射ノズルを該集光器と対向する位置に位置付ける噴射ノズル位置付け手段と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ウエーハの反りを矯正することができウエーハ保持手段を備え、ウエーハの裏面を保持してウエーハの裏面側からレーザー加工を施すことができるレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】ウエーハを仮置きする仮置きテーブル７と、仮置きテーブル７に仮置きされたウエーハ１０を吸引保持するウエーハ保持手段６と、ウエーハ保持手段６に保持されたウエーハ１０にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段８と、ウエーハ保持手段６とレーザー光線照射手段８とを加工送り方向に相対的に加工送りする加工送り手段３０と、ウエーハ保持手段６とレーザー光線照射手段８とを加工送り方向と直交する割り出し送り方向に相対的に割り出し送りする割り出し送り手段５０とを具備し、ウエーハ保持手段６は、加工送り方向に沿って形成された複数のスリット６２１と、該複数のスリット６２１間に設けられた吸引部６２２を有する保持プレート６２を備えている。 （もっと読む）

【課題】 レーザビームの照射によって煙が発生しても集光器の対物レンズが汚染されることのないレーザ加工装置を提供することである。
【解決手段】 被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物に対して透過性を有する波長のレーザビームを照射するレーザビーム照射手段と、該チャックテーブルと該レーザビーム照射手段とを相対的に加工送りする加工送り手段とを備えたレーザ加工装置であって、該レーザビーム照射手段は、レーザ発振器と、該レーザ発振器が発振したレーザビームを集光し被加工物の内部に集光点を位置付けて被加工物の内部に改質層を形成する集光器とを含み、該集光器に隣接して配設され、該チャックテーブルに保持された被加工物のレーザビームが照射される領域に向けてガスを噴射するノズルを有するガス噴射手段を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】アブレーション加工により発生する粉塵がレーザビームの光路を妨げることのない粉塵排出ユニットを備えたレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】粉塵排出手段は、上壁と底壁と該上壁と該底壁と連結する側壁とを有し、内部に集塵室を画成し該集光器に連結されたケーシングと、該上壁に形成されたレーザビームの通過を許容する第１の開口と、該底壁に形成されたレーザビームの通過を許容する第２の開口と、該側壁に形成された吸引排気口と、該上壁及び該底壁に接するように該ケーシング内に挿入され、該第２の開口を中央開口と該中央開口の両側の第１及び第２吸引口に分離するＶ形状隔壁と、該第１吸引口を該吸引排出口に接続する該ケーシングと該Ｖ形状隔壁により画成された第１流路と、該第２吸引口を該吸引排出口に接続する該ケーシングと該Ｖ形状隔壁により画成された第２流路とを具備する。 （もっと読む）

【課題】複雑な手順による被加工物の搬送をすることなく、切削加工、洗浄及びレーザー加工を行う。
【解決手段】回転可能なチャックテーブル３に保持された被加工物に切削ブレード６１ｂを回転させながら接触させて切削する切削手段６と、チャックテーブル３に保持された被加工物に洗浄液を噴射するノズル５１を備えた洗浄手段５と、チャックテーブル３に保持された被加工物をレーザー加工するレーザー加工手段４とから少なくとも構成される切断装置１であって、切削手段６と洗浄手段５とレーザー加工手段４との作用位置を同一駆動軸７０上に位置させることにより、同一のチャックテーブル３に保持された被加工物が切削手段６と洗浄手段５とレーザー加工手段４とによる作用を連続して受けることができるようにして、被加工物の搬送時における破損を低減する。 （もっと読む）

【課題】複雑な構成にすることなく改質層の厚みを可変して形成するレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】パルスレーザー光線の繰り返し周波数調整手段と、チャックテーブルに保持された被加工物に照射せしめる集光対物レンズとを具備するレーザー加工装置であって、該パルスレーザー光線発振器と集光対物レンズとの間に配設され高周波を生成するピエゾ素子を備えピエゾ素子によって生成される高周波の周期に対応して焦点距離が変化する可変焦点レンズと、ピエゾ素子に印加する高周波電流の周波数を調整する高周波電流周波数調整手段と、繰り返し周波数調整手段および高周波電流周波数調整手段を制御する制御手段とを具備し、制御手段は発振されるパルスレーザー光線の繰り返し周波数と該可変焦点レンズのピエゾ素子に印加する高周波電流の周波数との間に位相差が生じるように繰り返し周波数調整手段および高周波電流周波数調整手段を制御する。 （もっと読む）

【課題】発光素子構造及びその製造方法である。
【解決手段】この発光素子構造は、基板と、発光構造と、を備える。この基板は、対向する上表面と下表面、及び対向する２つの傾斜側面を有し、傾斜側面のそれぞれの両側が、それぞれ上表面と下表面に接合される。発光構造は、上表面に設けられる。 （もっと読む）

【課題】基板の側面からの光取り出し効率を向上させた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体発光素子１０では、基板１１は対向する第１および第２の面１１ａ、１１ｂと、第１および第２の面１１ａ、１１ｂに略直交する側面１１ｃを有している。基板１１の側面１１ｃには、第１の面１１ａから第１の距離Ｌｏ１だけ離間した位置から第２の面１１ｂ側に向かって、第１の粗さＲ１と第１の幅ａを有する第１の領域１２と、第１の粗さＲ１より小さい第２の粗Ｒ２さと第１の幅ａより小さい第２の幅ｂを有する第２の領域１３が交互に形成されている。第１の領域１２の繰り返しピッチは、一定である。基板１１の第１の面１１ａ上に、第１導電型の第１半導体層と、活性層と、第２導電型の第２半導体層が順に積層された半導体積層体１５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】安定した品質のチップを効率よく得ることができる。
【解決手段】ウェーハＷ表面にバックグラインドテープが貼着され（ステップＳ１）、レーザ光をウェーハＷ内部に照射して、ウェーハＷの表面から略６０μｍ〜略８０μｍの深さに切断ラインＳに沿って改質領域を形成し（ステップＳ２）、ウェーハＷの表面から略５０μｍの基準面までウェーハＷを裏面から研削する（ステップＳ３）。このとき、改質領域内のクラックが、基準面とウェーハＷ表面との間に進展される。その後、研削によりウェーハＷの裏面に形成された加工変質層が除去され、ウェーハＷ裏面が鏡面加工され（ステップＳ４）、ウェーハＷ裏面にエキスパンドテープが貼付され（ステップＳ５）、弾性体２１２上に載置されたウェーハＷが押圧部材２１８で押圧されることにより割断され（ステップＳ６）、エキスパンドテープＥが外側へ拡張されると、チップＣが離間される（ステップＳ７）。 （もっと読む）

【課題】加工送り手段による加工送りによって発生する振動を吸収することができるレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】被加工物を保持する被加工物保持手段と、被加工物保持手段に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、被加工物保持手段とレーザー光線照射手段とを加工送り方向（X軸方向）に相対的に加工送りする加工送り手段と、被加工物保持手段とレーザー光線照射手段とをX軸方向と直交する割り出し送り方向（Y軸方向）に相対的に割り出し送りする割り出し送り手段とを具備しているレーザー加工装置であって、被加工物保持手段とレーザー光線照射手段と加工送り手段と割り出し送り手段は第１の基台に配設されており、第１の基台はX軸方向の移動を許容するX軸方向移動許容ガイド手段を介して第２の基台に配設されている。 （もっと読む）

【課題】基板の厚み方向に異なる距離に複数段にわたって脆弱領域を形成しても、半導体素子の特性の劣化を抑制できる半導体ウエーハのレーザ加工方法等を提供する。
【解決手段】第１のレーザ照射工程では、レーザ光４５−１が基板１１０の裏面１１０ｂから入射され、開口数ＮＡ１の集光レンズ４４−１により裏面１１０ｂから距離ｄ１の位置に集光される。そして、吸着ステージ５２の−Ｘ方向への移動とともに、複数の脆弱領域２３が繰り返して形成される（図７（ａ１））。第２のレーザ照射工程では、レーザ光４５−２が基板１１０の裏面１１０ｂから入射され、開口数ＮＡ２が開口数ＮＡ１より大きい集光レンズ４４−２により裏面１１０ｂから距離ｄ２の位置に集光される。そして、吸着ステージ５２の−Ｘ方向への移動とともに、複数の脆弱領域２４が繰り返して形成される（図７（ｂ１））。 （もっと読む）

【課題】円形以外の楕円ビームやラインビームを走査させ、照射対象面を改質するレーザ照射装置及びレーザ照射方法を提供する。
【解決手段】照射対象物１５を照射するレーザビーム３の走査位置を直交関係のＸ走査部４とＹ走査部５とで移動させるレーザビーム位置移動手段（４、５）と、前記レーザビーム３を光軸中心に走査角（θ_i）を回転させるレーザビーム回転手段２と、これらの手段の動作を制御するマイクロプロセッサ８と、前記制御に係る情報を記憶するメモリ９とを具備するレーザ照射装置１であって、前記レーザビーム３の短軸方向３ｂに走査方向Ｐ１を一致させ、刻々変化する前記レーザビーム３の所定の移動位置ごとに設定した前記走査角（θ_i）の方向に前記レーザビーム３を走査させる。 （もっと読む）

【課題】安定した品質のチップを効率よく得ることができる。
【解決手段】ウェーハＷ表面にバックグラインドテープが貼着され（ステップＳ１）、レーザ光をウェーハＷ内部に照射して、ウェーハＷの表面から略６０μｍ〜略８０μｍの深さに切断ラインＳに沿って改質領域を形成し（ステップＳ２）、ウェーハＷの表面から略５０μｍの基準面までウェーハＷを裏面から研削する（ステップＳ３）。このとき、改質領域内のクラックが、基準面とウェーハＷ表面との間に進展される。その後、研削によりウェーハＷの裏面に形成された加工変質層が除去され、ウェーハＷ裏面が鏡面加工され（ステップＳ４）、ウェーハＷ裏面にエキスパンドテープが貼付され（ステップＳ５）、弾性体２１２上に載置されたウェーハＷが押圧部材２１８で押圧されることにより割断され（ステップＳ６）、バックグラインドテープが剥離され（ステップＳ７）、エキスパンドテープＥが外側へ拡張されると、チップＣが離間される（ステップＳ８）。 （もっと読む）

【課題】レーザー光線を対物レンズの光軸に対して平行に照射することができる像側テレセントリック対物レンズおよびその対物レンズを備えたレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】像側テレセントリック対物レンズであって、投光側から順次配設される負の屈折力を有する第１レンズ群G1と、正の屈折力を有する第2レンズ群G2と、負の屈折力を有する第3レンズ群G3とを具備し、該第１レンズ群G1は互いに対向する面が凹面を有する第１の負レンズと第２の負レンズにより正の空気レンズを構成しており、光学系の合成焦点距離をF、該第１レンズ群G1の合成焦点距離をF1、該第１レンズ群G1の空気レンズの焦点距離をFa、該第2レンズ群G2の合成焦点距離をF2、該第3レンズ群G3の合成焦点距離をF3としたとき、０．９＜｜F1／F2｜＜３．５、１．２＜｜F3／F2｜＜５．０、１．３＜｜F／Fa｜＜２．５５の条件を満足する。 （もっと読む）