【課題】薄い半導体ウェハを比較的短時間で容易に製造することができ、かつ製品率を向上させることのできる基板スライス方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に非接触にレーザ集光手段１６を配置する工程と、レーザ集光手段１６により、基板１０表面にレーザ光２２を照射し、基板１０内部にレーザ光２６を集光する工程と、レーザ集光手段１６と基板１０を相対的に移動させて、基板１０内部に改質層１２を形成する工程と、基板１０側壁に改質層１２を露出させる工程と、改質層１２に溝（３２ａ、３２ｂ）を形成する工程と、溝（３２ａ、３２ｂ）を基点に基板１０を剥離する工程とを有する基板スライス方法。 （もっと読む）

【課題】チルト制御機構を有するレーザ照射装置及びレーザ照射装置におけるチルト制御方法を提供する。
【解決手段】レーザ照射装置において一対の照射用光学系及び一対のＡＦ光学系を設け、各ＡＦ光学系において受光される戻り光の光量に基づいて光ヘッド部をチルト方向に駆動制御することにより、均一な照射を保ちつつ照射対象物の照射面のチルトに対する自動調整を行う。 （もっと読む）

【課題】裏面に第２の半導体デバイスを接合したウエーハを、ストリートに沿って切削ブレードによって切削してもチッピングが生じないウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】表面２ａに複数の第１のデバイス２２が形成されたウエーハ２の裏面に第２の半導体デバイス２２０を接合した積層ウエーハ２２２を、第１の半導体デバイス２２を区画するストリート２１に沿って分割するウエーハの加工方法であって、第１のデバイス２２が形成されたウエーハ２の裏面に紫外線を照射すると固化し温水によって除去可能な液状樹脂を被覆して第２の半導体デバイス２２０を埋没させる樹脂被覆工程と、液状樹脂に紫外線を照射して固化する樹脂固化工程と、積層ウエーハ２２２の第１のデバイス２２が形成されたウエーハ２をストリート２１に沿って切削ブレードによって切断する切断工程と、温水に浸漬して樹脂を膨潤させて除去する樹脂除去工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着されるウエハの中心をチャックテーブルの中心と一致させて載置することができるレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】ウエハの大きさと同一または僅かに小さいウエハ保持領域と保持領域の外側周囲にレーザ光線緩衝溝が形成されているチャックテーブルとレーザ光線照射手段とを具備するレーザ加工装置であって、環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着されたウエハと環状のフレームの中心との変位量を検出する変位量検出機構と、ウエハと環状のフレームの中心とのズレに基づいて加工送り手段および割り出し送り手段とウエハ搬送手段を制御する制御手段とを具備し、制御手段は搬送されるウエハの中心がチャックテーブルの中心位置と一致するようにウエハ着脱位置に位置付けられているチャックテーブルとウエハ搬送手段によって搬送されるウエハの搬送位置とを相対的に変位せしめる。 （もっと読む）

【課題】レーザ加工におけるタクトタイムの短縮化が可能なレーザ加工方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態では、レーザ光Ｌを反射型空間光変調器で変調し、変調したレーザ光Ｌを加工対象物１に集光させながら該レーザ光Ｌを加工対象物１に対して移動させる。このとき、加工対象物１においてレーザ光Ｌを移動させる方向Ｄに沿って離れた２箇所にレーザ光Ｌが集光されて改質スポットＳ，Ｓが形成されるように、レーザ光Ｌを空間光変調器で変調する。 （もっと読む）

【課題】加工位置を適正に検出しながら被加工物に対して分割予定ラインに沿った高精度なレーザー加工を施すこと。
【解決手段】ある実施の形態における加工方法において、ズレ量算出工程は、加工対象の第１の分割予定ライン１１に沿って最も表面側の改質領域を形成する前に、被加工物１を透過させて内部を撮像する撮像ユニット２５５によって加工対象の第１の分割予定ライン１１に対して形成済みの改質領域１７ｂを撮像し、その加工位置を検出して加工対象の第１の分割予定ライン１１のＹ座標上の位置とのズレ量Ｌ２１を算出する。そして、位置付け工程は、レーザー照射ユニットをＹ座標方向に割り出し送りして次に加工対象とする第１の分割予定ライン１１に位置付ける際に、第１の分割予定ライン１１間の距離によって定まる割り出し送り位置をズレ量Ｌ２１分ずらして割り出し送りする。 （もっと読む）

【課題】 識別コードや任意のパターンのマーキング前に、マーキング対象物の移動速度に対する、前記光線偏向手段の偏向角速度の変化を計測する手段を提供する。
【解決手段】 マーキング対象物を所定の速度で移動させ、識別コードを生成する手段を用いて前記識別コードや任意のパターンに対応したマーキング光線を照射させ、前記マーキング光線を偏向させて前記マーキング対象物に照射させる光線偏向手段とを用い、前記マーキング対象物の移動に追従させて、前記マーキング光線の照射方向を変えられる、マーキング装置及び方法であって、前記光線偏向手段に向かって照準光線を照射させ、前記マーキング対象物の移動に同期して移動する光線照射位置検出器を用い、前記光線照射位置検出器に照射される前記照準光線の照射位置の変化を検出する手段を用いた装置及び方法。 （もっと読む）

【課題】レーザ発振による振動が光学ユニットに伝達されることを抑制する連結ユニット、及びこれを含むレーザ発振装置を提供する。
【解決手段】レーザを発振する発振ユニットと、前記レーザを取り囲むシャッターユニットと、前記レーザを取り囲んで前記発振ユニットと前記シャッターユニットとの間を連結し、前記発振ユニットに支持されている第１連結部及び前記シャッターユニットに支持されている第２連結部を含む連結ユニットとを含み、前記第１連結部及び前記第２連結部のいずれか一つは、他の一つから離隔し、前記他の一つの一部以上を取り囲むレーザ発振装置。 （もっと読む）

【課題】半導体膜の結晶性若しくは表面の平坦性、又は結晶性及び表面の平坦性を高めることのできるレーザ照射装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】レーザ発振器と、レーザ発振器から射出されたレーザ光を線状に成形する光学系と、光学系によって成形された線状のレーザ光が照射される被照射物を載置するステージと、を有し、ステージは、支持台上に、ヒータ、不純物吸着材及び被照射物を載置する載置台が順に固定されているレーザ照射装置を用いて、絶縁表面上に設けられた半導体膜にレーザ光を照射し、半導体膜を結晶化する。 （もっと読む）

【課題】デブリによる被加工物表面の汚染を防止しつつ、ドロスの生成を十分に低減し、かつ被加工物の表面の上に形成した被膜の除去が簡単なレーザー加工方法を提供する。
【解決手段】被加工物１の加工すべき表面の上に被膜２を形成する工程と、被膜２を通じて被加工物１にレーザー光線を照射して被加工物１を加工する工程と、レーザー光線の照射後に被膜２を除去する工程を含むレーザー加工方法であって、被膜２を、アルカリ可溶性基がアルキルビニルエーテルを用いてブロックされているモノマー単位を有するビニル系重合体（Ａ）、及び、ニグロシン（Ｂ）を含有する組成物から形成することを特徴とするレーザー加工方法。 （もっと読む）

【課題】相対的に面積が大きい方にも僅かに膨張する膨張分を考慮し、ウエーハに形成されたストリートに沿って品質上影響を及ぼすことなく効率よくレーザー加工することができるウエーハのレーザー加工方法を提供する。
【解決手段】面積が最も大きい中央領域のレーザー加工が最後になるように被加工用ウエーハをストリートに沿ってレーザー加工するレーザー加工方法であって、予めゲージ用ウエーハに対して被加工用ウエーハに形成されたストリートに対応する加工領域に所定本数の加工領域毎に第１のレーザー加工工程および第２のレーザー加工工程を実施して所定本数の加工領域毎にゲージ用ウエーハのＹ軸方向における中心側のズレ量を検出することにより所定本数の加工領域毎に補正データを作成し、被加工用ウエーハに対して第１のレーザー加工工程および第２のレーザー加工工程を実施する際に、所定本数のストリートに沿ってレーザー加工を実施する毎に、補正データに基づいて割り出し送り量を補正する。 （もっと読む）

【課題】低温でウエハに貼付可能であり、室温で取扱い可能な程度に柔軟であり、かつ、通常に行われるエキスパンド条件において切断可能である接着シートを提供すること。
【解決手段】Ｉ）半導体ウエハに接着シートを貼り付ける工程、II）半導体ウエハ内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、多光子吸収による改質領域を形成する工程及びIII）接着シートに粘着テープを貼り付ける工程を含み、さらにIV）粘着テープをエキスパンドし、接着シートを切断予定ラインに沿って切断することにより、複数の個片化された接着シート付き半導体チップを得る工程及びＶ）接着シート付き半導体チップを半導体チップ搭載用支持部材に接着する工程を含む半導体装置の製造方法に使用する接着シートであって、該接着シートが、前記工程IV）の直前の段階で、破断強度が３０ＭＰａ以下かつ破断伸びが４０％以下であることを特徴とする接着シート。 （もっと読む）

【課題】噴射ノズルから噴射される液柱に沿って照射されるレーザー光線が屈折することを防止したレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】被加工物を保持するチャックテーブルと、チャックテーブルに保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、チャックテーブルとレーザー光線照射手段とを相対的に加工送りする加工送り手段とを具備し、レーザー光線照射手段がレーザー光線発振手段とレーザー光線発振手段から発振されたレーザー光線を集光する集光レンズを備えた加工ヘッドとを具備するレーザー加工装置であって、加工ヘッドは集光レンズによって集光されたレーザー光線の光軸に沿って液体を噴出する噴射ノズルを備えた液柱形成機構と、液柱形成機構の下側に配設され噴射ノズルから噴射される液柱が通過する挿通路および該挿通路を囲繞して形成され吸引手段に連通する環状の吸引口を備えた水滴吸引機構とを具備している。 （もっと読む）

【課題】加工対象物を確実に切断しつつ、得られるチップの強度を向上させる。
【解決手段】加工対象物１にレーザ光Ｌを照射し、切断予定ライン５に沿って延び且つ厚さ方向に並ぶ改質領域１７，２７，３７，４７を加工対象物１に形成する。ここで、改質領域形成部分１７ａと改質領域非形成部分１７ｂとが切断予定ラインに沿って交互に所在するよう改質領域１７を形成し、改質領域形成部分４７ａと改質領域非形成部分４７ｂとが切断予定ラインに沿って交互に所在するよう改質領域４７を形成する。よって、切断して得られるチップにおいて裏面２１側及び表面３側の強度が、形成された改質領域７に起因して低下するということを抑制できる。一方、改質領域１７，４７間に位置する改質領域２７，３７を切断予定ライン５の一端側から他端側に亘って連続形成させているため、加工対象物１の切断性を確実に確保できる。 （もっと読む）

【課題】個片化された際のチッピングの発生を防止し、かつ、裏面印字の際の発塵を抑え、信頼性に優れた半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置１Ａ（１）は、チップ状をなし、一面側に回路素子が形成された半導体基板２と、前記半導体基板の他面２ｂの外周域に配され、かつ側面にわたって開口されている欠切部３Ａと、前記欠切部に設けられた保護部４Ａとを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】単結晶シリコン基板を用いた半導体装置を製造する際に、エッチング速度を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】単結晶シリコン基板１１０に対してレーザー光Ｌを照射して、そのレーザー光Ｌの焦点を移動させることによって、少なくとも一部が単結晶シリコン基板１１０の表面に露出するように単結晶シリコン基板１１０の内部を部分的に多結晶化して改質部１５０を形成する改質工程と、改質工程にて単結晶シリコン基板１１０を多結晶化した部位をエッチャントにて連続的にエッチングするエッチング工程とを備える半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体素子用結晶を含む薄層を、レーザ照射を用いて成長基板から剥離する半導体素子の製造方法および製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】第１の主面に半導体素子用結晶が形成された成長基板にレーザ光を照射して前記半導体素子用結晶または前記成長基板の内部の所定位置に前記レーザ光を集光し、前記第１の主面に対して平行な方向に前記レーザ光を移動し、前記半導体素子用結晶を含む薄層を前記成長基板から剥離する工程を備え、前記レーザ光の波長は、前記レーザ光を内部に集光させる前記半導体素子用結晶または前記成長基板の吸収端波長よりも長いことを特徴とする半導体素子の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】レーザ加工中に発生する加工分解物（デブリス）による表面汚染を回避する。
【解決手段】ＸＹステージ１の移動方向に平行に配置された２対のガスポート２１〜２４をレーザ光の光軸方向に積み上げる。下層側のガスポート２１、２２よりガスをレーザ光の加工点に向けて噴出させ、上層側のガスポート２３、２４のうちのステージ進行側のガスポート２４にガスを吸引し、これに対向するガスポート２３は、加工点に対してガスを噴出する。加工対象物の表面に形成される高圧部をＸＹステージ１の移動方向にシフトさせ、レーザ加工で生じるデブリスを高圧部の壁を利用して吸引回収する。 （もっと読む）

【課題】加工対象物に精度よい改質領域を安定して形成することができるレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】本実施形態では、レーザ光Ｌを空間光変調器で変調し、このレーザ光Ｌを加工対象物に集光させる。このとき、レーザ光Ｌの位置を検出すると共に、検出したレーザ光Ｌの位置に基づいて空間光変調器における変調パターンＨの位置を変化させる。そのため、例えば空間光変調器に入射するレーザ光Ｌの位置がズレた場合等においても、かかるズレに応じて変調パターンＨの位置を変化させることができ、空間光変調器でレーザ光Ｌを常に好適に変調させることが可能となる。よって、加工対象物に集光されるレーザ光Ｌの収差を安定して抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの信頼性を向上させる。
【解決手段】ウエハ（半導体ウエハ）４０をスクライブ領域４０ｂに沿って切断して、複数の半導体チップを取得するダイシング工程において、ダイシング工程は、ウエハ４０を切断する前に、スクライブ領域４０ｂにレーザを照射するレーザ加工工程を含む。このレーザ加工工程では、第１のエネルギーを有する第１のレーザを、スクライブ領域４０ｂの主面３ａ上に形成された金属パターン４１ａを含むレーザ加工領域４３に主面３ａ側から照射して、絶縁層（第１絶縁層）３４を取り除く。次に、第１のエネルギーよりも低い第２のエネルギーを有する第２のレーザを、レーザ加工領域４４のデバイス領域４０ａ側の端部を含むレーザ加工領域４４に照射して、レーザ加工領域４４に形成された金属残渣を取り除く。 （もっと読む）