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Fターム[4E351DD21]の内容

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【課題】 端子部の電気的抵抗を抑えることができ、しかもコスト低減が可能となる複合基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 基材3に導電部4が形成された第1の基板1と、基材5に導電部6が形成された第2基板2とを備え、基板1、2の導電部4、6どうしが端子部9で接合された複合基板10。端子部9は、導電部4、6の間に金属からなる接続粒子11が挟み込まれ、かつ接続粒子11と導電部4、6との界面12の縦断面形状が環状となるように形成されている。 (もっと読む)


【課題】ウィスカ形成のない、または少ないプリント配線基板用の保護層を提供する。
【解決手段】 (i)少なくとも1つの非導電性基層、(ii)少なくとも1つの銅および/または銅合金層、および(iii)スズ含有層を持つ被覆品において、層(ii)は層(i)と層(iii)との間に位置する被覆品。この被覆品は、スズ含有層(iii)が、少なくとも1種の他の金属を含有する。 (もっと読む)


【課題】 配線の設計ミス等の配線の変更を電子素子を含む回路基板に行う際に、インクジェット法を用いて容易に配線の変更することができる配線構造を提供することにある。
【解決手段】 第1の導電性液状材料11aが、液滴吐出装置1によって吐出形成され、その後、熱及び/又は光処理後に良質の導電膜としての第1の導電配線23が得られる。回路基板10Aの配線の一部としての導体パターン21bに、第1の導電配線23の一部としての配線接続部23aが電気的に接続されている。また、回路基板10Aの他の配線としての導体パターン21jの一部と第1の導電配線23の他の一部としての配線接続部23bによって電気的に接続されている。 (もっと読む)


パターン化電気回路の製造方法である。本方法は、低温動的吹き付け(CGDS)デバイスを設けるステップと、基板を設けるステップと、CGDSデバイスと基板の間の相対運動により基板上にCGDSデバイスを用いて所定パターンの導電材料を蒸着するステップとを含む。 (もっと読む)


銀系材料を導電層に用い、それを導電保護層により被覆して保護した配線付き基体形成用積層体であって、導電保護層とそれに積層される陰極との間の接触抵抗が極めて低い配線付き基体形成用積層体の提供。 基体と、前記基体上に形成された銀または銀合金を含む導体層と、前記導体層上に該導体層を被覆するように形成された、インジウム亜鉛酸化物を含む導電保護層とを有する、配線付き基体形成用積層体であって、前記導電保護層が、スパッタガス中の酸化性ガスの含有量が1.5体積%以下の雰囲気でのスパッタリングにより形成された導電保護層である、配線付き基体形成用積層体。 (もっと読む)


本発明は、極めて微細なパターン形状を有し、断面形状における厚さ/最小幅の比率が高い導電体層の形成に利用可能であり、微細なパターン形状を高い精度で描画する際、インクジェット法の適用を可能とする高い流動性を有し、導電性媒体として金属ナノ粒子のみを利用する分散液を提供する。本発明に従うと、微細な液滴の形状で噴射し、積層塗布可能な金属ナノ粒子分散液として、 平均粒子径1〜100nmの金属ナノ粒子を、沸点80℃以上の分散溶媒中に分散させ、分散溶媒の容積比率は、55〜80体積%の範囲に選択し、分散液の液粘度(20℃)は、2mPa・s〜30mPa・sの範囲に選択した上で、インクジェット法などで微細な液滴として噴射すると、飛翔の間に、液滴中に含まれる分散溶媒の蒸散に伴い濃縮を受け、粘稠な分散液として、積層塗布が可能なものとなる。 (もっと読む)


基材(2)および、薄膜技術によって基材上に設けられた少なくとも1つの電子薄膜構成要素(8)、を有する、薄膜アセンブリ(1)であって、ここでベース電極(4)が基材上に提供されており、その上に、薄膜構成要素の一部を形成する、ベース電極薄膜層(21)が、上部トップ電極(9)と併せて配置されており;
この基材(2)は、絶縁材ベース体(3)と、導体層(5)としての金属コーティングと、を有する、従来知られているプリント回路基板(2)から構成され、
この導体層(5)は、ベース電極(4)を形成し、そしてこの目的のために、少なくとも薄膜構成要素(8)の位置上はスムージングされており、および
接触層(18)が、スムージングされ、必要に応じて補強された導体層(5)と、薄膜構成要素(8)の積層薄膜層(21)と、の間に、薄膜技術によって提供されており、ここで接触層が、ベース電極(4)の表面に、物理的または化学的に吸着されている、薄膜アセンブリ。

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【課題】高品質なビアホール導体をバラツキ少なく安定的に形成し、高い接続信頼性を有する回路形成基板を実現するための導電性ペーストを提供する。
【解決手段】一次粒子と一次粒子が凝集した凝集粒子を含む導電性粒子の計測方法であって、一次粒子平均径を得る工程と、凝集粒子平均径を得る工程と、次式により算出する工程を備えた導電性粒子の計測方法を提供し、これにより導電性ペーストに含まれる導電性粒子を数値的に計測するものである。これをもとに導電性ペーストを製造することで良好な流動性、分散性の導電性ペーストを提供することができる。 (もっと読む)


【課題】 セラミックグリーンシートと同時に焼成しても、ビアホール部にクラックなどの構造欠陥が発生することを抑制できる多層セラミック電子部品用導電性ペーストを提供する。
【解決手段】 導電性粉末と、導電性粉末を分散して保持する有機ビヒクルとを含有し、上記導電性粉末は、平均粒径が3μm〜20μmであり、最大粒径が100μm以下である、Ni粉末またはNi成分量が50重量%を超えるNi−卑金属合金粉末である。 (もっと読む)


【課題】長期間に渡って半導体素子下部の半田でのクラック、セラミックス基板でのクラックが発生しがたく、しかも熱放散性に優れる安価なモジュール構造体を提供する。
【解決手段】セラミックス基板の一主面に電子部品を搭載するための回路を有し、他の一主面には放熱板を設けているセラミックス回路基板を、冷却ユニットに接合してなるモジュール構造体であって、前記放熱板がアルミニウムを主成分とする金属からなり、しかも前記放熱板と前記冷却ユニットとをアルミニウム系ロウ材で接合してなることを特徴とするモジュール構造体。 (もっと読む)


【課題】基板上の搭載部品を増加させず、すなわち基板を拡大することなくノイズ除去作用が得られるプリント回路基板を提供する。
【解決手段】基板1A上の配線2に、電流の流れる方向に垂直の磁化容易軸を持つパーマロイ等の金属製強磁性材料層13を固着してインダクタンス値を高くする。また、基板1Aを、磁性粉を混合した樹脂により構成し、高周波領域におけるノイズ除去作用を得る。 (もっと読む)


【課題】セラミック系の配線基板において、配線回路層の微細配線化、低抵抗化を達成でき、かつ配線回路層の絶縁基板への接着強度が高い配線基板とそれを歩留り良く作製することのできる配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミック系絶縁基板2の少なくとも表面に、Cu、Ag、Al、Au、Ni、Pt及びPdから選ばれる少なくとも1種からなる金属含有量が99重量%以上の金属箔などからなる高純度金属導体からなる配線回路層3を絶縁基板2表面と同一平面となるように埋設してなるとともに、配線回路層3の配線方向に直交する断面が逆台形形状からなり、その逆台形形状における下底6と横辺7とがなす形成角αを45〜80°とし、特に、表面配線回路層3aの絶縁基板2への埋設側の平均表面粗さを200nm以上、絶縁基板2の40〜400℃における平均熱膨張係数を6ppm/℃以上とする。 (もっと読む)


【課題】銅を含む低抵抗、且つ良熱伝導体からなるサーマルビアを絶縁基板との同時焼成により形成可能な安価な配線基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化アルミニウムを主成分とし、所望によりMnO2 を2〜10重量%の割合で含有する相対密度95%以上のセラミックスからなる絶縁基板1と、絶縁基板1の表面に搭載される発熱性素子4から発生した熱を放熱するために絶縁基板1表面から裏面に貫通するように形成された直径が0.1〜0.3mmのサーマルビア2を具備し、サーマルビア2を銅10〜70体積%、タングステンおよび/またはモリブデンを30〜90体積%の割合で含有してなる良熱伝導体によって絶縁基板1と同時焼成して形成する。 (もっと読む)


集積化インダクタコアを有するプリント回路板を形成するための方法。本発明によれば、薄いニッケル層を銅箔上に形成する。次いで、この銅箔構造を基板に積層して、ニッケル層が基板と接触するようにする。銅箔を除去し、ニッケル層を基板上に残す。当該技術で知られている写真製版投影およびエッチング技法を用いて、NiFeをニッケル層上に直接メッキして、パターン形成させ、これによって基板の集積化インダクタコアを形成する。本発明のこの方法は、公知の製法に使用されるいくつかの工程を不要とし、同時に、エッチング時間を低減し、かつNiFeの無駄を最少化する。 (もっと読む)


多層プリント配線板12に適する薄膜金属抵抗器44と、これを作製する方法。抵抗器44は一般に、多層構造を有し、抵抗器44の個々の層34,38は互いに自己整合されて、負の相互インダクタンスが生じ、これが抵抗層34,38それぞれの自己インダクタンスをほとんど相殺する。そのため、抵抗器44は、極めて低い正味寄生インダクタンスを有する。また、抵抗器44の多層構造は、抵抗器44を収容するのに必要な回路板12の面積を低減し、それにより、回路板12の他の層上にある他の回路要素と寄生相互作用を起こす問題を低減する。 (もっと読む)


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