【課題】パターン微細化が進展する状況下においても、所望形状のレジストパターンの形成を確実に行えるようにする。
【解決手段】レジスト膜に凹凸パターンを形成するパターン形成工程（Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４）と、前記パターン形成工程（Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４）で形成した前記凹凸パターンの凹状部分の底部に対してエッチングを行う除去工程（Ｓ６）と、を備えるレジストパターン形成方法において、前記パターン形成工程（Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４）の後で前記除去工程（Ｓ６）の前に、前記パターン形成工程（Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４）で形成した前記凹凸パターンの凸状部分の頂部を含む当該頂部の近傍領域に、前記除去工程（Ｓ６）での前記エッチングによる前記凹凸パターンのパターン消失を抑制する形状の保護膜を、化学的成膜処理により形成する保護膜形成工程（Ｓ５）を備える。 （もっと読む）

【課題】 被転写物である被転写材料層の形態に応じて、より小さな剥離力での剥離が可能となり、被転写物である樹脂がモールドに付着するという不都合の発生を回避できるインプリント方法とインプリント装置とを提供する。
【解決手段】 本発明のインプリント方法は、被転写材料層からモールドを引き離す剥離工程において、モールドと被転写材料層との接触領域を認識して求める接触領域認識操作と、認識した接触領域の形状に基づいて当該形状の重心を求める重心位置決め操作と、求めた重心をベースとしてモールドまたはインプリント用の基板に対して引き剥がしの力を加える力点を定めて、力点に引き剥がしのための力を作用させる引き剥がし操作と、を有するように構成される。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンの形成において、残膜をエッチングする工程後のレジストパターンの凸部の幅が、残膜をエッチングする工程前におけるレジストパターンの凸部の幅以上の所望の幅となることを可能とする。
【解決手段】凹凸パターンが転写されたレジスト膜２の残膜エッチング工程が、エッチングの際に堆積物４を生成する堆積性ガスを含有する第１のエッチングガスを用いて、レジストパターンにおける凸部の側壁に堆積物４が堆積しかつ残膜がエッチングされる条件でレジスト膜２をエッチングする第１のエッチング工程を含み、堆積物４を含めた上記凸部の幅が残膜エッチング工程前における上記凸部の幅以上の所望の幅となるように第１のエッチング工程以後の工程によってレジスト膜２をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】微細かつ均一なパターンの形成に好適なパターン形成方法およびパターン形成体を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明によれば、レジストパターンが形成される領域は、ハードマスク層に形成した段差の領域よりも大きくし、ハードマスクの上段部は基板表面を覆うようにハードマスク層を残存させることと、下段部は基板表面の一部が露出するようにハードマスク層へ異方性エッチングを行うことで、基板に均一なパターンを形成することが出来る。 （もっと読む）

【課題】硬質基材に直接形成される微細パターンの加工精度が良好である、微細パターンを表面に有する物品の製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）塗工用組成物２０を硬質基材１０の表面に塗布する工程、（ｂ）粘度が１００００ｍＰａ・ｓ以上となるように塗工用組成物２０を高粘度化し硬質モールド３０の反転パターン３２の深さ以下の厚さの光硬化性薄膜２２を形成する工程、（ｃ）硬質モールド３０と硬質基材１０との間に光硬化性薄膜２２を挟んで光を照射し光硬化性薄膜２２を硬化させて硬化物２４とする工程、（ｄ）硬化物２４から硬質モールド３０を分離して硬化物２４からなる微細パターン２６を表面に有する物品を得る工程、（ｅ）微細パターン２６をレジストパターンとしてエッチングを行い硬質基材１０の表面に微細パターン１２を直接形成する工程を有する微細パターンを表面に有する物品の製造方法。 （もっと読む）

【課題】生産性の高いパターン形成方法を実現するテンプレート、テンプレートの表面処理方法、テンプレートの表面処理装置及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、凹凸パターンが設けられた転写面を有し、前記凹凸パターンの凹部に、光によって硬化する前の状態の光硬化性樹脂液を充填し、前記光によって前記光硬化性樹脂液を硬化させて形成される樹脂の表面に前記凹凸パターンを反映した形状を形成するためのテンプレートが提供される。前記テンプレートは、基材と、表面層と、を備える。前記基材は、凹凸が設けられた主面を有し、前記光硬化性樹脂液が硬化する光に対して透過性である。前記表面層は、前記基材の前記凹凸を覆い、前記凹凸の形状を反映した前記凹凸パターンを形成する。前記表面層の、前記光によって硬化する前の状態の前記光硬化性樹脂液に対する接触角は３０度以下である。 （もっと読む）

【課題】第１の型と第２の型とを用いて成形品を成形する成形品成形装置において、従来よりも短いタクトタイムで精度の高い成形品を得る。
【解決手段】下型Ｍ１と上型Ｍ２とを用いて成形品Ｗ１を成形する成形品成形装置１において、下型型設置体９と下型設置体９に対して相対的に移動位置決め自在である上型設置体１１とを備えた成形品成形部３と、成形品Ｗ１における、第１パターンＷ３と第２パターンＷ４との間の位置ずれ量を測定する位置ずれ量測定部５と、成形品成形部３で成形品Ｗ１を成形しているときに、成形品Ｗ１の測定を位置ずれ量測定部５で行い、この測定結果に応じて上型設置体１１の相対的な位置を補正し成形品成形部３で次の成形品Ｗ３の成形をする。 （もっと読む）

【課題】離型層を備えたモールドを用いたナノインプリントにおいて、離型層中の離型剤の離型性能を低下させずにナノインプリントを繰り返し実施することを可能とする。
【解決手段】離型層を備えたモールドを用いたナノインプリント方法において、凹凸パターンを被加工基板上に塗布された光硬化性樹脂に向けて、モールドで光硬化性樹脂を押圧し、露光量が３０〜１００ｍＪ／ｃｍ^２である弱露光を光硬化性樹脂に行って光硬化性樹脂を半硬化せしめ、半硬化した光硬化性樹脂からモールドを剥離した後、半硬化した光硬化性樹脂に再露光を行う。 （もっと読む）

【課題】 ナノインプリントのパターン形成において、離型欠陥を抑制する。
【解決手段】
被加工膜上にパターン転写層を形成する工程と、表面に所定の凹凸パターンを有し、表面にポーラス層が形成され、ポーラス層が離型剤を含有するモールドを、パターン転写層に接触させる工程と、パターン転写層にモールドを接触させた状態で、パターン転写層を硬化させる工程と、モールドをパターン転写層から離型する工程とを備える。ポーラス層として、例えば、低誘電率絶縁膜、又はアモルファスカーボンを用いる。 （もっと読む）

【課題】転写材を短時間でテンプレートパターンの凹部に充填することができるインプリント方法を提供すること。
【解決手段】実施形態のインプリント方法では、テンプレートに形成されたテンプレートパターンが転写される被転写基板に、転写材としてのレジストを滴下する。そして、前記テンプレートを前記被転写基板上のレジストに押し当てるとともに、この状態で前記レジストを硬化させる。その後、硬化したレジストから前記テンプレートを引き離すことによって、前記テンプレートパターンに対応する転写パターンを前記レジストへパターニングする。そして、前記硬化したレジストから前記テンプレートを引き離した後から次のショットのレジストに前記テンプレートを押し当てるまでの間の所定のタイミングで、前記テンプレートを前記テンプレートパターン面側から脱気する。 （もっと読む）

【課題】生産性を高めつつ、モールドと基板上の樹脂との引き離し力の増大を抑えることができるインプリント方法を提供する。
【解決手段】このインプリント方法は、基板上の複数の被処理領域にて、複数のパターン領域Ｐ１〜Ｐ４が形成された型７ａによりインプリント材を成形して硬化させ、被処理領域にパターンを形成する。ここで、型７ａまたは基板の少なくとも１つを変形させつつ、型７ａとインプリント材とを互いに引き離す際に、複数のパターン領域Ｐ１〜Ｐ４にて引き離されるタイミングがそれぞれ異なる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、所望の反射防止機能を有する反射防止フィルムを製造可能とする反射防止フィルム製造用金型の製造方法、上記製造方法により製造された反射防止フィルム製造用金型および反射防止フィルムの製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、表面に複数の微細孔が形成された反射防止フィルム製造用金型の製造方法であって、表面がアルミニウムからなる金属基体を用い、陽極酸化法によって上記金属基体の表面に上記複数の微細孔を形成して反射防止フィルム製造用金型を形成する陽極酸化工程と、上記陽極酸化工程で得られた反射防止フィルム製造用金型表面の正反射率を測定し、上記正反射率が所定の検査基準を満たすものであるか検査する検査工程とを有し、上記検査基準は、上記正反射率が７０．９％〜７８．２％の範囲内であることを特徴とする反射防止フィルム製造用金型の製造方法を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】 パターンの微細化に対応可能なナノインプリンと用モールドおよびその製造方法ならびにそれを用いた凹凸構造の製造方法を提供する。
【解決手段】 結晶性基板１１と、結晶性基板１１の一主面１１ａ上に配置された、一主面１１ａに平行な底面２１および一主面１１ａに非平行な面を含む複数の結晶面２２を有する突起構造２０とを備えるナノインプリント用モールド１０である。 （もっと読む）

【課題】ハードマスクパターンを用いたドライエッチングで基板の表面に凹凸のパターンを形成する場合に、パターンの側面をボーイング形状にしないで垂直面に近づける。
【解決手段】基板上にハードマスク層を形成する第１工程（Ｓ２）と、ハードマスク層を覆う状態でレジスト層を形成した後、レジスト層をパターニングしてレジストパターンを形成する第２工程（Ｓ３〜Ｓ５）と、レジストパターンをマスクに用いてハードマスク層をエッチングしてハードマスクパターンを形成する第３工程（Ｓ６）と、ハードマスクパターンをマスクに用いて基板をドライエッチングすることにより、基板に凹凸のパターンを形成する第４工程（Ｓ８）と、を含み、第４工程（Ｓ８）においては、ハードマスクパターンの後退に寄与するガスを添加したエッチングガスを用いて基板をドライエッチングすることにより、基板のエッチングの進行とともにハードマスクパターンを後退させる。 （もっと読む）

【課題】 テンプレート領域内において光硬化樹脂に均一な光強度の光を照射することができるインプリント用テンプレート、その製造方法及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 実施形態に係るインプリント用テンプレートは、第１の基板を持ち、前記第１の基板の主面上に第１の凹凸パターンを有する第１の光硬化樹脂が設けられる。前記第１の基板の主面上に前記第１の凹凸パターンとはパターン密度が異なる第２の凹凸パターンを有し、かつ前記第１の光硬化樹脂と異なる光透過率を有する第２の光硬化樹脂が設けられる。 （もっと読む）

【課題】テンプレート検査時に、プロセス起因欠陥の発生を抑制するプロセス条件を求める。
【解決手段】本実施形態によれば、テンプレート検査方法は、インプリント処理に使用される複数のパターンが形成されたテンプレートをテンプレート検査装置を用いて検査する方法であって、前記複数のパターンからいずれか１つのパターンを抽出する工程と、プロセスパラメータと発生するプロセス欠陥の数とが対応付けられた欠陥プロセスマップと、前記抽出したパターンの寸法ばらつき、掘り込み深さ、及びテーパ角とを用いて、プロセス欠陥数が所定値以下となるプロセスパラメータの組合せを探索する工程と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】型が光を透過しない材質で構成され、また、被成型品にアライメントマークが設けられていなくても、被成型品の正確な位置に微細な転写パターンを転写できる転写装置を提供する。
【解決手段】型Ｍを保持し、被成型品Ｗに接近・離反する方向に移動位置決め自在な型保持体９と；被成型品Ｗを保持し、型保持体９の接近・離反方向に交差する方向に移動位置決め自在な被成型品保持体５と；型Ｍと被成型品Ｗとの間に挿入される第１の位置と、型Ｍと被成型品Ｗとから離れた第２の位置との間を移動自在な検出子１５で被成型品Ｗの縁の位置を検出して、型Ｍに対する被成型品Ｗの位置ずれ量を検出する位置ずれ量検出手段１１と；第１の位置に検出子１５を位置させて被成型品Ｗの位置ずれ量を検出し、この位置ずれ量を、型保持体９を移動することによって補正し、型Ｍを被成型品Ｗに接触させて転写を行うように制御する制御手段５１とを有する。 （もっと読む）

【課題】複数のインプリント装置を含むクラスタ構成において、転写精度の悪化を抑制して、かつ、全体の稼働率を向上させることが可能なインプリントシステムを提供する。
【解決手段】このインプリントシステムは、基板上の樹脂と型のパターン面とを接触させて、基板上の樹脂にパターンを形成するインプリント装置を複数備える。また、インプリント装置は、基板を保持して移動する移動体Ａ（Ｂ、Ｃ）を備える。ここで、インプリントシステムは、１つのインプリント装置が離型工程を実行する時間帯に、該インプリント装置とは異なる２つ以上のインプリント装置の移動体（Ｂ、Ｃ）が同時に加速または減速を行わないように、２つ以上のインプリント装置のうち少なくとも１つのインプリント装置の移動体Ｂ（Ｃ）に対し、加速または減速を開始するタイミングを設定する制御部を備える。 （もっと読む）

【課題】処理工程や処理装置を削減するとともに微細なビア形成を可能とするエッチング方法およびインプリント装置を提供すること。
【解決手段】実施形態に係るエッチング方法は、半導体基板１０の処理面に所定の厚さの光硬化樹脂層１６を形成し、前記半導体基板１０の処理面に形成するビアの配置と対応するビアパターンが形成されたテンプレート基板１８を、前記半導体基板１０の光硬化樹脂層１６に前記ビアパターンが形成された面を対向させて積層し、前記光硬化樹脂層１６に光源から光を照射して該光硬化樹脂層１６を硬化させ、前記光硬化樹脂層１６から前記テンプレート基板１８を分離し、前記半導体基板１０の処理面をエッチングし、エッチング処理した前記半導体基板１０の処理面をアッシングする。 （もっと読む）

【課題】スループットが高いパターン形成方法を提供する。
【解決手段】実施形態のパターン形成方法によれば、第１の基板上に被加工膜を形成し、前記被加工膜の第１の領域上に、自己組織化材料を選択的に塗布し、ベーキングにより前記自己組織化材料を複数の成分に相分離させ、相分離した前記複数の成分のうちのいずれかの成分を除去することにより第１のパターンを形成し、前記被加工膜の前記第２の領域上に硬化樹脂を塗布し、所望のパターンに応じた凹凸を有する第２の基板を前記硬化樹脂と対向するように近接させて密着させ、前記硬化樹脂を硬化させる工程と、前記第２の基板を前記硬化樹脂から離すことにより前記硬化樹脂に第２のパターンを形成し、前記第１および前記第２のパターンをマスクとして被加工膜を加工する。 （もっと読む）