【課題】１Ｅ５Ωｃｍ以上の抵抗率を有し、２００ｐｐｍ以下の窒素原子を含む、再結晶炭化ケイ素体の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素粗粒子と、同粗粒子の平均粒径より平均粒径が小さい炭化ケイ素微粒子と混合して混合物を形成する工程、前記混合物を成形して、未焼成品を形成する工程、および、不活性ガスを含み、約２５Ｔｏｒｒ以下の減圧を有する雰囲気中で前記未焼成品を昇華温度に加熱し、再結晶炭化ケイ素体を形成する工程を含む、方法により達成。 （もっと読む）

【課題】
高密度で割れのない珪化バリウム多結晶体ならびに珪化バリウムガリウムスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】
本発明によれば、バリウムと平均粒径５ｍｍ以下のシリコン粉末を用いて、珪化バリウム多結晶体とすることで、珪化バリウム多結晶体中に存在するシリコン粗粒の最大直径が１５０μｍ以下であって、密度が３．０ｇ／ｃｍ^３以上であることを特徴とする珪化バリウム多結晶体を製造する。 （もっと読む）

【課題】熱サイクル時における亀裂の進展が抑制されるとともに、焼結性および接合性に優れたパワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】回路層となる金属板と接合されてパワーモジュール用基板を形成するセラミックス基板であって、繊維状Ｓｉ_３Ｎ_４粒子と、非晶質Ｓｉ_３Ｎ_４粒子とが焼結されており、前記繊維状Ｓｉ_３Ｎ_４粒子が、０．０５μｍ以上３μｍ以下の短軸径と３以上２０以下のアスペクト比を有し、且つ、一つの断面における前記繊維状Ｓｉ_３Ｎ_４粒子のセラミックス基板に占める割合が、５面積％以上９５面積％以下であり、前記非晶質Ｓｉ_３Ｎ_４粒子の平均粒子径が１ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】高い熱電性を備えるＭｇ−Ｓｉ系のｐ型熱電変換材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｍｇ_２Ｓｉと、下記一般式（１）：Ｍｇ_２Ｘ・・・・（１）［式（１）中、Ｘはストロンチウム及びバリウムからなる群から選択されるアルカリ土類金属を示す。］で表わされる化合物（Ｉ）と、下記一般式（２）：ＸＭｇＳｉ・・・（２）［式（２）中、Ｘは式（１）中のＸと同義である。］で表わされる化合物（ＩＩ）とからなり、前記Ｍｇ_２Ｓｉと前記化合物（Ｉ）と前記化合物（ＩＩ）との合計量（合計量ａ）に対する前記Ｍｇ_２Ｓｉの含有モル比（Ｍｇ_２Ｓｉ量／合計量ａ）が０．００５〜０．２であり、前記化合物（Ｉ）の含有モル比（化合物（Ｉ）量／合計量ａ）が０．６５〜０．９９であり、前記化合物（ＩＩ）の含有モル比（化合物（ＩＩ）量／合計量ａ）が０．００５〜０．１５である焼結体を含有することを特徴とするｐ型熱電変換材料。 （もっと読む）

【課題】 低温〜高温の広い温度域ですぐれた抵抗値特性を有する炭化ケイ素焼結体を製造する炭化ケイ素焼結体の製造方法及び炭化ケイ素焼結体を提供すること。
【解決手段】 本発明の炭化ケイ素焼結体の製造方法は、炭化ケイ素と、アルミニウムを含むアルミ原料と、が混合した原料粉末を調製する原料混合工程と、原料粉末を、窒素とアルゴンとからなる雰囲気下で焼結する焼結工程と、を有することを特徴とする。
また、本発明の炭化ケイ素焼結体は、請求項１〜６のいずれかに記載の製造方法を施してなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】希土類多ホウ化物において、高温（９００Ｋ以上）で優れたｎ型の熱電的性質を有する新しい機能を示す多ホウ化物を使用したｎ型熱電変換素子を提供することを目的としている。
【解決手段】一般式ＲＥＢ_２２＋ＸＣ_４＋ＹＮ_１＋Ｚ（−６＜Ｘ＜６、−３＜Ｙ＜３、−１＜Ｚ＜１、ＲＥは、Ｓｃ、Ｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｌｕからなる群から選ばれる少なくとも１種の希土類元素）で表される、三斜晶系または菱面体系に属する炭素、窒素をドープしてなる希土類多ホウ化物を提供することによって解決する。 （もっと読む）

【課題】透光性と耐プラズマ性とを併せ持つセラミックス材料、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウムと炭化ケイ素との比が少なくとも７５：２５であり、焼結助剤としてイットリアとフェノール樹脂とを使用して作製されるセラミックス材料は、透光性を有する。 （もっと読む）

【課題】リチウム，ケイ素、窒素からなるリチウムケイ素窒化物には、Ｌｉ：Ｓｉ：Ｎ比が異なる数種の化合物が報告されており、そのうちＬｉ：Ｓｉ：Ｎ比が１：２：３の化合物はイオン伝導性があり、かつ大気中でも安定である。しかし、リチウムケイ素窒化物は窒化物であるため、共有結合性が強く、ＬｉＳｉ_２Ｎ_３組成の混合粉末を固めて加熱する場合、高温が必要であるが、あまり温度が高いとリチウムが蒸発してしまい、目的とする組成のものができない。
【解決手段】Ｌｉ_３ＮとＳｉ_３Ｎ_４を１：３の重量割合に秤量した原料粉末に、焼結助剤としてＢ_２Ｏ_３１．０〜５．０重量％を加え、混合する。混合は、Ｌｉ_３Ｎが大気と反応しないよう、高純度窒素雰囲気のグローブボックス中で行うか、混合容器を用いる場合は容器中を高純度窒素雰囲気とする。 （もっと読む）

【課題】１００Ｋ〜６００Ｋの温度領域において相対的に高い熱電特性を示し、しかも、環境調和性が高く、かつ、低コストな熱電材料及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】斜方晶ＴｉＳｉ₂型構造を有し、（１）式で表されるＭｎＡｌＳｉ系化合物を含む熱電材料、及びその製造方法。但し、０≦ｘ≦０．２、０．４５≦ｙ≦０．５５、０≦ｚ≦０．１、０．９４≦ｔ≦１．０６、Ａ、Ｂは、それぞれ、１種又は２種以上の金属元素（但し、アルカリ金属及びアルカリ土類金属を除く）。
(Ｍｎ_1-xＡ_x)(Ａｌ_1-yＳｉ_y)_2(t-z)Ｂ_2z・・・（１） （もっと読む）

【課題】被加熱物から揮散する水分や油分などが付着せず、炭化珪素発熱体を被加熱物と接触させて加熱する場合でもスムースに接触させることができ、炭化珪素発熱体および被加熱物を傷つけることなく、被加熱物を均一に加熱できる炭化珪素発熱体およびその製造方法の提供。
【解決手段】少なくとも表面が高分子化合物３により被覆あるいはコーテイングされていることを特徴とする炭化珪素発熱体１により課題を解決できる。
内部ボイド５の少なくとも一部が前記表面に連通しているボイド構造を有する炭化珪素発熱体１の前記表面が高分子化合物により被覆あるいはコーテイングされるとともに、被覆あるいはコーテイングされた前記高分子化合物の少なくとも一部が前記内部ボイド５内に侵入していることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 三族元素の有機化合物やアンモニア等の反応活性な雰囲気下、１，２００〜１，４００℃に達する高温で、Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＮＡｌ_ｚ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表される３−５族化合物半導体を有機金属気相成長法により製造する装置において、安定して使用可能なサセプタやその周辺部材を提供する。
【解決手段】 Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＮＡｌ_ｚ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表される３−５族化合物半導体を有機金属気相成長法により製造する装置において、ＡｌＮ６０質量％以上８５質量％以下、ＢＮ１５質量％以上４０質量％以下かつ１，４００℃のＮ_２中で６時間加熱した後の減量が０．１％以下のＡｌＮ−ＢＮ複合焼結体を用いる３−５族化合物半導体の製造装置用サセプタ部材。好ましくは、相対密度９８％以上かつＡlＮの最大粒径が４μｍ以下である３−５族化合物半導体の製造装置用サセプタ部材。 （もっと読む）

【課題】平均粒子径が２００ｎｍ以下であり、かつ、任意の粒子径の炭化ケイ素粉末を工業的規模で安価に製造することが可能な炭化ケイ素粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素粉末の製造方法は、炭化ケイ素微細粒子または炭化ケイ素前駆体を熱処理する、炭化ケイ素粉末の製造方法であって、前記熱処理を、還元性ガスを含む雰囲気で行なうとともに、前記雰囲気中における熱処理温度を１５００℃以上かつ１９００℃以下とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】窒化アルミニウム系焼結体の表面に、高い密着強度を有する酸化アルミニウム層を高い酸化レートで形成するための方法を提供することを目的とする。
【解決手段】酸素分圧が０．０００１〜０．０１ＭＰａ、水蒸気分圧が０．００１ＭＰａ以上の雰囲気に調整された条件下において、窒化アルミニウム系焼結体を１０００〜１５００℃の温度範囲で熱処理することにより、その表層を酸化させて酸化アルミニウム層を形成させるための熱処理工程を備える製造方法を用いる。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶を利用した半導体歪みセンサと比較してさらに高感度の半導体歪みセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】珪素源と炭素源と触媒を含む液状混合物を容器内に供給し、容器を乾燥室内に導入し、乾燥室内で液状混合物を硬化乾燥することにより、固形物を生成し、生成された固形物を加熱炉内に導入し、加熱炉内で固形物を炭化，焼成し、炭化，焼成された固形物を粉砕することによりβ型の炭化珪素粉体を生成し、β型の炭化珪素粉体と非金属系燃結助剤を混合，造粒することにより造粒体を生成し、生成された造粒体を焼結させることにより炭化ケイ素焼結体を形成し、炭化ケイ素焼結体表面に炭化ケイ素焼結体の歪みに伴う抵抗率の変化を検出するための電極を付設する。 （もっと読む）

【課題】所定の形状を有する炭化ケイ素部材を、簡便に製造することのできる炭化ケイ素焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】製造する焼結体の形状に合わせて配列させた複数の支持部材１３によって、可撓性を有する紐状炭素質材料１を支持固定する。次いで配列させた紐状炭素質材料１の両端部を坩堝内に溶融させた液体金属ケイ素２２浴中に垂下し浸漬させる。液体金属ケイ素を紐状炭素質材料に含浸させ紐状炭素質材料と反応させて炭化ケイ素化する。 （もっと読む）

本発明は、炭化ケイ素のモノリシックなインゴットの製造方法であって、ｉ）ポリシリコン金属チップおよび炭素粉末を含む混合物を、蓋を有する円筒状反応セルの中へと導入する工程と、ｉｉ）ｉ）の円筒状反応セルを密封する工程と、ｉｉｉ）ｉｉ）の円筒状反応セルを真空加熱炉の中へと導入する工程と、ｉｖ）ｉｉｉ）の加熱炉を排気する工程と、ｖ）ｉｖ）の加熱炉に、大気圧近くまで実質的に不活性ガスであるガス混合物を充填する工程と、ｖｉ）ｖ）の加熱炉の中の円筒状反応セルを１６００〜２５００℃の温度に加熱する工程と、ｖｉｉ）ｖｉ）の円筒状反応セルの中の圧力を０．０５ｔｏｒｒ（約６．７Ｐａ）以上５０ｔｏｒｒ（約６．７ｋＰａ）未満まで低下させる工程と、ｖｉｉｉ）ｖｉｉ）の円筒状反応セルの蓋の内側でのこの蒸気の実質的な昇華および凝縮を許容する工程と、を含む方法に関する。 （もっと読む）

【課題】イオン損傷を受けにくく、寿命の長い電子放出源を提供する。
【解決手段】本発明は、Ｔａ、Ｈｆ、Ｎｂ、及びＺｒからなる群の１種以上から選ばれた金属元素の炭化物からなる、電子ビーム蒸着装置、電子ビーム溶接装置、又は電子ビーム加工装置用の電子銃である。他の発明は、電子ビームの加速電圧が１０ｋＶ以上であることを特徴とする請求項１記載の電子放出源である。また、他の発明は、Ｔａ、Ｈｆ、Ｎｂ、及びＺｒからなる群から選ばれた１種以上の金属元素の炭化物からなる電子放出源を装着した電子ビーム蒸着装置、電子ビーム溶接装置、又は電子ビーム加工装置である。 （もっと読む）

【課題】熱サイクル時における亀裂の進展が抑制されるとともに、耐久性が向上されるパワーモジュール用基板を提供することにある。
【解決手段】セラミックス基板２は、形状の異なる複数種類のＡｌＮ粒子からなるセラミックス焼結体２０で形成されており、前記ＡｌＮ粒子は、板状ＡｌＮ粒子２ａと、繊維状ＡｌＮ粒子２ｂと、球状ＡｌＮ粒子２ｃとを有しており、前記板状ＡｌＮ粒子２ａは、外形寸法が５μｍ以上３０μｍ以下とされており、前記繊維状ＡｌＮ粒子２ｂは、短軸径が０．０５μｍ以上３μｍ以下、且つアスペクト比が３以上２０以下とされており、前記球状ＡｌＮ粒子２ｃは、粒子径が１ｎｍ以上５００ｎｍ以下とされており、これら各ＡｌＮ粒子は夫々の前記セラミックス基板２に占める割合が、５体積％以上５０体積％以下とされていることを特徴とする。 （もっと読む）

燃料電池組立品、電解槽、又は、蓄電池の電池(1)であって、アノード(3)、カソード(4)、及び、前記カソードと前記アノードとの間の活性窒化ホウ素を含むセラミックの層(2)を含む、電池に関する。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素（ＳｉＣ）の表面を有する部品上にコーティングを作製する方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）からなる表面を有する部品にコーティングを堆積する方法に関する。方法は、（ａ）上記表面の粗さを増加させる目的で、レーザー衝突を重ねることにより、ＳｉＣ表面にレーザー処理を適用するステップと、（ｂ）常圧溶射によってＳｉＣ表面上にコーティング（３０）を堆積するステップと、を含む。
本発明はまた、変形を測定する装置を提供し、装置は、レーザー衝突を重ねることによって処理された後、部品の基材を被覆する炭化ケイ素層上の、常圧溶射によって得られた第１のアルミナコーティング（３０）と、コーティング（３０）上に置かれたフリーフィラメントひずみゲージ（４０）と、ひずみゲージ上への常圧溶射によって得られたさらなるアルミナコーティングと、を含む。 （もっと読む）