【課題】シリコン融液の湯漏れ監視及び種結晶の着液検出を行うと共に、長時間の引き上げに耐え得る石英ガラスルツボの強化並びにシリコン単結晶の不純物濃度の低減を図る方法を提供する。
【解決手段】ワイヤーの先端に取り付けられた種結晶を石英ガラスルツボ内のシリコン融液に着液させると共に、ルツボ側をマイナス極、ワイヤー側をプラス極とする電圧Ｖ１を印加しながらその電圧の変化を監視することで種結晶の着液状態を検出する工程Ｓ１３、Ｓ１４と、その後の温度調整期間Ｓ１５において、ルツボ側をプラス極、ワイヤー側をマイナス極とする電圧Ｖ２を印加することで石英ガラスルツボの内表面を失透させる工程と、温度調整期間Ｓ１５の終了後、ルツボ側をマイナス極、ワイヤー側をプラス極とする電圧Ｖ３を印加しながら種結晶を徐々に引き上げることによりシリコン単結晶を成長させる工程Ｓ１６〜Ｓ２２とを備える。 （もっと読む）

【課題】シリカガラスルツボにおいて、耐久性を確保すると共に、ルツボの安定支持性を向上させ、充分な単結晶化率を得ることのできるシリカガラスルツボを提供する。
【解決手段】ルツボ上端６から下方に所定距離までのルツボ上端領域１０が、天然原料シリカガラスからなる不透明外層５ａと、天然原料シリカガラスまたは合成原料シリカガラスからなる透明内層４とで形成された２層構造からなり、前記ルツボ上端領域の下端から側部７、底部９と底部コーナー８との間の曲率変化点を基準とする所定範囲までが、結晶化促進剤添加シリカガラスからなる外層２と、前記ルツボ上端領域の不透明外層から連続して形成された不透明中間層３と、前記透明内層とで形成された３層構造からなり、前記底部が、前記側部における前記不透明中間層から連続して形成された不透明外層５ｂと、前記透明内層とで形成された２層構造からなる。 （もっと読む）

【課題】加熱成形されるシリカガラスの添加物、その含有量、形状（直径、高さ）に関係なく、一律に設定された条件でシリカガラスを容易に成形できるシリカガラスの加熱成形方法及び加熱成形装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るシリカガラスの加熱成形方法は、柱形状のシリカガラス１０を加熱炉２内で加熱し、シリカガラス１０を潰して断面積が大きくなるように加熱成形する。そして、加熱炉２内のシリカガラス１０の変形速度をモニタし、変形速度に基づいて加熱炉２内の温度を制御する。 （もっと読む）

【課題】シリコン原料を短時間で溶融でき、且つ、不透明石英ガラス層の経時的な変態によってシリコン単結晶の製造歩留まりを向上させることが可能な石英ガラスルツボを提供する。
【解決手段】 石英ガラスルツボは、外表面側に設けられた多数の気泡を含む不透明石英ガラス層１１と、内表面側に設けられた実質的に気泡を含まない透明石英ガラス層１２とを備えている。不透明石英ガラス層１１に含まれる気泡の径分布は、直径が１０〜３０μｍの直径を有する気泡が１０％以上３０％未満、４０〜９０μｍの直径を有する気泡が４０％以上８０％未満、９０μｍ以上の直径を有する気泡が１０％以上３０％未満である。不透明石英ガラス層１１中の比較的小さな気泡は引き上げ工程の初期の段階からルツボの伝熱性に寄与し、比較的大きな気泡は長時間の引き上げ工程を経ることによって膨張し、引き上げ工程の後半でルツボの保温性に大きく寄与する。 （もっと読む）

【課題】単結晶引き上げ時の熱膨張が少なく、高い単結晶歩留りを得ることができる石英ガラスルツボを提供する。
【解決手段】石英ガラスルツボは、アルゴン雰囲気２０torr下において温度１５００℃で１０時間加熱する基準加熱条件下でのルツボの壁部、コーナ部及びボトム部の各部位の膨張率が何れも８％以下であり、ルツボ各部位相互の膨張率差が５.５％以下であり、ルツボ内表面から外表面までの全壁厚方向の気泡含有率が０.０５％以上〜０.４％以下であることを特徴とし、例えば、石英粉を加熱溶融して石英ガラスルツボを製造する際に、１８００℃以上で５分以上加熱してガラス化し、かつルツボ内表面から外表面までの全壁厚方向の気泡含有率を０.０５％以上〜０.４％以下に調整することによって、ルツボ各部位の熱膨張を抑制する。 （もっと読む）

【課題】形状自由度が高く、より高い寸法精度を有する石英発光管を提供する。
【解決手段】石英発光管２０は、石英粉体成形体を焼成して形成された２以上の形状部２１が、焼成により形成された１以上の接合部２６により接合している。このように、形状部２１が石英粉体を成形して形成され、これを焼成して形状部２１とすると共に、焼成によりこれらの形状部２１を接合部２６で接合する。このため、形状に変更を加えずに石英発光管２０を得ることが可能である。また、石英発光管は、接合部と異なる幅を有するネック部を有し、接合部とネック部との間に直線部分を含んでいるものとしてもよい。石英粉体成形体を成形するため、このような直線部分を有する形状部をより容易に形成可能である。 （もっと読む）

【課題】シリカガラスを破損させずに高品質なシリカガラスを成形することができるシリカガラスの加熱成形装置および加熱成形方法を提供する。
【解決手段】シリカガラスの加熱成形装置１０は、シリカガラス１を収納するカーボン容器１１と、このシリカガラス１をカーボン容器１１内で溶融させて加熱加工させる真空加熱炉１２と、を備えている。そして、カーボン容器１１は、その内側に緩衝材１４を設置し、さらに緩衝材１４の内側に密度０．５ｇ／ｃｍ^３〜２．０ｇ／ｃｍ^３のカーボンホイル１５を内設している。 （もっと読む）

石英ガラスから円筒形の部品を製造するための公知の引き抜き方法において、石英ガラスストランド（１０）が石英ガラス塊の（９）の変形領域から引き抜き軸（１２）の方向に引き抜かれて、そこから切断長（Ｓ）を有する部分が分割される。これらの部分から円筒形の部品が製造される。形状の乱れ、特に直径変動および材料の不良品の影響を減らすように、石英ガラス部品を製造するための簡単な引き抜き方法を提供するために、分割箇所（Ｔ）で石英ガラスストランド（１０）の分割を実行し、分割により生じた石英ガラスストランド形状の乱れが、後続する分割を行なう間に製造される部品の終端領域または２個の隣接部品間に位置するように、分割箇所の変形領域（９）からの距離が設定される。

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【課題】ルツボ原料粉のルツボ内面への侵入までを回避できる方途を与えることによって、石英ガラスルツボ内への異物侵入を、ルツボの実際の使用時期まで確実に回避し、汚染されない状態でのルツボの取り扱いを可能にする方法を提供する。
【解決手段】石英ガラスルツボ１の開口部２に装着する栓３であって、開口部２の内周端２ａに密着する周縁取付け部４を有する栓３を、ルツボ１に装着する。また、栓３において、少なくとも内面の金属成分の付着量は0.05ng／cm^２以下である。 （もっと読む）

【課題】 大型、高寸法精度、高耐久性の、シリカを主な構成成分とするシリカ容器を、安価な比較的低品位のシリカ粉体を主原料として、投入エネルギー量を少なく、低コストで製造するためのシリカ容器の製造方法、及び、このようなシリカ容器を提供する。
【解決手段】 シリカを主な構成成分とし、回転対称性を有するシリカ容器の製造方法であって、少なくとも、シリカを主な構成成分とし、回転対称性を有するシリカ基体を形成する段階と、該シリカ基体の内側の表面上において、シリカゾルをゲル化させてシリカウェットゲル層に変化させ、該シリカウェットゲル層を乾燥させてシリカドライゲル層を形成する段階と、前記シリカドライゲル層を焼成してシリカガラス層を形成する段階とを含み、前記シリカドライゲル層を形成する段階を２回以上行うことにより、前記シリカ基体の内表面上に２層以上のシリカガラス層を形成するシリカ容器の製造方法。 （もっと読む）

【課題】研削なしでルツボの未溶融ないし半溶融のシリカ粉が偏在する最外層から離脱するシリカ粉を最適に制御する一方、最外層の結晶質部分を多く残し、高温における耐熱性を維持しシリコン単結晶を高歩留りで製造できるシリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボの製造方法を提供する。
【解決手段】回転する型内に原料粉を供給しルツボ状の原料粉体層を形成し、その内側からアーク放電加熱し溶融して平滑な内表面と不透明又は半透明な外層と、その外側に未溶融ないし半溶融のシリカ粉が偏在する最外層を有する石英ガラスルツボを製造し、その外表面に固体シリカ粉を吹付け圧０．１〜５ＭＰａで吹き付けたのち、高圧水を吹付け圧２４〜４０ＭＰａで吹き付け、次いでフッ酸水溶液処理を施こすことを特徴とするシリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボの製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、赤外線透過性部材を直接的に、かつ間接的に加熱できエネルギー効率のよい熱処理用石英ガラス治具を提供すること。
【解決手段】赤外線透過性部材の熱処理用石英ガラス治具であって、該熱処理用石英ガラス治具が赤外線の反射率の高い白色部と黒色石英ガラスとからなることを特徴とする熱処理用石英ガラス治具。 （もっと読む）

【課題】大口径のウエハーに対応可能な大型の処理槽であっても製作が容易であり、処理槽内に蓄えられる処理薬液による水圧にも耐え、薬液の量を削減できかつ効率よく薬液を大面積のウエハー表面に流れるような構造を有する石英ガラス製ウエハー処理槽及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハーを処理薬液に浸漬処理する為に使われる石英ガラス製ウエハー処理槽であって、
上方及び前後方向に開口する半円筒形底壁及び該半円筒形底壁の相対向する一対の側端線から上方に延長する相対向する一対の側壁を設けてなる樋状部材と、
該樋状部材の前端面に設けられた前壁と、
該樋状部材の後端面に設けられた後壁と、を含む処理槽本体を有し、かつ
前記半円筒形底壁の内面半径Ｒが前記処理対象ウエハーの半径ｒを超える大きさであると共に前記側壁の高さＨが前記半円筒形底壁の内面半径Ｒよりも大であるようにした。 （もっと読む）

【課題】大型、高寸法精度、高耐久性の、シリカを主な構成成分とするシリカ容器を、安価な比較的低品位のシリカ粉体を主原料として、投入エネルギー量を少なく、低コストで製造するためのシリカ容器の製造方法、及び、このようなシリカ容器を提供する。
【解決手段】シリカを主な構成成分とし、回転対称性を有するシリカ容器の製造方法であって、少なくとも、シリカを主な構成成分とし、回転対称性を有するシリカ基体５１を形成し、シリカ基体５１の内表面上に、シリカゾルからゾル−ゲル法によって透明シリカガラス層５６を形成するシリカ容器７１の製造方法。 （もっと読む）

【課題】軸芯を保持して高品質なシリカガラスを成形することができるシリカガラスの加熱成形装置および加熱成形方法を提供する。
【解決手段】シリカガラスの加熱成形装置１０は、柱形状のシリカガラス１を収納するカーボン容器１１と、カーボン容器１１を加熱してシリカガラス１を加工する真空加熱炉１２とを備えている。また、加熱成形装置１０は、加熱加工時にシリカガラス１の軸芯Ａｘが当初の位置からずれないようにしながら、かつシリカガラス１が倒れるのを防ぐ倒れ防止部材１３を備えている。そして、シリカガラス１がカーボン容器１１の底板１６の中央に載置され、このシリカガラス１の上端面３に倒れ防止部材１３が組み付けられる。その後、カーボン容器１１が真空加熱炉１２内に収納される。 （もっと読む）

【課題】通電開始時におけるアーク発生の容易化とその後の安定化を図る。
【解決手段】アーク放電をおこなう炭素電極１３の先端部１３ａを整形する研削装置であって、炭素電極の先端面を研削する先端研削刃２１と、炭素電極の先端面から基端部１３ｂへ向かう面１３ｅを研削する側周面研削刃２２と、先端研削刃２１と側周面研削刃２２とを炭素電極１３の軸線１３Ｌと一致する回転軸線２０Ｌ回りに回転駆動する回転手段とを有してなる。 （もっと読む）

【課題】内表面に点在的に発生する結晶化物質の剥離が生じることがなく、そして内表面全面に結晶層を形成した場合のように結晶層の一部が微小剥離してガス放出穴が形成されることがなく、また溶解シリコンが微小剥離によるガス放出穴から結晶層とその下のガラス層との間に入り込むこともなく、それにより高い歩留まりが得られるシリコン単結晶引き上げ用の石英ガラスルツボおよびそれを用いたシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】結晶化促進剤含有層を内表面に有し、シリコン単結晶の引き上げ時に、内表面に結晶化促進剤により斑状の結晶化領域５が形成される。 （もっと読む）

母材（１ｐ、１ｓ）を生成及び加工するための本方法は、未加工の母材（１ｐ、１ｓ）を得るために、開口上端及び閉鎖下端（１１１）を有するシリカ管（１１）の内部空間（１１０）に、シリカ粒子（５ａ；５ｂ）が供給される予備加工段階を含み、シリカ管（１１）の内部空間（１１０）が閉鎖され、減圧状態が生成され、シリカ管（１１）及びシリカ粒子（５ｂ）を融合させるために、未加工の母材（１ｐ、１ｓ）が最終加工温度で加熱される最終加工段階を含む。本発明によると、内部空間（１１０）に入るシリカ粒子（５ａ；５ｂ）は、予備加工段階中に、シリカ粒子の融点未満の中間加工温度で熱処理される。 （もっと読む）

【課題】径小薄肉化により切断除去を余儀なくされる部分を減少して、原料コストを低減することができる石英ルツボ製造用モールドを提供する。
【解決手段】回転しているモールド内壁に石英粉４を張り付けた状態でアークにより加熱溶融して石英ルツボを製造する際に用いるモールドを、石英ルツボ本体に対応するモールド基体８の上に、石英ルツボ上部の径小薄肉部分に対応するモールドカバー７を着脱自在に載置した構造とし、さらに該モールドカバー７にはアークに対するバリアー機能を付与すると共に、該モールドカバー７の内径を、該モールド基体８の内径よりも小さく、かつ石英ルツボの内径よりも大きくする。 （もっと読む）

【課題】通電開始時におけるアーク発生の容易化とその後の安定化を図る。
【解決手段】石英ガラスルツボ製造装置は、アーク放電によって原料粉を加熱溶融する複数の炭素電極１３を備え、炭素電極１３の先端部１３ｃの直径Ｒ２と基端部１３ｂの直径Ｒ１との比Ｒ２／Ｒ１の値が０．６〜０．８の範囲に設定されている。炭素電極１３の先端には軸線と略直交する平坦面が設けられている。炭素電極１３は、先端位置に設けられ基端部側の直径Ｒ３から先端部の直径Ｒ２まで縮径する縮径部を有し、縮径部の長さをＬ１、先端部の直径をＲ２、基端部の直径をＲ１、炭素電極の軸線どうしがなす角度をθ１、Ｘ＝（Ｒ１−Ｒ２）／２とするとき、Ｌ１−（Ｘ／tan（θ１／２））の値が、５０〜１５０ｍｍの範囲となるように設定されている。 （もっと読む）