【課題】シリコンインゴットの生産効率を向上させることができる石英るつぼおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】高純度の溶融石英ガラスの鋳塊から板状の石英ガラスを切り出す。切り出した石英ガラスを所定サイズに切断する。サイズを整えた板状の石英ガラスを酸水素混合火炎を用いた溶接によって接合して箱形状の石英るつぼを組み立てる。組み立てた石英るつぼにはフッ酸を用いた表面洗浄を施し、さらに酸水素混合火炎による表面処理を行って石英ガラス全体を透明にする。この石英るつぼを用いてシリコンを溶融させて凝固させるときに、石英るつぼの全体が透明であれば、シリコンからの熱放射はるつぼ壁面の石英ガラスによってほとんど遮られることがなくなる。その結果、シリコンの冷却速度が速くなり、シリコンインゴットの生産効率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 高寸法精度であり、内壁が実質的に気泡を含まない肉厚の透明シリカガラス層であるとともに、高温でも高い耐久性を有するシリカ容器を低コストで製造できるシリカ容器及びその製造方法、並びにそのようなシリカ容器を製造するためのシリカ粉及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 回転対称性を有し、シリカを主成分とし、少なくとも外周部分に気泡を含有する基体と、該基体の内表面上に形成された、透明シリカガラスからなる内層とを具備するシリカ容器の製造方法であって、少なくとも、前記内層を形成するための原料粉として、粒径が１０〜１０００μｍであり、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａを５０〜５０００ｗｔ．ｐｐｍの合計濃度で含有し、真空下にて１０００℃に加熱したときの水素分子の放出量が３×１０^１６〜３×１０^１９分子／ｇであるシリカ粉を準備し、該内層形成用原料粉であるシリカ粉から、前記内層を形成するシリカ容器の製造方法。 （もっと読む）

【課題】アーク加熱によって回転モールドの碗状内面に成形された石英粉成形体を加熱溶融して石英ガラスルツボを製造するための石英ガラスルツボ製造装置において、気泡の効率的な除去を可能としながらも、回転モールドから石英ガラスルツボを容易に取り出せるようにする。
【解決手段】回転モールド１０の碗状内面１０Ａのうち、その上端開口縁１０Ｃを画成する円環帯状の上端開口縁部分１１Ａの熱伝導速度を、当該上端開口縁部分１１Ａを除く碗状内面１０Ａの残部１２Ａよりも高く設定する。また、回転モールド１０を、碗状内面１０Ａの残部１２Ａをなすモールド本体１２と、碗状内面１０Ａの上端開口縁部分１１Ａをなす開口縁部材１１とにより構成し、開口縁部材１１をモールド本体１２に対して着脱自在とする。 （もっと読む）

【課題】内層の透明層が、外層の不透明層よりも厚いシリカガラスルツボであって、シリコン単結晶引上げに使用した後、ルツボの冷却時に割れることのない、シリコン単結晶引上げ用シリカガラスルツボを提供する。
【解決手段】底部１と円筒状の側壁部２との間にアール状のコーナー部３を有し、外層４が不透明層、内層５が透明層からなり、前記透明層５が前記不透明層４よりも厚いシリカガラスルツボにおいて、前記底部１から前記コーナー部３にかけて透明層５内に、前記不透明層４と接触せず、かつ、ルツボ内表面に露出しないように、平均気孔径６０〜１２０μｍの気孔を含有し、気孔密度５０〜１００個／ｍｍ³の多孔質層６を形成する。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶引上げ終了後、ルツボの冷却時間を短縮し、シリコン単結晶の製造効率の向上を図るために、ルツボ外周に接するカーボンルツボへの伝熱性及び放熱性に優れたシリコン単結晶引上げ用シリカガラスルツボを提供する。
【解決手段】底部１と円筒状の側壁部２との間にアール状のコーナー部３を有する３層構造のシリカガラスルツボとし、第１層４は、透明シリカガラス、又は、平均気孔径１２０μｍ以下の気孔を含有し、気孔密度３０個／ｍｍ³以下の不透明シリカガラスにて、前記底部中央から、ルツボの中心を通る鉛直方向断面において前記コーナー部３の最も曲率が大きい箇所とその曲率中心とを結ぶ直線に対して、前記曲率中心周りに±５°以内の位置にかけて形成し、第２層５は、平均気孔径８０〜１２０μｍの気孔を含有し、気孔密度４０〜８０個／ｍｍ³の不透明シリカガラスにて形成し、第３層６は、透明シリカガラスにて形成する。 （もっと読む）

本発明は、石英ルツボおよびその製造方法に関する。本発明による石英ルツボは、単結晶成長装置に使用される石英ルツボであって、シリカからなる内部層と、窒素が添加されたシリカからなり、前記内部層の外側に位置して前記内部層を取囲む外部層と、を含む。 （もっと読む）

一定の外面形状を有し、反射コーティングが設けられるように意図され、かつミラー基板を意図されるように使用する際に高い負荷を受ける帯域として規定される、表面区域（surface region）を有する、ＥＵＶリソグラフィに使用されるミラー基板用の、高シリカ含有量を有するチタンドープガラス（ガラス）のブランクを製造する既知の方法に基づき、低コストで製造することができるにもかかわらず、均一性並びにブリスタ及び脈理がないことについて高い要件を満たすブランクを提供するために、（ａ）外面形状を包含するのに十分な大きさよりも大きい寸法を有するチタンをドープした高品質のガラスの前部体を作製する方法工程と、（ｂ）チタンドープガラスから円筒形の支持用基体（supporting body）を作製する方法工程と、（ｃ）前部体と支持用基体とを結合させる方法工程であって、複合体を形成する、前部体と支持用基体とを結合させる方法工程と、（ｄ）複合体を加工する方法工程であって、ミラー基板用ブランクを形成する、複合体を加工する方法工程とを含む手法が提案され、ここで、前部体を作製する工程は、ケイ素含有化合物の火炎加水分解によってストランドの形態で得られる出発用基体（starting body）をねじり加工して、前部体ブランクを形成することを伴う均一化プロセスを含み、支持用基体は、前部体よりも均一性の低い一体構造のガラスブロックとして形成される。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶引上げの際、ルツボ内の原料シリコンを溶融するための加熱開始直後に、外周に接するカーボンルツボと十分な密着性が得られるシリコン単結晶引上げ用シリカガラスルツボを提供する。
【解決手段】底部１と円筒状の側壁部２との間にアール状のコーナー部３を有する３層構造のシリカガラスルツボとし、底部２中央から、ルツボの中心を通る鉛直方向断面においてコーナー部３の最も曲率が大きい箇所とその曲率中心とを結ぶ直線に対して、曲率中心周りに±５°以内の位置にかけて形成された、ＯＨ基含有濃度が３０〜３００ｐｐｍの合成シリカガラスからなる厚さ１〜５ｍｍの第１層４と、天然シリカガラスからなる不透明層の第２層５と、天然シリカガラス、又は、Ｎａ、Ｋ、Ａｌの金属不純物含有量が各々１ｐｐｍ以下の高純度合成シリカガラスからなる透明層である第３層６とを備えた構成とする。 （もっと読む）

【解決手段】直接火炎加水分解法により得られ、０〜２５０℃における線熱膨張係数が−３００〜３００ｐｐｂ／℃の範囲内であって、２５℃における線熱膨張係数分布が１００ｐｐｂ／℃以下であるチタニアドープ石英ガラスを使用することを特徴とするナノインプリントモールド用チタニアドープ石英ガラス。
【効果】本発明によれば、微細パターン転写時のモールドの温度変化による変形を抑制することができ、位置精度の高いナノインプリントによる微細パターンの転写が可能となる。 （もっと読む）

【課題】クリーンな環境下にて、石英ガラスルツボを堅固に挟持し、確実に移動させることのできるハンドリング装置。
【解決手段】水平方向に延びるビーム２、及び、ビーム２の中心軸線方向に対し直交する方向にビーム２から突出し、少なくとも一方がビーム２の中心軸線方向に移動可能である一対のアーム３を具えるフレーム４の、一対のアーム３に組み付けられた、石英ガラスルツボ５の胴部５０をルツボの径方向に挟持する相互に対向する一対の挟持手段６、各挟持手段６に隣接して設けられ、石英ガラスルツボ５をルツボの中心軸線方向に挟んで掛止するルツボの中心軸線方向に近接離間可能な一対の舌片からなる掛止手段７、並びに、挟持手段６及び掛止手段７をアーム３に沿って往復運動させる駆動手段８を具える石英ガラスルツボ５のハンドリング装置１である。 （もっと読む）

【課題】濡れ性を石英ガラスるつぼ内表面に作り出すことによって、この石英ガラスるつぼを用いてシリコン単結晶を引き上げる際にシリコンメルトの湯面振動を抑制することができるようにしたシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスるつぼの製造方法を提供する。
【解決手段】回転する上部開口型１を使用してシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスるつぼを製造する方法であって、（ａ）二酸化珪素粉末６を前記型１内に供給して、該型１内面に沿って成型体を形成する工程、（ｂ）前記前成型体を加熱溶融して、半透明石英ガラス製るつぼ基体３を形成する工程、（ｃ）このるつぼ基体３の形成中もしくは形成後に、該るつぼ基体３内の高温ガス雰囲気中８に二酸化珪素粉末６を供給し、内壁面に向って飛散融合させて透明石英ガラス層４を形成する工程からなり、製造された石英ガラスるつぼの内表面の表面張力を５０ｍＮ／ｍ以下に設定するようにした。 （もっと読む）

【課題】グラファイト製成型容器の使用に起因するＴｉ₂Ｏ₃（ＩＩＩ）や泡の巻き込みが解消されたＴｉＯ₂を含有するシリカガラスの成型方法の提供。
【解決手段】成型容器内にＴｉＯ₂を含有するシリカガラスを設置し、前記成型容器内で前記ＴｉＯ₂を含有するシリカガラスを不活性雰囲気中で１５００℃以上の温度で成型する成型工程を２回以上実施することにより、所望の形状の成型体を得るＴｉＯ₂を含有するシリカガラスの成型方法であって、前記成型工程間に、前記ＴｉＯ₂を含有するシリカガラスの少なくとも１つの表面を研削する研削工程を少なくとも１回実施することを特徴とするＴｉＯ₂を含有するシリカガラスの成型方法。 （もっと読む）

【課題】高寸法精度を有し、炭素及びＯＨ基の含有量が極めて少ないシリカ容器を、シリカを主成分とする粉体を主原料として、低コストで製造できるシリカ容器の製造方法、及び、このようなシリカ容器を提供する。
【解決手段】回転対称性を有するシリカ基体５１を備えてなるシリカ容器７１を製造する方法であって、減圧用の孔を有する外型枠を回転させながら、外型枠の内壁に基体用原料粉（シリカ粒子）を導入し、所定形状に仮成形する工程、除湿により所定の露点温度以下とした、Ｏ_２ガスと不活性ガスとを含む混合ガスを、仮成形体の内側から供給し、外型枠内のガスを換気して、外型枠内における湿度を調整しつつ、仮成形体を外周側から減圧しながら、炭素電極による放電加熱溶融法により仮成形体の内側から加熱することによって、仮成形体の外周部分を焼結体とするとともに、内側部分を溶融ガラス体とし、シリカ基体５１を形成する工程、を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体製造工程に使用されて消耗劣化した石英ガラス部材に対し、品質の安定化と再生の合理化を図れる石英ガラス部材の再生方法を提供する。
【解決手段】消耗または汚染劣化した石英ガラス部材の受入検査後、石英ガラス部材に蛍光作用を奏する所定波長の光線を照射し、該石英ガラス部材とデポとの蛍光色の差により汚染劣化状況を検査し、前記石英ガラス部材の洗浄方法を決定する。洗浄後、デポの残留を検査して火炎処理加工可能とされた石英ガラス部材に対し、該石英ガラス部材の消耗劣化部の消耗劣化状況に応じて、消耗劣化部と非消耗劣化部とを分離し、非消耗劣化部に消耗劣化部に代わる新規材料を溶着し一体化して再生し、または分離しないで消耗劣化部を修復して再生する。 （もっと読む）

【解決手段】合成石英ガラスブロックを複数個積み重ねて、これらを雰囲気炉内で熱処理する合成石英ガラスの熱処理方法であって、上記合成石英ガラスブロックが多角柱又は円柱であって、その高さがこの多角柱の底面の対角線よりも短い又は円柱の底面の外径よりも短いものであり、これらブロック間に空隙を設けてブロック同士を接触させずに積み重ね、熱処理する合成石英ガラスの熱処理方法。
【効果】本発明によれば、例えば、エキシマレーザ、特にはＡｒＦエキシマレーザ用、更にはＡｒＦ液浸技術等に使用されるフォトマスク用合成石英マスク基板材用途、所謂レチクル材用に使用され、良好な透過率及び均一な透過率分布を有し、しかも劣化の少ない上、更には複屈折率の低いエキシマレーザ用合成石英ガラス基板、また高精細ディスプレイ用の光部品用基板等の素材となる合成石英ガラスを提供できる。 （もっと読む）

【課題】グラファイト製成型容器の使用に起因する内部異物の発生や泡の巻き込みが解消されたＴｉＯ₂を含有するシリカガラスの成型方法の提供。
【解決手段】グラファイト製成型容器の成型面側の表面、および、該成型容器内に設置されるＴｉＯ₂を含有するシリカガラスの表面の少なくとも一方に、ＳｉＯ₂粒子を含む懸濁液を塗布した後、前記グラファイト製成型容器内にＴｉＯ₂を含有するシリカガラスを設置し、前記成型容器内で前記ＴｉＯ₂を含有するシリカガラスを、不活性ガス雰囲気下、１５００℃以上の温度で成型して、所望の形状の成型体を得ることを特徴とするチタニアドープト石英ガラスの成型方法。 （もっと読む）

【課題】 高寸法精度、高耐熱変形性を有するシリカ容器を、シリカを主成分とする粉体を主原料として、低コストで製造できるシリカ容器の製造方法、及び、このようなシリカ容器を提供する。
【解決手段】 回転対称性を有するシリカ基体を備えてなるシリカ容器を製造する方法であって、減圧用の孔を有する炭素製の外型枠を回転させながら、外型枠の内壁に基体用原料粉（シリカ粒子）を導入し、所定形状に仮成形する工程、シリカ基体の仮成形体の内周側からＨ_２ガスを１０ｖｏｌ．％を超える比率で含有する還元性ガスを供給しつつ、シリカ基体の仮成形体を外周側から減圧して脱ガスするとともに、炭素電極による放電加熱溶融法によりシリカ基体の仮成形体の内側から加熱することによって、シリカ基体の仮成形体の外周部分を焼結体とするとともに、内側部分を溶融ガラス体とし、シリカ基体を形成する工程を含むシリカ容器の製造方法。 （もっと読む）

約２５０ｎｍより短い波長において飽和誘起吸収を有する、ステッパ／スキャナシステムのレンズのような、石英ガラス品。飽和誘起吸収は、初めに、石英ガラス内のＳｉ-Ｏ欠陥を、そのような欠陥において水素化ケイ素(ＳｉＨ)を形成することで除去し、石英ガラス品内のＳｉＨの光分解によって形成されるＥ'中心と反応させるために石英ガラスを水素処理することによって達成される。水素化ケイ素は少なくとも４７５℃の温度で石英ガラスを分子水素処理することで形成される。ＳｉＨの形成後、石英ガラスは４７５℃より低い温度においてさらに分子水素処理される。
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溶融した半導体材料を保持し、一方向凝固工程により多結晶シリコン・インゴットを作製するための窒化ケイ素被覆坩堝と、坩堝を被覆する方法と、シリコン・インゴットおよびウェーハを作製する方法と、坩堝を被覆するための組成物と、低酸素量のインゴットおよびウェーハとに関する。
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【課題】原料融液が充填された高温下での変形や歪みが抑制され、かつ、ブラウンモールドの発生が抑制され、しかも、ルツボに起因する不純物汚染を招くことなく、シリコン等の半導体単結晶を歩留まりよく引上げるのに好適なシリカガラスルツボの製造方法を提供する。
【解決手段】厚さ方向における外層が天然質シリカガラス、内層が合成シリカガラスからなるルツボの製造方法において、外層および内層を、それぞれ、天然シリカ質原料粉および合成シリカ原料粉を減圧アーク溶融によりガラス化して形成し、少なくとも直胴部における外層と内層の総厚さが６〜１６ｍｍ、内層の厚さが総厚さの５〜４０％、かつ、内層におけるＮａ，Ｋ，Ｌｉ，Ｃａ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｆｅ，Ｃｕのいずれの濃度も０．１ｐｐｍ以下、外層におけるＮａ濃度が０．２ｐｐｍ以下、ルツボ内表面から深さ０．５ｍｍ以下の領域において直径２０μｍ以上の気孔が２０個／ｍｍ²以下となる構成とする。 （もっと読む）