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【課題】金属ワイヤを内包するセラミック焼成体の製造において、クラックの発生しない製造方法を提供する。
【解決手段】金属ワイヤ(コイル11)を型(金型21)内に配置し、その型内に「熱ゲル化特性又は熱硬化性を有するセラミックスラリー」を注ぐ。次に、セラミックスラリーを硬化及び乾燥させ焼成前セラミック成形体を作成し、そのセラミック成形体を焼成する。この焼成工程においては、先ず、セラミック成形体の脱脂を行い、その後、セラミック成形体の温度を「金属ワイヤが軟化し且つセラミック成形体が焼成する第2温度」まで第2昇温速度にて上昇させる。第2昇温速度は、セラミック成形体の温度が第2温度にまで上昇した時点において「セラミック成形体の収縮率が所定閾値収縮率以下の収縮率となる」ように、即ち、金属ワイヤの軟化がセラミック成形体の実質的な焼成開始よりも先行するように、設定されている。 (もっと読む)


【課題】直流重畳特性が良好で、比抵抗が高く、磁気的特性の劣化を抑えることができるフェライト材料を提供する。
【解決手段】酸化鉄、酸化銅、酸化亜鉛、酸化ニッケルを主成分とするフェライト粉末に対して、副成分として酸化ビスマスをBi23換算で0.06〜0.50重量部、酸化チタンをTiO2換算で0.11〜0.90重量部、酸化バリウムをBaO換算で0.06〜0.46重量部を添加してなる。酸化ビスマス、酸化チタン及び酸化バリウムの重量比は、酸化ビスマスをBi23換算で1.00としたとき、酸化チタンがTiO2換算で1.08〜2.72、酸化バリウムがBaO換算で0.72〜1.20の割合である。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、GHz帯領域で使用可能な磁性焼結体、および磁性体と誘電体との複合焼結体、並びにそれらの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 六方晶Baフェライト粉末と、LiO換算で5.0モル%以上のLi、およびSiO換算で17.0〜24.1モル%のSiを含み、軟化点が400〜470℃のガラス粉末とを、前記六方晶Baフェライト粉末および前記ガラス粉末の合量に対して前記ガラス粉末が15〜30体積%となるように混合し、成形し得られるLi−Zn−Cu−Fe−Oスピネル型結晶を主結晶とする磁性焼結体を用いる。 (もっと読む)


【課題】磁気特性が良好で、低温から高温まで透磁率の変動が少なく、コアロスも抑えられ、インダクタンスの応力特性が良好で、低温焼成が可能な積層磁性部品に好適なフェライト材料を得る。
【解決手段】Fe2 3 を45〜50モル%、ZnOを10〜32モル%、CuOを5〜15モル%、NiOを残部として含有するNi−Zn系フェライトにおいて、Niの一部がSnとSrとで同時置換され、その置換量がSnO2 換算で0.2〜0.6wt%、SrCO3 換算で0.2〜0.4wt%であり、950℃以下で焼成可能とした低温焼成フェライトである。 (もっと読む)


【課題】 高周波数域において初透磁率を大きく得ることができ、高周波数域での用途に好ましく適用できるNiCuZnフェライトを提供すること
【解決手段】 主成分は酸化鉄が47mol%以上50mol%未満,酸化ニッケルが26mol%以上36mol%以下,酸化亜鉛が9mol%以上19mol%以下であり残部を酸化銅とし、副成分は酸化ビスマスが0.5wt%以上7wt%以下,酸化ケイ素が0.3wt%以上1.5wt%以下とする組成にする。これによる焼結体は、混合した各材料の特質を相互に作用させたものとなり、材質特性は初透磁率μが周波数200MHzにおいて25以上となる。副成分の酸化ケイ素は酸化ビスマスとともに添加するので結晶粒界に均一に分散でき、比較的低温で焼成できるので焼成後の平均粒子径を1μm程度以下に抑えることができ、これにより、高周波特性を良好に得ることができる。 (もっと読む)


【課題】 Agの融点より低温で焼結可能であり、2 MHz以上の高周波数でも低損失であり、応力下でも広い温度範囲で特性変動が少ない低損失フェライトを用いた電子部品を提供する。
【解決手段】 複数のフェライト層を備えた積層体の内部にAgを含む電極からなるコイルが設けられた電子部品であって、前記フェライト層は47.1〜49.3 mol%のFe2O3、20〜26 mol%のZnO、6〜14 mol%のCuO、及び残部NiOからなる主成分100質量%に対して、副成分としてSnO2換算で0.1〜2質量%のSnと、Mn3O4換算で0.05〜1.1質量%のMnとを含み、平均結晶粒径が0.5〜3μmである低損失フェライトで構成された電子部品 (もっと読む)


【課題】 高飽和磁束密度が得られ、コアロスが低く抑えられるという優れたフェライト特性を維持したまま、プロセスの簡略化が図れ、製造コストの低減を図ることのできる新規なMnZn系フェライトの製造方法を提供する。
【解決手段】 仮焼き工程を設けることなく、所定の形状のコアを製造するMnZn系のフェライトの製造方法であって、該方法は、主成分の原料を準備する原料準備工程と、原料を秤量して秤量物を湿式ないしは乾燥により混合し粉砕する、混合粉砕工程と、粉砕された粉末を顆粒に造粒し、所定の形状に成形する、造粒・成形工程と、所定の条件で成形物を焼成する焼成工程と、を含み、前記原料準備工程において準備されるZn成分のすべてがフェライト化合物であり、残りのFe成分およびMn成分の全部または一部が単体の酸化物であるように構成する。 (もっと読む)


【課題】 高透磁率という技術要求に応えるスピネル型Ni−Cu−Zn系フェライトの焼結体を提供すること。
【解決手段】 出発原料として、ニッケルの一部を銅で置換した酸化物の銅による置換量を適宜変化させた酸化物原料粉末および酸化亜鉛粉末、酸化鉄粉末の混合比を選択したフェライト原料粉末とし、さらに焼結温度を適宜選択することで、格子定数の分散幅を制御することにより、高い透磁率を有するスピネル型Ni−Cu−Zn系フェライトの焼結体とする。 (もっと読む)


【課題】 800℃から850℃程度の低温で焼結が行える磁気組成物を提供すること
【解決手段】 40〜50mol%のFe,15〜25mol%のNiO,5〜20mol%のCuO,15〜25mol%のZnOからなるフェライト材料に、下記組成のビスマス系ガラスを1〜10vol%を混合して形成される組成とし、当該ビスマス系ガラスの成分は、Biを40〜96wt%,ZnOを0〜30wt%,SiOを0wt%〜20wt%,Bを0wt%〜25wt%,BaOを0wt%〜8wt%,Alを0〜8wt%という関係を満たす組成配分とした。目的とする低温で焼結が行えるようになり、誘電率も50以上の値を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】 800℃から850℃程度の低温で焼結が行え、1GHz程度にて高周波数帯域においてもでの使用が可能緻密な薄膜を形成でき、配合する各組成の微粉化は比較的に低いレベルでよい低温焼結用電極材料を提供すること
【解決手段】 40〜50mol%のFe,15〜25mol%のNiO,5〜20mol%のCuO,15〜25mol%のZnOからなるフェライト材料に、下記組成のガラスを40〜79vol%と、石英を20〜50vol%を混合して形成される組成とし、ガラス成分は、SiOを70wt%〜85wt%,Bを12wt%〜25wt%,KOを1wt%〜5wt%,Alを0〜8wt%という関係を満たす組成配分とした。ガラスの存在比率が多くなることもあり、低温で焼結が行えるようになり、誘電率も1GHz以上の高周波数帯域まで安定した値を保持できる。 (もっと読む)


【課題】ゲルキャスト法によって、クラックの発生し難い、均質なフェライト焼結体を作製する手段を提供すること。
【解決手段】フェライト焼結体を作製するにあたり、メディアン径D50[μm]が、0.1μm以上、0.8μm以下であり、スピネル合成度が、45%以上、90%以下、であり、最大磁場15kOeを印加したときの単位質量あたりの残留磁化Br[emu/g]が、次式、0.05≦Br≦2.0lnD50+6.3を満たすフェライト粉末を使用する。 (もっと読む)


【課題】 低温焼成や、低抵抗の金属材料との同時焼成が可能で、Bi置換型においても異相の生成がなく、強磁性共鳴半値幅及び誘電損失が小さい多結晶セラミック磁性体材料と、マイクロ波磁性体及びこれを用いた非可逆回路素子を提供する。
【解決手段】 主成分が、一般式(Y3.0−x−y−zBiCaGd)(Fe5−α−β−γInαAlβγ)O12で表される組成を有し、x、y、zの値が、0.5≦x≦0.9、0.5≦y≦0.9、0≦z≦0.4であり、α、β、γの値が、0.05≦α≦0.4、0≦β≦0.45、0.25≦γ≦0.45の範囲内にあって、副成分としてCuとZrとFeを含み、その含有量は、主成分100重量部に対して、CuをCuO換算で0.1重量%≦CuO≦0.5重量%、ZrをZrO換算で0.05重量%≦ZrO≦0.5重量%、FeをFe換算で0重量%<Fe≦1.0重量%とした。 (もっと読む)


【課題】 直流重畳特性の飛躍的な向上が図れるフェライトおよびそれを用いた電子部品を提供する。
【解決手段】 本発明のNiCuZn系フェライトは、所定の主成分配合組成に対して、酸化ビスマスがBi23換算で0.25〜0.40重量%(ただし、0.25重量%を含まない)、酸化錫がSnO2換算で1.00〜2.50重量%含有されており、かつ当該NiCuZn系フェライトの粒子中には、酸化錫SnO2の偏析が見られ、所定の測定要領で定義されるSnO2の最大組成差が4.0以上であるように構成される。 (もっと読む)


【課題】 実用に十分なHcJを有しつつ、Brが大幅に高められたフェライト焼結磁石を提供すること。
【解決手段】 好適なフェライト焼結磁石は、六方晶構造を有するフェライト相が主相をなし、
フェライト焼結磁石を構成する金属元素の組成は下記一般式(1)で表され、
Ca1−x−m(Fe12−y’y’’Coy’Zny’’…(1)
(RはLaを必須成分として含むLa、Ce、Pr、Nd及びSmからなる群より選ばれる元素を示し、AはSrを必須成分として含むSr及びBaから選ばれる元素を示す。)
当該式(1)中、x、m、y’、y’’及びzは、0.23≦x≦0.5、0.12≦m≦0.39、0.17≦y’z≦0.36、0.01≦y’’z≦0.11、0.19≦y’z+y’’z≦0.40、9.8≦12z≦11.7を全て満足し、且つ、副成分として、Si成分をSiOに換算して0.13〜0.48質量%含有する。 (もっと読む)


【課題】人体に安全な元素から構成され、低電気抵抗であり、しかも、焼結体の欠けを抑制することができるフェライト組成物、およびこれを用いてなる生体用電極を提供する。
【解決手段】Fe:60〜90モル%およびMO(ただし、Mは、Ni、Mg、CuおよびZnから選ばれる少なくとも1つ):10〜40モル%、を含み、スピネル構造を有するフェライト組成物であって、前記スピネル構造中に存在するFe2+イオンの存在割合を、FeO量として換算した場合に、下記の式を満足することを特徴とするフェライト組成物。b≧0.630a−30.7…式ただし、式中、a:Fe(モル%)、b:FeO量(重量%)である。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、複合化による特性の低化を抑制し、少ない焼結助剤の添加量であっても比較的低温で焼結することが可能であり、原料として用い、複合焼結体中に磁性体および誘電体として存在する磁性体材料と誘電体材料の透磁率、誘電率の低化を抑制した磁性体と誘電体との複合焼結体を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、六方晶Baフェライト結晶と、Ca、SrおよびBaから選ばれる1種以上の元素およびTiを含有するペロブスカイト型結晶と、Liとを含有し、1GHzにおける比透磁率が1.4以上であることを特徴とする磁性体と誘電体との複合焼結体である。 (もっと読む)


【課題】従来より高Br、高配向度及び高HcJを有す新規で高性能なフェライト焼結磁石、その製造方法、それを用いた高性能マグネットロール、非可逆回路素子の提供。
【解決手段】M型フェライト構造を有し、Ca、希土類元素の少なくとも1種でありLaを必須に含むR元素、Ba、Fe、Coを必須元素とし、下記一般式:Ca1-x-yRxBayFe2n-zCoz(原子比率)[(1-x-y)、x、y、zは各々Ca、R元素、Ba、Coの含有量、nはモル比を表し、0.3≦1-x-y≦0.65、0.2≦x≦0.65、0.001≦y≦0.2、0.03≦z≦0.65、4≦n≦7、1-x-y>y、及び1-x-y>xを満たす数値。]組成のフェライト焼結磁石製造方法であって、原料混合、仮焼、粉砕、成形及び焼成各工程を有し、原料混合工程で配合する酸化鉄原料にミルスケール粉末を用いたことを特徴とするフェライト焼結磁石の製造方法。 (もっと読む)


【課題】 ロータリーキルンの内壁への原料組成物や仮焼体の付着が生じ難いフェライト焼結磁石の製造方法を提供すること。
【解決手段】 第1の原料をロータリーキルンにより仮焼する工程と、仮焼体に第2の原料を加えて焼成しフェライト焼結磁石を得る工程とを含み、第1及び第2の原料として、仮焼体及びフェライト焼結磁石が、それぞれ下記一般式(1)及び(2)の組成を有し、且つ、これらの式中の組成比が、所定の各条件を全て満たすように調整されたものを用いる。
1−x−mCa(Fe12−y19 (1)
1−x−m−aCam+a(Fe12−y―by+b19 (2) (もっと読む)


【課題】 ロータリーキルンの内壁への原料組成物や仮焼体の付着が生じ難いフェライト焼結磁石の製造方法を提供すること。
【解決手段】 第1の原料をロータリーキルンにより仮焼する仮焼工程と、仮焼体に第2の原料を加えて焼成しフェライト焼結磁石を得る焼成工程とを含み、第1及び第2の原料として、仮焼体及びフェライト焼結磁石が、それぞれ下記一般式(1)及び(2)で表される組成を有し、且つ、これらの式中の組成比が、所定の各条件を満たすように調整されたものを用いる。
1−x−b−m−aCaFe2n−z−c19 (1)
1−x−b−m−aCam+ax+bFe2n−z−cz+c19 (2) (もっと読む)


【課題】 MnZn系のフェライトにLiを添加する場合であって、製品ロット間の特性バラツキを抑制することができ、製造歩留まりの向上および製品品質の信頼性の向上を図ることができるMnZn系フェライトの製造方法を提供する。
【解決手段】 MnZn系フェライトの主成分に対して副成分としてLiを添加してなるMnZn系フェライトの製造方法において、前記Liを添加するに際して用いられるLi化合物が、水に対して不溶性ないし難溶性の化合物とする。 (もっと読む)


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