【課題】セラミックス基板の両面に異なる厚さの金属層を積層する場合に、接合時に発生する反りを低減することができ、接合の信頼性を高めることができるパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板２の両面に異なる厚さの金属層６，７が積層されたパワーモジュール用基板３の製造方法であって、両金属層６，７をセラミックス基板２の両面に配置し、これらを加熱して接合した後に、厚さ方向に加圧した状態で冷却して、金属層６，７に塑性変形を生じさせる。 （もっと読む）

【課題】炭化ホウ素を２質量％以上含有してなる各セラミックス部材同士を、簡便な方法で、かつ、接合強度が１００ＭＰａ以上の極めて高い強度をもって接合することができる新規な技術を提供すること。
【解決手段】それぞれが炭化ホウ素を２質量％以上含有してなる各セラミックス部材同士が、銅、金およびジルコニウムからなる金属群から選ばれる少なくとも一種を含む接合材で接合した接合層を介して一体化されてなるか、或いは、金属アルミニウム又はアルミニウム化合物のいずれかと、チタン化合物とを接合材として形成した接合層を介して一体化されてなり、かつ、接合した部分の強度が１００ＭＰａ以上であることを特徴とする炭化ホウ素含有セラミックス接合体。 （もっと読む）

【課題】窒化アルミニウム焼結体基板と金属基板との接合強度の向上効果を発揮するのみでなく、更に、高強度で熱サイクル特性に優れた窒化アルミニウム−金属接合基板を安定にかつ再現性よく得ることのできる窒化アルミニウム−金属接合基板の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム焼結体基板の被処理面に砥粒を衝突せしめて改質した後、上記窒化アルミニウム焼結体の被処理面に金属基板を接合するに際し、前記砥粒として窒化アルミニウム焼結体より高い硬度を有する砥粒を使用し、該砥粒を１０〜３０体積％の濃度で含有する液体を、圧縮空気と共に、前記窒化アルミニウム焼結体基板の被処理面に対して作用する圧力が０．１０〜０．２５ＭＰａとなるように噴射して、Ｘ線回折を用いたｓｉｎ^２ψ法により求めた該被処理面の窒化アルミニウムの（１１２）面の残留応力値が−５０ＭＰａ以下、かつ、表面粗さが０．２μｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】 窒化アルミニウム焼結体基板の表面に付着する離型材などを確実に除去しつつ、金属基板接合後の窒化アルミニウム−金属接合板の抗折強度と熱サイクル特性に優れる窒化アルミニウム−金属接合基板を安定してかつ再現性よく得ることを可能にした製造方法を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム焼結体基板の被処理面に砥粒を衝突せしめて改質した後、上記被処理面に金属基板を接合する方法であって、前記砥粒として、窒化アルミニウム焼結体より高い硬度を有する砥粒を使用し、該砥粒を１０〜３０体積％の濃度で含有する液体を、前記窒化アルミニウム焼結体基板の被処理面に対して、該被処理面にかかる圧力が０．０７〜０．１２ＭＰａとなるように噴射する。 （もっと読む）

【課題】金属セラミックス接合基板を製造するコストを低減する要請があり、例えばろう材を形成する工程のコスト低減が考えられる。
【解決手段】金属板上にコールドスプレー法によりろう材を形成する工程と、セラミックス基板上に金属板上の前記ろう材が接触するように金属板を配置する工程と、配置された前記ろう材が形成された前記金属板と前記セラミックス基板を加熱することにより、前記セラミックス基板に前記金属板を接合することにより金属セラミックス接合基板を製造する。 （もっと読む）

【課題】静電チャックの給電部を製造するにあたり、セラミックスと金属との接合部に亀裂を生じない緻密な接合層を形成できる接合剤と、当該接合剤を用いた静電チャックの給電部及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】タングステンと活性銀ロウと有機バインダとから構成され、かつ、有機バインダを加熱除去した後に、タングステンを２０体積％〜５０体積％含有し、残部が活性銀ロウからなる接合剤である。この接合剤を、ベース材１、内部電極２、誘電体３が順に配置されたセラミックス構造体の穴４に装填し、金属電極５を挿入して加熱接合することで、静電チャックの給電部を形成する。 （もっと読む）

【課題】放熱特性が良好であるとともに、セラミックスからなる支持基板に大きな反りが発生することの少ない、信頼性の高い回路基板およびこれを用いた電子装置の提供。
【解決手段】窒化珪素を主成分とする支持基板１の第１主面に、チタン，ジルコニウム，ハフニウムおよびニオブから選択される少なくとも１種の活性金属を含むろう材からなる第１の接合層３ａ，３ｂを介して、銅を主成分とする回路部材２ａ，２ｂが設けられた回路基板10であって、支持基板１の第１主面の表面に、窒化珪素の結晶粒子が活性金属を含む珪化物の結晶粒子によって連結されている回路基板10である。 （もっと読む）

【課題】セラミックス部材と金属部材とを、ろう付けによって高い導電性を確保した状態で接合するセラミックス−金属接合体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のセラミックス−金属接合体の製造方法は、導電性を有するセラミックス材料からなるセラミックス部材１３１の接合面１３１ａに、還元性を有する還元剤１３４を塗工して上記接合面１３１ａにおける酸化膜を還元除去し、その後、セラミックス部材１３１と金属部材１３２とをろう材１３３を介して接合する工程を備えたセラミックス−金属接合体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】セラミックス基板上に複数の金属板回路板をした場合でも、セラミックス基板を分割することなくその反りを矯正する手段を提供する。
【解決手段】セラミックス基板の少なくとも一方の面に、金属溶湯Ｍを接触させた後に冷却して固化させることによりセラミックス基板に複数の凸部が形成された金属板を接合した金属セラミックス接合体１を所定の曲率Ｒを有するポンチ２１とダイス２０で挟み込んで押圧し、その後、金属セラミックス接合体をエッチング処理して当該金属セラミックス接合体の各凸部に所定の回路パターンを形成すると共に凸部以外の箇所を除去する。 （もっと読む）

【課題】金属−セラミックス接合回路基板の断面形状を少ない工数または低コストで容易に制御することができ、且つ耐熱衝撃性または絶縁性に対してより高信頼性を有する金属−セラミックス接合回路基板を製造することができる、金属−セラミックス接合回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１０の両面にろう材１２を介してＣｕ板１４を接合した後、 Ｃｕ板１４の表面の所定の部分にＵＶ硬化アルカリ剥離型レジスト１６を塗布してＣｕ板１４の不要部分をエッチングすることにより金属回路部を形成し、レジスト１６を維持したまま、不要なろう材１２およびろう材１２とセラミックス基板１０との反応生成物を除去し（あるいは、不要なろう材１２およびろう材１２とセラミックス基板１０との反応生成物を除去し、金属回路部の側面部をエッチングし）、その後、レジスト１６を剥離し、 Ｎｉ−Ｐ無電解メッキ１８を施す。 （もっと読む）

【課題】金属−セラミックス接合基板に放熱板を固定する場合にＰｂフリー半田を使用しても、半田やセラミックス基板にクラックが発生するのを効果的に防止することができる、金属−セラミックス接合基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１０の一方の面にろう材１６を介して放熱板固定用金属板１８の一方の面が接合した金属−セラミックス接合基板において、放熱板固定用金属板１８としてビッカース硬さ４０〜６０の銅または銅合金からなる金属板を使用し、この放熱板固定用金属板１８の他方の面にＰｂフリー半田２０によって放熱板２２が固定される。 （もっと読む）

【課題】 接合強度が高い、金属層付きセラミックス部材を提供する。
【解決手段】 ＡｌおよびＯを含むとともに、第３遷移元素（Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ）および第４遷移元素（Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ）から選ばれた少なくとも１種以上の特定遷移元素の酸化物を含むセラミックス体と、前記セラミックス体の表面に設けられた金属層と、を備える金属層付きセラミックス部材であって、前記金属層が、前記セラミックス体表面に接合した、前記特定遷移元素を主成分として含む第１の層と、前記第１の層と接合した、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｖ、Ｈｆ、Ｖのうち少なくとも１種と前記特定遷移元素とを含む第２の層と、を有し、前記第１の層における前記特定遷移元素の含有割合（質量％）は、前記第２の層における前記特定元素の含有割合（質量％）に比べて高いことを特徴とする金属層付きセラミックス部材を提供する。 （もっと読む）

基材１３０と、該基材１３０に結合したＰＣＤ構造体１２０と、該ＰＣＤ構造体１２０を該基材１３０に結合させる結合層１４０の形態の結合材料と、を含んでなる多結晶ダイヤモンド（ＰＣＤ）複合成形体部材１００であって、該ＰＣＤ構造体１２０は熱的に安定であり、少なくとも約８００ＧＰａの平均ヤング率を有し、該ＰＣＤ構造体１２０は、少なくとも約０．０５ミクロンで多くとも約１．５ミクロンの隙間平均自由行程を有し、該平均自由行程の標準偏差は、少なくとも約０．０５ミクロンで多くとも約１．５ミクロンである。該ＰＣＤ複合成形体部材の実施形態は、切断、フライス削り、粉砕、掘削、地面穿孔、削岩、または金属の切断および機械加工のような他の研磨用途用の手段であってもよい。
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セラミック酸化物表面を有する少なくとも２つの部品を結合するためのろう付け方法が説明される。当該方法に用いられるろう材フィラーは、貴金属および第２金属を含む。ろう付け方法の間、フィラーは、空気のような酸化雰囲気を含む。加熱は、少なくとも貴金属が溶融するまで実施される。フィラーは、第２金属の安定で不揮発性の酸化物から形成される表面酸化物を含んで成り、溶融貴金属と大きく合金しない。溶融フィラーは、セラミック酸化物表面をぬらすことができ、その後に、これらを一体に結合するように冷却される。 （もっと読む）

【課題】ステータを腐食環境から保護するシール組立体を含む電子デバイスを提供する。
【解決手段】本明細書で開示されるのは、ロータ（３０）と、ステータ（４０）と、少なくとも１つの継手及びモノシリック・セラミックセパレータ（１１０）を有するシール組立体（１００）と、を備えるモータ２０を含むシステム（１０）である。シール組立体（１００）の各継手は化学結合継手であり、モノシリック・セラミックセパレータ（１１０）が、モータ（２０）のロータ（３０）とステータ（４０）の間のギャップ（５０）に配置され、シール組立体（１００）がロータ（３０）とステータ（４０）を気密分離する。 （もっと読む）

【課題】接合ボイドの発生が少なく且つ耐ヒートサイクル性に優れた金属−セラミックス接合基板およびその金属−セラミックス接合基板に使用するろう材を提供する。
【解決手段】５〜３０質量％のＣｕと、０．５〜３．０質量％の活性金属と、０．０５〜０．３５質量％のＢｉ系ガラス（好ましくは６５質量％以上のＢｉ_２Ｏ_３を含むガラス）と、残部としてＡｇを含む粉体をビヒクルに添加して混練することによって作製したペースト状ろう材をセラミックス基板に塗布した後、ろう材の上に金属板を配置して加熱することによって、ろう材を介して金属板をセラミックス基板に接合して金属−セラミックス接合基板を製造する。 （もっと読む）

【課題】銅板表面にムラが発生することを防止できる金属セラミックス接合基板の製造方法を提供する。
【解決手段】金属セラミックス接合基板の製造方法は、セラミックス基板１０上にろう材１２を形成する工程と、前記ろう材の上に、無酸素銅板表面のＸ線回折積分強度比Ｉ（２２０）／Ｉ（２００）が０．５以下である前記無酸素銅板１４を配置する工程と、前記無酸素銅板、前記ろう材及び前記セラミックス基板を加熱することにより、前記セラミックス基板１０に前記無酸素銅板１４を接合する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】ケイ素含有セラミック物品、特に炭化ケイ素と遊離のケイ素を両方とも含有するセラミック物品及びＣＭＣ物品を接合する方法を提供する。
【解決手段】反応性金属を含有するろう材２０を物品１２間に設け、その後ろう材２０と物品１２を加熱して物品１２内のケイ素と反応性金属とを反応させて、反応性金属のケイ化物相を含有するろう付け部を形成することを伴う。次いで、ろう付け部と物品１２を冷却して、２つの物品１２及びケイ化物相を含有するろう付け部を含む部品を生成させる。本方法は、物品１２の構成成分を熱的に劣化させる温度より低い温度で実施するのが好ましく、ケイ素の融点より低いとより好ましい。 （もっと読む）

本発明は、セラミックの表面（２）を金属の表面（１）に素材結合式に結合するための複ろう部材（３ａ，４ａ）において、Ｓｉ、Ｂ、Ｍｎ、Ｓｎ、Ｇｅからなる群より選択される融点を下げる少なくとも１つの成分を含む、少なくとも５０質量％のＮｉ含有量を有するＮｉをベースとするろうからなる少なくとも１つの第１の層（３ａ）と、合計で１〜１５質量％のＴｉ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｖからなる群より選択される活性な元素の含有量を有する活性ろう材料からなる少なくとも１つの第２の層（４ａ）とを備える、セラミックの表面（２）を金属の表面（１）に素材結合式に結合するための複ろう部材（３ａ，４ａ）に関する。さらに本発明は、このような複ろう部材を製造する方法及びこのような複ろう部材の使用に関する。
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【課題】 セラミック表面に形成される凹凸が、結晶粒径より小さい、超微細なものであると、Ｗ等の高融点金属ペーストまたはＣｕやＡｇ−Ｃｕ等にＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ等の活性金属を添加したメタライズ組成物のペーストを塗布した後、加熱してもこのセラミック表面では十分なアンカー効果が得られず、メタライズ層はセラミック基板に対して高い密着力を得ることができない。
【解決手段】 平均結晶粒径より大きな凹凸を有する窪みおよび／または平均結晶粒径より大きな凹凸を有する突起を複数備えているセラミック基体１とする。 （もっと読む）