【課題】配向性の良好な配向性酸化物セラミックスの製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物結晶Ａを還元処理して、前記酸化物結晶Ａと同じ結晶系を有する酸化物結晶Ｂを得る工程と、前記酸化物結晶Ｂを含むスラリーを得る工程と、前記酸化物結晶Ｂに磁場を印加するとともに前記酸化物結晶Ｂの成形体を得る工程と、前記成形体を酸化処理して酸化物結晶Ｃからなる配向性酸化物セラミックスを得る工程を有する配向性酸化物セラミックスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】微量添加物をセラミック粒子の表面に均一に付着させる。
【解決手段】セラミック粒子と、これに添加しようとする金属酸化物の構成金属の水溶性塩と、金属元素の陽イオンに対する錯化剤と、カチオン性機能性モノマーを含む水溶液を生成するステップと、前記水溶液において重合反応を生じさせて重合反応物とセラミック粒子の混合物を得るステップと、前記混合物を乾燥・仮焼して金属イオンを金属酸化物に変換しかつ重合体を除去するステップとを含んでなる表面改質セラミック粉末の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】高い強度を有するＩＴＯ燒結体、スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のＩＴＯ焼結体は、酸化スズを８〜１２重量％、並びに元素の周期表の２ａ族及び４ａ族元素のうちの少なくとも１種の元素の酸化物を０．００１〜０．１重量％含み、残部が酸化インジウムからなる。このＩＴＯ燒結体からなるターゲット。これらの酸化物を上記量で配合し、成形した後焼成してＩＴＯスパッタリングターゲットを得る。 （もっと読む）

【課題】 低融点金属との同時焼成が可能であり、クラックや破損が生じにくい回路基板を形成し得る高強度の低温焼成セラミックと、低温焼成セラミックからなる回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 少なくとも主成分としてＡｌ、Ｓｉ、Ｓｒ、Ｂａを含み、組織中に六方晶ＳｒＡｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８、（Ｓｒ、Ｂａ）Ａｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８、ＢａＡｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８の少なくとも一種及びＡｌ_２Ｏ_３結晶を有する高強度低温焼成セラミックとする。 （もっと読む）

【課題】セラミックグリーンシートの耐シートアタック性を向上させる。
【解決手段】セラミックグリーンシート用樹脂組成物は、（Ａ）ポリビニルアセタール樹脂及び／またはポリビニルアルコール樹脂と、（Ｂ）ポリイソシアネートを活性メチレン化合物でブロックした活性メチレン系ブロックポリイソシアネートとを含む。また、セラミックグリーンシートは、そのようなセラミックグリーンシート用樹脂組成物を加熱架橋させてなる。 （もっと読む）

【課題】透明で多結晶のセラミックを提供する。
【解決手段】本セラミックは、式A_xC_uB_yD_vE_zF_w、A、Cは、Li⁺Na⁺Be²⁺Mg²⁺Ca²⁺Sr²⁺Ba²⁺Al³⁺Ga³⁺In³⁺C⁴⁺Si⁴⁺Ge⁴⁺Sn^2+/4+Sc³⁺Ti⁴⁺Zn²⁺Zr⁴⁺Mo⁶⁺Ru⁴⁺Pd²⁺Ag²⁺Cd²⁺Hf⁴⁺W^4+/6+Re⁴⁺Os⁴⁺Ir⁴⁺Pt^2+/4+Hg²⁺とその混合物から選択され、B、Dは、Li⁺Na⁺K⁺Mg²⁺Al³⁺Ga³⁺In³⁺Si⁴⁺Ge⁴⁺Sn⁴⁺Sc³⁺Ti⁴⁺Zn²⁺Y³⁺Zr⁴⁺Nb³⁺Ru³⁺Rh³⁺、La³⁺、Lu³⁺、Gd³⁺とその混合物から選択され、E、Fは、S、Se、Ｏの二価アニオンとその混合物から選択され、x、u、y、v、z、wは、0.125＜（x+u）/（y+v）≦0.55、z+w＝4を満たし、A＝C＝Mg²⁺、B＝D＝Al³⁺の時、E、Fが共に0でない （もっと読む）

【課題】高電界印加時の電界誘起歪を増加させたニオブ酸アルカリ系の圧電／電歪セラミックス焼結体を提供する。
【解決手段】圧電／電歪セラミックス焼結体は、組成が異なる母相と添加材相とが共存し母相の中に添加材相が分散した微構造を有する。母相単体の残留歪率よりも添加材相単体の残留歪率が大きい。母相及び添加材相は、一般式｛Ｌｉ_y（Ｎａ_1-xＫ_x）_1-y｝_a（Ｎｂ_1-z-wＴａ_zＳｂ_w）Ｏ₃であらわされ、０．９≦ａ≦１．２，０．２≦ｘ≦０．８，０．０≦ｙ≦０．２，０≦ｚ≦０．５及び０≦ｗ≦０．１を満たす１００モル部の組成物に、０モル部以上３モル部以下のＭｎ原子を含有するＭｎ化合物と、０モル部以上１モル部以下のＢａ原子を含有するＢａ化合物と、を含有させた組成を有する。母相の構成元素と添加材相の構成元素とを比較した場合に共通しない元素が０種類又は１種類である。 （もっと読む）

【課題】粒径が小さく、かつ、粒径のバラツキが少ない誘電体層の薄層化に適した誘電体セラミックス材料の製造方法を提供する。
【解決手段】炭酸バリウムと二酸化チタンとを固相反応により反応させて誘電体セラミックス材料を製造する方法であって、炭酸バリウム粉末及び二酸化チタン粉末を含有する混合粉末を有機溶媒中で粉砕混合する粉砕混合工程と、粉砕混合した前記混合粉末を焼成してチタン酸バリウム系化合物の粉末を得る仮焼工程とを備えているようにした。 （もっと読む）

固体酸化物セラミックは、イットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）、チタン酸ランタンストロンチウム（ＬＳＴ）、マンガン酸ランタンストロンチウム（ＬＳＭ）および酸化ニッケル−ＹＳＺ複合材料からなる群から選択される少なくとも１つの材料を含む、１つの表面を画定する基板を含む。固体酸化物セラミックはさらに、表面の少なくとも一部分をコーティングし、サンボルナイト（ＢａＯ・２ＳｉＯ_２）結晶相、ヘキサセルシアン（ＢａＯ・Ａｌ_２Ｏ_３・２ＳｉＯ_２）結晶相および残留ガラス相を含み、前記表面において基板の熱膨張係数以下の熱膨張係数を有するシールを含む。ガラス組成物のガラス結晶化温度とガラス転移温度の差は、約２０℃／分の加熱速度で約２００℃〜約４００℃の範囲内であり得る。
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【課題】薄膜キャパシタ等に用いた場合に、高いチューナビリティ及び高い誘電率を発現させ得る誘電体薄膜を形成する方法及び該誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】誘電体薄膜形成用組成物を耐熱性基板に塗布し乾燥する工程を繰返し行って所望の厚さの組成物の未焼成膜を得た後、基板上に形成した未焼成膜を焼成することにより誘電体薄膜を形成する方法において、形成する誘電体薄膜がペロブスカイト型酸化物を主成分とする薄膜であるとき、基板上に形成した未焼成膜の焼成が、６０〜６０００℃／分の急速昇温加熱による第一次焼成と、０．５〜３０℃／分の低速昇温加熱による第二次焼成とをこの順番に少なくとも含むことを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、銅内電極積層セラミックコンデンサの作製に用いられることができる銅内電極と整合する１種の耐還元性高周波低温焼結セラミック媒体材料を開示する。主結晶相と、改質添加剤と、焼結フラックスとから組成され、主結晶相の構造式がＭｇ_ｘＢａ_{（１−ｘ）}Ｚｒ_ｙＳｉ_{（１−ｙ）}Ｏ_３で、そのうち、０．８≦ｘ≦０．９５、０．０５≦ｙ≦０．２で、前記改質添加剤がＭｎＯ_２、ＣａＯ、Ｌｉ_２Ｏ、Ｂｉ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２のうちの１種または複数種で、前記焼結フラックスがＢ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、ＺｎＯ、ＣｕＯ、Ｋ_２Ｏ、ＢａＯのうちの１種または複数種である。前記セラミック媒体材料はＥＩＡ標準のＣＯＧ特性を満足し、且つ材料は均一で、粒度分布が均一で、分散性が高く、成型プロセスが良い特徴を備え、環境保全の要求を満足し、誘電特性が優良である。 （もっと読む）

【課題】焼成温度をより低減すると共に、機械的特性及び共振特性をより高めたセラミックス焼結体を提供する。
【解決手段】本発明のセラミックス焼結体の製造方法は、珪酸バリウムと酸化アルミニウムとガラス材と添加酸化物とを所定の条件で配合し、配合原料を成形して８５０℃以上１０００℃以下で焼成する工程を含む。このとき、平均粒径が０．３μｍ以上１μｍ未満の範囲であり、比表面積が５ｍ²／ｇ以上２０ｍ²／ｇ以下の範囲で単斜晶珪酸バリウムを配合する。また、平均粒径が０．４μｍ以上１０μｍ以下であり、比表面積が０．８ｍ²／ｇ以上８ｍ²／ｇ以下であり、珪酸バリウムに対して１０体積％以上２５体積％以下の範囲で酸化アルミニウムを配合する。このセラミックス焼結体は、珪酸バリウム中にガラス成分と添加酸化物の成分と酸化アルミニウム粒子とを含み、酸化アルミニウム粒子の外周に六方晶セルシアンが存在する微構造を有する。 （もっと読む）

【課題】 ＭＨｚ〜ＧＨｚにおける誘電正接を小さくできるとともに、高強度のアルミナ質焼結体を提供する。
【解決手段】 元素としてＡｌをＡｌ_２Ｏ_３換算で９９．３質量％以上含有し、他の元素としてＳｉおよびＭ（ＭはＭｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａのうち少なくとも１種）を含有するアルミナ質焼結体であって、アルミナ結晶粒子を主結晶粒子とし、該アルミナ結晶粒子の平均粒径が体積分布平均で２０μｍ以上であるとともに、粒径が１０μｍ以上のアルミナ結晶粒子からなる大径粒子１で構成される３重点Ｒに、粒径が５μｍ以下のアルミナ結晶粒子からなる小径粒子２が複数集合した組織を有するとともに、３重点ＲにＭＡｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８で表される化合物が存在することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】キュリー温度が高く、圧電性に優れたニオブ酸バリウムビスマス系のタングステンブロンズ構造金属酸化物を含有する圧電材料の提供。
【解決手段】下記一般式（１）で表されるタングステンブロンズ構造金属酸化物を含有する圧電材料であって、前記タングステンブロンズ構造金属酸化物にＬｉが含有されており、前記Ｌｉの含有量が金属換算で前記タングステンブロンズ構造金属酸化物１００重量部に対して０．０１５重量部以上０．６００重量部以下である圧電材料。Ａ_ｘＢ_１０Ｏ_３０（式中、ＡはＢａおよびＢｉであるか、またはＮａ、Ｓｒ、Ｃａから選ばれる少なくとも１種以上の元素、ＢａおよびＢｉである。ＢはＮｂ、またはＮｂおよびＴａである。ｘは４．５＜ｘ＜５．５の数値を表す。） （もっと読む）

【課題】高い抗折強度と高い反射率を有し、かつ、ガラス相の結晶化率が低い、低温焼成ガラスセラミックス基板用のガラスセラミックス原料組成物を提供すること。
【解決手段】２０〜５０質量％のホウケイ酸系ガラス粉末と２５〜５５質量％のアルミナフィラー粉末と、１０〜４５質量％の高屈折率フィラー粉末とを含み、前記ホウケイ酸系ガラス粉末が、酸化物換算で、ＳｉＯ_２を３０〜７０質量％、Ｂ_２Ｏ_３を５〜２８質量％、Ａｌ_２Ｏ_３を５〜３０質量％、ＣａＯを３〜３５質量％、ＳｒＯを０〜２５質量％、ＢａＯを０〜２５質量％、Ｎａ_２Ｏを０〜１０質量％、Ｋ_２Ｏを０〜１０質量％、Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏを０．５〜１０質量％、ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯを５〜４０質量％、３Ｂ_２Ｏ_３＋２（ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）＋１０（Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏ）を１０５〜１６５含有することを特徴とするセラミックス原料組成物を提供する。 （もっと読む）

【課題】結晶性の良い複合酸化物を経済的に製造する方法を提供する。
【解決手段】バリウム、ストロンチウム、カルシウム、マグネシウム及び鉛からなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物と、チタン、ジルコニア及び錫からなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物とを混合して焼成温度まで加熱し、焼成し、降温して複合酸化物を製造する複合酸化物の製造方法において、前記降温工程における降温速度を３℃／分以上、４００℃／分以下に調整する。降温は好ましくは炉内に気体を導入して行う。 （もっと読む）

【課題】耐酸性及び高温耐電圧特性に優れたスパークプラグを提供すること。
【解決手段】略筒状に形成され、軸線方向に貫通する貫通孔６を有する絶縁体２と、貫通孔６に挿設された中心電極３とを備えたスパークプラグ１００であって、前記絶縁体２は、Ｓｉ成分とＢａ成分とＣａ成分とＭｇ成分とを下記条件（１）及び（２）を満足するように含有し、Ｂ成分を実質的に無含有であるアルミナ基焼結体で形成されてなることを特徴とするスパークプラグ１００。
条件（１）：Ｓｉ成分の酸化物換算質量に対するＣａ成分の酸化物換算質量の割合Ｒ_Ｃａが０．０５〜０．４０、条件（２）：Ｓｉ成分の酸化物換算質量、Ｃａ成分の酸化物換算質量及びＭｇ成分の酸化物換算質量の合計質量に対するＭｇ成分の酸化物換算質量の割合Ｒ_Ｍｇが０．０１〜０．０８ （もっと読む）

【課題】耐汚損性と長期にわたる耐電圧特性とを兼ね備える小型のスパークプラグ、及び、このスパークプラグの製造方法を提供すること。
【解決手段】先端側に脚長部３０を有する絶縁体２と中心電極３と係合凸部５６で絶縁体２を保持する主体金具１とを備え、係合凸部５６の内径Ｄ_ＩＮ、係合凸部５６の内周面５９に対面する脚長部３０の最大外径ｄ_ＯＵＴ、その内径ｄ_ＩＮ及び絶縁体２の誘電率εが下記条件を満足するスパークプラグ１００、並びにＡｌ化合物粉末とＳｉ化合物粉末とＭｇ化合物粉末及びＢａ化合物粉末を含む２種類以上の第２族元素化合物粉末と０．５〜４．０質量％の希土類化合物粉末とを含有する原料粉末を加圧成形後に焼結して絶縁体２を製造する工程を含むスパークプラグ１００の製造方法。条件：（Ｄ_ＩＮ−ｄ_ＯＵＴ）／２≦０．４０(mm)、（ｄ_ＯＵＴ−ｄ_ＩＮ）／２≦１．６５(mm)及びε≧９．４（F/m）） （もっと読む）

【課題】本発明は、低温同時焼成セラミック基板及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明による低温同時焼成セラミック基板は、ディオプサイド系結晶化ガラスを有する第１誘電体層が１つ以上積層されたセラミック本体と、前記セラミック本体の上面及び下面のうち少なくとも一面に形成され、前記第１誘電体層の焼成温度で前記第１誘電体層とともに焼結され、１０ｗｔ％以上の非晶質を含む第２誘電体層と、を含む。本発明による低温同時焼成セラミック基板は、ディオプサイド系結晶化ガラスを含むため、高周波帯域において誘電損失が小さく、第２誘電体層がディオプサイド系結晶を形成する第１ガラス粉末の急激な結晶化による流動性を補充する。これによって、均一な表面を有し、且つ反り現象が発生しない低温同時焼成セラミック基板を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】ガスタービンエンジンに存在する高温水蒸気環境からＣＭＣを保護するための耐環境コーティングを提供する。
【解決手段】耐環境コーティング１２を製造するため、約１ｗｔ％〜約９９．９ｗｔ％の水、約０．１ｗｔ％〜約７２ｗｔ％の主要遷移材料、約０．１ｗｔ％〜約５９．３ｗｔ％のＬｎｂ希土類金属スラリー焼結助剤、及び約０．１ｗｔ％〜約２０．６ｗｔ％のＳｉＯ２スラリー焼結助剤からなる遷移層スラリーから製造される少なくとも１つの遷移層１６と、選択的に、約１ｗｔ％〜約９９．９ｗｔ％の水及び約０．１ｗｔ％〜約７２ｗｔ％の主要外部材料からなる外層スラリーから製造される外層２０と、約１ｗｔ％〜約９９．９ｗｔ％の水及び約０．１ｗｔ％〜約７２ｗｔ％の主要柔軟材料からなる柔軟層スラリーから製造される柔軟層１８のいずれか１つ以上とからなる構成とする。 （もっと読む）