【課題】従来よりも抵抗値の低いＩｎ_２Ｏ_３−ＺｎＯ系酸化物導電膜を形成することができるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】インジウム元素（Ｉｎ）、亜鉛元素（Ｚｎ）及び下記のＡ群から選択される少なくとも１つの元素（Ａ）を含有し、Ｉｎ、Ｚｎ及びＡの金属元素の組成（原子比）がＩｎ_ｘＺｎ_（1-ｘ）Ａ_ｙで表わされる酸化物からなり、ｘ及びｙが下記式（１）及び（２）を満たすスパッタリングターゲット。
Ａ群：Ａｌ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｇａ、Ｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、ランタノイド
０．６８≦ ｘ ≦０．９５ （１）
０．０００１≦ ｙ ≦０．００４５ （２） （もっと読む）

【課題】新規な非シリコン系半導体薄膜を用いた薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ガリウムが酸化インジウムに固溶していて、原子比Ｇａ／（Ｇａ＋Ｉｎ）が０．００１〜０．１２であり、全金属原子に対するインジウムとガリウムの含有率が８０原子％以上であり、Ｉｎ_２Ｏ_３のビックスバイト構造を有する酸化物薄膜を用いることを特徴とする薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯ膜に迫る高い導電率の膜を高速成膜することができる。
【解決手段】透明導電膜を成膜するために用いられるＺｎＯ蒸着材において、ＺｎＯを主成分としたペレットからなり、ペレットがＣｅとＡｌの双方の元素を含み、ＣｅがＡｌよりも含有割合が高く、Ｃｅの含有割合が０．１質量％を越え１４．９質量％以下、Ａｌの含有割合が０．１質量％以上１０質量％以下の範囲内であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体材料等として有用な新規なＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物とその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎを含む酸化物であって、４つの層状構造を１ユニットとする繰り返し構造を含み、前記層状構造はそれぞれＩｎ、Ｇａ、Ｚｎのうち少なくとも１つを含む酸化物からなる酸化物。 （もっと読む）

【課題】異常放電やノジュールの発生が少ない、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物のスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】２θ＝７．０°〜８．４°、３０．６°〜３２．０°、３３．８°〜３５．８°、５３．５°〜５６．５°、５６．５°〜５９．５°、１４．８°〜１６．２°、２２．３°〜２４．３°、３２．２°〜３４．２°、４３．１°〜４６．１°、４６．２°〜４９．２°及び６２．７°〜６６．７°の領域Ａ〜Ｋに回折ピークを有する酸化物Ａと、ＩｎＧａＺｎＯ_４とを含有するスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】 透光性が良好なＬａＡｌＯ３セラミックスの製造方法を提供する。
【解決手段】 ＬａＡｌＯ３の粉末を４０℃／分以上の昇温速度で１６００℃以上１８００℃以下の焼結温度に加熱した後、前記焼結温度に３分以上４５分以下の時間保持して焼結する焼結工程をＬａＡｌＯ３セラミックスの製造方法。ＬａＡｌＯ３の粉末を１６００℃以上１８００℃以下の焼結温度に加熱して焼結して焼結体を得る焼結工程、前記焼結体を９００℃以上１３００℃以下の温度でアニールするアニール工程を有するＬａＡｌＯ３セラミックスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法を用いて酸化物半導体膜を成膜する際に発生する異常放電を抑制し、酸化物半導体膜を安定かつ再現性よく得ることができるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｉｎ、Ｇａ、及びＡｌの割合が下記式（１）及び（２）の原子比となるように原料化合物を混合後、成形体とする工程、及び、前記成形体を、８００℃から焼結温度までの温度範囲を０．１℃／分〜２℃／分の昇温速度で昇温した後、１４５０℃〜１６５０℃に１０〜５０時間保持することにより焼結する工程を含むことを特徴とする焼結体の製造方法。
Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ａｌ）＝０．０１〜０．０８ （１）
Ａｌ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ａｌ）＝０．０００１〜０．０３ （２） （もっと読む）

【課題】ＡＺＯやＧＺＯと同等レベルの導電性を有し、酸化亜鉛系透明導電膜を、成膜方法に拘らず安定に形成し得る酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】実質的に、亜鉛と、チタンと、酸素と、アルミニウム、ガリウムおよびインジウムからなる群より選ばれる少なくとも１種の微量添加元素（ＴＥ）とからなる酸化物焼結体であって、前記チタンが、式：ＴｉＯ_2-X（Ｘ＝０．１〜１）で表される低原子価酸化チタンに由来する、酸化物焼結体。 （もっと読む）

【課題】優れた導電性と化学的耐久性とを兼ね備えた酸化亜鉛系透明導電膜を、成膜方法に拘らず安定に形成し得る酸化物焼結体を提供すること
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、実質的に亜鉛、チタンおよび酸素からなり、５．３ｇ／ｃｍ³以上の密度を有し、かつ２００ｍΩ・ｃｍ以下の比抵抗を有する。本発明の酸化物焼結体は、好ましくは、亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）が、０．０２を超え０．１以下であり、チタンが、式：ＴｉＯ_2-X（Ｘ＝０．１〜１）で表される低原子価酸化チタン由来のチタンである。 （もっと読む）

【課題】優れた導電性と化学的耐久性とを兼ね備えた酸化亜鉛系透明導電膜を、成膜方法に拘らず安定に形成し得る酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】実質的に亜鉛と、チタンと、酸素と、アルミニウム、ガリウムおよびインジウムからなる群より選ばれる少なくとも１種の微量添加元素とからなる酸化物焼結体であって、前記チタンが、４価の酸化チタン由来のチタンであり、亜鉛、チタンおよび微量添加元素（ＴＥ）の合計に対するチタンの原子数比［Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ＋ＴＥ）］が、０．０２以上０．０５以下であり、亜鉛、チタンおよび微量添加元素（ＴＥ）の合計に対する微量添加元素（ＴＥ）の原子数比［ＴＥ／（Ｚｎ＋Ｔｉ＋ＴＥ）］が、０．００１を超え０．００５未満であり、酸化物焼結体が、５．３ｇ／ｃｍ³以上の密度を有し、かつ１５ｍΩ・ｃｍ未満の比抵抗を有することを特徴とする、酸化物焼結体。 （もっと読む）

【課題】粗大な粒子が存在しない焼結体の製造に適した一酸化チタン粉末等の低原子価酸化チタン粉末、及びそれを用いて製造した酸化亜鉛系焼結体を提供する。
【解決手段】ＢＥＴ比表面積が１ｍ^２／ｇ以上１０ｍ^２／ｇ以下であり、レーザー回折・散乱法により測定した粒度分布における積算体積分率９０％粒径が５μｍ以下である一酸化チタン粉末等の低原子価酸化チタン粉末は、粉砕ボール径が１ｍｍφ以上１０ｍｍφ以下であるボールミルにより粉砕処理が施された後、目開きが５０μｍ以上１２０μｍ以下の篩にかけて選別されたものである。 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有し、しかも、非常に優れた面内均一性をする酸化物半導体膜を成膜可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と、酸化スズと、酸化インジウムの各粉末と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であり、前記酸化物焼結体をＸ線回折し、２θ＝３４°近傍のＸＲＤピークの強度をＡ、２θ＝３１°近傍のＸＲＤピークの強度をＢ、２θ＝３５°近傍のＸＲＤピークの強度をＣ、２θ＝２６．５°近傍のＸＲＤピークの強度をＤで表したとき、下記式（１）を満足する。
［Ａ／（Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄ）］×１００≧７０ ・・・ （１） （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を成膜可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と、酸化スズと、酸化インジウムの各粉末と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であり、前記酸化物焼結体に対してＥＰＭＡによる面内組成マッピングを行なったとき、測定面積中に占める、Ｓｎ濃度が１０〜５０質量％の領域の比率が７０面積％以上である。 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を成膜可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と、酸化スズと、酸化インジウムの各粉末と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であり、前記酸化物焼結体をＸ線回折し、２θ＝３４°近傍のＸＲＤピークの強度をＡ、２θ＝３１°近傍のＸＲＤピークの強度をＢ、２θ＝３５°近傍のＸＲＤピークの強度をＣ、２θ＝２６．５°近傍のＸＲＤピークの強度をＤで表したとき、下記式（１）を満足する。
７０＞［Ａ／（Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄ）］×１００≧１０ ・・・ （１） （もっと読む）

【課題】 Ｌａ原子及びＯ原子を有し、着色がない光学部材用の組成物及び、透明な光学部材を提供することを目的とする。
【解決手段】 Ｌａ原子及びＯ原子を有する光学部材用の組成物において、前記組成物がさらに、Ｃａ原子、Ｍｇ原子、Ｂａ原子、Ｓｒ原子、Ｚｎ原子からなる群Ａから選ばれる少なくとも１種の原子と、Ｔａ原子、Ｎｂ原子からなる群Ｂから選ばれる少なくとも１種の原子と、を有し、前記組成物の有する原子の総和を１００ｍｏｌ％としたときに、前記Ｌａ原子と、前記Ｏ原子と、前記群Ａから選ばれる少なくとも１種の原子と、前記群Ｂから選ばれる少なくとも１種の原子の総和が９９ｍｏｌ％以上であることを特徴とする光学部材用の組成物。 （もっと読む）

【課題】予備スパッタ工程に要する時間を短縮化し、そのばらつきも小さくなるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】スパッタリングターゲットは、酸化亜鉛を主成分とする焼結体からなり、焼結体の表面の水との接触角が８０°以下である。これは、アセトン又はアルコールを用いて表面が洗浄されることによる。そして、この洗浄後、湿度が４０〜８０％、温度が室温から１００℃以下の環境化で１時間以上静置されることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】低抵抗な透明導電膜を得ることが可能で、耐異常放電性を有する焼結密度の高いＺｎＯ系焼結ターゲットを提供すること。
【解決手段】
Ｇａ_２Ｏ_３及び／又はＡｌ_２Ｏ_３を含むＺｎＯ系粉体に、Ｂ_２Ｏ_３を０．４ｗｔ％以下を添加したことを特徴とするＺｎＯ系ターゲット。Ｇａ_２Ｏ_３及び／又はＡｌ_２Ｏ_３を含むＺｎＯ粉体にＢ_２Ｏ_３粉体を混合した後、７００〜１０００℃で仮焼結し、仮焼結体を粉砕後プレス成形した後、１２００℃超の温度で焼結することを特徴とするＺｎＯ系焼結ターゲットの製造方法。 （もっと読む）

【課題】光学特性が材料中で連続的に変化している透光性多結晶材料を製造する。
【解決手段】磁場内に置くと力を受ける単結晶粒子群を含むスラリーを磁束密度が空間に対して変化している磁場内で固定化してから焼結する。例えば、Ｅｒを添加したＹＡＧの単結晶粒子群と希土類を添加しないＹＡＧの単結晶粒子群を含むスラリーを、磁場強度が不均一に分布している磁場内で固定化すると、強磁場の位置では、Ｅｒを添加したＹＡＧがリッチで結晶方向が揃っているレーザ発振領域となり、弱磁場の位置では、希土類が添加されていないＹＡＧがリッチで光を透光する領域となる。レーザ発振するコアと、コアの周辺にあって励起光をコアに導くガイドを併せ持った多結晶材料を同時に製造できる。 （もっと読む）

【課題】光記録媒体保護膜形成用として、割れやＩｎの溶出がなく製造工程を簡素化でき、高密度が得られる酸化物スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ＺｒＯ_２，Ｉｎ_２Ｏ_３，Ｇａ_２Ｏ_３およびＺｎＯを含有し、ＺｒＯ_２相の周囲がＩｎとＺｎとＧａとの酸化物からなる複合酸化物相を含む相で囲まれた組織を有する。好ましくは、不可避不純物を除いた全金属成分量に対する原子比で、Ｚｒ：Ａ％，Ｉｎ：Ｂ％，Ｇａ：Ｃ％およびＺｎ：Ｄ％とされており、これらの成分組成が、０＜Ａ≦４５．５、９．１≦Ｂ≦３１．０、９．１≦Ｃ≦３１．０、Ｂ＋Ｃ≦２Ｄ、Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄ＝１００の関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】優れた導電性と化学的耐久性及び近赤外領域の高透過性を有する透明導電膜の成膜を可能にする酸化亜鉛系透明導電膜形成材料、その製造方法、それを用いたターゲット、および酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明の酸化亜鉛系透明導電膜形成材料は、実質的に亜鉛、チタン、酸素および窒素からなる酸化物焼結体であって、原子数比でＴｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０２超０．１以下となるよう含有されている。 （もっと読む）