【課題】従来技術で得られた酸化亜鉛と酸化アルミニウムとの焼結体と同等の密度を維持しながら、より抵抗率の低い焼結体を製造する方法及びこの焼結体からなるスパッタリングターゲットの提供。
【解決手段】酸化亜鉛と酸化アルミニウムとからなる混合粉体を、１４００℃以上で、酸素濃度２０％以上の雰囲気下に、１０時間以上保持して焼結せしめる。得られた複合酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット。この焼結体では、酸化アルミニウムの量が酸化亜鉛に対してアルミニウム換算で２〜７重量％であり、抵抗率３ｍΩ・ｃｍ以下、密度５．４〜５．６ｇ／ｃｍ^３である。 （もっと読む）

【課題】高効率に高品質の光学セラミックレンズを製造する。
【解決手段】光学セラミックレンズ３０の対向する１対の主曲面に挟まれた領域の厚みの分布と、粗プリフォーム１０と光学セラミックレンズ３０との密度の比とに基づいて、粗プリフォーム１０の対向する１対の主曲面に挟まれた領域の厚みの分布を決定する。粗プリフォーム１０を形成する工程は、粗プリフォーム１０の１対の主曲面のうち一方の第１主曲面１３ａの形状を、光学セラミックレンズ３０の１対の主曲面のうち一方の第１主曲面の形状と一致するように形成する工程を含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】目標とする組成が精度良く得られるホウ素を含有するＺｎＯ系焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明では、ホウ素を含有するＺｎＯ系焼結体の製造方法において、ホウ素源としてＢ_２Ｏ_３に換えてＨ_３ＢＯ_３を用いる。特にＺｎＯ粉末とＨ_３ＢＯ_３粉末を混合し、仮焼きして得た仮焼き粉末を焼結原料として用いることが好ましい。また、仮焼き粉末の組成は、Ｂ_２Ｏ_３／（ＺｎＯ＋Ｂ_２Ｏ_３）×１００として、０．８〜４５ｍａｓｓ％が好ましく、仮焼き温度は、１００℃以上、５００℃以下とすることが好ましい。また、焼結温度は、９００℃以上、１１５０℃以下とすることが好ましく、焼結雰囲気は、酸素濃度２１ｖｏｌ％以下とすることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 特定の金属を含有する透明導電材料を画素電極、透明電極に使用することにより、バリヤーメタル等を堆積するための工程が不要な簡略化されたＴＦＴ（薄膜トランジスタ）基板の製造方法を提供することである。
【解決手段】 酸化インジウムを主成分とし、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄからなる第１金属群Ｍ１から選ばれた１種又は２種以上の金属又はその金属の酸化物と、ランタノイド系金属からなる第２金属群Ｍ２から選ばれた１種又は２種以上の金属の酸化物と、を含むスパッタリングターゲットを利用して、透明導電膜を作製する。この透明導電膜を画素電極として利用することによって、ソース電極７等との接触抵抗を小さく抑えることができる。更に、バリヤーメタル等を用いる必要がなくなったため、バリヤーメタル等を堆積する工程をなくすことができ、ＴＦＴ基板の製造工程が簡略化される。 （もっと読む）

【課題】酸化錫の含有量が３．５質量％以下と低濃度であるにも拘わらず割れによる収率の低下が起こり難いＩＴＯスパッタリングターゲットとその製造方法を提供すること。
【解決手段】このＩＴＯスパッタリングターゲット（焼結体）は、酸化インジウムに対する酸化錫の含有量が質量比で０％以上１％以下である第一造粒粉と、酸化錫の含有量が質量比で３％以上６％以下である第二造粒粉を用いて製造され、酸化インジウムに対する酸化錫の含有量が質量比で１．５％以上３．５％以下、焼結体の相対密度が９８％以上、焼結体の結晶相が単相で、平均結晶粒径が１０μｍ以下であり、焼結体の表面部における最大結晶粒径に対する焼結体の厚み方向における中心部の最大結晶粒径の比が０．５〜１かつ焼結体の曲げ強度が７０ＭＰａ以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】寸法精度に優れたセラミック焼結体を得る。
【解決手段】平均粒子径及び／又はＢＥＴ比表面積の異なる２種類以上のセラミック粉末、分散剤及び溶媒を混合することにより、スラリーを調製する工程（ａ）と、スラリーを鋳型に挿入し、脱型して、成形体を得る工程（ｂ）と、成形体を焼成し、セラミック焼結体を得る工程（ｃ）とを含む、セラミック焼結体の製造方法である （もっと読む）

【課題】レンズまたはプリズムのような光学要素に要求される優れた光学品質を有する透明、多結晶セラミックス及びその製造方法の提供。
【解決手段】化学量論A2+XBYDZE7、ここで、−1,15≦x≦＋1.1および0≦Y≦3、および0≦Z≦1.6、ならびに3x＋4y＋5z＝8で、Ａは希土類イオンの群から選択される少なくとも１つの３価カチオンであり、Ｂは少なくとも１つの４価カチオンであり、Ｄは少なくとも１つの５価カチオンであり、およびＥは少なくとも１つの２価アニオンである、結晶組成を含む透明、多結晶セラミックスからなり、少なくとも９５重量％の立方晶黄緑石または蛍石構造を有する結晶を含む。光学セラミックスの平均粒子寸法は好ましくは５から３００μｍの範囲で、出発物質にSiO2,TiO2,ZrO2,HfO2,Al2O3およびフッ化物からなる群から選択される少なくとも１つの焼結助剤を含む。 （もっと読む）

【課題】交流型プラズマディスプレイパネルの誘電体層の保護膜として有用な酸化マグネシウム膜を、電子ビーム蒸着法により形成するのに有利に用いることのできる酸化マグネシウム蒸着材を提供する。
【解決手段】金属元素の価数が３価、４価又は５価のいずれかである金属酸化物を０．０１〜６モル％の範囲にて含む酸化マグネシウム蒸着材。または、酸化マグネシウム以外のアルカリ土類金属酸化物と、金属元素の価数が３価、４価又は５価のいずれかである金属酸化物とをそれぞれ金属元素量に換算して０．００５モル％以上で、かつその合計量が金属元素量に換算して６モル％以下となるように含む酸化マグネシウム蒸着材。 （もっと読む）

【課題】スパッタ時に発生するパーティクル（発塵）やノジュールを低減し、品質のばらつきが少なく量産性の向上可能なＺｎＳを主成分とするスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】ターゲットの結晶粒が微細であり、密度が９７％以上、さらには９９％以上の高密度を備えた、アルカリ金属０．５〜１０ｗｔｐｐｍを含有する焼結性に優れたスパッタリングターゲット用ＺｎＳ粉末を主成分とする粉末を焼結して形成されたスパッタリングターゲットで、アルカリ金属はＮａ又はＫである。 （もっと読む）

【課題】膜抵抗のバラツキが小さく、膜特性の均一性に優れた透明導電膜作製用のＺｎＯ焼結体を提供する。
【解決手段】Ｂの含有割合がＢ_２Ｏ_３換算で０．０１〜３．０ｍｏｌ％であるＺｎＯ焼結体。焼結体を構成するＺｎＯ粒子の平均結晶粒径が２〜１０μｍであって、Ｂ源がＺｎ_４Ｂ_６Ｏ_１３である。前記ＺｎＯ焼結体は、ＺｎＯ粉末とＢ_２Ｏ_３粉末とを混合、焼成及び粉砕してＺｎ_４Ｂ_６Ｏ_１３粉末を得る工程と、平均粒径が０．５〜１μｍのＺｎＯ粉末と平均粒径が０．２〜０．５μｍのＺｎ_４Ｂ_６Ｏ_１３粉末とを混合、成形、焼成してＺｎＯ焼結体を得る工程とを含む方法により製造される。 （もっと読む）

【課題】光の透過率のばらつきが抑制されたＺｎＳ焼結体および光学部材、ならびにその製造方法を提供する。
【解決手段】光の透過率のばらつきが抑制された光学部材である両凸レンズ１は、凸形状を有し、光、特に波長８μｍ以上１４μｍ以下の赤外線が入射または出射するための光学機能面である第１の主面１１と、凸形状を有し、第１の主面１１とは反対側に形成され、上記光が出射または入射するための光学機能面である第２の主面１２とを備えている。この両凸レンズ１は、ＺｎＳの焼結体からなっている。そして、この焼結体を構成する結晶の１０％径は０．８μｍ以上であり、５０％径は１．７μｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】均一に成膜でき、異常放電が生じ難いスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】酸化亜鉛焼結体からなり、Ｇａを０．０３〜０．７５原子％含み、複合酸化物がＸ線回折で検出されないことを特徴とするスパッタリングターゲットであり、Ｚｒ、Ｓｉ及びＡｌのうち１以上を合計で１００原子ｐｐｍ以下含み、酸化亜鉛焼結体表面の色差ΔＥ＊ａｂが０．７以下である。また、上記スパッタリングターゲットは、複合酸化物がＸ線回折で検出されない条件で焼結される。 （もっと読む）

【課題】蒸着材に用いられるＺｎＯ焼結体において、希土類元素群から選ばれた２種以上１７種以下の元素を含む希土類元素酸化物の偏析を抑制し、組成均一性に優れたＺｎＯ蒸着材を製造するとともに、蒸着膜の組成が均一なＺｎＯ膜が得られるＺｎＯ蒸着材を製造する。
【解決手段】バレルスパッタリング法により、ＺｎＯ粉末１１の表面を、希土類元素群から選ばれた２種以上１７種以下の元素を含む希土類元素酸化物１３で被覆して粒状体１４とする。粒状体１４又はこれを仮焼後に解砕して得る仮焼粉末１９を用いて、第１造粒粉末１５又は第２造粒粉末２１を作製し、成形、焼結を経て、ＺｎＯ焼結体からなるＺｎＯ蒸着材１７又は２３を作製する。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ原料粉末に添加される、希土類元素群から選ばれた２種以上１７種以下の元素を含む希土類元素酸化物の偏析を抑制し、組成均一性に優れたＺｎＯ蒸着材を製造するとともに、膜組成が均一なＺｎＯ膜が得られるＺｎＯ蒸着材を製造する。
【解決手段】ＺｎＯ粉末１１と、希土類元素群から選ばれた２種以上１７種以下の元素を含む希土類元素酸化物粉末１２との混合粉末を用い、メカニカルアロイング処理することにより得られた平均粒径０．０５〜２μｍの複合粉末１３から第１造粒粉末１４を作製し、或いはこの複合粉末１３を仮焼、解砕して固溶体化を促進した複合仮焼粉末１８から第２造粒粉末１９を作製し、成形、焼結を経て、希土類元素を含むＺｎＯ焼結体からなるＺｎＯ蒸着材１６又は２２を作製する。 （もっと読む）

【課題】成膜の生産性が高く、低い体積抵抗率を有しかつ高湿環境下において体積抵抗率の上昇が抑制されるＺｎＯ蒸着膜、及びその成膜方法を提供する。
【解決手段】希土類元素を０．１〜１５質量％含むＺｎＯ焼結体を蒸着材に用い、反応性プラズマ蒸着法により酸素ガス流量０〜５００ｓｃｃｍ、成膜速度０．５〜５．０ｎｍ／秒で成膜を行い、高耐湿性のＺｎＯ膜を成膜する。希土類元素は、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ又はＳｍの少なくとも１種であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ原料粉末に添加される、希土類元素を２種以上１７種以下含む希土類元素酸化物粉末の偏析を抑制し、組成均一性に優れたＺｎＯ蒸着材を製造するとともに、膜組成が均一なＺｎＯ膜が得られるＺｎＯ蒸着材を製造する。
【解決手段】平均粒径が０．１〜１０μｍのＺｎＯ原料粉末１５を移動状態にし、このＺｎＯ粉末に平均粒径が０．０５〜５μｍで希土類元素を２種以上１７種以下含む希土類元素酸化物粉末１１を含むコーティング液１４を噴霧又は噴射し、その表面に厚さが０．０５〜５μｍの被覆層を形成して粒状体１９とする。粒状体１９又はこの粒状体を仮焼後に解砕して得られた仮焼粉末２４を用いて、第１造粒粉末２０又は第２造粒粉末２９を作製し、成形、焼結を経て、ＺｎＯ焼結体２２又は３２からなるＺｎＯ蒸着材を作製する。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ原料粉末に添加される、希土類元素群から選ばれた１種の元素を含む希土類元素酸化物の偏析を抑制し、組成均一性に優れたＺｎＯ蒸着材を製造するとともに、膜組成が均一なＺｎＯ膜が得られるＺｎＯ蒸着材を製造する。
【解決手段】ＺｎＯ粉末１１と、希土類元素群から選ばれた１種の元素を含む希土類元素酸化物粉末１２との混合粉末を用い、メカニカルアロイング処理することにより得られた平均粒径０．０５〜２μｍの複合粉末１３から第１造粒粉末１４を作製し、或いはこの複合粉末１３を仮焼、解砕して固溶体化を促進した複合仮焼粉末１８から第２造粒粉末１９を作製し、成形、焼結を経て、希土類元素を含むＺｎＯ焼結体からなるＺｎＯ蒸着材１６又は２２を作製する。 （もっと読む）

【課題】 ターゲット材の割れ防止のため、熱衝撃に強い透明導電膜用焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】
インジウム化合物粉末やスズ化合物粉末などの透明導電膜用の原料粉末を混合後に造粒し、当該造粒粉末を成形した成形体を電磁波加熱により焼結することで、焼結体の平均結晶粒径を２μｍ以下に制御することができ、熱衝撃試験により求めた最大許容温度差が１５０℃以上となり、スパッタリング中の割れ発生率が大幅に低下する。 （もっと読む）

【課題】焼結体の表面を除いた内部の色むらを抑制した複合酸化物焼結体を提供することである。
【解決手段】酸化亜鉛と、Ａｌ、Ｇａ、Ｂ、Ｎｂ、Ｉｎ、Ｙ、Ｓｃから選ばれる元素の酸化物を少なくとも１種以上含む複合酸化物焼結体において、当該焼結体の焼き上がり面を除去した焼結体表面部と焼結体中心部とのＣＩＥ１９７６空間で測定されるＬ^＊ａ^＊ｂ^＊色差：ΔＥ^＊が３．０以下である、色むらの少ない、放電特性等の安定性に優れた複合酸化物焼結体。 （もっと読む）

【課題】アーキング発生頻度を低減するスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明では、インジウム、スズ及び酸素を含んでなり、少なくともＩｎ_２Ｏ_３相と中間化合物相を有する焼結体であって、スズの含有量がＳｎＯ_２換算で、ＳｎＯ_２／（Ｉｎ_２Ｏ_３＋ＳｎＯ_２）で１０重量％以上１５重量％以下の場合、Ｘ線回折スペクトルにおける中間化合物相の（０１２）面又は（０２１）面とＩｎ_２Ｏ_３相の（２１１）面との回折ピーク強度の比をそれぞれ３．０％以下とし、スズの含有量がＳｎＯ_２換算で、ＳｎＯ_２／（Ｉｎ_２Ｏ_３＋ＳｎＯ_２）で１５重量％より大きく２０重量％以下の場合、Ｘ線回折スペクトルにおける中間化合物相の（０１２）面又は（０２１）面とＩｎ_２Ｏ_３相の（２１１）面との回折ピーク強度の比がそれぞれ９．０％以下とすることで、放電中のアーキングの発生率が低減する。 （もっと読む）