説明

Fターム[4G072BB12]の内容

珪素及び珪素化合物 (39,499) | 形状、構造 (3,484) | 多結晶 (503)

Fターム[4G072BB12]に分類される特許

1 - 20 / 503




【課題】廉価にゲッタリング効果を得つつ高品質化を図る。
【解決手段】溶融シリコンを坩堝内の下方から上方に向けて一方向に凝固させることにより生成させた多結晶シリコンインゴットであって、上端部および下端部における酸素濃度が、この上端部とこの下端部との間の中央部における酸素濃度より高い。また、上端部における酸素濃度が下端部における酸素濃度より高い。 (もっと読む)


【課題】凝固偏析により金属融液から得られた精製塊中の不純物濃度を簡易にスクリーニングし得る金属精製塊の検査方法、それを含む高純度金属の製造方法およびその用途を提供することを課題とする。
【解決手段】不純物を含む金属融液に精製塊支持体を接触させ、次いで凝固偏析により前記精製塊支持体の表面に析出させた前記金属融液の金属精製塊に含まれる不純物濃度により規定される前記金属精製塊の良または不良を、前記金属精製塊外周面の表面状態に基づいて検査することを特徴とする金属精製塊の検査方法により、上記の課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】シリコン原料の初期溶解時において溶融シリコンの差し込みを発生させることなく、多結晶シリコンインゴットの円滑な引き下げを可能とする多結晶シリコンの連続鋳造方法および連続鋳造装置を提供する。
【解決手段】シリコン原料の初期溶解時に、無底冷却ルツボ内のダミーブロックと前記無底冷却ルツボ側壁とで形成される隙間に不燃性部材を装入する。前記不燃性部材を石英ウールとすれば、不燃性部材による溶融シリコン中への汚染を最小限にすることができる。この方法は、前記ダミーブロックと前記無底ルツボとで形成される隙間に、不燃性部材が装入されていることを特徴とする本発明の多結晶シリコンの連続鋳造装置により容易に実施することができる。 (もっと読む)


【課題】インゴットの底部においてバルク欠陥密度が低く、シリコン粒子が小さい結晶シリコンインゴットの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、結晶シリコンインゴットの製造方法を提供する。本発明の方法では、核形成促進層2を利用して、複数のシリコン粒子34が前記核形成促進層2上にシリコン融液32から核形成するとともに、シリコン融液32を凝固させて結晶シリコンインゴットを得るまで垂直方向に成長するのを促進する。 (もっと読む)


【課題】ヒータが側方に配置された場合にインゴット割れおよび結晶欠陥の発生を抑制し、高品質な多結晶シリコンインゴットを低コストで製造する。
【解決手段】側方に配置されたヒータにより加熱されて溶融したシリコンを内部で凝固させて多結晶シリコンインゴットを生成させる坩堝であって、底面部において中央部21が周側部22より厚い。 (もっと読む)


【課題】基材表面に塗布して焼成したときに耐薬液性に優れた多孔質シリカ膜を得ることが可能な前駆体塗布液を提供する。
【解決手段】多孔質シリカ膜の形成に用いられる前駆体塗布液の作製方法であって、官能基を有するアルコキシシランを界面活性剤と共に溶媒に溶解させ、この溶解させたアルコキシシランを触媒存在下で加水分解及び脱水縮合して第1のゾルを得る第1工程と、第1のゾルにテトラアルコキシシランもしくはその重合体を添加し、第1のゾルに含まれる脱水縮合物とテトラアルコキシシランもしくはその重合体を加水分解及び脱水縮合して第2のゾルを得る第2工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】高圧化・高負荷化・高速化された反応系においても、ポップコーンの発生が抑制され、高純度な多結晶シリコン棒を安定的に製造するための技術を提供すること。
【解決手段】本発明では、シリコン芯線上にシリコンを析出させて多結晶シリコン棒を得る多結晶シリコンの製造方法において、析出反応の初期段階(前段工程)では原料ガスを反応炉に大量に供給することにより反応速度を上げることはせず供給する原料ガスの濃度を高濃度とすることにより反応速度を上げ、当該前段工程の後の後段工程では反応炉内に原料ガスを高速で吹き込むことにより生じる高速強制対流の効果を利用してポップコーンの発生確率を低く抑えることとした。これにより、高圧化・高負荷化・高速化された反応系においても、ポップコーンが少なく、かつ、高純度な多結晶シリコン棒を、生産効率を低下させることなく製造することが可能になる。 (もっと読む)


【課題】冷却ルツボの内面が損耗するのを軽減できるシリコンインゴットの連続鋳造方法を提供する。
【解決手段】軸方向の一部が周方向で複数に分割された無底の冷却ルツボ7を誘導コイル8内に配置し、誘導コイル8による電磁誘導加熱により、冷却ルツボ7内に投入されたシリコン原料を溶解させて溶融シリコン13を形成し、冷却ルツボ7から引き下げながら凝固させてシリコンインゴット3を連続鋳造する方法において、誘導コイル8に供給される交流電流の周波数を、その標準偏差を0.025〜0.050kHz、かつ、その平均値を25〜35kHzにして変動させることを特徴とするシリコンインゴットの連続鋳造方法である。本発明は、誘導コイルに供給される交流電流の周波数を変動させる際、誘導コイルに供給8される交流電流の周波数に応じ、冷却ルツボ7内に連続投入するシリコン原料の投入速度を調整して変動させるのが好ましい。 (もっと読む)


【課題】ヒータが側方に配置された場合にインゴット割れおよび結晶欠陥の発生を抑制し、高品質な多結晶シリコンインゴットを低コストで製造する。
【解決手段】坩堝20と、坩堝20の側方に位置するヒータと、坩堝20の底面部と接触して位置する載置台40とを備える。載置台40においては、周側部における熱伝導の方が中央部における熱伝導より大きい。 (もっと読む)


【課題】シーメンス法により多結晶シリコンを製造する際のシリコン芯線の効率的な加熱を実現し、シリコン芯線へのダメージを軽減するとともに、カーボンヒータの寿命を延ばし得る技術を提供すること。
【解決手段】水素ガス気密テスト完了後に一旦炉内圧力を所定の値にまで下げ、多結晶シリコンの析出反応工程時の圧力よりも低い炉内圧力下でシリコン芯線を通電加熱する。シリコン芯線12のバルク温度は、カーボンヒータ14からの輻射熱量、シリコン芯線12から雰囲気ガスへの対流伝熱量、シリコン芯線ホルダへの伝導伝熱量、ベルジャ1やベースプレート5への輻射熱量等のバランスによって決まり、入熱量が不変でも出熱量が低下すればシリコン芯線12のバルク温度は上昇する。本発明においては、シリコン芯線12の表面から対流により奪われる熱量を抑えるため、初期加熱工程時の炉内圧力を多結晶シリコンの析出反応工程時の圧力よりも低く設定する。 (もっと読む)


【課題】 珪素の高い初期効率と電池容量を維持しつつ、サイクル特性に優れ、充放電時の体積変化を減少させた非水電解質二次電池の負極用として有効な活物質としての珪素粒子からなる負極活物質の製造方法を提供する。
【解決手段】 非水電解質を用いる二次電池用の負極活物質の製造方法であって、金属珪素を原料とした電子線蒸着法により、温度を800−1100℃に制御した基板上に、1kg/hrを超える蒸着速度で、蒸着膜厚が2−30mmの範囲で珪素を堆積させる工程と、該堆積させた珪素を粉砕・分級して、前記負極活物質を得る工程とを含むことを特徴とする非水電解質二次電池用負極活物質の製造方法。 (もっと読む)


【課題】本発明は、所定の濃度のポリシリコン溶液を直接製造することができ、ポリシリコンの製造に必要な時間とコストを大幅に短縮することができるソーラーグレードポリシリコンの真空循環精錬装置及びソーラーグレードポリシリコンの精製方法を提供する。
【解決手段】真空脱ガス炉と、循環法真空処理炉とからなる。真空脱ガス炉は、真空室と、シリコン収容部と、希ガス取り込み装置と、からなる。その内、真空室は、第一真空ノズルと、結合孔とを備える。シリコン収容部は、真空室内に設けられるとともに、結合孔の下方に配置される。希ガス取り込み装置は、シリコン収容部に設けられる。循環法真空処理炉は、第二真空ノズルと単一ノズル連通管とからなり、前記単一ノズル連通管は、前記結合孔を介して前記シリコン収容部に差し込まれる。 (もっと読む)


【課題】粗面の割合が低い、高純度シリコンからの多結晶ロッドを、より経済的に製造する。
【解決手段】反応器壁、少なくとも20本のフィラメントロッド、並びに反応器チャンバー内での反応ガス用のガス取り込み口を有する反応器チャンバーを包含する、多結晶シリコンを析出させるための装置であって、その際、各々のフィラメントロッドには、反応器壁付近のフィラメントロッドを除いて、150〜450mmの間隔で、更に別の3本の隣接するフィラメントロッドと、1つ乃至3つの隣接するガス取り込み口とが存在している、多結晶シリコンを析出させるための装置によって解決される。 (もっと読む)


【課題】多結晶シリコンの回収時間が短い多結晶シリコンの製造方法を提供すること。
【解決手段】反応炉内で四塩化珪素と亜鉛を反応させて、反応炉内に多結晶シリコンを生成させる第一工程と、907〜1200℃で、該反応炉内に、四塩化珪素のみを供給するか、又は四塩化珪素に対する亜鉛のモル比が、該第一工程でのモル比よりも小さくなる供給量で、四塩化珪素及び亜鉛を供給する第二工程と、を有することを特徴とする多結晶シリコンの製造方法。 (もっと読む)


【解決課題】反応炉内に析出した多結晶シリコンの反応炉内からの取り出しが容易であり、製造効率が高い多結晶シリコンの製造方法を提供すること。
【解決手段】反応炉内で四塩化珪素と亜鉛を反応させて、反応炉内に多結晶シリコンを生成させる第一工程と、907〜1200℃で、該反応炉内に、四塩化珪素のみを供給するか、又は四塩化珪素に対する亜鉛のモル比が、該第一工程でのモル比よりも小さくなる供給量で、四塩化珪素及び亜鉛を供給する第二工程と、該反応炉内の温度が800℃以上で、反応炉内を不活性ガス雰囲気にし、次いで、多結晶シリコンを、800℃以上の反応炉内から、該反応炉に繋がる不活性ガス雰囲気の冷却空間へ移動させることにより、多結晶シリコンを反応炉内から反応炉外へ取り出し、冷却する第三工程と、を有することを特徴とする多結晶シリコンの製造方法。 (もっと読む)


【課題】ソリが少なく横断面形状の真円度も高い良好な形状を有する多結晶シリコン棒を、生産効率を落とすことなく得ることを可能とする技術を提供すること。
【解決手段】多結晶シリコン製造装置が備える反応炉に設けられる原料ガス供給ノズル9と金属電極(電極対)10は下記の配置関係を満足する。すなわち、円盤状底板5の中央に中心を有する仮想の同心円C(半径c)は、面積S0の底板5の半分の面積S=S0/2を有している。また、同心円Aおよび同心円Bはそれぞれ、同心円Cと中心を同じくする半径aおよび半径b(a<b<c)の仮想同心円である。本発明では、電極対10は上述の仮想の同心円Cの内側であって仮想の同心円Bの外側に配置され、ガス供給ノズル9は何れも上述の仮想の同心円Aの内側に配置される。また、同心円Bの半径bと同心円Aの半径aの差は、20cm以上で50cm以下とされる。 (もっと読む)


【課題】高品質な多結晶シリコンインゴットを作製する。
【解決手段】坩堝20の周囲に配置された3n個(nは自然数)の抵抗加熱ヒータに3相交流を供給し、3相交流によって生じる回転磁場を作用させつつ、坩堝20内のシリコンを加熱して溶解させる加熱工程と、上記回転磁場を作用させつつ、坩堝20の底部から上部に向けて冷却してシリコンを凝固させる冷却工程と備える。 (もっと読む)


【課題】シリコンインゴット中への酸素の溶け込みを低減可能なシリコンインゴット鋳造用積層ルツボを提供する。
【解決手段】シリコン原料を溶解し、鋳造してシリコンインゴットを製造するためのシリコンインゴット鋳造用積層ルツボであって、鋳型2の内側に設けられた、50〜300μmの微細溶融シリカ砂31をシリカ5で結合した内層スタッコ層30を少なくとも1層含む内層シリカ層3と、内層シリカ層3の内側に設けられ、0.2〜4.0μmの窒化ケイ素粉末41を75〜90重量%含有するとともに残部が10〜6000ppmのナトリウムを含有するシリカ5から構成される混合体素地層40を少なくとも1層含む窒化ケイ素コーティング層4と、を備え、窒化ケイ素コーティング層4の最表面の混合体素地層40’が、平均粒径0.01〜0.1μmの水酸化バリウム又は炭酸バリウムを含有するシリコンインゴット鋳造用積層ルツボ1を選択する。 (もっと読む)


1 - 20 / 503