【課題】電子回路の基板などに用いられる誘電体膜として、欠損部がなく、所定の厚さの均質な多孔質基板を提供すると共に、そのような多孔質基板を容易に得ることのできる方法を提供すること。
【解決手段】成型容器により形成される多孔質基板６の製法であって、大気圧下においてゾルを生成し、大気圧よりも高い気圧下において前記ゾルを加熱することにより、前記成型容器内で前記ゾルをゲル化する。 （もっと読む）

ケイ素前駆体の組み合わせを用いたエピタキシャルに配向したナノワイヤを成長させる方法、および配向したナノワイヤを成長させるためのパターン形成された基板の使用を含む、ナノワイヤを成長させ、ドープし、収集するシステムおよび方法が提供される。犠牲成長層を使用することによってナノワイヤの質が向上する。ナノワイヤを１つの基板から別の基板に移動する方法も提供される。本発明のプロセスで使用される基板材料は、結晶またはアモルファスであってよい。 （もっと読む）

【課題】従来と比較して高機能化された新規な多孔質ハニカム構造体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】導電性を有する微粉末が分散されたシリカ成形体である、導電性を有する多孔質ハニカム構造体、ならびに、（ａ）ケイ酸ナトリウム水溶液にイオン交換樹脂を混入してシリカゾルを調製する工程と、（ｂ）前記イオン交換樹脂を除去し、ｐＨを調整する工程と、（ｃ）シリカゾルに導電性を有する微粉末を分散させる工程と、（ｄ）シリカゾルをゲル化してシリカ湿潤ゲルを製造する工程と、（ｅ）前記シリカ湿潤ゲルを凍結させる工程とを含む、導電性を有する多孔質ハニカム構造体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】追加供給した固形状原料の溶解時間を短縮する。
【解決手段】坩堝１内のシリコン塊を完全に溶融状態にした後に、原料供給部６の原料保持部６aに粒状のシリコン原料を充填して坩堝１内のシリコン融液２上に供給する。そして、塊状になってシリコン融液２の表面中央に浮遊するシリコン原料に、不活性ガス吹き付け部７によって不活性ガスを吹き付けて、上記塊状のシリコン原料を坩堝１の側壁に向かって分散させる。さらに、シリコン融液２の表面に不活性ガスを吹き付け続けてシリコン融液２の表面を揺らして山型状のシリコン原料を崩す。こうして、追加供給されたシリコン原料とシリコン融液２との接触面積を増加させて、追加供給したシリコン原料の溶解時間を短縮する。 （もっと読む）

【課題】大掛かりな設備を必要とせずにシリコン膜を形成するための成膜材料として、ポリシラン修飾シリコン微粒子を製造する方法およびこのポリシラン修飾シリコン微粒子を用いたシリコン膜の形成方法を提供する。
【解決手段】末端がシリルアニオン化されたポリジフェニルシランからなるポリシラン１１を含む液に、シリコン微粒子１２を添加することで、シリコン微粒子１２の表面にポリシラン１１を結合させたポリシラン修飾シリコン微粒子１３を製造する。そして、このポリシラン修飾シリコン微粒子１３に水素化処理を行うことで、水素化ポリシラン修飾シリコン微粒子１４を製造することを特徴とするポリシラン修飾シリコン微粒子の製造方法である。また、この水素化ポリシラン修飾シリコン微粒子１４が分散された液を基板上に塗布し、塗布膜を形成した後、塗布膜が形成された状態の基板に熱処理または光照射を行うことで、シリコン膜を形成することを特徴とするシリコン膜の形成方法である。 （もっと読む）

【解決課題】種々の溶媒又は樹脂材料等に、イオン液体又はホスホニウム塩を、均一に分散することができる物を提供することにある。
【解決手段】平均粒径が５〜２００ｎｍのコアシリカ粒子を含有するシリカゾル、アルコキシシラン及びイオン液体又はホスホニウム塩を混合して得られる反応原料溶液に、酸又はアルカリを加えて、該アルコキシシランを加水分解することにより、該コアシリカ粒子の表面処理を行う表面処理工程を行い得られることを特徴とする粉末状のシリカコンポジット粒子。 （もっと読む）

【課題】 従来の大細孔径シリカゲルを原体とし、その細孔径をきわめて狭い範囲で、増加させ、また、細孔容積及び比表面積についても、減少させることなく、いずれも増加させるように処理する。
【解決手段】 大細孔径を有する多孔質シリカゲル原体を、フッ化水素水溶液又はアルカリ水溶液に接触させ、当該粒子形状を維持したまま、その細孔径、細孔容積、及び比表面積をいずれも増加させるように処理する。フッ化水素の前記シリカゲル原体に対する質量比は、０．１／１〜１．８／１であり、アルカリのシリカゲル原体に対する質量比は０．０２／１〜０．２／１であることが好ましい。調整されたシリカゲルの細孔物性はそのシリカゲル原体に対し、細孔径の増加率が５０％以下、細孔容積の増加率が５倍以下、比表面積の増加率は４倍以下である。また、細孔物性測定を水銀圧入法で行った時の水銀残留率が２０容量％以下の大細孔径多孔質シリカゲルが得られる。 （もっと読む）

【課題】がんの治療などに用いることができる、活性酸素発生速度が従来よりも高い半導体ナノ粒子を提供する。
【解決手段】コアシェル構造をもつ半導体ナノ粒子のシェルの一部が欠損していることにより、あるいはコアの一部がアモルファスであることなどにより得られる、発光量子効率が０.１〜５０％、好ましくは０.１〜２０％、より好ましくは０.１〜５％である半導体
ナノ粒子。発光量子効率がこれらの所定の範囲にある場合、紫外線を照射したときの半導体ナノ粒子の活性酸素発生速度は１ｍＬ／min／ｇ以上に達することが可能であり、がん
細胞を死滅させるために効果的である。 （もっと読む）

液体中のナノワイヤをホログラフィック光トラップのアレイにより操作かつ処理するためのシステムおよび方法。本発明のシステムおよび方法は、物体を３次元で操作する能力を有する数百個の個別に制御される光トラップを生成することができる。２０ｎｍもの小ささの断面および２０μｍを越える長さを有する個々のナノワイヤは、単一トラップが認識可能な影響を及ぼさないような条件下で、ホログラフィック光トラップのアレイにより分離させ、並進させ、回転させ、基板上に堆積させることができる。合焦トラップによって誘発される空間的に局在化する光熱および光化学プロセスも、個々のナノワイヤの局在化された領域を融解させ、かつナノワイヤ接合部を融着させるために使用することができる。
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【課題】本発明は、銅を触媒としてシリコンワイヤを成長する方法に関する。
【解決手段】本発明に係るシリコンワイヤの成長方法は、基材を提供する段階と、前記基材に複数の銅粒子からなる触媒層を形成する段階と、７００Ｔｏｒｒの圧力で、保護ガス及び反応ガスを導入して、前記触媒層が形成された前記基材を４５０℃以上程度に加熱して、前記基材にシリコンワイヤを成長させる段階と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 低温且つ短時間の焼成で効率良くトリジマイトを製造し得るトリジマイトの製造方法を提供する。
【解決手段】 平均粒子径５０μｍ以上の石英粒子と炭酸カリウム水溶液とを混合した後、加熱によって水分を除去し、焼成を行う。この際、加熱はマイクロ波加熱により行う。炭酸カリウムの添加量は石英粒子に対して２質量％〜４質量％とすることが好ましい。焼成において、焼成温度は１２５０℃以上である。 （もっと読む）

【課題】モノリスカラムの局所構造を秩序化する。
【解決手段】骨格相１９ｃ内に多数の球状空孔１１ｂが形成され、それらの球状空孔１１ｂは規則的に配列されているとともに、隣接する球状空孔１１ｂ同士が接点で連通していることにより、上記骨格相１９ｃが３次元網目構造に形成されている。球状空孔１１ｂはポリマー粒子の鋳型によって転写されたものであるので、大きさが均一で空孔の配列も秩序化されている。 （もっと読む）

本発明は、ナノワイヤ構造およびかかる構造を含む相互接続型ナノワイヤネットワーク、ならびにその作製方法に関する。ナノワイヤ構造は、ナノワイヤコア、炭素主体層を備え、さらなる実施形態では炭素主体構造を、例えば、ナノワイヤコア上に形成され、該ネットワーク内のナノワイヤ構造を相互接続するグラフェンからなるナノグラファイト板を備える。該ネットワークは、膜または粒子に形成され得る多孔質構造である。ナノワイヤ構造およびこれを用いて形成されるネットワークは、触媒および電極適用用途、例えば燃料電池、ならびに電界放出デバイス、担持体基材およびクロマトグラフィー適用用途に有用である。 （もっと読む）

本発明は、水素化シリコンゲルマニウム化合物、それらの合成法、それらの成膜法、およびそれらの化合物を用いて作製された半導体構造を提供する。これらの化合物は、式：ＳｉＨｎ１（ＧｅＨｎ２）ｙによって定義される。式中、ｙは２，３または４であり；ｎ１は、０，１，２または３であって原子価を満たし；ｎ２は、化合物中の各Ｇｅ原子に関して独立に０，１，２または３であって原子価を満たす。
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【課題】 簡易なケイ素微粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】 （イ）不活性雰囲気下においてケイ素源と炭素源を含む混合物を加熱焼成する工程と、（ロ）上記不活性雰囲気から生成ガスを抜き出し急冷固化してケイ素微粒子を含む混合粉体を得る工程と、（ハ）上記混合粉体からケイ素微粒子を抽出する工程と、を備えることを特徴とするケイ素微粒子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】熱伝導度、強度及び剛性が高く、広い面積を持つ比較的安価な熱伝導板及び放熱板並びにフラットパネルディスプレイを提供する。
【解決手段】プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）２０−１等の発熱体の放熱板として、一方向凝固シリコン基板２６を使用する。一方向凝固シリコン基板２６は、８００ｍｍ□程度の基板サイズとして製造することができ、単結晶シリコン基板に比べて大型化が可能であり、安価であるという利点を有する。また、一方向凝固シリコン基板は、放熱板としてアルミニウム合金に比べて剛性が高いため、厚みを薄くすることができる。 （もっと読む）

【課題】 赤色、緑色、青色に発光するナノシリコンを、ケイ素膜内に含有した状態で白色発光させ、かつ、白色発光を鮮明かつ安定に得、さらに、白色発光するナノシリコン含有酸化ケイ素膜を製造する方法を確立する。
【解決手段】 酸化ケイ素膜内に、高周波スパッタリング法と熱処理で形成された粒子サイズ１．５〜３．５ｎｍの発光ナノシリコンを含有し、紫外光線照射により、青色、緑色、及び、赤色（光の三原色）を合わせた白色を、鮮明かつ安定して発光することを特徴とするナノシリコン含有白色発光酸化ケイ素膜であって、高周波スパッタリング法と熱処理法により製造する。 （もっと読む）

【課題】 より低温での、回路上への熱損傷を与えることなく、任意の位置においてその場でシリコンナノワイヤーの架橋構造を形成することのできる新しい技術手段を提供する。
【解決手段】 基板表面上の所定位置に触媒金属ドットパターンを配設し、ポリシランガスの３００℃以下の温度でのＣＶＤによって所定の触媒金属ドット間にシリコンナノワイヤーを架橋成長させる。 （もっと読む）

【課題】 発光材として安定でありかつ液体中での分散が容易である、高率で回収し得る無機微粒子、およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 液体中に浸漬した基板に対してレーザアブレーションを行う工程を包含する製造方法によって無機微粒子を製造する。 （もっと読む）

【課題】 軽量であって、室温付近で水素を吸蔵・放出することができる水素吸蔵合金およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の水素吸蔵合金は、Ｃａ（Ｓｉ_1-n Ａｌ_n ）で表され、ｎの範囲が０＜ｎ＜０．４である。ｎの範囲は０．２５≦ｎ＜０．４であるのが好ましい。
また、本発明の水素吸蔵合金の製造方法は、ＣａＳｉ合金のＳｉ原子の少なくとも一部をＡｌ原子で置換した水素吸蔵合金の製造方法であって、Ｃａ、ＳｉおよびＡｌの原子比が１：（１−ｍ）：ｍ（０＜ｍ＜０．４）となるように調製した原料粉末を加圧して成形する成形工程と、成形工程で得られた成形体を加熱して原料粉末を溶融する加熱工程と、からなることを特徴とする。ｍの値を０．４未満とすることにより、水素を吸蔵・放出しない相の生成が抑制される。 （もっと読む）