【課題】基材表面に塗布して焼成したときに耐薬液性に優れた多孔質シリカ膜を得ることが可能な前駆体塗布液を提供する。
【解決手段】多孔質シリカ膜の形成に用いられる前駆体塗布液の作製方法であって、官能基を有するアルコキシシランを界面活性剤と共に溶媒に溶解させ、この溶解させたアルコキシシランを触媒存在下で加水分解及び脱水縮合して第１のゾルを得る第１工程と、第１のゾルにテトラアルコキシシランもしくはその重合体を添加し、第１のゾルに含まれる脱水縮合物とテトラアルコキシシランもしくはその重合体を加水分解及び脱水縮合して第２のゾルを得る第２工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 気相成長装置の清浄度を高感度で評価することができる清浄度評価方法を提供する。
【解決手段】 気相成長装置の清浄度を評価する方法であって、前記気相成長装置を用いて、シリコンウェーハ上に、該シリコンウェーハの厚みに対する割合が２０％以上１００％以下である厚みを有するシリコンエピタキシャル層を成長させたモニタウェーハを作製し、前記モニタウェーハのライフタイム値を測定し、前記測定したモニタウェーハのライフタイム値から前記気相成長装置の清浄度を評価することを特徴とする気相成長装置の清浄度評価方法。 （もっと読む）

【課題】結晶基板の上に、膜厚みの均一性に優れた凹凸膜が形成されたウエハを提供する。また、結晶基板の上に、膜厚みの均一性に優れた凹凸膜が形成されたウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】結晶基板に凹凸膜が形成された凹凸膜付きウエハであって、該凹凸膜は、最大厚みの平均が０．０５〜５μｍであり、シロキサンオリゴマーを含み、Ｘ線光電子分光（ＸＰＳ）測定による炭素、酸素、ケイ素の各原子数の合計に対するケイ素原子の含有率が５〜３３ａｔｏｍ％であり、残膜厚みの均一性が２５％以下であることを特徴とする凹凸膜付きウエハ。
凹凸形状を表面に有する支持体フィルムの上に、最大厚みの平均が０．０５〜５μｍであり、シロキサンオリゴマーを含み、Ｘ線光電子分光（ＸＰＳ）測定による炭素、酸素、ケイ素の各原子数の合計に対するケイ素原子の含有率が５〜３３ａｔｏｍ％である凹凸膜が積層された転写フィルムから、結晶基板の上に前記凹凸膜を転写することを特徴とする凹凸膜付きウエハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、新規な半導体シリコン膜及びそのような半導体シリコン膜を有する半導体デバイス、並びにそれらの製造方法を提供することである。
【解決手段】本発明の半導体シリコン膜（１６０）は、複数の細長シリコン粒子（２２）が短軸方向に隣接してなる半導体シリコン膜である。ここでは、細長シリコン粒子（２２）は、複数のシリコン粒子の焼結体である。また、このような半導体シリコン膜（１６０）を製造する本発明の方法は、第１のシリコン粒子分散体を、基材（１００）上に塗布し、乾燥し、光（２００）を照射して、第１の半導体シリコン膜（１３０）を形成する工程、第２のシリコン粒子分散体を、第１の半導体シリコン膜（１３０）に塗布し、乾燥し、光（２００）を照射する工程を含む。ここで、この方法では、第１のシリコン粒子分散体の第１のシリコン粒子の分散が５ｎｍ^２以上である。 （もっと読む）

【課題】ナトリウムを内包したII型のシリコンクラスレートを安定して大量に製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明のシリコンクラスレートの製造方法は、シリコンウエハとＮａとを混合して６５０℃以上の温度で加熱し、ＳｉとＮａとからなる化合物を生成する陽圧加熱処理工程と、生成されたＳｉとＮａとからなる化合物を、１０^−２Ｐａ以下の陰圧下で３００℃以上４５０℃以下の温度により１時間以上加熱する陰圧加熱処理工程とを備えている。Ｎａは、シリコンクラスレートを生成するために用いられるＳｉに対するモル比が１．０よりも大きくなるように供給されることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 シリコン膜の結晶成長の速度を速くする技術を提供する。
【解決手段】 気相成長装置１０は、気相成長室３６と、加熱室８と、混合室３８と、トリクロロシランガスを貯蔵する第１貯蔵庫４２と、塩酸ガスと反応するシラン系ガスを貯蔵する第２貯蔵庫４０を備えている。加熱室８は、第１貯蔵庫４２と混合室３８に連通しており、トリクロロシランガスを加熱した後に混合室３８に供給している。混合室３８は、第２貯蔵庫４０と気相成長室３６に連通しており、加熱室８から供給されたガスとシラン系ガスを混合させて、その混合ガス３４を気相成長室３６に供給している。加熱室８の室内温度は、混合室３８の室内温度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】誘電率の上昇を抑制しつつも多孔質層の表面を改質できる半導体装置の製造方法および多孔質層の改質方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板１０２上に、表面にＳｉＨ基を有する多孔質絶縁層１１４を形成する工程と、ＳｉＨ基をＳｉＯＨ基に酸化させ、かつ多孔質絶縁層１１４のＳｉ原子と結合を形成しない改質物質を含む液体を多孔質絶縁層１１４の表面に接触させる工程と、を含む （もっと読む）

【課題】酸素プラズマ耐性に優れたシリカ膜を形成することができ、且つ、安定性に優れたシリカ膜前駆体組成物の製造方法を提供する。
【解決手段】アルコキシシランと溶媒と酸触媒を混合してアルコキシシランの加水分解反応及び縮重合反応を生じさせた後、前記アルコキシシランのアルコキシ基１モルに対し、０．００５〜０．２モルのシリル化剤を添加して前記縮重合反応により生じたアルコキシシランの重合体の反応末端をシリル化する。 （もっと読む）

【課題】製造バッチ間において安定したデバイス特性を有するシリコンエピタキシャルウエーハ製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶基板上にシリコンエピタキシャル層をシリコン原料ガスから気相成長させる工程を有するシリコンエピタキシャルウエーハの製造方法であって、複数のシリコン原料ガスのロットを用いてシリコンエピタキシャルウエーハが製造される場合において、前記シリコン原料ガスのロットに含まれる炭素含有化合物濃度のうち最大となる濃度を最小濃度値とし、１０００ｐｐｍｗを最大濃度値とし、該最小濃度値以上該最大濃度値以下の炭素含有化合物を、前記シリコン原料ガスに混入し、又は前記シリコン原料ガスと供に気相成長装置内に供給することにより、前記シリコンエピタキシャル層を気相成長させる。 （もっと読む）

【課題】 ウェット洗浄工程を増加させることなく、かつ、より低温でシリサイドを形成することが可能なシリサイドの形成方法を提供すること。
【解決手段】 表面にシリコンとシリコン酸化物とが露出している基板１０１上にシリサイドを形成するシリサイドの形成方法であって、基板１０１の温度を４００℃以上として、シリコンとシリコン酸化物とが露出している基板１０１の表面上にマンガン有機化合物ガスを供給し、基板１０１の表面に露出したシリコンを選択的にマンガンシリサイド化する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池に用いる電極として利用可能な新たな半導体電極、半導体電極を用いた太陽電池、及び半導体電極の製造方法を提供する。
【解決手段】太陽電池１は、半導体電極１０と、対向電極２０と、電解質３０と、封止材４０とを有する。半導体電極１０は、光透過性を有し、光が入射する入射面１１ａを有する。対向電極２０は、半導体電極１０に対向して配設される。電解質３０は、半導体電極１０と対向電極２０との間の空間に配設される。封止材４０は、空間に配設される電解質３０を封止する。半導体電極１０は、透明電極１２を有する。透明電極１２は、光透過性を有し入射面１１ａを有する基板１１において、入射面１１ａの反対の表面に配設される。透明電極１２は、基板１１が接合される表面の反対面に金属酸化物層１３が配設される。金属酸化物層１３は、金属酸化物の微粒子１４と、ケイ素微粒子１５とを含む。 （もっと読む）

【課題】低屈折率でそれを長期に維持可能であり、高硬度でかつ被コーティング材料への膜の密着性に優れる多孔質シリカ膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】膜の表面および内部に存在する細孔が直径２ｎｍ以下のミクロ孔のみであって、鉛筆硬度が５Ｈ以上であり、分光エリプソメータを用いて波長６５５ｎｍの光を膜表面に対して入射角７５度にて入射させた際の屈折率が１．３３以下である多孔質シリカ膜であり、少なくとも、テトラアルキルオルソシリケート、メタノール若しくはエタノール、ヒドロキシケトン誘導体および水を混和して反応させる工程を含む方法により製造する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板の鏡面加工面上にジグ跡のない高品質の酸化膜を有する酸化膜付きシリコン基板の製造方法及び酸化膜付きシリコン基板を製造する際に用いられる熱処理装置を提供する。
【解決手段】エッジ面取り加工が施されたシリコン基板を、少なくとも対向する側板と、該側板間に連結される溝を有する複数の支持棒とを具備するホルダに保持して、酸化性雰囲気下で熱処理することで表面に酸化膜を形成する酸化膜付きシリコン基板の製造方法において、前記シリコン基板の保持は、前記ホルダに具備された前記支持棒の溝と、前記シリコン基板の最外周端部及び面取り加工部の少なくとも一方とを接触させることのみで為すことを特徴とする酸化膜付きシリコン基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】マイクロ電子デバイスの実現。
【解決手段】そのための方法であって、マイクロ電子デバイスは、支持体に基礎を置き、支持体の主平面に平行な方向において、ゲルマニウム濃度勾配をみせる少なくとも１種の半導体帯域を含み、方法は、
ａ）支持体上への、１種またはそれよりも多い穴を含む少なくとも１種の酸化マスキング層の形成であり、穴は、傾斜のある側面を含み、およびＳｉに基づく少なくとも１種の第１の半導体帯域を現わし、
ｂ）Ｓｉに基づく前記第１の半導体帯域上のＳｉ_１−ｘＧｅ_ｘ（式中０＜ｘ）に基づく少なくとも１種の第２の半導体帯域の形成、
ｃ）前記マスキング層を通じた前記第１の半導体帯域および第２の半導体帯域の熱酸化を具える。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、比較的高い塗膜強度と比較的低い比誘電率を有し、さらには表面平坦性や耐クラック性などに優れたシリカ系塗膜にパターニングを施す方法および該方法から得られるシリカ系塗膜に関する。
【解決手段】 パターニング特性を備えたシリカ系塗膜をパターニングする方法であって、（１）特定のシリカ系塗膜形成用塗布液を基板上に塗布する工程、（２）前記工程で基板上に形成された塗膜を乾燥する工程、（３）前記工程で乾燥された塗膜上にパターニング用マスクを載置する工程、（４）前記工程でマスキングされた塗膜上に紫外線を照射する工程、（５）前記工程で紫外線を照射された塗膜を加熱する工程、（６）前記工程で加熱された塗膜を現像液に浸漬する工程、および（７）前記工程で現像液に浸漬された塗膜を洗浄する工程を含むことを特徴とするシリカ系塗膜のパターニング方法および該方法から得られるシリカ系塗膜。 （もっと読む）

【課題】なし
【解決手段】一次元のナノ構造は、約２００ｎｍ未満の均一な直径を有する。“ナノワイヤー”と呼ばれる、かかる新規のナノ構造は、異なる化学的な構成を有する少なくとも２つの単結晶の物質のヘテロ構造と同様に、単結晶のホモ構造を含む。単結晶の物質がヘテロ構造を形成するために使用されるので、結果となるヘテロ構造は、同様に単結晶となるであろう。ナノワイヤーのヘテロ構造は、一般的に、異なる物質を含むワイヤーを生成する、ドーピング及び構成が縦若しくは放射方向の何れかで制御されるか、又は両方向で制御される、半導体ワイヤーに基づく。結果となるナノワイヤーのヘテロ構造の例は、縦のヘテロ構造のナノワイヤー（ＬＯＨＮ）及び共軸のヘテロ構造のナノワイヤー（ＣＯＨＮ）を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、シリコンナノ構造体の製造方法に関する。
【解決手段】本発明のシリコンナノ構造体の製造方法は、ヒート炉及び反応室を含む生長装置を提供する第一ステップと、触媒材料及び生長基板を提供し、該触媒材料及び該生長基板を分離して、前記反応室に置く第二ステップと、前記反応室に珪素ガス及び水素ガスを導入し、該反応室を５００℃〜１１００℃に加熱して、前記生長基板にシリコンナノ構造体を生長させる第三ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】簡単な操作で、しかも基材に熱影響を与えずに短時間に、緻密なシリカ膜を形成する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基材１の表面１ａにポリシラザン含有膜３を形成する工程と、大気圧プラズマ領域を通過させたキャリアガスＰを前記ポリシラザン含有膜３に吹き付けてシリカ膜４へ転化させる工程と、を有することを特徴とするシリカ膜４の形成方法を用いることにより、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】表面において、物質拡散・反応界面の確保が十分できたセラミックス薄膜などの機能性材料を形成することが可能なテンプレートとなる三次元構造体を得る。
【解決手段】ナノオーダーサイズの三次元周期構造を有した三次元構造体であって、前記三次元周期構造の表面に、複数の粒子が周期的に付与されているものである。前記粒子は、表面修飾されたものであってもよい。 （もっと読む）

【課題】排ガス触媒、光触媒、カーボンナノチューブ合成用触媒などに用いた時に、微粒子が持つ機能を最大限に発揮させることが可能な微粒子充填メソポーラス体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】表面に開口した細孔を有するメソポーラス体と、前記細孔内に担持された金属又は金属酸化物からなる微粒子とを備え、前記細孔の内径は、前記微粒子の直径より大きく、かつ、微粒子の表面を覆う有機物がない微粒子充填メソポーラス体。金属又は金属酸化物からなり、表面が有機物で被覆された微粒子を細孔内に内包するメソポーラス材料からなる有機物被覆微粒子充填メソポーラス体を製造する有機物被覆微粒子充填メソポーラス体製造工程と、前記有機物を除去する有機物除去工程とを備えた微粒子充填メソポーラス体の製造方法。 （もっと読む）