高純度シリコンを製造するためのプラズマ蒸着装置は、高純度シリコンを蒸着させるチャンバと、少なくとも１つの誘導結合プラズマトーチとをそなえ、チャンバは、その上端を実質的に形成する上部と、上端と下端とを有する１つ又はそれ以上の側部であって、上部が１つ又はそれ以上の側部の上端を実質的に密封的に接合する側部と、チャンバの下端を実質的に形成し、１つ又はそれ以上の側部の下端を実質的に密封的に接合する基部とを含み、少なくとも１つの誘導結合プラズマトーチは、チャンバの上部に配置され、実質的に垂直な位置に向けられて上部から基部に向かう下向きのプラズマフレームを生成し、プラズマフレームが、１つ又はそれ以上の反応剤を反応させて高純度シリコンを生成するための反応区画を形成する。さらに、溶融シリコンを収集する方法も提供する。 （もっと読む）

【課題】生成シリコンを固体状態で回収する亜鉛還元法において、反応器の休止時間を最小限に抑えることにより多結晶シリコンの生産効率を高め、多結晶シリコンを比較的安価に大量に製造することができる高純度多結晶シリコンの製造装置および製造方法を提供すること。
【解決手段】四塩化珪素を亜鉛により還元して高純度多結晶シリコンを製造するシリコン製造装置において、反応器２は上下に切り離し可能な反応器上側本体４と反応器下側本体６とを備え、反応器上側本体６の上部には亜鉛ガス供給配管と四塩化珪素ガス供給配管が接続されていることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】塩化工程で分離したポリマーを原料の一部として用い、配管閉塞を防ぎながら効率的にトリクロロシランに転換する。
【解決手段】分解炉２に、分解炉２の内部を加熱する加熱手段１１と、分解炉２の内底部を除き内部空間を内側空間と外側空間とに二分する上下方向に沿う中心管体３と、中心管体３の内側空間又は外側空間のいずれか一方の空間にポリマー及び塩化水素を供給する原料供給管１５と、他方の空間から反応後のガスを導出する反応ガス導出管７とが設けられるとともに、原料供給管１５は、ポリマーを供給するポリマー供給管５と、塩化水素を供給する塩化水素供給管６とを備え、ポリマー供給管５及び塩化水素供給管６から供給されるポリマー及び塩化水素の合流部が、分解炉２の内部空間又は分解炉２の外部のいずれか一方で、少なくとも２００℃以上の温度領域に形成されている。 （もっと読む）

【課題】比較的低コストで高品質の単結晶シリコンリボンを製造できる新規な装置および／またはシステムを提供することにある。
【解決手段】単結晶シリコンリボンの形成装置を提供する。本発明のシリコンリボンの形成装置はるつぼを有し、このるつぼ内でシリコン融成物が形成される。融成物は、るつぼから実質的に垂直方向に流出して、凝固前にシリコン種結晶と接触できる。リボンへの凝固にしたがって、制御された条件下でリボンの更なる冷却が行われ、リボンは最終的に切断される。また、上記装置を使用して単結晶シリコンリボンを形成する方法も提供される。 （もっと読む）

トリクロロシラン等の熱分解性を有したケイ素化合物から多結晶シリコンを生成する流動床リアクター・システムおよび分配器並びに方法が開示されている。この方法は、概して四ハロゲン化ケイ素を使用することによって、多結晶シリコンの生成の間リアクター壁上のケイ素付着物の低減を含んで成る。 （もっと読む）

本発明は、トリクロロシラン及び四塩化ケイ素を金属シリコンから製造するための多段階の方法に関し、その際、第一の段階において、トリクロロシラン及び四塩化ケイ素を金属シリコンから製造し、かつ、第二の段階において、四塩化ケイ素を最終生成物のトリクロロシランへとさらに処理する。そのうえまた、本発明は、係る方法が組み込まれて実施されることができる装置に関する。 （もっと読む）

本発明は、四塩化ケイ素を水素と水素化脱塩素反応器中で反応させてトリクロロシランを得るための方法に関し、その際、水素化脱塩素反応器は、加圧下で運転され、かつ、セラミック材料から成る１つ以上の反応器管を包含する。さらに、本発明は、係る水素化脱塩素反応器を、金属シリコンからトリクロロシランを製造するための装置に一体化された要素として使用することに関する。 （もっと読む）

【課題】高温ガス、例えば水素及びテトラクロロシランとの接触に適した装置を提供する。
【解決手段】
反応器１００は、テトラクロロシランの水素化に用いることができる。反応器１００は、炭化ケイ素系の構成材料から調製される少なくとも１つの部品を有する。反応器１００は、加圧可能シェル１０１と、加圧可能シェル１０１に囲まれた断熱材１０２と、断熱材１０２に囲まれた加熱要素１０６と、加熱要素１０６に囲まれた反応室１０７とを含む。 （もっと読む）

【解決課題】亜鉛還元法により多結晶シリコンを製造する際、反応炉の排出管にシリコンが析出して排出管を閉塞することを防止すること。
【解決手段】四塩化珪素蒸気及び亜鉛蒸気を反応炉に供給し、該反応炉から排出ガスを排出して、該反応炉内で四塩化珪素蒸気と亜鉛蒸気の反応を行い、該反応炉内で生成する多結晶シリコンを析出させる多結晶シリコンの製造方法において、該反応炉内の圧力が、多結晶シリコンの製造開始時の圧力に比べ、１〜１５ｋＰａ上昇したときに、析出物除去部材で、反応炉の排出管内に析出した析出物を、該排出管外に掻き出す析出物除去操作を行うことを特徴とする多結晶シリコン製造用の反応炉の排出管の閉塞防止方法。 （もっと読む）

【解決課題】亜鉛蒸気を用いる装置に一定の供給速度で亜鉛蒸気を供給することができる亜鉛蒸気の供給方法及び亜鉛蒸気の供給装置を提供すること。
【解決手段】亜鉛蒸発器に溶融亜鉛を供給しつつ、蒸発させた亜鉛蒸気を該亜鉛蒸発器から排出して後段の装置へ供給する亜鉛蒸気の供給方法において、一定の供給速度で該亜鉛蒸発器に該溶融亜鉛を供給しつつ、且つ、該亜鉛蒸発器内の亜鉛の液面の高さを測定し、該亜鉛の液面の高さが一定になるように、該亜鉛蒸発器内の亜鉛を蒸発させることを特徴とする亜鉛蒸気の供給方法。 （もっと読む）

本発明は、トリクロロシランの生成反応の反応生成物からトリクロロシラン及びテトラクロロシランを主成分とするクロロシラン混合物を分離させる前処理段階と、上記クロロシラン混合物を微量の不純物及びトリクロロシランの混合物からなる第１上部ストリームと、テトラクロロシランを主成分とする第１下部ストリームとに分離させる第１精製段階と、上記第１上部ストリームを微量の低沸点不純物とトリクロロシランの混合物からなる第２上部ストリームと、微量の高沸点不純物とトリクロロシランの混合物からなる第２下部ストリームとに分離させる第２精製段階と、上記第２下部ストリームをトリクロロシランを主成分とする第３上部ストリームと、微量の高沸点不純物及びトリクロロシラン混合物からなる第３下部ストリームとに分離させる第３精製段階を含み、このとき、上記第３精製段階は、上記第２精製段階より高い圧力条件下で行われ、上記第２下部ストリームと上記第３上部ストリームの間で熱交換が行われることを特徴とするトリクロロシランの精製方法を提供する。 （もっと読む）

【解決課題】多結晶シリコンの製造方法において、該反応炉から排出する該排出ガスから、塩化亜鉛及び亜鉛と四塩化珪素とを、分離し回収すること。
【解決手段】四塩化珪素蒸気と亜鉛蒸気を反応させて多結晶シリコンを製造するための多結晶シリコン製造用の反応炉から排出される排出ガスから、塩化亜鉛及び亜鉛と四塩化珪素とを分離して回収する分離回収装置であり、下方に向けて傾斜する逆円錐面状である冷却面と、該冷却面に該排出ガスを供給するための排出ガスの供給管と、該冷却面を冷却するための冷却手段と、該冷却面に沿って回転軸の周りを回転し、該冷却面に付着している粉体を掻き落すための回転翼と、を有し且つ下方に粉体の排出口が設けられている冷却部と、該冷却部に繋がり且つ上方に四塩化珪素蒸気の排出管が付設されている分離回収部と、を有することを特徴とする分離回収装置。 （もっと読む）

本発明は、プラズマアークトーチの位置調節装置に関する。本発明は、シリコン溶湯に対してプラズマアークトーチを昇降させる昇降装置と、前記シリコン溶湯に対してプラズマアークトーチを周方向に回転させる回転装置と、前記シリコン溶湯に対してプラズマアークトーチの角度を調節する角度調節装置と、を含む。また、前記プラズマアークトーチは、多数個が放射状に一定の間隔で配置される。このような本発明によれば、固相のシリコンを溶融し、初期溶湯を形成するのにかかる時間が短縮され、鋳造速度が増加する効果がある。また、原料の溶解性を向上させることができ、安定的な原料の溶解が可能なので、経済的に有利な連続鋳造及び高品質の太陽電池用シリコンインゴットを製造することができる効果がある。
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【課題】簡易な処理工程の下で、効率的に且つ経済的で然も安全性の高い状態で廃棄シリコンの再生利用を図る事が可能なシリコン再生利用システムを提供する。
【解決手段】シリコンインゴット加工装置１７と、固液分離装置１８と、加熱焼成処理装置１９と加熱溶融手段２０と一方向凝固手段２１とから構成されているシリコン再生利用システム１０であって、当該加熱焼成処理装置１９は、不活性ガス或は酸素ガスの存在下、若しくは真空状態下で、加熱温度を室温から３００℃の範囲、３００℃から８５０℃の範囲、及び８５０℃から１２００℃の範囲の温度条件でシリコン固形分を焼成するシリコン再生利用システム１０。 （もっと読む）

【課題】制御が容易で、高品質のシリコンシードを製造する。
【解決手段】チャンバ５の上壁２に上側シリコンシード６を貫通状態に保持する上シード保持部７と、上シード保持部７による保持中心Ｃに沿って上側シリコンシード６の下端と対向する下側シリコンシード２３をチャンバ５内で上下移動可能に保持する昇降機構と、上シード保持部７に保持された上側シリコンシード６の下端部を囲む位置に配置される高周波誘導加熱コイル３１と、高周波誘導加熱コイル３１の下方に配置される予熱リング３２と、下側シリコンシード２３上端部を囲んで高周波誘導加熱コイル３１に誘導加熱される加熱位置とこの加熱位置から離間した待機位置との間で予熱リング３２を往復移動させる予熱リング移動手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコン棒の気相成長工程中にあらゆる方位に伸縮しうるＵロッドのひびや割れの発生に対する抑制効果の高い技術を提供すること。
【解決手段】炭素電極３０の上部電極３１の上面側には、シリコン芯線５ａを保持する芯線ホルダ２０の固定部が設けられている。上部電極３１には、上面３３から下面３４に貫通する孔部（貫通孔）３５が設けられており、棒状の締結部材であるボルト３６がワッシャ３７を介して上部電極３１の上面３３から該孔部３５に挿入され、下部電極３２でネジ止めされて固定されている。孔部３５内におけるボルト３６の直胴部との間の間隙５１は、上部電極３１が下部電極３２の上面との接触面である載置面（図２では上部電極３１の下面３４と接する下部電極３２の上面）の面内での全方位の摺動を可能とするため、気相成長工程中にあらゆる方位に伸縮しうるＵロッドのひびや割れの発生に対する抑制効果を奏することとなる。 （もっと読む）

熱応力に対して改善された抵抗を有するシリコン溶融物を保持する装置を創出する。シリコン溶融物を保持する装置であって、該溶融物を保持するための内室（２）を部分的に取り囲むるつぼ（１；１ａ；１ｂ）を有し、該るつぼは、基部（３；３ａ）及び基部材料で作られた少なくとも１つの側壁（４；４ａ）を有し、該るつぼ（１；１ａ；１ｂ）は、機械的熱応力を均一化するための少なくとも１つの均一化手段（５）を有する装置により解決される。
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本発明は、長鎖ハロゲン化ポリシランの熱分解により、短鎖ハロゲン化ポリシラン、ならびに／または短鎖ハロゲン化ポリシランおよびハロゲン化物含有ケイ素を製造するための方法および装置に関する。低分子ハロシランで希釈された長鎖ハロゲン化ポリシランの熱分解がハロシランの雰囲気下で行われることにより、簡単で費用対効果の高い方法で、工業的な規模でそのような生成物を確実に製造する。
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半導体材料の物品の製造方法には、その物品のための目標厚さを選択するステップと次に、鋳型の外部表面上に半導体材料の固体層を形成するために有効な潜没時間だけ溶融半導体材料中に鋳型を潜没させるステップとが関与し、ここで固体層の厚さは目標厚さと実質的に等しい。潜没時間は、鋳型の組成、鋳型の厚さおよび初期鋳型温度を含めた特定の属性を有する鋳型のための固体層厚さと潜没時間の関係のプロットから決定される遷移時間に実質的に等しくなるように選択される。遷移時間ひいては潜没時間は、特定の鋳型のための固体層厚さ対潜没時間の曲線における固体層厚さの最大値に対応する。
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反応器ボリュームを備える、シリコンの生産のための反応器であって、反応器は、化学蒸着（ＣＶＤ）用のシリコン含有反応ガスを反応器ボリュームの内側に回転状態で設定するための少なくとも１つの手段を備えるか、または当該少なくとも１つの手段が有効に配置されることを特徴とする。シリコンの生産のための方法。 （もっと読む）