【課題】底部における酸素濃度が局所的に高くなる部分を少なくして、多結晶シリコンの生産歩留まりを大幅に向上させることができる多結晶シリコンインゴット製造装置、多結晶シリコンインゴットの製造方法及び多結晶シリコンインゴットを提供する。
【解決手段】断面矩形状をなす坩堝２０と、この坩堝２０の上方に配設された上部ヒータ４３と、坩堝２０の下方に配設された下部ヒータ３３と、を有し、坩堝２０内に貯留されたシリコン融液３を、その底面２１から上方に向けて一方向凝固させる多結晶シリコンインゴット製造装置１０であって、坩堝２０の底面２１側において坩堝２０の側壁部２２の少なくとも一部を加熱する補助ヒータ５０を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】体積の均一な球状の半導体材料を提供する。
【解決手段】板状の半導体材を分割し複数の半導体分割片を形成する第一の工程と、半導体分割片のそれぞれを、複数の装填部を有する基材の各装填部内に装填する第二の工程と、装填部内に装填された半導体分割片を加熱して、装填部内で融解した後に、融解された溶融体を冷却して固化する第三の工程と、を有している製造方法とした。これによって、板状の半導体材を分割し、半導体分割片にする事により、それぞれの半導体分割片の体積のバラツキを抑える事ができ、粉体を用いる場合と比較して、融解、固化され得られた球状の半導体材の体積を均一にできる。この事により、光−電気変換性能を一定にする事ができ、球状半導体型太陽電池モジュールの組立工程での工程不良や、外観不良を低減できる。 （もっと読む）

【課題】シリコン溶湯表面を高温に保つための保温手段として、簡便な構造で製作が容易であり、しかも、るつぼの加熱下に交換可能なリング状の保温蓋を用い、るつぼを加熱したままで数十チャージ分のシリコンを連続的に処理することが可能なシリコン精製装置及びこれを用いたシリコン精製方法及び精製方法を提供する。
【課題手段】真空ポンプを具備した減圧室内に、シリコンを収容する上端開口の黒鉛製るつぼと、該るつぼを加熱する加熱装置を備えたシリコン精製装置であって、前記るつぼの上部において該るつぼの開口部を覆うと共にるつぼ内のシリコン溶湯表面より小さい面積の排気開口を有するリング状の保温蓋を備え、該保温蓋が、前記減圧室内において、前記るつぼの加熱中に交換可能であることを特徴とするシリコン精製装置、及びこれを用いたシリコン精製方法である。 （もっと読む）

【解決課題】反応炉の炉壁及び排出管内への多結晶シリコンの析出を防ぐことが可能な亜鉛還元法による多結晶シリコン製造用の反応炉を提供すること。
【解決手段】四塩化珪素と亜鉛を反応させて多結晶シリコンを生成させる反応炉であって、該反応炉内に内挿容器が設置されており、該内挿容器の下部には、排出ガスの排出口が形成されており、該内挿容器の外壁には、該排出口を囲む排出ガスの漏洩防止壁が形成されており、四塩化珪素蒸気の供給管、亜鉛蒸気の供給管、排出管及び不活性ガスの供給管を有し、該排出管内に、排出管用内挿管が設置されており、該排出ガス漏洩防止壁は、該排出管用内挿管の内側に入り込んでおり、且つ、該排出管用内挿管と該排出ガス漏洩防止壁との間及び該排出管用内挿管の管端と該内挿容器との間には、隙間が形成されていること、を特徴とする多結晶シリコン製造用の反応炉。 （もっと読む）

【課題】電磁鋳造法による連続鋳造の際に、チャンバー内で自然対流する雰囲気ガスに起因して、溶融シリコンが金属不純物で汚染されることを防止できるシリコンインゴットの電磁鋳造装置を提供する。
【解決手段】チャンバー１内に配置した無底冷却ルツボ７にシリコン原料１１を装入し、誘導コイル８からの電磁誘導加熱によりシリコン原料１１を融解させ、この溶融シリコン１２を冷却ルツボ７から引き下げながら凝固させてシリコンインゴット３を連続鋳造する電磁鋳造装置において、チャンバー１の側壁の上部と下部に連結され、冷却ルツボ７の上方の雰囲気ガスを導入して冷却ルツボ７の下方に送り出す通気管１５を備え、この通気管１５の経路に集塵機２０および磁選機２１を設ける。 （もっと読む）

【課題】反応炉の内壁面に付着したハロゲン化シランの重合物を確実に除去するとともに、反応炉内壁の所望の領域を重点的に洗浄することを可能とする技術を提供すること。
【解決手段】垂直軸２１の先端部に取り付けられた回転部材２２は軸Ｑを中心に自転可能である。ノズル支持体２３は軸Ｐを中心に自転可能であり、回転部材２２が自転すると軸Ｑを中心に垂直軸２１の周りを公転する。ノズル２４から洗浄水が高圧噴射されると、その噴射反動力によってノズル支持体２３が軸Ｐを中心に自転し、該自転が回転部材２２に伝達される。従って、ノズル支持体２３が自転すると同時に、回転部材２２が自転する。その結果、ノズル支持体２３は垂直軸２１の周りを自転しながら公転する。このような自公転機構により、ノズル２４から高圧噴射される洗浄水が三次元方向に噴射されて反応炉３０の内壁３２の表面が洗浄される。 （もっと読む）

【課題】光電変換装置において、新しい反射防止構造を有する光電変換装置を提供する。
【解決手段】光電変換装置において、受光面となる半導体基板の表面をウィスカー群（ナノワイヤー群）で被覆されるようにして、表面反射を低減させる。すなわち、半導体基板の受光面側に、ウィスカー状の成長表面を有する半導体層を設ける。当該半導体層は、任意の凹凸構造を有することになるので、半導体基板での表面反射を低減させ、変換効率を向上させる効果を奏する。 （もっと読む）

【課題】モノクロロシランを劣化のない安定した状態で、保存するための容器及び方法の提供。
【解決手段】内部表面が次の群より選択される容器：（ａ）機械的研磨の結果として生じる表面；（ｂ）電解研磨の結果として生じる表面；（ｃ）有機分子の疎水性防護層の形成の結果として生じる表面；（ｄ）ステンレス鋼の内部表面を与えることの結果として生じる表面；（ｅ）アルミニウムの内部表面を与えることの結果として生じる表面；（ｆ）ニッケルの内部表面を与えることの結果として生じる表面；（ｇ）ポリマーコーティングの結果として生じる表面；（ｈ）酸化ケイ素コーティングを有する表面；（ｉ）その金属に分子的に結合した結晶性炭素の層を有する表面；（ｊ）金属フッ化物の保護層を有する表面；（ｋ）シランへの曝露によって金属に結合させたシランの保護層を有する表面；及び（ｌ）不活性化ヒドロキシル基を有する表面。 （もっと読む）

【解決課題】製造コストが低く、運転管理及び装置管理が簡便な多結晶シリコンの製造方法を提供すること。
【解決手段】高純度四塩化珪素と亜鉛との反応により生成する排出ガスから分離した該塩化亜鉛及び未反応亜鉛の混合物を酸化する酸化処理と、該混合物を塩酸水溶液に溶解させる塩酸水溶液溶解処理と、酸性抽出剤により亜鉛成分を抽出する亜鉛成分抽出処理と、硫酸水溶液により亜鉛成分を逆抽出する亜鉛成分逆抽出処理と、硫酸亜鉛水溶液を水溶液電解する硫酸亜鉛水溶液電解処理と、該亜鉛成分抽出処理で得られる塩酸水溶液のうちの一部の塩酸水溶液を精製する塩酸精製処理及び塩化水素ガスを気化させる塩化水素気化処理、又は該亜鉛成分抽出処理で得られる塩酸水溶液のうちの一部の塩酸水溶液を気化させ、塩化水素を精製する塩化水素気化精製処理とを有し、該塩酸水溶液のうちの他部、該酸性抽出剤を含有する有機溶媒、及び該硫酸水溶液を循環使用する高純度多結晶シリコンの製造方法。 （もっと読む）

【課題】利用価値の高い高温の媒体で排熱回収するとともに、反応炉の壁からの不純物を抑制することができる多結晶シリコン製造装置を提供する。
【解決手段】反応炉１内にシリコン化合物を含む原料ガスを供給するとともに、反応炉１内のシリコン芯棒４に通電して発熱させ、シリコン芯棒４の表面に多結晶シリコンを析出させロッドとして成長させる多結晶シリコン製造装置であって、反応炉１のベルジャ３は周壁３１を冷却するジャケット構造を備えており、空間部３ａ内に冷媒として水と水蒸気との沸騰二相流を流通させる。 （もっと読む）

【課題】高純度のケイ素を収集したり、二酸化炭素量を効果的に削減させたりする。
【解決手段】酸化マグネシウム、酸化カリウム又は酸化カルシウムなどの第１の酸化物と二酸化炭素又は一酸化ケイ素などの第２の酸化物との混合物又は化合物に対してレーザを照射することによって、前記第１又は第２の酸化物から酸素を脱理させる。 （もっと読む）

【課題】シリコン加工プロセスで発生し、シリコンスラッジ中のシリコン粉の安定的な高純度化が図れ、バッチ間でのシリコン粉の均一な高純度化も可能なシリコンスラッジの洗浄方法を提供する。
【解決手段】シリコン加工プロセスで生じたシリコンスラッジ中のシリコン粉の酸素濃度を測定し、その値から洗浄槽内の全シリコン粉のＳｉＯ_２膜の総重量を求め、さらに全ＳｉＯ_２膜の除去に必要な最小のＨＦ量を算出し、この値以上のＨＦ量のＨＦ洗浄液を洗浄槽に投入しＨＦ洗浄する。よって、シリコン加工プロセスで発生し、バッチでＨＦ洗浄されるシリコンスラッジ中のシリコン粉の安定的な高純度化が図れる。また、バッチ間にわたるシリコン粉の均一純度化も実現できる。 （もっと読む）

【課題】切削加工を行なうことなくシリコン原料から筒状シリコン結晶体を製造することを可能とする、筒状シリコン結晶体製造方法とその製造方法で製造する筒状シリコン結晶体を提供する。
【解決手段】シリコンよりも熱膨張係数が小さく、融点が高い材質で形成された融液貯留容器と、シリコンよりも熱膨張係数が大きく、融点が高い材質で形成された中子を使用する。前記融液貯留容器の内面及び前記中子の外面に窒化珪素（Ｓｉ_３Ｎ_４）を塗布し、前記中子を前記融液貯留容器の内部に配置する。そして、前記融液貯留容器の内面と前記中子の外面とで形成された空隙にシリコン融液を充填し、前記シリコン融液の溌液性を維持しながら、前記融液貯留容器の底面側から上側へ温度勾配を設け、前記シリコン融液を固化させる。 （もっと読む）

【課題】トリクロロシランを含むシリコン原料を精製する方法を提供する。
【解決手段】先ず、不純物蒸気および他のクロロシランまたはシランを含む液体のシリコン原料をシリコン原料の沸点より低い温度の下で海綿状金属充填物１０７を有する第１の回転充填層１００に通過させることにより、不純物蒸気および他のクロロシランまたはシランを液体のシリコン原料から分離する。次に、液体のシリコン原料を第２の回転充填層２００に導入し、酸素２０４も導入することにより、沸点が高く、不純物を含むシロキサン複合体を形成する。最後に、分留により、シリコン原料から不純物を含むシロキサン複合体を除去する。 （もっと読む）

【課題】 シリコン融液及び多結晶シリコンインゴットへの不純物汚染を十分に防止することができる能力を有し、かつ、離型性に優れた、低コストの多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器、及びそのような角形シリカ容器を製造する方法を提供する。
【解決手段】 シリコン融液を収容した後凝固して多結晶シリコンインゴットを製造するための角形シリカ容器であって、該角形シリカ容器は、少なくとも多孔質シリカ基体からなるものであり、前記多孔質シリカ基体は、かさ密度が１．８０〜２．１０ｇ／ｃｍ^３であり、Ａｌ濃度が５〜５００ｗｔ．ｐｐｍであり、ＯＨ基濃度が５〜５００ｗｔ．ｐｐｍであり、前記多孔質シリカ基体の内表面部分の少なくとも一部に、前記多結晶シリコンインゴットの離型を促進する離型促進剤が含有されているものである多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器、及びこのような角形シリカ容器を製造する方法。 （もっと読む）

【課題】不純物汚染を十分に抑制しながら、低コストで、生産性良く気相成長を行うことができる気相成長装置及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】気相成長装置１０の反応チャンバー１２内に配設されたサセプタ１７のウェーハＷの載置面が、原料ガスから生成された厚さ６〜２０μｍのポリシリコン膜で被覆され、かつ、前記気相成長装置１０を構成する部材のうち前記反応チャンバー１２内に露出した金属部材の表面が、原料ガスから生成された反応副生成物からなる膜で被覆された反応チャンバーを具備する気相成長装置とする。 （もっと読む）

【課題】成長初期に発現させるデンドライト結晶の成長方向、配列、配置、分布を制御可能であり、高品質・高均質なＳｉ多結晶インゴットを製造することができるＳｉ多結晶インゴットの製造装置、Ｓｉ多結晶インゴットおよびＳｉ多結晶ウェハーを提供する。
【解決手段】ルツボ１内に入れたＳｉ融液２の底部付近または表面付近の局所領域２ａの過冷却度を変えることにより、融液温度が高い領域から融液温度の低い局所領域２ａに向けてデンドライト結晶３を複数発現させたり、融液温度の低い局所領域２ａから融液温度が高い領域に向けてデンドライト結晶３を複数発現させたりすることができるよう、Ｓｉ融液２の底部付近または表面付近に、融液温度が低く大きな過冷却度を有する線状、点状、円状、円周状、円弧状またはそれらのうちの複数を組み合わせた形状よりなる局所領域２ａを形成可能である。 （もっと読む）

【課題】表面形状不良やソリがないように多結晶シリコンを析出することが容易な多結晶シリコン還元炉を提供すること。
【解決手段】密閉された反応炉の炉台１１に、立設された複数のシリコン芯棒１３と、原料ガスを供給する導入口１５と、反応後のガスを排気する排気口１６を有し、シリコン芯棒が、下記の条件（１）から（３）のうちの少なくとも１つを満たすように配置されている。（１）シリコン芯棒と隣接配置された導入口が２箇所である場合、該２箇所の導入口の各中心と前記シリコン芯棒の中心とのなす角度が、１３５°以上。（２）Ｎ箇所（Ｎ≧３）である場合、該Ｎ箇所のうちの２箇所の導入口と前記シリコン芯棒とのなす角度が、１６０°以上。（３）Ｎ箇所（Ｎ≧３）である場合、該Ｎ箇所のうちの互いに隣り合う２箇所の導入口と前記シリコン芯棒とのなす角度が、すべての組み合わせで２４０／Ｎ°以上４８０／Ｎ°以下。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、効率的に、高い品質のシリコン結晶を製造できる方法を提供することにある。
【解決手段】シリコン原料１０を電磁鋳造炉（ＥＭＣ炉）２０内に投入するに先立って、該シリコン原料１０を加熱によって溶解してシリコン溶解物１１とし、該シリコン溶解物１１を前記電磁鋳造炉２０内に投入する工程を備えるシリコン結晶の製造方法であって、前記シリコン原料１０をプラズマ照射３０により加熱することで前記シリコン溶解物１１を形成し、温度により炉内投入量の制御が可能な搬送管４０を通じて、該シリコン溶解物１１を前記電磁鋳造炉２０内へ投入することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い熱効率で供給ガスを加熱するとともに、熱効率を損なうことなく装置の大型化を図ることができ、大量生産を可能にするトリクロロシラン製造装置を提供する。
【解決手段】反応室１０１内に上下方向に沿って設けられ原料ガスを加熱する複数のヒータ２０と、ヒータ２０に接続された複数の通電用電極部２３とを備え、通電用電極部２３は、反応室１０１の底板１３上に突出配置される柱部２４と、柱部２４の上端部に水平方向に沿って設けられ上面にヒータ２０の基端部が電気接続状態に固定される受板部２５とを有しており、受板部２５が隣接状態に配置されることにより反応室１０１の下部にガス導入室１０１ａが区画形成され、反応室１０１を囲む筒状壁体１１Ａにガス導入室１０１ａに原料ガスを案内するガス導入口１１ｂが形成され、受板部２５間の隙間がガス導入室１０１ａに導入された原料ガスを流通させるガス流通路１０２とされる。 （もっと読む）