【課題】四塩化ケイ素を亜鉛によって還元し、高純度シリコンを製造する亜鉛還元法シリコン製造において副生する反応排ガスを適正に処理・回収する処理装置を提供することを課題とした。
【解決手段】本発明は、亜鉛還元法によるシリコン製造に於ける生成排ガスの処理において、該生成排ガスを塩化亜鉛水溶液を循環した塔の上部から導入して吸収させるガス吸収溶解機構、該塩化亜鉛水溶液の循環機構、該生成排ガスを吸収した塩化亜鉛水溶液の濾過機構、該生成排ガスを吸収した塩化亜鉛水溶液の濃度調整機構、並びに前記処理を行った塩化亜鉛水溶液の保持機構を有する排ガスの処理装置である。 （もっと読む）

【課題】超高純度を有しながら微細で粒状がそろったシリコンを最小のエネルギーで高効率に更に多量に得ることの出来るシリコン製造装置を提供することを課題とした。
【解決手段】本発明は高純度シリコン微粉末の製造装置において（１）金属亜鉛を亜鉛の沸点以上に加熱蒸発して亜鉛ガスを供給する機構と（２）該亜鉛ガス中に液状の四塩化ケイ素を供給する機構と、（３）前記亜鉛ガスと前記四塩化ケイ素を混合攪拌して反応させシリコン粒子を含む反応ガスを生成する機構と、（４）前記反応ガスの温度を３００℃〜８００℃に下げて生成したシリコン粒子を成長させると共にガス成分の一部と共に沈殿する機構と（５）前記沈殿物を保持すると共に、該沈殿物を９５０℃以上に加温し、蒸発物を揮散して、固体シリコンを得る機構（６）と、前記蒸発物を含み、未反応ガス等を含む排ガスを系外に排出する排ガス機構を含んでなることを特徴とする高純度シリコン微粉末の製造装置である。 （もっと読む）

【課題】カーボンヒータ等の加熱源を用いることなくシリコン芯線を均一に加熱することにより、シリコン芯線への初期通電の電圧を低くすることを可能とする技術の提供。
【解決手段】シリコン芯線の初期加熱用排ガス導入ライン３０が、各反応炉の排ガスラインと原料ガス供給ラインに接続されている。シリコン芯線の初期加熱用排ガス導入ライン３０から、ガスノズル３を通して、反応中の他の反応炉からの排ガスの一部を炉内に供給し、シリコン芯線５に電流が効率的に流れる電気抵抗となるように、シリコン芯線５を３００℃以上の温度に初期加熱する。続いて、金属電極２から、芯線ホルダ２０を介してシリコン芯線５に電流を供給してシリコン芯線５を９００℃〜１３００℃に加熱する。そして、水素ガスとともにトリクロロシランガスを原料ガスとして低流量で供給し、多結晶シリコンの気相成長を開始する。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンを所望の大きさの塊に破砕するとともに、歯の一部に欠けや摩耗等が生じた場合に、その歯のみを交換可能とする。
【解決手段】平行な軸心回りに互いに逆回転する一対のロール間に塊状の多結晶シリコンを挟み込んで破砕する多結晶シリコンの破砕装置であって、ロールの外周面上に、複数の破砕歯５とこれら破砕歯５をロールの外周面上に固定する固定カバー１１とを有する破砕歯ユニット８がロールの周方向に並んで複数設けられており、破砕歯５は、その基端部に拡径したつば部１４が形成され、固定カバー１１は、ロールの長手方向に沿う短冊状に形成されるとともに、厚さ方向に貫通する破砕歯固定孔２１が長手方向に並んで複数形成され、破砕歯５の先端部を破砕歯固定孔２１からロールの半径方向外方に突出させつば部１４をロールとの間に挟持した状態でロールに固定されている。 （もっと読む）

【課題】ヒータの劣化を防止しつつポリマーの処理量を多くする。
【解決手段】分解炉２に、分解炉２の内部を加熱する加熱手段１１と、分解炉２の内底部を除き内部空間を内側空間と外側空間とに二分する上下方向に沿う中心管体３と、中心管体３の内側空間又は外側空間のいずれか一方の空間にポリマー及び塩化水素を供給する原料供給管４と、他方の空間から反応後のガスを導出する反応ガス導出管６とが設けられ、加熱手段１１は、分解炉２の高さ方向の複数箇所で炉本体７の周囲を囲む複数の筒状ヒータ１２〜１５を有し、分解炉２の内部空間の高さ方向の複数箇所の温度を検出する内部温度検出センサ１６〜１９の検出結果に基づき筒状ヒータ１２〜１５の出力を制御するとともに筒状ヒータ１２〜１５の温度検出する外部温度検出センサ２０〜２３の検出結果に基づき筒状ヒータ１２〜１５の出力又は原料の供給を制御する制御部２４とを有する。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンを所望の大きさの塊に破砕するとともに、破砕歯及びロール外表面からの多結晶シリコン塊への不純物のコンタミを防止し、高品質の多結晶シリコンを得ることができる多結晶シリコンの破砕装置を提供する。
【解決手段】平行な軸線周りに互いに逆回転する一対のロール３間に塊状の多結晶シリコンを挟み込んで破砕する多結晶シリコンの破砕装置であって、ロール３の外周面上に超硬合金又はシリコン材によって形成された複数の破砕歯５が半径方向外方に突出して設けられており、ロール３に破砕歯５を挿通させた状態で巻き付けられて、ロール３の外周面を覆う樹脂カバー４５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンの塊が破砕されずに通過してしまうことを防止し、効率的に多結晶シリコンを所望の大きさの塊に破砕することができる多結晶シリコンの破砕装置を提供する。
【解決手段】平行な軸線周りに互いに逆回転する一対のロール３間に塊状の多結晶シリコンを挟み込んで破砕する多結晶シリコンの破砕装置であって、ロール３の外周面上に高さの異なる複数の破砕歯５が半径方向外方に突出して設けられており、高さの高い破砕歯５Ｌと高さの低い破砕歯５Ｓとが少なくともロール３の周方向又は幅方向に交互に設けられるとともに、両ロール３の破砕歯５どうしが最も近接する位置において、高さの高い破砕歯５Ｌと、高さの低い破砕歯５Ｓとの先端どうしが対向するように設けられる。 （もっと読む）

【課題】高い心棒温度、中間貯蔵から堆積までの間での清浄化された心棒の取り扱いによる汚染、及び取り付けられた心棒の表面の不十分な清浄化作用を回避し、かつ上記先行技術を改善すること
【解決手段】反応器中で少なくとも１つの心棒にシリコンを堆積させることによる多結晶シリコン棒の製造方法において、前記シリコンの堆積の前に、ハロゲン化水素を４００〜１０００℃の心棒温度で、少なくとも１つの心棒を有する前記反応器内へ導入し、ＵＶ光を照射し、それによりハロゲンラジカル及び水素ラジカルを生じさせ、生成された揮発性のハロゲン化物及び水素化物を前記反応器から取り除く、多結晶シリコン棒の製造方法 （もっと読む）

【課題】短期間でインゴットの冷却を完了させることができ、切断中にクラックが発生することがない多結晶シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】無底ルツボ１２内に形成されたシリコン融液２１を降下させて凝固させることにより、無底ルツボ１２から多結晶シリコンインゴット２０を連続的に取り出す多結晶シリコンの製造方法において、保温ヒータ１６を用いて１０００℃以上の所定の保温温度に保温されている多結晶シリコンインゴット２０を３００℃以下の所定の開放温度まで降下させて冷却する際、少なくとも６２０℃までは傾きが漸増する第１の冷却パターンを用いて保温ヒータの温度を制御する。 （もっと読む）

【課題】初期溶解時に用いるダミーバーに起因して発生する異物の混入を防止して、歩留りを改善することができる多結晶シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】電磁誘導法による多結晶シリコンの製造方法において、モールド２内のシリコン原料を初期溶解する際に当該シリコン原料を支持するためのダミーバー４として、ダミーバー本体４ａの上面にシリコン５が結合されたダミーバーを使用する。前記ダミーバーとして、鋳造終了後に、インゴットと結合したダミーバーの当該結合部よりも上のインゴットの部分で切断することにより、ダミーバー本体の上面にシリコンを存在させたダミーバー、さらには、これに酸による洗浄等の処理を施したダミーバーを使用する実施形態を採ることとすれば、従来のカーボンダミーバーを使用した場合における窒化ケイ素の異物の混入を抑制し、歩留りの向上等、種々の改善を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】＜１＞高容量と良好なサイクル特性を実現する、＜２＞多孔質体内部でシリコン化合物による導電パスの確保としたリチウムイオン電池用の負極材料に好適な多孔質シリコン複合体粒子を得る。
【解決手段】シリコン微粒子３とシリコン化合物粒子５が接合してなる多孔質シリコン複合体粒子１であって、前記シリコン化合物粒子は、シリコンと、Ａｓ、Ｂａ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｅｒ、Ｆｅ、Ｇｄ、Ｈｆ、Ｌｕ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｄ、Ｎｉ、Ｏｓ、Ｐｒ、Ｐｔ、Ｐｕ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｓｃ、Ｓｍ、Ｓｒ、Ｔａ、Ｔｅ、Ｔｈ、Ｔｉ、Ｔｍ、Ｕ、Ｖ、Ｗ、Ｙ、Ｙｂ、Ｚｒからなる群より選ばれた一つ以上の複合体元素との化合物を含み、前記多孔質シリコン複合体粒子の平均粒径が、０．１μｍ〜１０００μｍであり、多孔質シリコン複合体粒子が、連続した空隙からなる三次元網目構造を有することを特徴とする多孔質シリコン複合体粒子である。 （もっと読む）

【課題】 多結晶シリコンの大量生産が可能であり、組み立て、設置及びメンテナンスが容易で、また、第１ボディ部と第２ボディ部とが互いに分離及び組み立て可能な流動層反応器を提供する。
【解決手段】 ヘッドと、前記ヘッドの下に位置して前記ヘッドと連結され、前記ヘッドの直径より小さな直径を有する第１反応管がその内部に位置する第１ボディ部と、前記第１ボディ部の下に位置して前記第１ボディ部と連結され、前記第１反応管の直径と実質的に同一の直径を有する第２反応管がその内部に位置する第２ボディ部と、前記第２ボディ部と連結された底面部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】真空溶解によるシリコン精製方法において、坩堝上方に配した不純物捕捉装置から不純物凝縮物が落下してシリコン溶湯が汚染するのを防止する。
【課題手段】真空ポンプ１を装備した処理室２内に、シリコン溶湯３を収容する坩堝４と坩堝４を加熱する加熱手段５とを配し、さらにシリコン溶湯の液面から蒸発する不純物蒸気を冷却して凝縮させる不純物凝縮部を有する不純物捕捉装置と、不純物捕捉装置で捕捉した不純物が落下した際に、この不純物を受け止める不純物受止部を有してシリコン溶湯の汚染を防ぐ汚染防止装置とを配置する。 （もっと読む）

【課題】トリクロロシラン（ＴＣＳ）からホウ素化合物を除去するとともに、再利用可能な化合物をＴＣＳに変換して、ジクロロシラン（ＤＣＳ）およびその他の化合物を効果的に再利用する。
【解決手段】本発明は、ホウ素化合物の量を減じたＴＣＳ製造方法に関し、（Ａ）ＴＣＳ含有反応ガスを生成するために、流動床反応器１において冶金級シリコン１１と塩化水素ガス１９とを反応させ、（Ｂ）第１蒸気留分１６と第１蒸留残渣１５とを分離するために、第１蒸留塔３頂部の蒸留温度をＴＣＳの沸点とテトラクロロシランの沸点との間に設定することにより、反応ガスの第１蒸留を実施し、第１蒸気留分を第２蒸留塔４へ供給し、（Ｃ）ＴＣＳ１７と、ホウ素化合物を含有する第２蒸気留分１８とを分離するために、第２蒸留塔頂部の蒸留温度をＤＣＳの沸点とＴＣＳの沸点との間に設定することにより、第２蒸留を実施し、（Ｄ）第２蒸気留分を流動床反応器に再供給する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、スループット、成膜均一性を低下させることなく、電極の接続面へのプロセスガスの回り込みを抑制し、半導体装置の高性能化や信頼性の向上、低コスト化を図ることが可能な半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造装置は、ウェーハwが導入される反応室11と、反応室11にプロセスガスを供給するガス供給機構12と、反応室11よりガスを排出するガス排出機構13と、ウェーハwを載置するウェーハ支持部材15と、ウェーハ支持部材15を載置するリング16と、リング16と接続され、ウェーハwを回転させるための回転駆動制御機構17と、リング16内に設置され、ウェーハwを所定の温度に加熱するために設けられるヒータ18と、ヒータ18と接続され、ねじ込み用凹部19aを有する電極部品19と、ねじ込み用凹部19aで電極部品19と接続されるねじ込み部21aを有する電極21と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 不純物汚染防止及び離型性に優れ、結晶粒の大きさ及び結晶軸方位が揃った多結晶シリコンインゴットを製造することができる、きわめて低コストの多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器を提供する。
【解決手段】 シリコン融液を凝固して多結晶シリコンインゴットを製造するための角形シリカ容器であって、多孔質シリカからなる平行平板状の多孔質シリカ板体を組み合わせて構成されたものであり、少なくとも前記角形シリカ容器の側部をなす前記多孔質シリカ板体における両平行平面の表面部分のかさ密度が、前記角形シリカ容器の内表面部分よりも外表面部分において高く、前記角形シリカ容器の底部をなす前記多孔質シリカ板体の内表面部分は、溝又は穴を所定間隔で複数有しており、前記溝又は穴の側面の少なくとも一部が、鉛直方向に対して１５〜６０°の角度をなす斜面で形成されている多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器。 （もっと読む）

【課題】シリコン細棒の製造における欠点を回避して従来技術を改善する。
【解決手段】シリコン細棒（１）の製造方法であって、ａ）多結晶シリコン製のロッドを準備して、これから前記多結晶シリコン製のロッドに対して縮小された断面積を有する少なくとも２つの細棒（１１，１２）を分離する工程；ｂ）前記分離された少なくとも２つの細棒（１１，１２）を、材料侵食性液状媒体での処理によって清浄化する工程；ｃ）前記清浄化された少なくとも２つの細棒（１１，１２）を溶接して、１つのより長い細棒（１）とする工程；ｄ）前記のより長い細棒（１）をチューブラフィルム（１００）中にパッケージングする工程を含む前記製造方法によって解決される。 （もっと読む）

【課題】高効率な発電パネル用の多結晶シリコンウェーハを提供する。
【解決手段】一辺が１１８ｍｍ以上の四角形である多結晶シリコンウェーハであって、第１乃至第４の外周領域ａ１〜ａ４と、いずれも外周領域にも属さない中央領域ｂとを含み、第１の外周領域ａ１におけるライフタイムは、中央領域ｂにおけるライフタイムよりも短く、第２及び第３の外周領域ａ２，ａ３におけるライフタイムは、中央領域ｂにおけるライフタイムと実質的に等しく、中央領域ｂにおけるライフタイムは、３０μｓ以上である。本発明によれば、多結晶シリコンインゴットの断面をマトリクス状に４分割又は６分割することによって切り出すことができるとともに、ライフタイムが３０μｓ以上である領域を全体の１／３以上とすることができる。これにより、１６％以上の変換効率を確保することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンロッドの製造に用いるシリコンシード等の棒状芯材について、立設部分の芯材の断面を多角形に加工して通電状態および原料ガスの炉内での流れを良好にしたシリコンシードとその加工方法および加工装置を提供する。
【解決手段】多結晶シリコンの製造に用いられ、炉内に逆Ｕ字形に立設されるシリコンシードの製造方法であって、シリコンシードを形成する棒状芯材の外径に対応する溝幅の多角形の溝を外周面に有す回転砥石を用い、断面が角形の棒状芯材の側面に該回転砥石の多角形の溝を押し当てて長手方向に移動させて研削することによって該芯材を多角形断面に加工し、基端部および上端部を除く立設部分の断面が多角形であって、該基端部と該上端部および連結部分の断面が角形であるシリコンシードを製造する方法、およびシリコンシード。 （もっと読む）

【課題】異形ブロックであっても適正な製品加工が可能なシリコンブロックの外形測定方法を提供する。
【解決手段】本発明によるシリコンブロックの外形測定方法は、シリコンインゴットから切り出された略四角柱のシリコンブロックの長手方向と平行な４つの側面を被測定面とし、各被測定面において複数の測定点の座標を求め、複数の測定点の中からシリコンブロックの内側寄りの２点を選択した後、当該２点を通過する直線を各被測定面ごとに求めることにより４本の直線を定義し、４本の直線の交点同士を結ぶことによって得られる２本の対角線のうち短いほうの対角線を基準対角線Ｄ_Ｓとして定めると共に、当該基準対角線の中点Ｏ_２を求め、前記基準対角線Ｄ_Ｓの角度θ_ＤＳと前記基準対角線の中点Ｏ_２に基づいて製品ブロックＳＱの有効範囲の座標及び研削代を求める。 （もっと読む）