【課題】多結晶シリコンの回収時間が短い多結晶シリコンの製造方法を提供すること。
【解決手段】反応炉内で四塩化珪素と亜鉛を反応させて、反応炉内に多結晶シリコンを生成させる第一工程と、９０７〜１２００℃で、該反応炉内に、四塩化珪素のみを供給するか、又は四塩化珪素に対する亜鉛のモル比が、該第一工程でのモル比よりも小さくなる供給量で、四塩化珪素及び亜鉛を供給する第二工程と、を有することを特徴とする多結晶シリコンの製造方法。 （もっと読む）

【課題】転化炉の転化反応ガスからホウ素化合物等の不純物を効果的に除去して高純度のトリクロロシランを製造する。
【解決手段】転化炉２内の反応により得られたトリクロロシランを含む転化反応ガスを蒸留してテトラクロロシランを分離した後、該テトラクロロシランを分離した後の混合流体をポリマーに接触させて反応させ、その反応により生じたホウ素化合物を含む反応流体を蒸留することにより、トリクロロシランを分離精製する。 （もっと読む）

【課題】ソリが少なく横断面形状の真円度も高い良好な形状を有する多結晶シリコン棒を、生産効率を落とすことなく得ることを可能とする技術を提供すること。
【解決手段】多結晶シリコン製造装置が備える反応炉に設けられる原料ガス供給ノズル９と金属電極（電極対）１０は下記の配置関係を満足する。すなわち、円盤状底板５の中央に中心を有する仮想の同心円Ｃ（半径ｃ）は、面積Ｓ₀の底板５の半分の面積Ｓ＝Ｓ₀／２を有している。また、同心円Ａおよび同心円Ｂはそれぞれ、同心円Ｃと中心を同じくする半径ａおよび半径ｂ（ａ＜ｂ＜ｃ）の仮想同心円である。本発明では、電極対１０は上述の仮想の同心円Ｃの内側であって仮想の同心円Ｂの外側に配置され、ガス供給ノズル９は何れも上述の仮想の同心円Ａの内側に配置される。また、同心円Ｂの半径ｂと同心円Ａの半径ａの差は、２０ｃｍ以上で５０ｃｍ以下とされる。 （もっと読む）

【課題】シリコンインゴット中への酸素の溶け込みを抑制可能なシリコンインゴット鋳造用積層ルツボを提供する。
【解決手段】鋳型２の内側に設けられた、５００〜１５００μｍの粗大溶融シリカ砂３１をシリカで結合した外層スタッコ層３０を少なくとも１層含む外層シリカ層３と、外層シリカ層３の内側に設けられた、５０〜３００μｍの微細溶融シリカ砂４１をシリカで結合した内層スタッコ層４０を少なくとも１層含む内層シリカ層４と、を備え、内層シリカ層４の最表面の内層スタッコ層４０’が、平均粒径０．１〜０．０１μｍの水酸化バリウム又は炭酸バリウムを含有することを特徴とするシリコンインゴット鋳造用積層ルツボ１を選択する。 （もっと読む）

【課題】均質なシリコンインゴットを歩留よく鋳造するために、離型性に優れ、かつ、鋳型内面の剥離や脱落を防止することができ、シリコンインゴットのクラック発生も防止することができ、しかも、形成が容易である離型層を備えたシリコン鋳造用鋳型を提供する。
【解決手段】シリコン鋳造用鋳型１の内表面に形成される離型層３を、鋳型１内に充填されるシリコン融液面４ａとの接触部及びそれよりも上部３Ａが、イミド熱分解法により製造された窒化珪素粉末の熱酸化による焼結体からなり、シリコン融液面４ａとの接触部よりも下部３Ｂが、直接窒化法により製造された窒化珪素粉末の熱酸化による焼結体からなるような構成とする。 （もっと読む）

【課題】高品質な多結晶シリコンインゴットを作製する。
【解決手段】坩堝２０の周囲に配置された３ｎ個(ｎは自然数)の抵抗加熱ヒータに３相交流を供給し、３相交流によって生じる回転磁場を作用させつつ、坩堝２０内のシリコンを加熱して溶解させる加熱工程と、上記回転磁場を作用させつつ、坩堝２０の底部から上部に向けて冷却してシリコンを凝固させる冷却工程と備える。 （もっと読む）

【課題】シリコンインゴット中への酸素の溶け込みを低減可能なシリコンインゴット鋳造用積層ルツボを提供する。
【解決手段】シリコン原料を溶解し、鋳造してシリコンインゴットを製造するためのシリコンインゴット鋳造用積層ルツボであって、鋳型２の内側に設けられた内層シリカ層３と、内層シリカ層３の内側に設けられ、０．２〜４．０μｍの窒化ケイ素粉末４１を７５〜９０重量％含有するとともに残部が１０〜６０００ｐｐｍのナトリウムを含有するシリカ６から構成される混合体素地層４０を少なくとも１層含む窒化ケイ素コーティング層４と、窒化ケイ素コーティング層４の表面に設けられたバリウムコーティング層５と、を備えることを特徴とするシリコンインゴット鋳造用積層ルツボ１を選択する。 （もっと読む）

【課題】均質なシリコンインゴットを歩留よく鋳造するために、離型性に優れ、かつ、鋳型内面の剥離や脱落を防止することができ、シリコンインゴットのクラック発生も防止することができ、しかも、形成が容易である離型層を備えたシリコン鋳造用鋳型及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン鋳造用鋳型１の内表面に形成される離型層３を、窒化珪素粉末の熱酸化による焼結体からなる第１の層３Ａと、第１の層３Ａの上に形成されたシリカからなる第２の層３Ｂとにより構成し、かつ、第２の層３Ｂは、鋳型内に充填されるシリコン融液面４ａとの接触部よりも上部にのみ形成する。 （もっと読む）

【課題】シリコンインゴット中への酸素の溶け込みを低減可能なシリコンインゴット鋳造用積層ルツボを提供する。
【解決手段】シリコン原料を溶解し、鋳造してシリコンインゴットを製造するためのシリコンインゴット鋳造用積層ルツボであって、鋳型２の内側に設けられた、５０〜３００μｍの微細溶融シリカ砂３１をシリカ５で結合した内層スタッコ層３０を少なくとも１層含む内層シリカ層３と、内層シリカ層３の内側に設けられ、０．２〜４．０μｍの窒化ケイ素粉末４１を７５〜９０重量％含有するとともに残部が１０〜６０００ｐｐｍのナトリウムを含有するシリカ５から構成される混合体素地層４０を少なくとも１層含む窒化ケイ素コーティング層４と、を備え、窒化ケイ素コーティング層４の最表面の混合体素地層４０’が、平均粒径０．０１〜０．１μｍの水酸化バリウム又は炭酸バリウムを含有するシリコンインゴット鋳造用積層ルツボ１を選択する。 （もっと読む）

【課題】水等の液体と接触しても崩壊しにくく、且つ十分な断熱性能を示す成形体、上記成形体が外被材に収容された被包体、上記成形体の製造方法並びに上記成型体及び／又は被包体を使用した断熱方法を提供する。
【解決手段】シリカを含み、細孔を有しており、細孔径が０．００３μｍ以上１５０μｍ以下である細孔の積算細孔容積Ｖ_{０．００３}に対する、細孔径が０．０５μｍ以上０．５μｍ以下である細孔の積算細孔容積Ｖの割合Ｒが７０％以上であり、細孔径が０．０５μｍ以上１５０μｍ以下である細孔の積算細孔容積Ｖ_０．０５が０．５ｍＬ／ｇ以上２ｍＬ／ｇ以下であり、３０℃における熱伝導率が０．０５Ｗ／ｍ・Ｋ以下である、成形体。 （もっと読む）

【課題】ベルジャ型反応炉の内壁面への胴部の内壁面を流下したポリマーの付着を最小限に抑え、炉内の洗浄を簡略化することができる多結晶シリコン反応炉を提供する。
【解決手段】多結晶シリコン反応炉１０は、シリコン芯棒２０が立設される炉底４０の外周部に、その炉底４０の上面４０ａを隆起させてなる環状段部４０ｅが設けられ、環状段部４０ｅの上面４０ｆと、その上面４０ｆに重ねられて設置される胴部３０の下端部３０ｅの下面３０ｆとの間に、これらを気密に接合するガスケット７０が設けられ、胴部３０の下端部３０ｅの内周部に、環状段部４０ｅの上面４０ｆより下方に延びる突出部３３が周方向に沿って設けられ、突出部３３の半径方向外方に、環状段部４０ｅの上面４０ｆが配置されている。 （もっと読む）

【課題】人工水晶育成時の結晶の成長速度が大幅に向上するとともに、不純物及びインクルージョン含有量の少ない高品質の水晶を低原価で製造することができる人工水晶の製造装置を提供する。
【解決手段】人工水晶育成炉本体容器２１の下部領域２１ｂにおいてアルカリ溶液で溶融した原料水晶３０を、また、該本体容器２１の上部領域２１ａにおいて育成枠８に配設した種子水晶３に原料水晶３０を再結晶させて人工水晶を育成する人工水晶の製造方法及び装置２０において、該種子水晶３を前記容器２１の鉛直線を中心として所定角度傾け、かつ、反時計回り、または時計回りに回転らせん状に配設し、さらに前記種子水晶３を製品用種子水晶と、該製品用種子水晶と異なるカットの種子水晶から構成して、同じ前記人工水晶育成炉本体容器２１内に同時に配置して人工水晶を育成することを特徴とする人工水晶の製造方法及び装置。 （もっと読む）

【課題】反応炉内に形成された多結晶シリコンロッドを、破損させず安全にかつ効率よく搬出する。
【解決手段】１本のシリコンロッドＲを把持する複数のクランプ２０を備えるハンド部１１と、前記ハンド部を回動自在に保持する回動部１２と、前記回動部を助力移動可能に保持するバランサー部１３とを備え、複数の前記クランプは、それぞれ独立して開閉可能であり、立設状態のシリコンロッドを上下方向に並んだ複数の前記クランプで把持して、前記回動部により前記クランプが横方向に並ぶように前記ハンド部を回動させることにより、前記シリコンロッドを横置状態に移動させる多結晶シリコンロッド解体機１０。 （もっと読む）

【課題】粉体の凝集・付着を抑制する球状無機物粉体の製造方法の提供。
【解決手段】金属からなる原料無機物粉体にＨＭＤＳを接触させて処理済原料無機物粉体にする表面処理工程とその処理済原料無機物粉体をキャリヤガスと共に搬送する搬送工程とを有する。その後、溶融法を採用する場合には、搬送された処理済原料無機物粉体を高温火炎中に分散させて加熱溶融する溶融工程と高温火炎中から取り出して冷却凝固させる凝固工程とを有する。そしてＶＭＣ法を採用する場合には、搬送された処理済原料無機物粉体を高温火炎中に分散させて燃焼させる燃焼工程と高温火炎中から取り出して冷却凝固させる凝固工程とを有する。つまり、本発明の球状無機物粉体の製造方法は、ＨＭＤＳにて表面処理を行うことで原料無機物粉体の粉体特性を向上し、粉体間の凝集防止や、粉体が輸送路に付着することを防止している。 （もっと読む）

【課題】炭素や酸素等の不純物を含有するシリコン粉末から、それを放電プラズマ焼結法によって焼結するだけでは達成できない高純度なシリコン材料を得ることができるシリコン製造方法を提供する。
【解決手段】放電プラズマ焼結法によりシリコン粉末を焼結させた後（ステップＳ０２〜ステップＳ０４）、その焼結したシリコン粉末を容器内で溶融させて（ステップＳ１１〜ステップＳ１２）、高純度なシリコン材料の溶融体（例えば、不純物濃度がｐｐｍオーダーの溶融シリコン）を生成する。 （もっと読む）

【課題】シーメンス法による多結晶シリコンの製造に用いられる反応装置の地絡の発生を防止すること。
【解決手段】前バッチ後に次バッチの多結晶シリコンの析出反応の準備を行うに際し、電極回りが十分に清浄化されているか否かの判断基準となる絶縁抵抗値Ｒ₀を設定し（Ｓ１０１）、電極回りの清掃後に、電極とベースプレートとの間の絶縁抵抗測定を行う（Ｓ１０２）。この絶縁抵抗値Ｒを上記基準値Ｒ₀と比較し、ＲがＲ₀以上である場合（Ｓ１０３：Ｙｅｓ）、電極回りが十分に清浄化されていると判断して次の工程（例えば、次バッチの多結晶シリコンの析出反応工程）に移行する（Ｓ１０４）。一方、ＲがＲ₀を下回る場合（Ｓ１０３：Ｎｏ）、電極回りが十分に清浄化されていないと判断し、炉内（特に、電極とベースプレートの間に設けられた絶縁部材）の清掃および乾燥を行う（Ｓ１０５）。そして、ステップＳ１０２に戻り、以降のステップを実施する。 （もっと読む）

【課題】１ｍｍ以上で２０ｍｍ以下の所定の長径を有する中間粒径の粒子を効率的に分級すること。
【解決手段】粒子分級装置１００は、分級容器１１と、分粒対象試料を供給する試料投入部（試料投入ライン）１２と、粗粒回収ライン１３および粗粒回収ボックス１４と、微粒回収ライン１５を備えている。試料投入部（試料投入ライン）１２からは、１ｍｍ以上で２０ｍｍ以下の所定の長径ｄを有する選別対象となる粒子を含む試料が投入される。分級容器１１の内部（分級空間）には、下方から上方に向かう旋回気流が形成されており、分級空間に投入された分粒対象試料は、その粒径により、旋回気流により上方に運ばれるか、若しくは、重力により下方に運ばれるかして、粗粒回収ライン１３と粗粒回収ボックス１４で構成される粗粒選別部に回収されるか、若しくは、微粒選別部としての微粒回収ライン１５へと導かれて回収がなされる。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ溶融析出反応器の下部に配置されるポリシリコン受け容器であって、収容されたポリシリコンに表面変質を生じせしめないポリシリコン受け容器を提供する。
【解決手段】Ｓｉ溶融析出反応器１の下部に配置され、該反応器１の内面から溶融落下したポリシリコンを受けるための受け容器１５であって、該受け容器１５の少なくとも内面に、水分の吸脱湿を防止する表面処理層が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ反応器の電極保持部の封止部の保護を改善すること。
【解決手段】ＣＶＤ反応器の電極保持部と底板との間のスペースを封止する封止材料が、電極を環状に包囲するように配置され一体形であるかまたは複数の部分から成る保護体によって保護され、該保護体の高さが少なくとも局所的に、該電極保持部に向かうほど増大していく構成によって解決される。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンの製造に用いられる反応炉内の電極回りに付着した微粒子の除去作業を簡略化すること。
【解決手段】シリコン芯線１１が炭素製の芯線ホルダ１５に保持され、この芯線ホルダ１５が金属性の電極１０の頂部に保持されている。電極１０はシリコン芯線１１に通電するための電極であって、反応炉の底板部５に設けられた貫通孔を介して反応炉内に挿入されている。カバー１８は、反応炉内に挿入された電極１０の表面のうち、少なくとも、底板部５の近傍部の表面を被覆している。カバー１８は、原料として供給される反応ガスが多結晶シリコンとしてシリコン芯線の上に析出する際に発生する微粒子が、反応炉内において比較的温度の低い部材表面に直接付着するのを防止するためのものである。つまり、微粒子をカバー１８の表面に付着させ、電極１０、絶縁部材１３、或いは、アダプタ１４の表面に直接付着するのを防止している。 （もっと読む）