【課題】多結晶シリコンを収納した容器を洗浄槽との間で円滑かつ確実に搬送することができ、作業効率を向上させて安定した品質を維持できる多結晶シリコン洗浄装置及び洗浄方法を提供する。
【解決手段】多結晶シリコンＳを容器３に収納した状態で洗浄槽２１〜２７に浸漬して洗浄する多結晶シリコンの洗浄装置１であって、洗浄槽２１〜２７の内底部に容器３を載置状態に保持するガイド枠５を有しており、ガイド枠５には上方から容器３の導入を案内する複数のガイド板５２が上方に向かうにしたがってガイド枠５の保持中心から離間する方向に傾斜して設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高温及び減圧の環境下での使用においても、気泡の発生又は膨張が少ない合成シリカガラス製品のための原料に適する、合成非晶質シリカ粉末を提供する。
【解決手段】本発明の合成非晶質シリカ粉末は、造粒されたシリカ粉末に球状化処理を施した後、洗浄し乾燥して得られた平均粒径Ｄ₅₀が１０〜２０００μｍの合成非晶質シリカ粉末であって、ＢＥＴ比表面積を平均粒径から算出した理論比表面積で割った値が１．３５を超え１．７５以下、真密度が２．１０〜２．２０ｇ／ｃｍ³、粒子内空間率が０〜０．０５、円形度が０．５０以上０．７５以下及び未溶解率が０．２５より大きく０．６０以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】放射温度計を用いてシリコンの温度を高精度に安定して測定でき、シリコンの相状態を精度よく判別でき、高品位な製品を製造でき、かつ、操業時間やランニングコストの無駄をなくして生産性を高めることができるシリコン鋳造炉の温度測定機構及びこれを備えたシリコン鋳造炉を提供すること。
【解決手段】シリコンを貯留する坩堝と、前記坩堝を収容する炉と、前記炉内に不活性ガスを供給する供給管４と、を有するシリコン鋳造炉に設けられ、シリコンの温度を測定するシリコン鋳造炉の温度測定機構１であって、シリコンの温度を測定する放射温度計５が、前記供給管４内に配設されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】原料粉体の融点に応じて圧力を調整しつつ、火炎長を適切に保つことができる無機質球状化粒子の製造方法、それに用いる無機質球状化粒子製造用バーナ及び無機質球状化粒子製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の無機質球状化粒子の製造方法は、高圧雰囲気内でバーナによって発生させた火炎にキャリアガスによって原料粉体を投入して無機質球状化粒子を製造する無機質球状化粒子の製造方法であって、原料粉末の融点に応じて高圧雰囲気の圧力を調整するとともに、火炎長をキャリアガスの噴出速度によって調整することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】不純物量が少なく、かつ、不純物量のばらつきが小さいシリコンインゴットを製造することができるシリコンインゴット製造装置を提供する。
【解決手段】坩堝２０の上に載置される蓋５０を有し、蓋５０の平面中心近傍に不活性ガス手段が接続されており、蓋５０は、坩堝２０の側壁２２上端面に載置される載置部５１と、坩堝２０の側壁２２外縁から外側に突出した庇部５２と、厚さ方向に貫通した開口部５３と、を有し、庇部５２は、坩堝２０の側壁２２上端外周縁の１０％以上の領域の外周側に配置され、かつ、側壁２２上端外縁からの突出長さが５０ｍｍ以上とされており、開口部５３は、坩堝２０の側壁２２上端内縁から１００ｍｍ以内の領域に形成されており、開口部５３による坩堝２０の上端内側領域の露出面積の合計が、坩堝２０の上端内側領域全体の面積の１．５％以上１０％以下とされている。 （もっと読む）

【課題】不純物量が少なく、かつ、結晶の成長方向が安定したシリコンインゴットを製造することができるシリコンインゴット製造装置を提供する。
【解決手段】シリコン融液を保持する坩堝と、この坩堝を加熱するヒータと、前記坩堝内に向けて不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、を備えたシリコンインゴット製造装置であって、前記坩堝の上に載置される蓋を有し、前記蓋は、前記坩堝の側壁上面に載置される載置部と、前記坩堝の側壁外縁から外周側に突出した庇部と、厚さ方向に貫通した開口部と、を有し、前記庇部は、前記坩堝の側壁上端の１０％以上の領域の外周側に配設され、かつ、前記側壁上端外縁からの突出長さが５０ｍｍ以上とされており、前記開口部は、前記坩堝の側壁上端面の５０％以上の領域が前記ヒータに対して露出するように配設されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 シリコン融液及び多結晶シリコンインゴットへの不純物汚染を抑制し、かつ、離型性に優れるとともに、きわめて低コストの多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器を提供する。
【解決手段】 シリコン融液を凝固して多結晶シリコンインゴットを製造するための角形シリカ容器であって、多孔質シリカからなる平行平板状の多孔質シリカ板体を組み合わせて構成されたものであり、内側表面部分の少なくとも一部に前記多結晶シリコンインゴットの離型を促進する離型促進剤が含有されているものであり、前記多孔質シリカ板体のかさ密度が、両平行平面の表面部分よりも内部の部分において低い多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器。 （もっと読む）

【課題】酸化珪素粉末を効率的に低コストで製造する方法を提供する。
【解決手段】 二酸化珪素粉末と金属珪素粉末を含む混合原料粉末を、不活性ガス又は減圧下１１００℃〜１４５０℃の温度範囲で加熱して一酸化珪素ガスを発生させ、該一酸化珪素ガスを基体表面に析出させることにより酸化珪素粉末を製造する酸化珪素粉末の製造方法において、前記混合原料粉末を、嵩密度が０．４ｇ／ｃｍ^３以上、安息角が３０°以下の球状粉末とすることを特徴とする酸化珪素粉末の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、無機質原料粉体Ｘの粒径（平均粒度）に依存することなく、所望の粒径とされた無機質球状化粒子を効率よく生成可能な無機質球状化粒子製造用バーナ、無機質球状化粒子製造装置、及び無機質球状化粒子の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】ノズル部２８の先端３３の中央に設けられ、かつキャリアガスに輸送された無機質原料粉体Ｘを輸送する原料粉体輸送孔３４と、原料粉体輸送孔３４に配置された溝幅変更部材３７と、原料粉体輸送孔３４に露出されたノズル部２８の先端３３の面と溝幅変更部材３７の先端部６１との間に設けられた環状の溝であり、かつ燃焼室３１にキャリアガスにより輸送された無機質原料粉体を噴出する原料粉体噴出用溝３９と、を有し、ノズル部２８の先端面３３ａに露出された原料粉体噴出用溝３９の幅Ｅを変更可能な構成とした。 （もっと読む）

【課題】シリコン塊又はシリコンウエハの切断又は研磨によって排出される廃スラリー又はその濃縮分に含まれる、炭素系不純物が付着したシリコン屑を精製してシリコンを回収する方法および装置の提供。
【解決手段】炭素系不純物が付着したシリコン屑を精製してシリコンを回収する方法において、該方法は、シリコン屑からシリコン屑に付着した不純物を剥離する剥離工程と、シリコン屑と剥離した不純物とを分離する分離工程とを有しており、剥離工程において、シリコン屑に超音波を照射することにより、シリコン屑から不純物を剥離させ、しかる後、分離工程において、超音波処理されたシリコン屑と剥離した不純物とを分離することを特徴とするシリコンの回収方法、および超音波発生手段を備えた剥離装置と分離装置とからなる回収装置。 （もっと読む）

【課題】 シリコン膜の結晶成長の速度を速くする技術を提供する。
【解決手段】 気相成長装置１０は、気相成長室３６と、加熱室８と、混合室３８と、トリクロロシランガスを貯蔵する第１貯蔵庫４２と、塩酸ガスと反応するシラン系ガスを貯蔵する第２貯蔵庫４０を備えている。加熱室８は、第１貯蔵庫４２と混合室３８に連通しており、トリクロロシランガスを加熱した後に混合室３８に供給している。混合室３８は、第２貯蔵庫４０と気相成長室３６に連通しており、加熱室８から供給されたガスとシラン系ガスを混合させて、その混合ガス３４を気相成長室３６に供給している。加熱室８の室内温度は、混合室３８の室内温度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】 シリコン融液及び多結晶シリコンインゴットへの不純物汚染を抑制し、かつ、離型性に優れるとともに、きわめて低コストの多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器を提供する。
【解決手段】 シリコン融液を凝固して多結晶シリコンインゴットを製造するための角形シリカ容器であって、多孔質シリカからなる平行平板状の多孔質シリカ板体を組み合わせて構成されたものであり、前記多孔質シリカ板体のかさ密度が、両平行平面の表面部分よりも内部の部分において低い多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器。 （もっと読む）

【課題】アーク炉に抵抗加熱炉などを併設しないでアーク炉のみで回収シリコンくずを加熱、融解することができ、回収シリコンくずに印加する電圧も400V以下で稼動することができ、高電圧を使用するような大きな設備を要しない回収シリコンくずの融解方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る回収シリコンくずの融解方法は、回収されたシリコンくずをアーク炉により融解する回収シリコンくずの融解方法であって、該アーク炉の電極間電圧を40〜400Vに保持するとともに、電極を導電材に接触させた状態で通電し、該導電材の昇温に伴って発生するアーク放電により前記シリコンくずが加熱され、アーク放電及び電極間電流が安定したのち通常のアーク炉操業に移行することによって実施される。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンの加工工程で発生するシリコン廃材を精製することなくリサイクル原料として使用して、一定の品質の多結晶シリコンを製造する。
【解決手段】多結晶シリコンの製造では、鋳造された多結晶シリコンインゴット１から切り出されたシリコン廃材であるボトム材１ｂ又は鋳肌材２ｂの最表面部位に存在する高濃度不純物領域を研削により除去した後、これらのシリコン廃材をリサイクル原料として使用する。上記多結晶シリコンインゴットを鋳造時には、リサイクル原料と天然原料からなるバージン原料とを含み且つバージン原料のほうがリサイクル原料よりも高い比率で配合された混合原料を用いる。 （もっと読む）

【課題】保持部材内面に容易に離型材層を形成でき、また、使用途中には離型材層が保持部材内面から剥離落下し難くて優れた離型性を発揮し、しかも、シリコン保持作業の終了後には保持部材内面から劣化した離型材層を剥離させ、新たな離型材層を形成することにより、容易に再生できる溶融シリコンの保持部材を提供する。
【解決手段】溶融シリコンを保持するための黒鉛製保持部材であって、保持部材の少なくとも溶融シリコンと接する部分には、離型材層として、窒化珪素粉末と熱硬化性フェノール樹脂との混合離型材を酸化雰囲気中２００〜３００℃の条件で熱硬化焼成させて得られた混合材料焼成層が形成されている溶融シリコンの保持部材である。 （もっと読む）

【課題】生産性を低下させることなく、金属塩化物起因の重金属汚染やシリコン粉の発生を抑制し得る多結晶シリコンの製造技術を提供すること。
【解決手段】本発明に係る多結晶シリコン製造用反応炉は、底板１に、シリコン芯線５を保持する少なくとも一対の芯線ホルダ８と、原料ガスを供給するノズル３ａが少なくとも１つ設けられており、このノズル３ａのガス吹出部が、芯線ホルダ８の上端を基準として所定の高さに設けられている構成を有している。例えば、多結晶シリコンの析出反応開始後、シリコン棒の径がおよそ８０ｍｍを超える程度になった時点で、ノズル３ａから供給するガス組成の切り替えを行い、相対的に低い温度のガスをノズル３ａから供給する。ガス温度が高くなり易くガス滞留も生じ易い領域を効率的に冷却することで、炉内の温度分布の均一化を図り、金属塩化物起因の重金属汚染やシリコン粉の発生を抑制する。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコン体を縦断加工するまでの作業者の作業負担を軽減することができる結晶シリコン製造設備用の搬送設備を提供すること。
【解決手段】直線状の移動経路Ｌの一方側部分Ｌ１が位置する一方側空間Ｚ１と、他方側部分Ｌ２が位置する他方側空間Ｚ２とが、搬送車１の通過用開口４が形成された仕切壁３にて仕切られて互いに隣接して配置され、多結晶シリコン体を鋳造する複数の多結晶炉Ｒが一方側部分Ｌ１に沿って設置され、多結晶炉Ｒにて鋳造された多結晶シリコン体を角柱状に縦断加工する複数の加工機Ｋが、他方側部分Ｌ２に沿って設置され、多結晶シリコン体を搬送自在な搬送車１が、多結晶シリコン体を仕切壁３を通過させて搬送するように構成されている結晶シリコン製造設備用の搬送設備。 （もっと読む）

【課題】ポリマーが熱により変質することを抑制してポリマーの表面に好適に成膜できる成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】超臨界流体に酸化剤のオゾンガスと酸化物用原料のＴＥＯＳとを供給し、構造体１及びその周囲を２００℃の温度で加熱することによって、酸化物であるＳｉＯ₂を生成させ、このＳｉＯ₂によって構造体１のマイクロ流路３の内壁全面（従ってポリマーであるＰＤＭＳ膜９の表面）に酸化物層５であるＳｉＯ₂層を形成する。これにより、従来に比べて低い温度で酸化物層５を形成できるので、ポリマーが変質する等の問題が生じないという顕著な効果を奏する。また、ポリマー表面を隙間無く覆う様に酸化物層５を形成できるので、親水性やガス透過防止性を高めることができるという利点もある。 （もっと読む）

【課題】ホウ素化合物量を低減した多結晶シリコンの製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】本発明においては、トリクロロシラン（ＴＣＳ）タンク２ａと一連の蒸留ユニット４〜６とを接続するトリクロロシラン（ＴＣＳ）ライン２２においてＡｒガスを供給する。蒸留ユニット４〜６は、圧力変換器４ｅ〜６ｅと、蒸留ユニット４〜６からのベントガスを排出する排気ライン２６上に位置づけられた圧力独立制御弁（ＰＩＣ−Ｖ）４ｆ〜６ｆとを有する。Ａｒガスは、ＰＩＣ−Ｖ４ｆ〜６ｆを開放するよう設定された圧力より高い圧力を有するＴＣＳライン２２へと供給される。ベントガスを蒸留ユニット４〜６から連続的に排出しつつ、ＴＣＳは蒸留ユニット４〜６により蒸留される。 （もっと読む）

【課題】原料のルツボ内への供給時における金属の持ち込みを極力少なくすることができる多結晶シリコンの鋳造方法を提供する。
【解決手段】無底の冷却ルツボを用い、電磁誘導により多結晶シリコンを連続的に鋳造する多結晶シリコンの鋳造方法であって、原料として、高純度シリコンの粒径が０．６ｍｍ〜３ｍｍの原料と粒径が３ｍｍを超え４０ｍｍ以下の原料を全原料の７０〜１００質量％として混合し、かつ両者の混合比を比較した場合に、粒径が０．６ｍｍ〜３ｍｍのものが０〜４０質量％、粒径が３ｍｍを超え４０ｍｍ以下のものが１００〜６０質量％である高純度シリコンを使用する。これにより、重金属による汚染が少なく、良好な変換効率を維持できる太陽電池の基板材としての多結晶シリコンを、簡素で小型の原料供給配管を採用した電磁鋳造装置を使用して容易に製造することができる。 （もっと読む）