【課題】高純度かつ高品質な合成石英粉の製造方法、並びに該合成石英粉を溶融してなる、泡が極めて少ないガラス成形体を提供する。
【解決手段】平均粒径１０〜５００μｍのシリカゲルを、１０００℃以上で１０〜５０時間、酸素含有雰囲気中で加熱処理して製造する合成石英粉の製造方法において、該酸素含有雰囲気中での加熱処理後、得られた合成石英粉にヘリウムガスを接触させることを特徴とする合成石英粉の製造方法および該製造方法により製造された合成石英粉を溶融し成型して得られることを特徴とするガラス成型体。 （もっと読む）

粒状多結晶シリコンの充填物により搬送される不溶性ガスの量を制御するプロセスを提供する。当該プロセスは、（ｉ）供給コンテナを粒状多結晶シリコンで充填する工程と、（ii）シリコンの融点付近の温度、約１バール（約１００ｋＰａ）の圧力で、溶融シリコンに対する溶解度少なくとも約５×１０^１３原子／ｃｍ^３を有する、モル分率少なくとも０．９のガスを含む雰囲気を上記供給コンテナ内で形成する工程と、（iii）上記充填された供給コンテナ内の圧力を低減する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】クラックや割れ、さらには着色（黒化）のない真球状のシリカ粒子を製造する方法を提供する。
【解決手段】非加水分解基を有するアルコキシシランを加水分解、重縮合させてポリオルガノシロキサン粒子を作製し、これを焼成してシリカ粒子を製造するシリカ粒子の製造方法であって、焼成雰囲気中の酸素濃度を１〜１５％に維持しながら焼成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】装置全体を簡素化することができ、安価でシリコンを生成することができるシリコン製造装置の提供。
【解決手段】本発明のポリシリコン製造装置は、反応管１０と、反応管１０を加熱する加熱炉２０と、反応管１０内に亜鉛を供給する亜鉛供給管３０と、亜鉛供給管３０内に亜鉛を投入する亜鉛投入部４０と、反応管１０内に珪素化合物を供給する珪素化合物供給管５０と、を備え、亜鉛供給管３０の連結部３０ｂ及び加熱部３０ａは、加熱炉２０の加熱領域α内に設けられている。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理において、粒子状形成物が、表面にダメージ（表面欠陥）を与えられても修復され、プラズマエネルギー付加後の急冷により粒子状形成物がアモルファス、多結晶に形成されることがなく、また、粒子状形成物の形成の際や、粒子状形成物の捕集の際にも、粒子状形成物が凝集や集合体となってしまうことがなく、粒状性、結晶性に優れた粒子を製造する粒子製造方法を提供する。
【解決手段】原料前駆体粒子をキャリアガス２により反応部へ導入し、前記反応部にてプラズマエネルギー、及び熱エネルギーをこの順に付与して粒子を製造する。 （もっと読む）

【課題】高純度シリコンの新規で安価な製造方法、特に太陽電池用原料として好適に用いられる高純度シリコンの新規で安価な製造方法を提供する。
【解決手段】下式（１）で表されるハロゲン化珪素を下式（２）で表されるアルミニウムサブハライドで還元することを特徴とするシリコンの製造方法。
ＳｉＨ_nＸ_4-n： （１）
ＡｌＨ_mＸ_3-p-m： （２）
（式中、ｎは、０または１〜３の整数であり、ｍは０または１であり、ｍが０のときｐは１または２、ｍが１のときｐは１であり、Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩからなる群から選ばれた１種または２種以上のハロゲン原子である。） （もっと読む）

【解決手段】少なくとも二酸化珪素粉末を含む混合原料粉末を不活性ガスもしくは減圧下１，１００〜１，６００℃の温度範囲で加熱し、一酸化珪素ガスを発生させ、該一酸化珪素ガスを１，０００℃以下の基体表面に析出させる一酸化珪素の製造方法に用いられる一酸化珪素の製造装置において、１，１００〜１，６００℃の一酸化珪素ガスが接触する構成部材（但し、該析出基体を除く）をＣ／Ｃコンポジット材で構成したことを特徴とする一酸化珪素の製造装置。
【効果】本発明の一酸化珪素の製造装置によれば、高純度な一酸化珪素を効率的かつ安定的に製造することができ、かつ、大型化も容易であり、工業的規模の生産にも十分に応えられるものである。 （もっと読む）

【課題】スクリーン印刷のような低コストプロセスが適用可能で、かつ高いセル効率を得ることができる、低価格の板状シリコン、その製造方法、下地板および太陽電池を提供する。
【解決手段】シリコン融液に下地板１を接触させて、該下地板表面上にシリコン結晶を成長させるための下地板の加工部材であって、凹凸形状部３を下地板上に形成可能な刃７を有する直線加工部材６を用いて、下地板１の頂部表面を６０°の角度を付けられた２つの直線状に切削することにより、凹凸形状部を形成することができる。例えば、互いに６０度の角をなす２方向（α１，β１方向）への直線状加工を行うことで作製した下地板１の凸部４の形状は四角錐となり、前記２方向（α１，β１）と互いに６０度の角をなす方向（γ１）にも直線状加工を施すことで、六角錐形状の凸部４を持つ下地板１が作製可能である。 （もっと読む）

【課題】エネルギ効率の良い、しかも作業環境の悪化や歩留まりの低下のない金属珪素の製造装置を提供する。
【解決手段】炉内へ供給した原料の珪石を加熱溶融し、還元材で還元して、ＳｉＯ_２から金属珪素を生成させるようにした金属珪素の製造装置において、炉体にバーナを下向きで取付け、該バーナに珪石の粉状物を気体搬送により供給するようにし、該バーナを下向きで燃焼させつつその火炎中に該珪石の粉状物を下向きで供給して溶融するようにした。 （もっと読む）

【課題】シリコンを効率的に製造する方法、特に太陽電池の製造に適したシリコンを効率的に製造する方法を提供すること。具体的には、ハロゲン化シランの金属による還元反応において、高い反応率を示す多結晶シリコンの製造方法を提供すること。
【解決手段】下式（１）で示されるハロゲン化シランを金属により還元するシリコンの製造方法であって、金属の融点未満の温度Ｔ１において、金属の粒子とハロゲン化シランとを接触させてシリコンを得る第一工程と、第一工程の後に、金属の融点以上の温度Ｔ２において、金属の残存物とハロゲン化シランとを接触させてさらにシリコンを得る第二工程と、を備える。
ＳｉＨ_nＸ_4-n （１）
[式中、ｎは０〜３の整数；Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選択された原子
をそれぞれ示す。ｎが０〜２の時、Ｘは互いに同一でも異なっていてもよい。] （もっと読む）

【課題】 太陽電池級の高純度ケイ素を効率良く得る。太陽電池材料用のケイ素を安価に製造する。
【解決手段】処理槽２内にケイ素溶湯Ｓを入れる。ローレンツ力によりケイ素溶湯Ｓを攪拌しつつ、処理ガス吹込み管22を通してケイ素溶湯Ｓ中に処理ガスを吹込む。 （もっと読む）

【課題】緻密で良好なシリコン膜を形成することが可能なシリコン膜の形成方法を提供する。
【解決手段】シラン化合物を含む溶液を調整（Ｓ１０１）したのち、基体の上にシラン化合物を含む溶液を用いて塗布膜を形成（Ｓ１０２）し、この塗布膜を熱処理（Ｓ１０３）したのち、加圧処理（Ｓ１０４）することにより、シリコン膜を形成する。これにより、塗布膜中のシラン化合物が分解され、ケイ素原子とケイ素原子との結合およびケイ素原子とケイ素原子以外の原子との結合を解裂し、ケイ素原子とケイ素原子との結合が再構築される。 （もっと読む）

【課題】良好な生産効率を維持し、装置規模を削減し、コストを低減できる薄板製造装置および薄板製造方法を提供する。
【解決手段】薄板製造装置２０００は、浸漬機構１５００と、脱着機構と、チャンバー１１００とを備えている。浸漬機構１５００は、融液１１０２に下地板Ｓの表面を浸漬し、下地板Ｓの表面に融液１１０２が凝固した薄板Ｐを形成するためのものである。脱着機構は、下地板Ｓを浸漬機構１５００に脱着するためのものである。チャンバー１１００は、浸漬機構１５００および脱着機構が内部に配置されている。チャンバー１１００は、下地板Ｓをチャンバー１１００の外部から内部に搬入するための第１の開口部１２０１と、下地板Ｓをチャンバー１１００の内部から外部へ搬出するための第２の開口部１３０１とを有している。第１および第２の開口部１２０１、１３０１がチャンバー１１００の内部の雰囲気ガスと大気との境界になるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥が少なく拡散不純物のない、高品質かつ高均質なＳｉバルク多結晶インゴットを高歩留まりで製造できる、Ｓｉバルク多結晶インゴットの製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ融液２を入れたルツボ１内において、ルツボ１の上部から冷媒をＳｉ融液２の表面に近づける、または冷媒をＳｉ融液２中に挿入することにより、Ｓi融液２の上面を局所的に冷却して、Ｓｉ融液２の表面近傍にデンドライト結晶３を生成させ、その後適切な温度分布を保ったまま冷却を行い、デンドライト結晶３の下面を新たな成長面として上部から下部へＳｉバルク結晶を成長させる。デンドライト結晶を融液上部に発現させ、デンドライト結晶の下面を新たな成長面として結晶成長を行うため、Ｓｉバルク多結晶の面方位を、特定の面方位に限定できる。 （もっと読む）

【課題】従来よりも簡易に、低温で、かつ短時間で粉末およびバルク体の金属ケイ素化物を製造することができる金属ケイ素化物の製造方法を提供することにある。
【解決手段】不活性ガス雰囲気の反応容器中で、Ｎａの融液または蒸気を付加した状態で、金属とＳｉとを加熱する。金属およびＳｉは、それぞれ単独の粉末を混合したもの、それぞれ単独の粉末を混合し圧縮成形したもの、金属のバルク体の上にＳｉの粉末またはバルク体を接触させたもの、金属のバルク体または粉体、およびＳｉのバルク体または粉体を同一Ｎａ融液に浸したもののうち、いずれか一種類である。金属は、Ｆｅ、Ｍｇ、Ｃｒ、Ｍｏから選択される一種類の金属、もしくはそれを主構成金属とする合金であり、得られる主たる金属ケイ素化物は、β−ＦｅＳｉ_２、Ｍｇ_２Ｓｉ、ＣｒＳｉ_２またはＭｏＳｉ_２である。更に、加熱温度は、５００℃以上、１２００℃以下である。 （もっと読む）

シリコンが溶媒金属から結晶化される、シリコンを精製するための方法が開示される。当該方法は、シリコン、溶媒金属、および不純物を含有する溶融液を提供するステップと、第１のシリコン結晶および第１の母液を形成するように溶融液を冷却するステップと、第１の母液から第１のシリコン結晶を分離するステップと、第１のシリコン結晶を、第１の母液を溶解させる化合物と接触させるステップと、洗浄液から洗浄された結晶を分離するステップとを含む。
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光起電力電池および他の用途のシリコンを鋳造するための方法および装置が提供される。これらの方法により、鋳造時に種結晶材料の断面積を増やすように結晶成長が制御される炭素分が低いインゴットを成長させることができる。
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【課題】高い安定した正摩擦帯電性を有する金属酸化物粒子の提供。
【解決手段】 一般式（Ｉ）で表される基で修飾される金属酸化物である。
−Ｏ_１＋ｎ−Ｓｉ（ＯＲ^１）_２−ｎ−Ｒ^２−ＮＲ^３_２ 一般式（Ｉ）
式中、ｎは０、１、又は２であり、Ｒ^１は、水素原子、炭化水素基、又はアセチル基であり、Ｒ^２は、置換基を有していてもよい、炭化水素基、アリール基、又は炭化水素オキシ基であり、Ｒ^３は、水素原子、又は置換基を有していてもよい、炭化水素基、若しくはアリール基、又は炭化水素オキシ基であり、Ｒ^４は、Ｒ^１と同様であり、Ｔ^１基とＴ^２基のＮＭＲの信号強度の合計のＴ基の合計強度Ｔ^１＋Ｔ^２＋Ｔ^３に対する割合は、少なくとも２０％であり、Ｔ基は以下の通りに定義される。
【化９】


Ｒは、所望の有機基であり、Ｒ^１は上記定義の通り又は水素原子である。 （もっと読む）

【課題】球状結晶の製造において、単一サイズの球状結晶を効率良く生産すると同時に、結晶性の高い球状結晶を作製する方法を提供する。
【解決手段】球状結晶９を作製するための原料を溶融坩堝１において加熱して溶融し、所定の圧力を溶融坩堝１内の融液８上面にかけながら、原料の融液８の液流を坩堝１の底部に設けたノズル１２の穴より吐出させ、落下管５中を落下させながら冷却させ凝固させる球状結晶の製造方法において、ノズル１２の穴の下の落下管５中で不活性ガスを一定の周期で間歇的に噴出して、吐出された溶融液流８１を細断して、単一サイズの球状結晶９とする。 （もっと読む）

本発明は、冶金学および／または化学に関し、特に、気体状四フッ化ケイ素、および気体状四フッ化ケイ素から多結晶シリコンを製造するための方法および設備に関する。ケイフッ化水素酸溶液から四フッ化ケイ素を製造する方法は、酸抽出物の発生、抽出物洗浄、抽出物乾燥および抽出物分解、および分離されていない気体状四フッ化ケイ素およびフッ化水素流を二酸化ケイ素を通してバブリングすることを含む。シリコン製造方法は、気体状四フッ化ケイ素をマグネシウム蒸気と相互作用させ、続いて最終製品を分離することを含む。本発明により、高純度のシリコンを製造すること、最終製品の収率を増加させること、製造の環境保全性を改良すること、シリコンの製造方法を簡素化すること、および最終製品の素原価を下げることができる。
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