【課題】シリコン加工プロセスから発生したシリコンスラッジの再利用が図れ、シリコン系太陽電池用原料の低コスト化、脱酸素化によるシリコンの高純度化も図れるシリコン系太陽電池用原料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン加工プロセスからのシリコンスラッジを、純水または超純水への分散後に沈降分離し、次に上澄み液の除去後、沈降したシリコンスラッジを乾燥しさらに焼結用原料として造粒する。焼結用原料をチョクラルスキー方式のシリコン単結晶成長装置のルツボに投入し、まずこれを完全乾燥させ、その後、焼結用原料を焼結する。この原料を用いて太陽電池用基板を得る。 （もっと読む）

【課題】 衝突流体によるシリコンシートの形成が開示される。
【解決手段】 結晶体を形成するための技術が概して開示される。結晶体を形成するための例示的システム、装置、または方法は、溶融結晶材料を収容するためのるつぼと、端部に種を収容するための支持体であって溶融結晶から種結晶を引き上げる引張り方向の並進移動軸に沿って移動可能であることにより成長経路に沿って結晶体の成長を開始させる支持体と、を含むことができる。別の例は、流体源に結合されるように構成された１つまたは複数のノズルであって、溶融結晶が成長経路に沿って引張り方向に引き上げられるにつれて結晶体を成形するための成長経路に対し相対的に配置された複数のノズルを含むことができる。 （もっと読む）

本発明は、半導体材料からなる型上に半導体材料の物品を製造する方法および、光電池の製造に有用であろう半導体材料の物品などの、それにより形成された半導体材料物品に関する。
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【課題】太陽電池に用いる電極として利用可能な新たな半導体電極、半導体電極を用いた太陽電池、及び半導体電極の製造方法を提供する。
【解決手段】太陽電池１は、半導体電極１０と、対向電極２０と、電解質３０と、封止材４０とを有する。半導体電極１０は、光透過性を有し、光が入射する入射面１１ａを有する。対向電極２０は、半導体電極１０に対向して配設される。電解質３０は、半導体電極１０と対向電極２０との間の空間に配設される。封止材４０は、空間に配設される電解質３０を封止する。半導体電極１０は、透明電極１２を有する。透明電極１２は、光透過性を有し入射面１１ａを有する基板１１において、入射面１１ａの反対の表面に配設される。透明電極１２は、基板１１が接合される表面の反対面に金属酸化物層１３が配設される。金属酸化物層１３は、金属酸化物の微粒子１４と、ケイ素微粒子１５とを含む。 （もっと読む）

【課題】生産性を向上させてコスト低減を図った多結晶シリコン製造装置を提供する。
【解決手段】反応容器２内に配置したカーボン製芯材１６を通電加熱し、その表面に原料ガスの反応により多結晶シリコンＳを析出させる多結晶シリコン製造装置であって、芯材１６は、断面が扁平に形成されるとともに、多結晶シリコンＳを析出させる平面が上下方向に沿って配置され、芯材１６の下方に、芯材１６から落下する多結晶シリコンＳを受け取る受け取り手段が設けられ、受け取り手段には反応容器２と隔離可能な多結晶シリコン搬出用チャンバ４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】少なくとも坩堝本体と出湯口と保温蓋とを有する坩堝を用いて溶融物を形成して精製する際に、再凝固した固着物による出湯口の閉塞などの問題を防止することができるように設計された坩堝、および該坩堝を用いた精製装置と精製方法とを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の坩堝の第１の態様は、底面部と側面部とからなり上部に収納口を開口した凹部を有する坩堝本体と、側面部に開口した出湯口と、収納口上に配置可能な保温蓋を備えた坩堝であって、保温蓋は第１開口部を備え、保温蓋を収納口上に配置した状態の鉛直投影面において、収納口の外周から第１開口部までの距離が、出湯口の凹部側開口から第１開口部までの距離よりも大きい部分を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】溶融状態においてリアルタイムでの不純物濃度の検出を可能とするシリコン溶融装置および該装置を用いたシリコン精製装置、精製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のシリコン溶融装置は、溶融シリコンを保持する坩堝を備えた第１チャンバと、開閉可能な部材を介して第１チャンバと連結された第２チャンバと、第１チャンバ内部および第２チャンバ内部を移動可能な回転冷却体とを具備し、上記第２チャンバ内部に、回転冷却体の少なくとも一部を溶融シリコンに浸漬することにより形成された凝固シリコンに含まれる不純物濃度を検知する機構を有していることを特徴とする。 （もっと読む）

【解決手段】
０．０１重量％未満の総鉱物性不純物と選択的に決定された炭素：シリコンの比率を含む、シリコン、炭化ケイ素および窒化ケイ素などのシリコン含有生成物。その生成物は、少なくとも３重量％のシリカを含む、籾殻および稲藁などの植物に由来する。制御された温度、圧力および反応時間の下、固定炭素：シリカのモル比を調節しながら、シリコン含有植物を硫酸水溶液で浸出して鉱物および金属を除去し、次いで、制御された条件下、熱的に処理して所望の生成物を生産することを特徴とする、そのような高純度のシリコン含有生成物を作るための方法が提供される。 （もっと読む）

【解決手段】不純物を含むシリコンを加熱溶融し、溶融状態のシリコン中にＳｉＦ₄を含む気体を吹き込むことにより、又は不純物を含むシリコンとフラックスとをそれぞれが溶融するよう加熱溶融し、溶融状体のシリコンとフラックスとを接触させた後、このシリコン及びフラックスを含む融液中にＳｉＦ₄を含む気体を吹き込むことにより、シリコン中の不純物を低減することを特徴とする高純度シリコンの製造方法。
【効果】本発明によれば、シリコン中の不純物、特にＢ、さらにＡｌ、Ｔｉをも１つの工程で同時に低減することができる。さらに不純物精製操作前後におけるシリコンの減少量が極めて小さく、高い収率を維持できる。また、一般的な大気開放炉を使用するため、高真空雰囲気も必要とせず、設備投資額を大幅に低減できる。この結果、極めて安価にＢ、Ａｌ、Ｔｉ等の不純物が低減されたシリコンを得ることができる。 （もっと読む）

１つの実施形態では、本発明の方法は、少なくとも１種のシリコン源ガス及びポリシリコンシリコンシードを反応区域に供給するステップ；反応区域内で、少なくとも１種のシリコン源ガスの熱分解の反応平衡に実質的に到達して元素シリコンが生成するように少なくとも１種のシリコン源ガスをその反応区域内で十分な温度と滞留時間に維持するステップ（その少なくとも１種のシリコン源ガスの分解は、以下の化学反応：４ＨＳｉＣｌ_３←→Ｓｉ＋３ＳｉＣｌ_４＋２Ｈ_２で進行するものであり、十分な温度は、約６００℃〜約１０００℃の温度範囲である）；及びｃ）ポリシリコンシリコンシードに元素シリコンが蒸着されて被覆粒子が生成するようにその反応区域中に十分な量のポリシリコンシリコンシードを維持するステップ；を包含している。 （もっと読む）

【解決課題】亜鉛還元法により製造された後に反応装置外に取り出された多結晶シリコンから、高純度の多結晶シリコンインゴットを製造する方法を提供すること。
【解決手段】水蒸気を含有するアルゴンガスを雰囲気に供給しながら、１０^−１Ｐａ以下の圧力下、１４１０〜１６００℃で、亜鉛還元法により製造された多結晶シリコンを溶融させ、溶融シリコンを得る溶融工程と、該溶融シリコンを、下から上に順に冷却して結晶化させ、多結晶シリコンインゴットを得る冷却工程と、を有することを特徴とする多結晶シリコンインゴットの製造方法。 （もっと読む）

【解決課題】亜鉛還元法により製造された樹枝状、針状又は板状の多結晶シリコンの溶融時間を短縮することができる多結晶シリコンの溶融方法を提供すること。
【解決手段】溶融容器に、亜鉛還元法により製造された樹枝状、針状又は板状の多結晶シリコンと、シリコンインゴットを砕いて得た塊状シリコンと、を充填し、次いで、充填物を１４１０〜１６００℃で加熱して、該充填物を溶融させることを特徴とする多結晶シリコンの溶融方法。 （もっと読む）

【課題】シリコンの精製効率を大幅に向上することによって、シリコンの精製を低コストで行なうことが可能なシリコンの精製装置およびシリコン精製方法を提供する。
【解決手段】内部圧力を低減可能な減圧容器と、耐熱性容器と、耐熱性容器を加熱するための加熱装置とを含む処理室を複数具備し、複数の処理室が、減圧状態で溶融シリコンからリンを除去する脱リン処理装置、または偏析により溶融シリコンから金属を除去する脱メタル処理装置に選択的に切替可能に設置されているシリコン精製装置とその装置を用いたシリコン精製方法である。 （もっと読む）

【課題】防波機構を融液液面と離面しないように設けることにより、液面に生じる揺れの程度を減ずる多結晶体または単結晶体の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】原料融液４０１、４０３を貯留する第１の耐熱性容器３と第２の耐熱性容器２とを備え、第２の耐熱性容器２中の原料融液４０１を第１の耐熱性容器３中に供給する製造装置であって、第１の耐熱性容器３中の原料融液４０３の液面と離面しないように第１の耐熱性容器３中に防波機構３０１を設ける。 （もっと読む）

【課題】 低品位の金属シリコンから冶金精錬法より太陽電池用高純度化シリコンを製造するに当たり、設備費用、エネルギーコストの低減及び原料シリコンの歩留り向上を図ると共に、品質が安定であり、かつ生産性の高い高純度シリコンの製造法を提供することを目的とする。
【解決手段】 金属シリコンを溶解する溶融炉において、溶融状態の金属溶融シリコンに不活性ガス、酸性性ガスや還元性ガスを処理ガスして吹き込むにあたり、微細な空孔構造を保有したセラミク分散板を通して微細な気泡として吹き込むことにより、不純物の気化・分離を促進させて金属シリコンの高純度化を効率的に行う。 （もっと読む）

【課題】 クロロシラン類を使用するクローズド系の運転開始に際して行う洗浄作業を効率化して、運転開始に伴うコストの引き下げを可能とするクローズド系の洗浄方法を提供する。
【解決手段】 クロロシラン類を使用し且つ外気から遮断されたクローズト系の運転開始前に当該クローズド系内へクロロシラン類を充填するに当たり、クローズド系内を乾燥した不活性ガスで加圧置換する。加圧置換操作完了から１時間以上経過した時点の系内ガスの露点が−２０℃以下であることを確認した後に、クローズド系内へのクロロシラン類の充填を開始する。 （もっと読む）

【課題】ケイ素微粒子の可視光領域における発光強度を高める。
【解決手段】ケイ素微粒子発光体の製造方法は、不活性雰囲気下においてケイ素源と炭素源を含む混合物を焼成する工程と、不活性雰囲気から生成ガスを抜き出し急冷してケイ素微粒子を含む混合粉体を得る工程と、前記混合粉体を不活性雰囲気下１０００〜１１００℃で熱処理する工程と、前記熱処理後の混合粉体をフッ酸および酸化剤を含むエッチング溶液に浸漬してエッチングする工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体の凝固方法を提供する。
【解決手段】ドーパントを含む第一の半導体チャージ１２０から溶融半導体１０３のバスを形成する段階と、溶融半導体１０３の凝固段階とを含み、更に、ドーパントを含む補充半導体チャージ１２０を溶融半導体１０３のバスに添加する一つ以上の段階を、凝固中に実施することを含む。補充半導体チャージ１２０は固体状または液体状である。また、電子アクセプタードーパントはホウ素原子であり、電子ドナードーパントはリン原子である。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー型プロセスで好適に使用される多結晶シリコン片のサイズ分布を形成するための多結晶シリコン加工物の処理方法を提供する。
【解決手段】回転インデント分級機は外周縁に沿って複数の凹部を有するディスク又はシリンダーを備えている。シリンダーの外周縁に沿った凹部は、シリンダーの一方の端部から他方の端部へ大きさが増大し、ディスクの外周縁に沿った凹部を有するディスクは、混合物が最も小さい凹部を最初に通過して凹部のサイズが増大する順に凹部を通過するように配列されている。凹部は、ディスク又はシリンダーの外周縁から内側に向かってのび、凹部は、所定のサイズ又はそれ以下のシリコン片を捕捉し、所定のサイズより大きいサイズのシリコン片を排除する大きさとされている。 （もっと読む）

【課題】プラズマ拡散現象を最小化してシリコンナノ粒子の粒度及び品質を向上させることができるＩＣＰを用いたシリコンナノ粒子製造装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るシリコンナノ粒子製造装置は、外壁にＩＣＰコイルが巻き取られており、内部にクォーツチューブが挿入されたクォーツリアクタを含み、シリコンナノ粒子形成のためのシランガスなどの１次ガス及びシリコンナノ粒子の表面反応のための水素、ボロン化合物ガスなどの２次ガスがアルゴンガスと共に前記クォーツチューブの内側及び外側に分離供給されるようにする。 （もっと読む）