【課題】 シリコン融液及び多結晶シリコンインゴットへの不純物汚染を抑制し、かつ、離型性に優れるとともに、きわめて低コストの多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器を提供する。
【解決手段】 シリコン融液を凝固して多結晶シリコンインゴットを製造するための角形シリカ容器であって、多孔質シリカからなる平行平板状の多孔質シリカ板体を組み合わせて構成されたものであり、前記多孔質シリカ板体のかさ密度が、両平行平面の表面部分よりも内部の部分において低い多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器。 （もっと読む）

【課題】アーク炉に抵抗加熱炉などを併設しないでアーク炉のみで回収シリコンくずを加熱、融解することができ、回収シリコンくずに印加する電圧も400V以下で稼動することができ、高電圧を使用するような大きな設備を要しない回収シリコンくずの融解方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る回収シリコンくずの融解方法は、回収されたシリコンくずをアーク炉により融解する回収シリコンくずの融解方法であって、該アーク炉の電極間電圧を40〜400Vに保持するとともに、電極を導電材に接触させた状態で通電し、該導電材の昇温に伴って発生するアーク放電により前記シリコンくずが加熱され、アーク放電及び電極間電流が安定したのち通常のアーク炉操業に移行することによって実施される。 （もっと読む）

【解決手段】不純物を含むフラックスを加熱溶融し、フラックス中にハロゲンガスを含む処理気体を吹き込むことにより、フラックス中の不純物を低減することを特徴とするフラックスの不純物除去方法。
【効果】本発明によれば、冶金的手法による太陽電池用等の高純度シリコンの製造に用いるフラックス中の不純物、特にホウ素、リンを効果的に低減することができる。この結果、極めて安価にホウ素、リン等が低減されたフラックスを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】鋳造中にプラズマアークの失火が発生するのを低減することができるシリコンインゴットの電磁鋳造方法を提供する。
【解決手段】導電性を有する無底冷却ルツボ７にシリコン原料１２を投入し、無底冷却ルツボ７を囲繞する誘導コイル８から電磁誘導加熱するとともに、プラズマトーチ１４から不活性ガスを噴出しつつプラズマアークを発生させてプラズマ加熱することによりシリコン原料を融解させ、この溶融シリコン１３を無底冷却ルツボ７から引き下げながら凝固させてシリコンインゴット３を鋳造するシリコンインゴットの電磁鋳造方法において、プラズマトーチ１４と溶融シリコン１３との間隔Ｚを、シリコン原料を投入する高さＺｔの１／２以上とすることを特徴とするシリコンインゴットの電磁鋳造方法である。 （もっと読む）

【解決手段】不純物を含むフラックスを加熱溶融し、この溶融フラックス中に水蒸気及び酸素のいずれか一方又は両方を含む気体を吹き込むことにより、フラックス中の不純物を低減することを特徴とするフラックスの不純物除去方法。
【効果】冶金的手法による太陽電池用高純度Ｓｉの製造に用いるフラックス中の不純物、特にＢを効果的に低減することができる。本発明により得られたフラックスは、含有するＢが極めて少量あるいは実質的に含有しない。従って、これを冶金的手法による太陽電池用高純度Ｓｉの製造に用いることで、Ｓｉ中のＢを容易、迅速、かつ多量に除去することができる。こうしてＢを除去したＳｉに、高真空下、局所高温加熱等によりＰを揮発除去し、更に一方向凝固等により、金属不純物を低減し、極めて安価に純度６Ｎ程度の太陽電池に使用可能な高純度Ｓｉとすることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明では、被表面処理部材の材質および形状を問わず、所望の位置に微細構造体を形成することができる、被表面処理部材の表面処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】被表面処理部材に対する表面処理方法であって、（ａ）被表面処理部材を準備するステップと、（ｂ）シリコン系高分子を含む表面処理剤を調製するステップと、（ｃ）前記被表面処理部材の少なくとも一部に、前記表面処理剤を設置するステップと、（ｄ）触媒を含み、ガス流が存在する環境下において、前記表面処理剤が設置された被表面処理部材を８００℃以上の温度で焼成することにより、ケイ化物の繊維状構造体を形成するステップであって、前記ガス流は、前記被表面処理部材の表面積５０ｍ^２あたり０．０１Ｌ／ｍｉｎ以上の流量で供給されるステップと、を有する表面処理方法。 （もっと読む）

【課題】ホウ素化合物量を低減した多結晶シリコンの製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】本発明においては、トリクロロシラン（ＴＣＳ）タンク２ａと一連の蒸留ユニット４〜６とを接続するトリクロロシラン（ＴＣＳ）ライン２２においてＡｒガスを供給する。蒸留ユニット４〜６は、圧力変換器４ｅ〜６ｅと、蒸留ユニット４〜６からのベントガスを排出する排気ライン２６上に位置づけられた圧力独立制御弁（ＰＩＣ−Ｖ）４ｆ〜６ｆとを有する。Ａｒガスは、ＰＩＣ−Ｖ４ｆ〜６ｆを開放するよう設定された圧力より高い圧力を有するＴＣＳライン２２へと供給される。ベントガスを蒸留ユニット４〜６から連続的に排出しつつ、ＴＣＳは蒸留ユニット４〜６により蒸留される。 （もっと読む）

【課題】シリコン融液が浸み出すことなく、長期に亘って多数回の繰返し使用が可能であり、しかも、搬送中におけるシリコン融液の飛沫の発生を抑制することができるシリコン融液の搬送部材を提供する。
【解決手段】Ｃ／Ｃコンポジット材により一端開口筒体状に形成され、開口側には入口開口が形成されていると共に外周部の平坦側面部には側面方向に向けて開口する出口開口を有し、底面側には入口開口から流入したシリコン融液の流れ方向を出口開口に向けて変える底流案内部を有する方向変更部材と、Ｃ／Ｃコンポジット材により溝状又は筒状に形成された樋部材とを有し、使用時には、樋部材の上方に方向変更部材をその底流案内部が重なり合うように配置し、方向変更部材の入口開口から流入したシリコン融液の流れを樋部材のシリコン融液流れ方向に案内するシリコン融液の搬送部材である。 （もっと読む）

【課題】鋳造されたインゴット中の酸素濃度および炭素濃度を低減することができるシリコンインゴットの電磁鋳造方法を提供する。
【解決手段】シリコンインゴットの鋳造を行う前にチャンバー内の雰囲気を不活性ガス雰囲気に置換するにあたり、置換処理を１回以上行い、置換処理は、チャンバー内の雰囲気を排出してチャンバー内の圧力を所定の真空圧とする真空引き工程Ｓ１と、チャンバー内の圧力を前記真空圧に維持しつつチャンバー内の雰囲気を排出する真空圧維持工程Ｓ２と、チャンバー内に不活性ガスを供給してチャンバー内の圧力を所定の設定圧とする復圧工程Ｓ３と、チャンバー内に不活性ガスを供給するとともにチャンバー内の雰囲気を排出して、チャンバー内の圧力を前記設定圧に維持する設定圧維持工程Ｓ４とを含み、真空圧維持工程Ｓ２および設定圧維持工程Ｓ４でアフターヒーターを空焼きすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】エネルギー効率に優れ、ナノ粒子を低コストで製造可能なナノ粒子の製造方法およびその製造方法に好適なナノ粒子製造装置を提供する。
【解決手段】ナノ粒子の原料となる原料ガスおよび非反応性のプラズマ生成ガスの混合ガスをプラズマ生成手段（１１）に供給しプラズマジェットを生成する工程と、冷却可能な壁面を備え、圧力調整可能な密封可能なチャンバー（１４）の内部を非反応性雰囲気あるいは酸素ガスを含む雰囲気で満たし、プラズマジェットを噴出させ、急冷することによりナノ粒子を生成させる工程とを有することを特徴とするナノ粒子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高い耐腐食性を呈し得ると共に、シリコンを製造する際の反応副生成物や反応用の原料を固体のシリコンとは相状態の全く異なる気体状態に維持しながら機械的に分離することができる簡便な構成の高温用バルブ装置を提供する。
【解決手段】シリコンを生成する反応器１０の下方に配置自在な高温用バルブ装置４０、１４０であって、反応器の内部空間に連通して、反応器において生成されたシリコンを導入自在な第１の管状部材と、第１の管状部材内に配置されたバルブと、反応器からバルブに至る第１の管状部材の一部及びバルブを含む加熱領域を、反応器におけるシリコンの生成に関連する関連物質の沸点以上に加熱自在な加熱器１００と、を備える。 （もっと読む）

【課題】金属珪化物の正方晶の薄膜を常温下で製造できる方法を提供する。
【解決手段】エアロゾル薄膜堆積法を用い、金属珪化物の微粒子をキャリアガスと混合してエアロゾル化したものを、常温減圧下の雰囲気で、ノズルを通じて所定の速度で基板に噴射し、衝撃固化現象を利用して微粒子を基板上に付着させることによって、金属珪化物の薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】基板加熱用ヒータと電極部品との接続部へのプロセスガスの回り込みによる劣化を抑制し、半導体装置の高性能化や信頼性の向上、低コスト化を図ることが可能な半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。
【解決手段】反応室１１にプロセスガスを供給するプロセスガス供給機構１２と、前記反応室より前記プロセスガスを排出するガス排出機構１３と、前記反応室にウェーハＷを載置するウェーハ支持部材１５と、該ウェーハ支持部材を載置するリング１６と、該リングと接続され、前記ウェーハを回転させるための回転駆動制御機構１７と、前記リング内に設置され、前記ウェーハを所定の温度に加熱するために設けられ、平面度０〜０．０１ｍｍの電極接触面１８ｃを有するヒータ１８ａと、該ヒータの前記電極接触面と、平面度０〜０．０１ｍｍの接触面１９ａで接続され、前記ヒータに電力を供給する電極部品１９と、を備える半導体製造装置とする。 （もっと読む）

【課題】カーボンヒータや炉内カーボン部品の寿命を延長して設備費用を削減でき、高品質な結晶半導体を製出可能である結晶半導体の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】チャンバ内に配置された坩堝に貯留した半導体融液を、前記坩堝の底部から冷却して凝固させるとともに結晶半導体を成長させる結晶半導体の製造方法であって、前記チャンバ内の圧力を１０^−４Ｐａ以下に減圧し、該チャンバ内の水分を除去する水分除去工程Ｓ１０と、前記チャンバ内に不活性ガスを導入するガス導入工程Ｓ２０と、前記坩堝内に収容した半導体原料をヒータで加熱し溶解させて前記半導体融液とする溶解工程Ｓ３０と、前記坩堝を底部から冷却して、前記半導体融液を凝固させるとともに結晶半導体を成長させる成長工程Ｓ４０と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高容量と良好なサイクル特性を実現するリチウムイオン二次電池用の負極材料を提供する。
【解決手段】種類の異なる元素Ａと元素Ｄとを含み、前記元素ＡがＳｉ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｇｅ、ＩｎおよびＺｎからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素であり、前記元素ＤがＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｂａ、ランタノイド元素（Ｃｅ、およびＰｍを除く）、Ｈｆ、Ｔａ、ＷおよびＩｒからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素であり、前記元素Ａの単体または固溶体である第１の相と、前記元素Ａと前記元素Ｄとの化合物である第２の相を少なくとも有することを特徴とするナノサイズ粒子と、前記ナノサイズ粒子を負極活物質として含むリチウムイオン二次電池用負極材料である。 （もっと読む）

【課題】高純度を有しながら微細で粒状がそろったシリコンを最小のエネルギーで高効率に、更に、多量に得ることの出来るシリコン製造装置を提供することを課題とした。
【解決手段】本発明は高純度シリコン微細粒子の製造装置において（１）金属亜鉛を亜鉛の沸点以上で加熱蒸発すると共に生成ガスを加熱して１０００℃以上の亜鉛ガスを供給する機構と（２）該亜鉛ガス中に液状の四塩化ケイ素を供給する機構と、（３）前記亜鉛ガスと前記四塩化ケイ素を混合攪拌して反応させシリコン粒子を含む反応ガスを生成する機構と、（４）前記反応ガスの温度を１０００℃以下に下げてガス中に生成したシリコン粒を凝集し成長させる機構と（５）前記成長したシリコン粒を反応ガス中に含むガス物質を塩化亜鉛水溶液と接触させ水溶液中にシリコンを沈殿・回収する沈殿回収機構を含んでなることを特徴とする高純度シリコン微細粒子の製造装置である。 （もっと読む）

【課題】断面形状が正方形のアフターヒーターを具備する電磁鋳造装置で断面形状が長方形のインゴットを製造する場合、インゴットの切断時に発生するクラックやササクレを防止できるシリコンインゴットの電磁鋳造装置および電磁鋳造方法を提供する。
【解決手段】（１）無底冷却モールド２と、誘導コイル１と、インゴット５を徐冷するアフターヒーター４を有し、アフターヒーターの出力制御を、対面する２面のヒーター（例えば、ヒーター１４−１と１４−３）を１対として２対以上のヒーターについて個別に実施できるように構成されている電磁鋳造装置。（２）前記の電磁鋳造装置を用い、アフターヒーターの出力を、２対以上のヒーターについて個別に制御する電磁鋳造方法。アフターヒーターの出力を、インゴットの面内温度のばらつきが１０℃以下になるように制御することとすれば、クラックやササクレの防止に極めて有効である。 （もっと読む）

【課題】放出される光の波長をより選択可能な新たな樹脂材料の製造方法及び樹脂材料を提供する
【解決手段】本発明は、所定の波長の光を吸収して、別の波長の光を放射する波長変換材料を準備する工程Ｓ１と、準備した波長変換材料を樹脂に含有する工程Ｓ２と、を備える樹脂材料の製造方法であって、波長変換材料を準備する工程Ｓ２では、波長変換材料としてナノシリコン微粒子２００を準備する。 （もっと読む）

【課題】短期間でインゴットの冷却を完了させることができ、切断中にクラックが発生することがない多結晶シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】無底ルツボ１２内に形成されたシリコン融液２１を降下させて凝固させることにより、無底ルツボ１２から多結晶シリコンインゴット２０を連続的に取り出す多結晶シリコンの製造方法において、保温ヒータ１６を用いて１０００℃以上の所定の保温温度に保温されている多結晶シリコンインゴット２０を３００℃以下の所定の開放温度まで降下させて冷却する際、少なくとも６２０℃までは傾きが漸増する第１の冷却パターンを用いて保温ヒータの温度を制御する。 （もっと読む）

【課題】 多結晶シリコンの大量生産が可能であり、組み立て、設置及びメンテナンスが容易で、また、第１ボディ部と第２ボディ部とが互いに分離及び組み立て可能な流動層反応器を提供する。
【解決手段】 ヘッドと、前記ヘッドの下に位置して前記ヘッドと連結され、前記ヘッドの直径より小さな直径を有する第１反応管がその内部に位置する第１ボディ部と、前記第１ボディ部の下に位置して前記第１ボディ部と連結され、前記第１反応管の直径と実質的に同一の直径を有する第２反応管がその内部に位置する第２ボディ部と、前記第２ボディ部と連結された底面部と、を含む。 （もっと読む）