【解決手段】不純物としてＰを含有するシリコンとスラグを加熱してそれぞれを溶融し、シリコンとスラグを溶融状態で接触させてシリコン中のＰをスラグに吸収させ、次いでこれらを冷却・固化し、Ｐを吸収させたスラグをシリコンから分離除去する第一工程を少なくとも１回行った後、得られたシリコンを解砕し、これを無機酸を含む水溶液にて処理する第二工程を行うことによりシリコン中に含まれるＰを除去するシリコンの精製方法であって、スラグの組成が、少なくとも１種の塩基性酸化物を含み、この塩基性酸化物と、中性酸化物、酸性酸化物、アルカリ金属ハロゲン化物、及びアルカリ土類金属ハロゲン化物から選ばれる混合物からなり、かつ酸性酸化物を含む場合は、酸性酸化物の含有量が塩基性酸化物の含有量よりも少ない組成であるシリコンの精製方法。
【効果】従来の精製方法よりも安価に効率よくシリコン中のＰを除去することができる。 （もっと読む）

【課題】導電性が高く、かつ放充電時体積変化が抑制されたシリコン二次粒子を提供すること。
【解決手段】５０〜１００ｎｍ粒径のシリコン微粒子を核とし、該核の周囲にアモルファスグラファイトのカーボンシェルが形成された被覆シリコン微粒子が凝集してなる、シリコン二次粒子。このシリコン二次粒子は、５０〜１００ｎｍ粒径のシリコン微粒子０．１〜１．０質量部が１００質量部の純水にコロイド状に浮遊する上澄みを有する溶液を調製し、上澄みに、０．３〜３．０質量部のアニリンを添加し溶解させ、５〜２０質量部の過酸化水素水を添加し、攪拌しながらシリコン微粒子を核としてアニリンを重合させて、周囲にポリアニリンシェルが形成されたシリコン微粒子を製造し、シリコン微粒子を凝集させて二次粒子を製造し、乾燥させた後、６５０〜７５０℃で焼成し、ポリアニリンシェルをカーボンシェルに変性させることによって得ることができる。 （もっと読む）

【課題】対向拡散ＣＶＤにより形成されるシリカ膜を備えたガス分離材の製造方法において、欠陥が存在する多孔質基材を用いても、良好な性能を有するシリカ膜を安定して形成することができるガス分離材の製造方法を提供すること。
【解決手段】多孔質基材１２とシリカ膜とを備えるガス分離材を製造する方法が提供される。該方法は、多孔質基材１２を用意する工程と、前記基材１２の一方の面側１２ａにシリカ源含有ガス２として不活性ガスと共に供給される気化したシリカ源と、該基材１２の他方の面側１２ｂに供給される酸素含有ガス３とを反応させる化学蒸着法によって、該基材１２にシリカ膜２１を形成する工程と、前記シリカ膜２１を形成する工程において排出されるガス組成をガスクロマトグラフィーにてモニタリングすることによって、前記シリカ膜２１の形成の終了点を決定する工程を包含する。 （もっと読む）

【課題】溶融シリコンの異物汚染を抑制できるシリコンインゴットの電磁鋳造方法の提供。
【解決手段】チャンバー１内を真空引きする際、シャッター３０によって無底冷却ルツボ１０の上端開口を遮蔽し、不活性ガス導入管４の遮断弁５を閉にし、通気管２０、真空引き用配管２３の各遮断弁２１、２５を開にした状態で、排気管７の排気ポンプ８を作動させることなく、真空引き用配管２３の真空ポンプ２４を作動させ、その後にチャンバー１内を不活性ガスで満たす際、ガス導入管４の遮断弁５を開に切り換えた状態にし、その後にシリコン原料１４を溶解しながら連続鋳造する際、シャッター３０を退避させてルツボ１０の上端開口を開放し、通気管２０、真空引き用配管２３の各遮断弁２１、２５を閉に切り換えた状態で、排気ポンプ８を作動させ、その後にチャンバー１内でインゴット１９を冷却する際、通気管２０の遮断弁２１を開に切り換えた状態にする。 （もっと読む）

【課題】 残留炭素に起因する黒色粒子のない高純度シリカ粉末を生産性・操作性良く製造し、該粉末を溶融して得られる高純度、且つ、高品質の石英ガラスを提供する。
【解決手段】 テトラメトキシシランを加水分解する際、水／テトラメトキシシラン（モル比）が７以上２０以下であり、反応時の最高温度を４０℃以上６４℃未満に調節し、温度が低下し始めた後に静置し、得られた湿潤シリカゲル体を粉砕した後に乾燥して、該シリカゲル粉末を焼成する。 （もっと読む）

【課題】充放電を繰り返した場合の体積エネルギー密度に優れる非水電解質二次電池用負極合金材料を提供する。
【解決手段】ＴｉＦｅＳｉ合金相、又は、ＴｉＦｅＳｉ_２合金相を含有する合金を用いる。これは、Ｔｉ、Ｆｅ及びＳｉを含有し、これらの原子比をＴｉ：Ｆｅ：Ｓｉ＝ａ：ｂ：ｃ（ａ＋ｂ＋ｃ＝１００）としたとき、ｃ≦６９である合金を含むものである。組成がＴｉＦｅＳｉ_２である合金よりも、組成がＴｉＦｅＳｉである合金の方が、放電容量、サイクル容量維持率共に優れる結果となった。 （もっと読む）

【課題】金属級シリコン材料からボロンおよびその他の不純物を効率的に除去でき、且つ連続的な処理が可能で、且つコンパクトな装置構成で、高純度シリコンの量産が可能なシリコンの精製方法を提供する。
【解決手段】金属級シリコンまたはシリカ粉末１を、２４００℃程度のオゾン含有酸素ガス雰囲気のプラズマ領域８に投入し、前記粉末に含まれるボロンを酸化して気化物として除去し、粉末１ａとして回収し、ボロン除去後の粉末１ａを、還元性雰囲気のプラズマ領域２８に投入し、還元処理により酸素を除去して、シリコン粉末１ｂとして回収し、前記シリコン粉末を加熱して溶湯１ｃとなし、電磁石３５の磁場中に前記溶湯を流すことで、金属不純物元素をトラップして除去する。さらに、金属不純物元素を除去したシリコンの溶湯１ｃを、遠心噴霧によりシリコンの粉末１ｄとなして回収する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、新規な半導体シリコン膜及びそのような半導体シリコン膜を有する半導体デバイス、並びにそれらの製造方法を提供することである。
【解決手段】本発明の半導体シリコン膜（１６０）は、複数の細長シリコン粒子（２２）が短軸方向に隣接してなる半導体シリコン膜である。ここでは、細長シリコン粒子（２２）は、複数のシリコン粒子の焼結体である。また、このような半導体シリコン膜（１６０）を製造する本発明の方法は、第１のシリコン粒子分散体を、基材（１００）上に塗布し、乾燥し、光（２００）を照射して、第１の半導体シリコン膜（１３０）を形成する工程、第２のシリコン粒子分散体を、第１の半導体シリコン膜（１３０）に塗布し、乾燥し、光（２００）を照射する工程を含む。ここで、この方法では、第１のシリコン粒子分散体の第１のシリコン粒子の分散が５ｎｍ^２以上である。 （もっと読む）

【課題】水を還元する能力の大きな低下なしに大気中で容易に扱われ得るアルカリ金属シリサイド組成物を提供する。
【解決手段】アルカリ金属とケイ素とを混合する工程、および、生じる混合物を温度約４７５℃以下に加熱する工程を包含する、アルカリ金属シリサイド組成物の製造方法、およびこの方法により得られる組成物。組成物は乾燥Ｏ_２と反応しない。約１８．２、２８．５、２９．５、３３．７、４１．２、４７．４、および５６．２から選択される２θ角を有する少なくとも三つのピークを含有する粉末Ｘ線回折パターンおよび約１８ｐｐｍにおいて固体状態^２３Ｎａ ＭＡＳ ＮＭＲスペクトルピークを有する。組成物は水と反応して水素ガスを発生させる。 （もっと読む）

【課題】 反応ガスを安定的に供給することができ、シリコン析出の効率を向上することができ、シリコン析出工程時に不純物による多結晶シリコンの汚染を防止することができる流動層反応器を提供する。
【解決手段】 内部にシリコン粒子を含む反応管と、内部の反応ガスチャンネルに沿って前記反応管の内部にシリコン元素を含む反応ガスを供給し、前記反応ガスチャンネルを取り囲むチャンネルを有する反応ガス供給部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ナトリウムを内包したII型のシリコンクラスレートを安定して大量に製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明のシリコンクラスレートの製造方法は、シリコンウエハとＮａとを混合して６５０℃以上の温度で加熱し、ＳｉとＮａとからなる化合物を生成する陽圧加熱処理工程と、生成されたＳｉとＮａとからなる化合物を、１０^−２Ｐａ以下の陰圧下で３００℃以上４５０℃以下の温度により１時間以上加熱する陰圧加熱処理工程とを備えている。Ｎａは、シリコンクラスレートを生成するために用いられるＳｉに対するモル比が１．０よりも大きくなるように供給されることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 連続的に、かつ安定的に多結晶シリコンを製造することができ、生産性を高め、製造原価を下げることができる流動層反応器を提供する。
【解決手段】 内部にシリコン粒子を含む反応管と、前記反応管内のシリコン粒子に流動ガスを供給する流動ガス供給部と、前記反応管で発生されたガスを排出するガス排出部と、前記ガス排出部あるいは前記流動ガス供給部内に装着された圧力センサーと、前記圧力センサーで測定された圧力が基準圧力値以上の場合、前記反応管の内部に形成された多結晶シリコンを外部に排出させる粒子排出口と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 歪みが小さい多結晶シリコン焼結体を、複数枚同時に製造することを可能とする多結晶シリコン焼結体の製造方法を提供すること。
【解決手段】 シリコン粉末および成形助剤の混合粉を成形してなる複数の板状成形体を積層配置すること、前記積層配置した成形体の最上部に荷重をかけること、および前記積層配置し、荷重をかけられた成形体を、非酸化性雰囲気下もしくは還元性雰囲気下で焼成処理することを具備することを特徴とする多結晶シリコン焼結体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】シリコン溶湯の表面に噴射ガスを噴射してＳｉＯｘナノ粉末を大量に生産できる揮発性に優れた高純度ＳｉＯｘナノ粉末の製造方法及びその製造装置について開示する。
【解決手段】本発明にかかるＳｉＯｘナノ粉末の製造装置は、真空チャンバ；前記真空チャンバの内部に装着され、シリコンが装入される黒鉛るつぼ；前記黒鉛るつぼに装入されたシリコンを誘導加熱してシリコン溶湯を形成させる誘導溶融部；前記黒鉛るつぼの内部で前記シリコン溶湯の表面と直接接触するように噴射ガスを噴射するガス噴射部；及び前記黒鉛るつぼと離隔された上部に配置され、前記シリコン溶湯と前記噴射ガスとの反応によって揮発するＳｉＯｘ蒸気を捕集する捕集部；を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い微結晶半導体膜の作製方法を提供することを課題とする。また、電気特性が良好な半導体装置を、生産性高く作製する方法を提供する。
【解決手段】第１の条件により、高い結晶性の混相粒を低い粒密度で有する種結晶を絶縁膜上に形成した後、種結晶上に、第２の条件により混相粒を成長させて混相粒の隙間を埋めるように第１の微結晶半導体膜を形成し、第１の微結晶半導体膜上に、第１の微結晶半導体膜に含まれる混相粒の隙間を広げず、且つ結晶性の高い微結晶半導体膜を成膜する第３の条件で第２の微結晶半導体膜を形成し、第２の微結晶半導体膜上に、第２の微結晶半導体膜に含まれる混相粒の隙間を埋めつつ、結晶成長を促す第４の条件で、第３の微結晶半導体膜を積層形成する。 （もっと読む）

【課題】不純物量が少なく、かつ、不純物量のばらつきが小さいシリコンインゴットを製造することができるシリコンインゴット製造装置を提供する。
【解決手段】坩堝２０の上に載置される蓋５０を有し、蓋５０の平面中心近傍に不活性ガス手段が接続されており、蓋５０は、坩堝２０の側壁２２上端面に載置される載置部５１と、坩堝２０の側壁２２外縁から外側に突出した庇部５２と、厚さ方向に貫通した開口部５３と、を有し、庇部５２は、坩堝２０の側壁２２上端外周縁の１０％以上の領域の外周側に配置され、かつ、側壁２２上端外縁からの突出長さが５０ｍｍ以上とされており、開口部５３は、坩堝２０の側壁２２上端内縁から１００ｍｍ以内の領域に形成されており、開口部５３による坩堝２０の上端内側領域の露出面積の合計が、坩堝２０の上端内側領域全体の面積の１．５％以上１０％以下とされている。 （もっと読む）

【課題】不純物量が少なく、かつ、結晶の成長方向が安定したシリコンインゴットを製造することができるシリコンインゴット製造装置を提供する。
【解決手段】シリコン融液を保持する坩堝と、この坩堝を加熱するヒータと、前記坩堝内に向けて不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、を備えたシリコンインゴット製造装置であって、前記坩堝の上に載置される蓋を有し、前記蓋は、前記坩堝の側壁上面に載置される載置部と、前記坩堝の側壁外縁から外周側に突出した庇部と、厚さ方向に貫通した開口部と、を有し、前記庇部は、前記坩堝の側壁上端の１０％以上の領域の外周側に配設され、かつ、前記側壁上端外縁からの突出長さが５０ｍｍ以上とされており、前記開口部は、前記坩堝の側壁上端面の５０％以上の領域が前記ヒータに対して露出するように配設されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】目的とする組成および粒径の無機化合物粒子を容易に得ることができる無機化合物粒子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】互いに異なる融点を持つ複数の元素を含む合成物である無機化合物粒子の製造方法。前記複数の元素のうち、前記無機化合物の融点以上の融点を有する元素を含む第一原料粒子と、前記無機化合物の融点未満の融点を有する元素を含む第二原料粒子とを含む原材料を、前記両原料粒子を構成する前記元素の状態図上のII領域（液−固相領域）とI領域（固相領域）の共晶温度以上、かつ前記無機化合物の融点未満の温度で加熱することによって、前記第一原料粒子に第二原料粒子の溶融液を含浸させて、前記第一原料粒子内での前記両元素の合成反応により前記無機化合物粒子を得る。 （もっと読む）

【課題】酸化珪素粉末を効率的に低コストで製造する方法を提供する。
【解決手段】 二酸化珪素粉末と金属珪素粉末を含む混合原料粉末を、不活性ガス又は減圧下１１００℃〜１４５０℃の温度範囲で加熱して一酸化珪素ガスを発生させ、該一酸化珪素ガスを基体表面に析出させることにより酸化珪素粉末を製造する酸化珪素粉末の製造方法において、前記混合原料粉末を、嵩密度が０．４ｇ／ｃｍ^３以上、安息角が３０°以下の球状粉末とすることを特徴とする酸化珪素粉末の製造方法。 （もっと読む）

【課題】シリコンスラッジの融液の液面に浮遊するシリコン酸化物系の異物を、短時間で蒸発させて消失可能なシリコン系太陽電池用原料の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン粉が原料の融液から、チョクラルスキー法により多結晶シリコンインゴットを引き上げる前に融液を沸騰させる。これにより、融液の液面に浮遊するシリコン酸化物からなる異物中の酸素が蒸発し、異物が消失する。その結果、チョクラルスキー法で多結晶シリコンインゴットを引き上げる際、インゴットの外周面にシリコン酸化物からなる異物が付着しない。 （もっと読む）