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Fターム[4G072LL03]の内容

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Fターム[4G072LL03]に分類される特許

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【課題】流動層でアルミニウム粉末を珪素化合物ガスとを反応させてシリコンを製造する方法において、流動層内の析出シリコンを効率的に回収することに適したシリコンの製造方法を提供する
【解決手段】アルミニウム粉末を流動化させた流動層反応器に下記一般式(1)で表されるハロゲン化珪素ガスを供給し、アルミニウムの融点未満の反応温度において、アルミニウム粉末によりハロゲン化珪素を還元してシリコンを製造する方法であって、表面にシリコンを析出させるための部材を前記流動層反応器内に設置するシリコンの製造方法。
SiHn4-n 式(1)
(式中、Xは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子および沃素原子から選ばれた1種または2種以上のハロゲン原子を表し、nは0または1〜3の整数を表す。) (もっと読む)


【課題】微細かつ均一な粒径を有する品質の高い、珪素微粒子が炭化珪素に被覆されてなる珪素/炭化珪素複合微粒子を高い生産性で得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の珪素微粒子が炭化珪素で被覆された珪素/炭化珪素複合微粒子の製造方法は、酸化珪素の粉末を、炭素を含む液体状の物質に分散させてスラリーにし、このスラリーを液滴化させて酸素を含まない熱プラズマ炎中に供給して珪素/炭化珪素複合微粒子を得る。 (もっと読む)


【解決課題】亜鉛還元法による多結晶シリコン製造用の反応炉であって、反応炉からの放熱が少ない反応炉を提供すること。
【解決手段】四塩化珪素と亜鉛を反応させて多結晶シリコンを生成させる反応炉であって、円筒形状であり端部につば部を有する反応炉の側壁と、該側壁の端部を塞ぐ蓋と、該側壁のつば部と該蓋との間に挟み込まれるシール部材と、該側壁を加熱するヒーターと、該側壁内の端部近傍に設置される断熱材と、該蓋に付設される不活性ガスの供給管と、を有し、該反応炉の側壁が非石英製であり、該側壁の端部近傍にヒーターの非設置部分が設けられており、該断熱材がヒーターの設置部分より端部側に設置されていることを特徴とする多結晶シリコン製造用の反応炉。 (もっと読む)


【課題】トリクロロシランとメチルジクロロシランの分離を容易化して高純度のトリクロロシランを得ること。
【解決手段】メチルジクロロシランとテトラクロロシランとトリクロロシランとを含む混合物を蒸留して蒸留前混合物よりもメチルジクロロシラン含有率が高い留分を分画し、この分画された留分を加熱してメチルジクロロシランとテトラクロロシランとの間で塩素の再分配を行ってメチルジクロロシランをメチルトリクロロシランに変換する。そして、このメチルトリクロロシランを含む再分配後の留分を蒸留精製して高純度なトリクロロシランを分離する。この方法では、沸点が蒸留精製の対象であるトリクロロシランの沸点(32℃)と近いために除去が困難であったメチルジクロロシラン(沸点41℃)を、テトラクロロシランとの間で塩素の再分配を行うことによりメチルトリクロロシラン(沸点66℃)に変換させることとして除去を容易なものとしている。 (もっと読む)


【課題】SiHClからSiを生成する際の反応効率を向上させる。
【解決手段】HとAr等のキャリアガスをパルス熱プラズマ発生装置であるプラズマ発生部に導入して水素ラジカルを含むプラズマを発生させ、当該プラズマをSiHClと反応させる。HをSiHClと反応させる従来技術で優先的に起こるSiCl生成反応が抑止され、Siを効率よく生成することができる。 (もっと読む)


本発明は、シリコン、特に高純度シリコンの製造方法に関し、(1)シリコン含有粉末、特にシリコンブロックのワイヤーによる切断に由来する粉末、が用意され;(2)シリコン含有粉末はガス流に供給され、ここで、ガスは、金属シリコン粒子を固体状態から液体および/またはガス状態に転換するのに十分に高い温度を有する;(3)シリコン蒸気は任意に凝縮され、液体シリコンは捕集され;ならびに(4)捕集された液体シリコンは、好ましくは鋳型内で、冷却される。 (もっと読む)


【課題】充放電時の体積変化による影響を緩和して、良好な充放電サイクル特性を発現することが可能なリチウムイオン二次電池用負極活物質を提供する。
【解決手段】少なくともシリコンと酸素とを構成元素中に含む物質からなるリチウムイオン二次電池用の負極活物質であって、厚みが30〜500nmであり、かつ、平均長径/厚みの比が10〜100である鱗片状の粉末からなり、酸素含有量が5〜38wt%であるようにした。 (もっと読む)


【課題】電磁鋳造法による連続鋳造の際に、チャンバー内で自然対流する雰囲気ガスに起因して、溶融シリコンが金属不純物で汚染されることを防止できるシリコンインゴットの連続鋳造方法を提供する。
【解決手段】チャンバー1内に配置した無底冷却ルツボ7にシリコン原料11を装入し、誘導コイル8からの電磁誘導加熱によりシリコン原料11を融解させ、この溶融シリコン12を冷却ルツボ7から引き下げながら凝固させてシリコンインゴット3を連続鋳造する方法において、チャンバー1の側壁に冷却ルツボ7の上方と下方で開口する配管15が連結され、冷却ルツボ7の上端とチャンバー1の側壁との間に仕切り板16が設けられており、配管15を通じて冷却ルツボ7の上方の雰囲気ガスを冷却ルツボ7の下方に導入しつつ、冷却ルツボ7の下方から上方に流入する雰囲気ガスの流れを仕切り板16によって遮断しながら鋳造を行う。 (もっと読む)


【課題】金属シリコンと塩化水素との反応によりトリクロロシランを製造するに際し、反応生成ガスからトリクロロシランを凝縮分離した後の排ガスを、効果的に工業的に実施し得る方法を提供する。
【解決手段】金属シリコンに塩化水素を反応させてトリクロロシランを生成せしめる第1の製造プロセスと、金属シリコンにテトラクロロシラン及び水素を反応させてトリクロロシランを生成せしめる第2の製造プロセスとを、互いに独立したプロセスで含み、前記第1の製造プロセスにより得られたトリクロロシランを含む反応生成ガスから、該トリクロロシランを凝縮分離し、トリクロロシランが凝縮分離された後の排ガスを、水素源として第2の製造プロセスに供給することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】多結晶シリコンの製造工程等において発生するクロロシラン類のポリマーを、確実かつ安全に効率よく処理する。
【解決手段】クロロシラン類を含有するポリマーを処理するポリマー処理装置10であって、加水分解の処理水W1を保持する液槽部22と、液槽部22の上部に接続された散水塔24とを有する処理槽20と、処理槽20内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段70と、散水塔24の上部に接続され、下方に向けて開放した開口部40aを有するガス案内塔40と、水封水W2を保持する水封槽50と、を有し、ガス案内塔40の開口部40aが水封水W2中に収容されることにより、処理槽20の散水塔24およびガス案内塔40の内部気体が処理槽20および水封槽50によって水封されるとともに、不活性ガス供給手段70によって処理槽20内に不活性ガスが供給され、処理槽20およびガス案内塔40の内部が陽圧に維持される。 (もっと読む)


【課題】二硫化ケイ素を低エネルギー消費で製造する。
【解決手段】本発明の硫黄変性ケイ素化合物の製造方法は、光重合性のケイ素化合物と環状硫黄を混合した混合物に、光照射処理を行ってケイ素化合物をラジカル化するとともに第1の加熱処理を行って前記環状硫黄をラジカル化し、ラジカル化したケイ素化合物を、ラジカル化した硫黄と結合させる。この硫黄変性ケイ素化合物に不活性雰囲気で第2の加熱処理を行って硫黄変性ケイ素化合物を分解するともに、この硫黄変性ケイ素化合物に含まれるケイ素原子および硫黄原子を結合させる。 (もっと読む)


高品質シリコン材料(例えば、多結晶シリコン) を形成するためのシステム。特定の実施態様において、溶融材料には、シリコン材料及び不純物(例えば、リンの種)が含まれる。システムには、内側領域を備えるるつぼが含まれる。特定の実施態様において、るつぼは、適切な材料(例えば石英材料又は他のもの)でできている。石英材料は、シリコンを処理するために少なくとも摂氏1400度の温度に耐えることができる。特定の実施形態において、るつぼは、直立に配置されて、溶融材料を露出させる開放域を備える。特定の実施形態において、本システムは、エネルギー源を備える。かかるエネルギー源は、アークヒーター又は他の適切な加熱装置であってもよい。これには、複合加熱装置が含まれ、それらは、同じものか異なるものであってもよい。アークヒーターは、開放域より上に構成されて、露出溶融材料とアークヒーター銃口部との間の隙間によって間隔が開いている。露出溶融材料の中心付近内で、規定の温度プロファイルを形成させると共に、溶融材料の外側領域をるつぼの石英材料の融点より低い温度に維持する。システムは、結果としてリン種を0.1ppm以下含む溶融材料を生産する。これが、精製されたシリコンである。 (もっと読む)


【課題】高温及び減圧の環境下での使用においても、気泡の発生又は膨張が少ない合成シリカガラス製品のための原料に適する、合成非晶質シリカ粉末及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の合成非晶質シリカ粉末は、造粒されたシリカ粉末を焼成し、この焼成したシリカ粉末に球状化処理を施した後、洗浄し乾燥して得られた平均粒径D50が10〜2000μmの合成非晶質シリカ粉末であって、BET比表面積を平均粒径D50から算出した理論比表面積で割った値が1.35を超え1.75以下、真密度が2.10〜2.20g/cm3、粒子内空間率が0〜0.05、円形度が0.50以上0.75以下及び球状化率が0.20以上0.55未満であり、炭素濃度が2ppm未満又は塩素濃度が2ppm未満のいずれか一方或いはその双方を満たすことを特徴とする。 (もっと読む)


高純度シリコンを製造するためのプラズマ蒸着装置は、高純度シリコンを蒸着させるチャンバと、少なくとも1つの誘導結合プラズマトーチとをそなえ、チャンバは、その上端を実質的に形成する上部と、上端と下端とを有する1つ又はそれ以上の側部であって、上部が1つ又はそれ以上の側部の上端を実質的に密封的に接合する側部と、チャンバの下端を実質的に形成し、1つ又はそれ以上の側部の下端を実質的に密封的に接合する基部とを含み、少なくとも1つの誘導結合プラズマトーチは、チャンバの上部に配置され、実質的に垂直な位置に向けられて上部から基部に向かう下向きのプラズマフレームを生成し、プラズマフレームが、1つ又はそれ以上の反応剤を反応させて高純度シリコンを生成するための反応区画を形成する。さらに、溶融シリコンを収集する方法も提供する。 (もっと読む)


【課題】粉砕効率が高い、アルミニウムを含むシリコン粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るシリコン粒子の製造方法は、アルミニウムを含むシリコン塊を加熱して600℃以上の温度にする前処理工程と、該シリコン塊を、600℃以上の温度に保持した状態で粉砕してシリコン粒子を得る粉砕工程と、を有する。 (もっと読む)


本発明は、新規なシリコン融液の脱炭法、及びシリコン、好ましくはソーラーシリコン又は半導体シリコンの製造のためのその使用に関する。 (もっと読む)


本発明は、シリコン融液の新規な粗脱炭法、及びシリコン、好ましくはソーラーシリコン又は半導体シリコンの製造のためのその使用に関する。 (もっと読む)


【課題】 酸化珪素の高い電池容量と低い体積膨張率を維持しつつ、初回充放電効率が高く、サイクル特性に優れた非水電解質二次電池用の負極材として有効な活物質としての珪素酸化物の製造方法を提供する。
【解決手段】 非水電解質を用いる二次電池用の負極材に用いられる珪素酸化物の製造方法であって、少なくとも、SiOガスを発生する原料を、不活性ガスの存在下もしくは減圧下で、1,100〜1,600℃の温度範囲で加熱してSiOガスを発生させ、該発生したSiOガスに、還元性ガスを供給して反応させ、該反応によって得られた反応物を回収する事を特徴とする非水電解質二次電池負極材用珪素酸化物の製造方法。 (もっと読む)


【課題】ハロゲン化珪素を金属で還元してシリコンを生成させる反応の反応効率を向上させることができるシリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】反応器の内部で下式(1)で表されるハロゲン化珪素を溶融アルミニウムで還元してシリコンを製造する方法であって、還元時に前記反応器の内部に三塩化アルミニウムを供給する高純度シリコンの製造方法。
SiHn4-n (1)
(式中、nは、0〜3の整数であり、Xは、F、Cl、Br、Iから選ばれた1種または2種以上のハロゲン原子である。) (もっと読む)


【解決課題】亜鉛還元法により多結晶シリコンを製造する際、反応炉の排出管にシリコンが析出して排出管を閉塞することを防止すること。
【解決手段】四塩化珪素蒸気及び亜鉛蒸気を反応炉に供給し、該反応炉から排出ガスを排出して、該反応炉内で四塩化珪素蒸気と亜鉛蒸気の反応を行い、該反応炉内で生成する多結晶シリコンを析出させる多結晶シリコンの製造方法において、該反応炉内の圧力が、多結晶シリコンの製造開始時の圧力に比べ、1〜15kPa上昇したときに、析出物除去部材で、反応炉の排出管内に析出した析出物を、該排出管外に掻き出す析出物除去操作を行うことを特徴とする多結晶シリコン製造用の反応炉の排出管の閉塞防止方法。 (もっと読む)


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