【課題】安定した生産が可能となり、しかも、高純度のシリコンを得ることのできる製造方法を提供する。
【解決手段】酸素の質量分率が５ｐｐｍ以下の金属と下記式（１）で示されるハロゲン化シランとを接触させることにより、前記ハロゲン化シランを還元してシリコンを得る工程を備えるシリコンの製造方法である。
ＳｉＨ_ｎＸ_４−ｎ （１）
［式中、ｎは０〜３の整数；Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選択された原子をそれぞれ示す。ｎが０〜２のとき、Ｘは互いに同一でも異なっていてもよい。］ （もっと読む）

【課題】高温、高圧条件下においても安定的に使用でき、炭化水素の分離、特にオレフィン／パラフィン混合物の分離を行うことが出来る固体シリカ膜、それを用いた炭化水素分離膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
固体シリカ膜は、不飽和炭化水素を選択的に透過させる多孔質であり、一価の炭化水素基を表面に有し、赤外吸収スペクトル測定で得られるシラノール基（Ｓｉ−ＯＨ）の３０００ｃｍ^−１のピーク強度が、シロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）の１５００ｃｍ^−１のピーク強度の１／１０以下である。炭化水素分離膜は、多孔性セラミックス支持体の表面に、上記固体シリカ膜が形成されている。本発明の炭化水素分離膜の製造方法は、酸素及び／又はオゾンと不活性ガスを含む混合ガスと、気化したシリカ源とを用いたＣＶＤ法によって、上記多孔性セラミックス支持体表面の細孔を閉塞するように上記固体シリカ膜を製膜する。 （もっと読む）

一方向凝固炉は、溶融シリコンを保持するための坩堝および坩堝を覆い溶融シリコン上にて囲いを形成するための蓋を含む。また、坩堝は、溶融シリコンの汚染を防止すべく溶融シリコン上に不活性ガスを導入するための蓋の入口を含む。
（もっと読む）

【課題】リチウムイオン電池の性能を改善する複合ケイ素／炭素物質が得られる調製プロセスを提供すること。
【解決手段】炭素コーティングされたケイ素粒子を含む複合ケイ素／炭素物質を調製するためのプロセスであって、次の連続工程が行われる、プロセス：ケイ素粒子を溶媒中にて酸素フリーのポリマーの溶液と混合し、それによってポリマー溶液中のケイ素粒子分散液を得る工程；工程ａ）にて得られた分散液をスプレー乾燥操作に供し、それによってポリマーでコーティングされたケイ素粒子からなる複合ケイ素／ポリマー材料を得る工程；工程ａ）にて得られた物質を熱分解し、それによって炭素コーティングされたケイ素粒子を含む複合ケイ素／炭素物質を得る工程。 （もっと読む）

【課題】シリコンインゴットへの離型剤からの酸素による汚染を回避することができ、しかも離型剤の鋳型への付着性にも優れるシリコン鋳造用鋳型の製造方法、およびこの方法で得られた鋳型を用いるシリコンインゴットの製造方法を提供することである。
【解決手段】内面に窒化珪素焼成膜2を有するシリコン鋳造用鋳型の製造方法であり、鋳型１の内面に、粒径０．１〜６０μｍの窒化珪素粉末と濃度１〜５重量％のポリビニルアルコール水溶液とが重量比で１：１〜２の割合で混合されてなるスラリーを塗布する塗布操作と、その後、該スラリーの沸点未満の温度で乾燥する乾燥操作とを含む塗布・乾燥操作を複数回行って、膜厚１５０〜６００μｍの窒化珪素塗膜を形成した後、該窒化珪素塗膜を７８０〜１７００℃の温度で焼成する。 （もっと読む）

【課題】反応生成物の完全な分離と回収および再利用が、良好な生産性で実現でき、これにより低コストによる量産が可能となる高純度シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】温度を９１０〜１３００℃に維持された容器１と３００〜４００℃に維持された容器２及び０℃以下に維持され且つ出口側に廃ガス処理装置を介して外気に繋がる開口部を有する容器３を直列に結合し、容器１の入口より、高純度の四塩化ケイ素ガス、亜鉛蒸気及び不活性ガスを、１０００〜１２００ｈPaの圧力下で四塩化ケイ素が化学当量比で亜鉛を上回る状態で供給する。これにより系内に亜鉛が存在しない状態を作り、容器１でシリコンを捕集し、容器２で溶融状態の副生塩化亜鉛を微粒シリコンと共に捕集し、容器３で余剰四塩化ケイ素を液体で回収する。容器２の副生塩化亜鉛は、微粒シリコンを回収した後、水溶液電解工程に送られ、亜鉛を回収し、再利用する。 （もっと読む）

【解決手段】不純物を含むシリコンを加熱溶融し、又は不純物を含むシリコンと不純物精製用添加剤を含む固体とをそれぞれが溶融するよう加熱し、溶融状態のシリコン又は上記シリコン及び上記不純物精製用添加剤を含む融液中に不純物精製用気体として窒素原子と水素原子を含む気体を吹き込むことにより、シリコン中の不純物を低減することを特徴とする高純度シリコンの製造方法。
【効果】本発明によれば、金属Ｓｉ中の不純物、特にＢとＰ、さらにＡｌ，Ｃａ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｍｎ等の金属不純物を１つの工程で同時に低減することができる。また、一般的な大気開放炉を使用するため高真空雰囲気も必要とせず、さらに電子ビームやプラズマトーチ等の高価な設備も不要であるため、設備投資額を大幅に低減できる。この結果、極めて安価にＢ，Ｐと共に、Ａｌ，Ｃａ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｍｎ等の不純物が低減された金属Ｓｉを得ることができる。 （もっと読む）

【解決手段】不純物を含むシリコンを加熱溶融し、又は不純物を含むシリコンと不純物精製用添加剤を含む固体とをそれぞれが溶融するよう加熱し、溶融状態のシリコン又は上記シリコン及び上記不純物精製用添加剤を含む融液中に不純物精製用気体として窒素を含む気体を吹き込むことにより、シリコン中の不純物を低減することを特徴とする高純度シリコンの製造方法。
【効果】本発明によれば、金属Ｓｉ中の不純物、特にＢとＰ、さらにＡｌ，Ｃａ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｖ等の金属不純物を１つの工程で同時に低減することができる。また、一般的な大気開放炉を使用するため、高真空雰囲気も必要とせず、さらに、電子ビームやプラズマトーチ等の高価な設備も不要であるため、設備投資額を大幅に低減できる。この結果、極めて安価にＢ，Ｐと共に、Ａｌ，Ｃａ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｖ等の不純物が低減された金属Ｓｉを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】希望する組成を有し、かつ、使用特性に優れ、材料組成の選択により、各種機能を有する高効率の素子、デバイスを実現するのに好適なナノ球状粒子、粉末、工業的利用性を充分に満たす捕集率を実現しえるナノ球状粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】アルゴン不活性ガス雰囲気中で、原料金属の溶融物を高速回転する皿ディスク上に供給し、遠心力を作用させて小滴として飛散させ、ガス雰囲気との接触により急冷して球状粒子とした後、得られた球状粒子に対し、プラズマ旋回流内３１でアルゴンイオン３４と衝突反応させて、原料金属の成分をナノサイズに分解すると同時に反応性のあるガス成分３４又は蒸気成分と接触させるプラズマ反応結晶化処理をする。これにより、１μｍ未満の粒径を有し、真球度２０％以内のナノコンポジット構造を有するナノ球状粒子、粉末が得られる。 （もっと読む）

【課題】高純度のポリシリコンを高速で得ることが可能な製造装置を提供する。
【解決手段】内部に導入されたハロゲン化ケイ素化合物の超臨界流体状態を形成するための反応容器本体１０と、反応容器本体１０の内部に設けられプラズマ放電を行うための電極１１，１２と、反応容器本体１０の内部に設けられプラズマ放電で分解したシリコンをシリコンの融点より高い温度に保持された表面上で析出させ、且つ、析出したシリコンを融解させる析出用部材３０と、析出用部材３０上で融解したシリコンを回収する回収部材と３２、を備えるポリシリコンの製造装置Ｉ。 （もっと読む）

【課題】シリコン等の周期表１４族元素の高純度な多結晶体を高速で得ることが可能な製造装置を提供する。
【解決手段】多結晶体の製造装置であって、内部に導入された周期表１４族元素のハロゲン化物の超臨界流体状態を形成するための反応容器１０と、反応容器１０の内部に設けられプラズマ放電を行うための電極１１，１２と、反応容器１０本体の内部に設けられプラズマ放電で分解したシリコンを表面上で析出させる種結晶３０と、を有することを特徴とする多結晶体の製造装置Ｉ。 （もっと読む）

【課題】製造、設備及び運転の費用の節減に有効であり、純度制御が易しい高純度シリコン及びその製造方法を提供する。
【解決手段】珪藻土を酸性溶液に溶解させる段階、溶解された珪藻土に塩基溶液を添加してシリカを沈澱させて回収する段階、及び回収されたシリカに還元剤を混合し、還元反応を引き起こしてシリコンを得る段階を含む。 （もっと読む）

発明は、一般に、式Ｓｉ_xＨ_y，ここでｘ及びｙは≧１の整数である、を有する、シランのような、一またはそれ以上の分子を生成するための方法に関連し、方法は、シリコン含有材料を供する工程、シリコン含有材料はシリコン含有材料の総重量を基準として少なくとも２０重量パーセントのシリコン原子を含む；シリコン原子を気化可能か、シリコン原子をスパッタリング可能か、あるいはその両者が可能なプラズマを、プラズマ発生装置を用いて発生させる工程；雰囲気中の原子の総モル数を基準にして少なくとも約０．５モルパーセントの水素原子を含む雰囲気を持つチャンバー内でシリコン含有材料にプラズマを接触させる工程；を含み、それにより、式Ｓｉ_xＨ_y（例えばシラン）が生成される。方法は、清浄なＳｉ_xＨ_y（例えばシラン）を形成するため、Ｓｉ_xＨ_y（例えばシラン）から一またはそれ以上の不純物を除去する工程を好ましくは含む。方法は、電子機器グレード金属シリコン、光起電グレード金属シリコンあるいはその双方のような高純度シリコン含有材料を生成するため、Ｓｉ_xＨ_y（例えばシラン）を反応させる工程を含んでいても良い。 （もっと読む）

【課題】分散性に優れ、発光強度が安定した半導体ナノ粒子を提供すること。
【解決手段】半導体基板上に成膜された半導体ナノ粒子含有膜において、成膜された膜の化学的処理の前後におけるｎｄ値（半導体ナノ粒子含有膜の膜厚をｄ、屈折率をｎ）の変化率が０．３〜２０．０％であることを特徴とする半導体ナノ粒子含有膜。 （もっと読む）

【課題】砥粒成分を含むシリコン粉から高純度のシリコン原料を回収するシリコンの精製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】不活性ガス雰囲気下、砥粒を用いた機械加工により発生するシリコン粉を坩堝中でシリコンの融点以上の温度に加熱してシリコン溶湯を得る溶融工程、前記シリコン溶湯を一方向凝固により前記坩堝の下部から上部に向けて凝固させてシリコン塊を得る凝固工程、および前記坩堝における前記シリコン塊の下部領域および上部領域を、切断、研磨およびブラストから選択される物理的方法、または酸溶解およびアルカリ溶解から選択される化学的方法で除去する除去工程を含むことを特徴とするシリコンの精製方法により、上記の課題を解決する。 （もっと読む）

流動層反応炉のガス分配ユニットは、熱分解可能な化合物を反応炉の中央部分へ反応炉壁から遠ざかるように向けられ、反応炉壁に材料の析出を防止する。そして、反応炉内において多結晶シリコン製品を作製するプロセスにより、上記反応炉壁に析出するシリコン量を減少させる。
（もっと読む）

【課題】 袋詰めされた多結晶シリコンの破砕塊の保管中に、破砕塊の表面に生じるシミと呼ばれる異常酸化現象を簡単かつ確実に防止する。
【解決手段】 多結晶シリコンの破砕塊を、フッ素を含む洗浄液により処理し、水洗、乾燥後に、減圧中で露点が−３５℃から−２０℃の不活性ガスを流通させながら４５℃以上の温度に２０分間以上保持する。塊表面に存在するフッ素原子個数が1,000,000 原子／μｍ² 以下となり、従来どおりの梱包のまま高温多湿下で保管しても、シミと呼ばれる異常酸化物の発生を防止できる。 （もっと読む）

【課題】ワークに切削加工を施す際に生じるスラッジに含まれるワークの微粒子状切粉を高純度で回収することが可能である微粒子状切粉の回収方法及び回収装置を提供する。
【解決手段】シリコンインゴットを切断加工して生じるシリコン微粒子状切粉を含むスラッジに、水，エタノール及び塩酸を加えてｐＨ３〜７の懸濁液Ｌを生成して収容する洗浄槽２と、洗浄槽２内の懸濁液Ｌを送給する循環ポンプ３と、循環ポンプ３により送給された懸濁液Ｌを収容する水槽４と、水槽４内の懸濁液Ｌに超音波を照射してその表面から微細な液滴Ｄを生じさせる超音波振動子５と、水槽４内に不活性ガスを導入して浮遊する微細な液滴Ｄを不活性ガスに載せて水槽４外に送り出すコンプレッサ６と、不活性ガスとともに送給された微細な液滴Ｄからシリコン微粒子状切粉を回収する微粒子回収部７を備えている。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン化シランが存在する空間を形成する構造物に対するハロゲン化物による反応器の腐食を抑制できると共に、その構造物の十分な機械的強度を実現可能なシリコンの製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｚｎ及びＡｌからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属によりハロゲン化シランを還元してシリコンを得るシリコンの製造方法において、ハロゲン化シランが存在する空間を形成する構造物の材料として、鉄の質量分率が１０％以下のニッケル基合金を用いる。 （もっと読む）

固体マルチ結晶シリコンインゴット又はウェハの製造方法であって、（ｉ）反応スペースに面する内側表面及び（ｉｉ）反対側の外側表面を有する反応炉チャンバ壁と製品出口とを具える反応炉チャンバへ、シリコン含有ガスを導入するステップと、前記反応スペース内でプラズマを発生させるステップと、前記シリコン含有ガスに十分な温度を与えることによって液体シリコンを製造するために、当該シリコン含有ガスを熱分解するステップと、前記シリコン含有ガスを熱分解しながら、前記反応炉チャンバ壁の内側表面を、シリコンの融点未満の平衡温度に維持するステップと、前記製品出口からの液体シリコンを固体マルチ結晶シリコンインゴット又は固体マルチ結晶シリコンウェハに鋳造するために、当該液体シリコンをモジュールへ直接導入するステップを含む。 （もっと読む）