【課題】多結晶シリコンロッドの取り出しを容易に行うことができ、生産性が高められた多結晶シリコンの製法を提供する。
【解決手段】少なくとも一対の電極が取り付けられた底壁基板上に立設されたベルジャー内に、両端が該電極に接続されて立設されたＵ字型シリコン芯材を配置し、該シリコン芯材に通電しながら少なくともシランガスを供給しての化学気相析出法によって該シリコン芯材にシリコンを析出させて多結晶シリコンロッドを形成させる多結晶シリコンの製法において、生成した多結晶シリコンロッドのベルジャー内からの取り出しに先立って、該多結晶シリコンロッドに接合している前記電極を冷却し、この後に、該多結晶シリコンロッドを付け根部近傍で破断し、該電極から切り離して取り出すことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 多結晶シリコンの赤外線の透過率を更に上げるともに加工性も飛躍的に向上させて、レンズや窓材として有用な光学部材として好適な材料の提供を目的とする。
【解決手段】 モノシランやトリクロロシランを原料として化学蒸着法で合成されたアズグロウンの多結晶シリコンを、酸素を含まない不活性ガス雰囲気下で、且つ、非金属酸化物製の容器或いはその内壁面を非金属酸化物系物質で覆った容器を用いて溶融させた後冷却して凝固させた多結晶シリコン凝固体からなることを特徴とする、主として赤外線用に使用される光学部材。 （もっと読む）

【課題】チタン酸アルミニウムやチタン酸アルミニウムマグネシウムのようなチタン酸アルミニウム系セラミックスについて、耐熱分解性に優れ、熱膨張係数のより小さなものを製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、チタン源化合物、アルミニウム源化合物および好ましくはマグネシウム源化合物と、屈服点が７００℃以上および／または９００℃の粘度値が１．０×１０^６ポイズ以上のガラスフリットとを含む原材料混合物を焼成するチタン酸アルミニウム系セラミックスの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】シリコンの生産性を向上させることができるとともに、シリコンの製造コストを低減できるシリコンの製造方法を提供すること。
【解決手段】Ｍｇ、Ｃａ及びＡｌからなる群より選ばれる少なくとも一種からなる金属粉末Ｍ_ｐ１を、プラズマＰ中で加熱する加熱工程と、プラズマ中で加熱した金属粉末Ｍ_ｐ２で、ハロゲン化シランＧ１を還元し、シリコンを得る還元工程と、を備えるシリコンの製造方法。 （もっと読む）

【課題】所定量の半導体粉末を含む小塊を溶融して球状溶融体を形成し、これを冷却凝固させて半導体粒子を製造する方法において、ｐ型またはｎ型のドーパントがドープされた、質量と寸法形状のばらつきが小さい球状半導体粒子の効率的な製造を可能とする。
【解決手段】所定質量の半導体粉末とドーピング剤とを含む小固形体を造粒により形成する。これを、加熱して各小固形体内の半導体粉末を溶融させ、融合させて球状溶融体を形成し、冷却して凝固させる。小固形体にはバインダーを含むことが好ましい。ドーピング剤は、半導体粉末にドーピング剤を添加した混合物を造粒する方法、造粒操作中に添加する方法、および、造粒物をドーピング剤溶液に接触させる方法などにより、小固形体中に含ませることができる。 （もっと読む）

【解決手段】珪素粒子と二酸化珪素粒子との混合物を、非酸化雰囲気下１０００〜１４００℃で焼結させてなり、ゆるめ嵩密度が０．７〜２．０ｇ／ｃｍ³、かつＢＥＴ１点法で測定した比表面積が０．０１〜３０ｍ²／ｇであることを特徴とする酸化珪素製造用原料。
【効果】本発明の酸化珪素製造用原料及びその製造方法によれば、酸化珪素製造時の反応性を低下させることなく、反応器単位容積あたりの原料充填率を高め、さらに吸湿を抑制し、安定した物性の酸化珪素を効率よく製造でき、装置部材の劣化を抑制することができる。 （もっと読む）

【解決手段】 本発明は、誘導法を使って多結晶シリコンを得る工程に関する。この方法は、溶解空間の形状にプールを溶解および鋳造する工程と、多結晶シリコンインゴットを結晶化させる工程と、当該多結晶シリコンインゴットを加熱装置セットにより制御冷却する工程とを有する。前記プールの溶解および鋳造が停止された後、前記多結晶シリコンインゴットの残りの部分の結晶化とともに当該インゴット全体の制御冷却も完了され、次に、当該インゴットは、可動底部および前記加熱装置セットとともに移動され、制御冷却が続行される。前記インゴットの移動と同時に、別の可動底部を含む別の加熱装置セットが当該インゴットの移動により空いた空間に供給されたのち、その新たな可動底部が前記水冷るつぼ内に移動され、前記工程が繰り返されることにより次のインゴットが製造される。当該方法は、プラットフォームを追加的に含む機器を使って実施され、このプラットフォームは、前記制御冷却区画内に設置され、当該プラットフォームの軸を中心に回転自在に設計される。このプラットフォームは、少なくとも２つの加熱装置セットを搭載する。本明細書で提案する発明は、太陽電池の製造に適した多結晶シリコンの出力を確実に高めるものである。
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【課題】高次シラン化合物にドーパントソースを混合して加熱するとき、大気圧下におけるドーパントソースの蒸発温度がドーパントソースの分解温度より低いため、分解する前に蒸発してしまい、高次シラン化合物内に残留する率が低下するという問題があった。
【解決手段】ドーパントソースと高次シラン化合物とを有する液体材料の温度を容器中で加圧雰囲気下にて第１温度から第２温度に上昇させる第１工程を含む、ことを特徴とするドープシリコン膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】所定量の半導体粉末を溶融して球状溶融体を形成し、これを冷却凝固させて半導体粒子を製造する方法において、質量と寸法形状のばらつきが小さく、良質な球状の半導体粒子の効率的な製造を可能とする。
【解決手段】所定質量の半導体粉末を含む小塊体を、熱処理炉４１の予備加熱部４３で不活性雰囲気中において、粉末の溶融温度近傍でそれが溶融するに至らない範囲の温度にまで予備的に加熱する。それから、溶融部４４において不活性ガスに適度に酸素を含ませた雰囲気中で、粉末の溶融温度以上に加熱して、半導体の球状溶融体を形成させる。この溶融体を冷却部４５にて冷却し、凝固させてから、外部へ搬出し回収する。小塊体には半導体粉末に有機バインダーを加え、所定形状に成形した成形体を使用するのが好ましい。 （もっと読む）

冶金級シリコンを精錬して、光電池に使用するためのソーラー級シリコンを生産する方法及び装置。真空炉内の坩堝は、冶金級シリコンと、二珪化カルシウムのような還元剤との混合物を受け取る。この混合物は、炉内の非酸化状態においてアルゴンの分圧のもとで溶融する。溶融の後に、アルゴンの分圧を下げて沸騰を生じさせ、このプロセスは、方向性凝固で終了する。このプロセスは、リンのような不純物を、ソーラー級シリコンに適合するレベルまで減少し、他の不純物も著しく減少する。 （もっと読む）

シリコン−オン−インシュレータ構造体の劈開された表面を処理する方法を開示している。当該シリコン−オン−インシュレータ構造体は、ハンドルウェハ、シリコン層、上記ハンドルウェハと上記シリコン層との間の誘電体層を含む。上記シリコン層は、上記構造体の外表面を規定する劈開された表面を有する。開示された当該方法は、上記シリコン−オン−インシュレータ構造体から劈開面に沿ってドナーウェハの一部が分離される際に与えられる表面ダメージ及び欠陥を除去するため、上記シリコン−オン−インシュレータ構造体を処理するのに要する時間とコストを削減するエッチングプロセスを含む。当該方法は、上記構造体をアニールする工程、上記劈開された表面をエッチングする工程、上記劈開された表面上において非接触スムージングプロセスを実行する工程と、を含む。
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【課題】金属シリコンを原料とする高純度シリコンの生産効率向上とコスト低減。
【解決手段】溶融した原料シリコンを収容した水冷ハース１３をハースの傾動によって溶湯から露出した底、内壁に形成された凝固層からなるスカル２２を溶湯２１から露出させてスカル２２の新しい溶解面に対して酸素ラジカルを供給してホウ素を酸化し、形成された酸化ホウ素を真空雰囲気において蒸発させ、しかる後、一方向性凝固等による固液分配係数の差を利用して不純物部分を除去して精製シリコンインゴットを形成した後、当該インゴットを電子ビーム１４照射と真空雰囲気に暴露し、これを溶解して溶融面を真空雰囲気中に暴露することによって、リンの蒸発除去過程を行い、高純度精製シリコンを得る。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン化珪素をアルミニウム粒子と反応させてシリコンを製造する方法において、アルミニウムの残留が抑えられた高純度のシリコンを効率的に得ることを課題とする。
【解決手段】本発明は、複数のアルミニウム粒子と複数のシリコン粒子が混合された状態で、一般式ＳｉＨ_nＸ_4-n（式中、Ｘはハロゲンであり、ｎは０〜３の整数を示す。）で表されるハロゲン化珪素と前記アルミニウム粒子とを反応させることを特徴とするシリコンの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】安定して高品質なシリコン等の半導体粒子を製造する装置を提供する。
【解決手段】加熱装置３で坩堝１を加熱し、坩堝１内のシリコン原料を溶融させた後、坩堝１内に所望の圧力となるように不活性ガスを供給し、ノズル１ａからシリコン融液４を排出して、管状部材２の落下空間を通過する間に冷却させて結晶シリコン粒子５を形成する半導体粒子の製造装置において、半導体融液を排出するノズル１ａを有する坩堝１と、ノズル１ａより排出された前記融液の排出方向を観察し、該排出方向と鉛直方向との成す角度を測定する角度測定手段６と、該角度測定手段６より得られた角度情報に基づき、坩堝１を移動させ、ノズル１ａより排出された前記融液の排出方向を制御する方向制御手段７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 低品位の金属シリコンから冶金精錬法より太陽電池用高純度化シリコンを製造するに当たり、設備費用、エネルギーコストの低減及び原料シリコンの歩留り向上を図ると共に、品質が安定であり、かつ生産性の高い高純度シリコンの製造法を提供することを目的とする。
【解決手段】 金属シリコンを溶解する溶融炉において、電磁誘導方式、プラズマ方式、電子ビーム方式等の２種以上の加熱装置を有し、溶融した溶融シリコンを１基の溶融炉で真空処理及び、異なるガス雰囲気での酸化処理、還元処理を組み合わせて行うことにより原料シリコンに含まれる不純物を効率的に除去する。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン化シリコンを金属で還元してシリコンを生成させる反応の反応効率を向上させることができるシリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】ハロゲン化シリコンと、水素の含有率が１質量ｐｐｍ以下である金属とを接触させることにより、ハロゲン化シリコンを還元してシリコンを得るシリコンの製造方法。 （もっと読む）

【課題】２０％を超える光量子効率を有する、ナノ結晶性ケイ素含有ＳｉＯ_Ｘ薄膜フィルムを提供する。
【解決手段】本発明に係る製造方法は、発光用途に関する、高量子効率のシリコン（Ｓｉ）ナノ粒子含有ＳｉＯ_ＸＮ_Ｙフィルムを備える発光素子の製造方法において：底部電極を供給する工程と；底部電極上に、シリコンナノ粒子を含有する不定比のＳｉＯ_ＸＮ_Ｙフィルム（Ｘ＋Ｙ＜２であり、Ｙ＞０である）を堆積する工程と；シリコンナノ粒子を含有するＳｉＯ_ＸＮ_Ｙフィルムをアニール処理する工程と；６３２ｎｍにて測定された０．００１未満の消衰係数（ｋ）および２０％を超えるＰＬ量子効率（ＰＬＱＥ）を有する、アニール処理されたシリコンナノ粒子含有ＳｉＯ_ＸＮ_Ｙフィルムを形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】従来に比して生産性の高いシリコンの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】粒子全体の酸素の質量分率が０.００５％以上０.５％以下となるように表面が酸化されたアルミニウム粒子を加熱する工程と、加熱されたアルミニウム粒子と下記式（１）で示されるハロゲン化シランとを接触させることにより、ハロゲン化シランを還元する工程と、を備えるシリコンの製造方法。
ＳｉＨ_ｎＸ_４−ｎ （１）
［式中、ｎは０〜３の整数；Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選択された原子をそれぞれ示す。ｎが０〜２のとき、Ｘは互いに同一でも異なっていてもよい。］ （もっと読む）

【課題】カーボン部品を高純度に効率よく精製する。
【解決手段】多結晶シリコンの製造に用いられるカーボン部品を処理炉内に収容して、処理炉内を不活性ガス等で置換後、処理炉内を乾燥温度まで昇温し不活性ガス等を流通させてカーボン部品を乾燥する乾燥処理と、乾燥処理後に処理炉内を乾燥温度よりも高い純化温度に消音するとともに、処理炉内に塩素ガスを流通させる塩素流通処理（ステップ２）と、塩素流通処理の後に処理炉内部を減圧する減圧処理（ステップ３）と、減圧処理により生じた減圧状態に処理炉内を保持する減圧保持処理（ステップ４）と、減圧保持処理後の処理炉に塩素ガスを導入して処理炉内を加圧状態とする塩素加圧処理（ステップ５）とを複数回繰り返した後、処理炉内を冷却する。 （もっと読む）

【課題】容易かつ安価に、低温でシリコン結晶を製造することができるシリコン結晶の製造方法および太陽電池膜の製造方法を提供する。
【解決手段】不活性ガス雰囲気下で、粉末、バルク体または融液から成る金属ナトリウム１と、バルク体または粉末から成るシリコン２とを、６２０℃以上の温度で加熱して混合体３を作製する。その混合体３からナトリウムを蒸発させてシリコン結晶を成長させるよう、混合体３を７００〜９００℃の温度で加熱する。 （もっと読む）