【課題】高効率な発電パネル用の多結晶シリコンウェーハを提供する。
【解決手段】一辺が１１８ｍｍ以上の四角形である多結晶シリコンウェーハであって、第１乃至第４の外周領域ａ１〜ａ４と、いずれも外周領域にも属さない中央領域ｂとを含み、第１の外周領域ａ１におけるライフタイムは、中央領域ｂにおけるライフタイムよりも短く、第２及び第３の外周領域ａ２，ａ３におけるライフタイムは、中央領域ｂにおけるライフタイムと実質的に等しく、中央領域ｂにおけるライフタイムは、３０μｓ以上である。本発明によれば、多結晶シリコンインゴットの断面をマトリクス状に４分割又は６分割することによって切り出すことができるとともに、ライフタイムが３０μｓ以上である領域を全体の１／３以上とすることができる。これにより、１６％以上の変換効率を確保することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】鋳造されたインゴットが不純物で汚染されるのを低減できるとともに、冷却ルツボの内面が損傷するのを軽減できるシリコンインゴットの連続鋳造方法を提供する。
【解決手段】軸方向の一部が周方向で複数に分割された無底の冷却ルツボ７を誘導コイル８内に配置し、誘導コイル８による電磁誘導加熱により、冷却ルツボ７内に溶融シリコン１３を形成し、冷却ルツボ７から引き下げながら凝固させてシリコンインゴット３を連続鋳造する方法において、冷却ルツボ７として、その内面７ａのうちの溶融シリコンの外面１３ａおよびシリコンインゴットの外面３ａと対向する部分７ｂに、Ｎｉ−Ｂ合金めっきが施されたものを用いることを特徴とするシリコンインゴットの連続鋳造方法である。 （もっと読む）

【課題】電磁鋳造法による連続鋳造の際に、アフターヒーターの内周面とインゴットの外周面との隙間を上昇する雰囲気ガスに起因して、溶融シリコンが金属不純物で汚染されることを抑制できるシリコンインゴットの電磁鋳造装置を提供する。
【解決手段】チャンバー１内に配置した無底冷却ルツボ７にシリコン原料１１を装入し、誘導コイル８からの電磁誘導加熱によりシリコン原料１１を融解させ、この溶融シリコン１２を冷却ルツボ７から引き下げながら凝固させてインゴット３を連続鋳造する電磁鋳造装置において、冷却ルツボ７の下方に、インゴット３を囲繞してカーボン製の保温ヒーター９ａと金属製の均熱ヒーター９ｂがこの順に配設されており、保温ヒーター９ａと均熱ヒーター９ｂの間でインゴット３の外周面に全周にわたり接触して、各ヒーター９ａ、９ｂの内周面とインゴット３の外周面との隙間を上下に仕切る耐熱不織布２０を備える。 （もっと読む）

【課題】鋳造されるインゴットおよびインゴットから切り出されたウェーハおいて、金属不純物による汚染を低減できるシリコンインゴットの連続鋳造装置および連続鋳造方法を提供する。
【解決手段】電磁鋳造法により多結晶シリコンを連続的に鋳造する際に用いられ、導電性を有し、シリコン原料を溶解させて連続鋳造する無底の冷却ルツボ７と、冷却ルツボを囲繞し、冷却ルツボ内に装入されたシリコン原料を電磁誘導により加熱する誘導コイル８と、前記各部材を収容するチャンバー１とを備えたシリコンインゴットの連続鋳造装置において、チャンバー１の内壁面および／またはチャンバー１内に収容される部材の表面の少なくとも一部にウール材１７を配置することを特徴とするシリコンインゴットの連続鋳造装置である。 （もっと読む）

【課題】例えば、太陽電池の光起電力の電力素子をはじめ、充放電による膨張と収縮を繰り返し受けた場合であっても粉末化しがたいことからリチウム電池の負極材料などに有用である、アルミニウムの混入がない高純度を有するシリコンナノワイヤーを低温で製造することができるシリコンナノワイヤーの製造方法を提供すること。
【解決手段】不活性ガス雰囲気中で亜鉛の存在下で四塩化ケイ素を４５０〜６００℃の温度に加熱することを特徴とするシリコンナノワイヤーの製造方法。 （もっと読む）

【課題】保温装置の外枠の溶損等を防止して、金属不純物による汚染のない、太陽電池の基板材として好適な多結晶シリコンを製造することができるシリコンの電磁鋳造装置を提供する。
【解決手段】無底冷却モールドと、加熱用誘導コイルと、前記モールドの下方に配置され、凝固したシリコンを徐冷する保温装置を有し、前記誘導コイルによる電磁誘導加熱により溶融したシリコンを下方に引き下げ凝固させるシリコンの電磁鋳造装置であって、前記保温装置１３の外枠１６の構成部材として非導電性部材が使用されている電磁鋳造装置。前記非導電性部材を、特に溶損の大きい外枠の特定の面のみ、または外枠全面の上部のみに使用することもできる。非導電性部材としては、アルミナ、炭化珪素が望ましい。 （もっと読む）

【課題】粒子径のそろった珪素微粒子を効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明は、不活性雰囲気下において、珪素源と炭素源とを含む混合物を焼成する焼成工程と、混合物を焼成することにより生成した気体を急冷し、珪素微粒子と酸化珪素とを含んだ複合粉体を得る急冷工程と、酸化雰囲気下において、複合粉体を加熱する加熱工程と、加熱された複合粉体から一酸化珪素及び二酸化珪素を除去する除去工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉヒュームが発生した場合であっても、冷却ルツボの直下でインゴットの鋳肌表面の温度変動を正確に監視できるシリコンインゴットの電磁鋳造装置を提供する。
【解決手段】チャンバー１内に配置した無底冷却ルツボ７にシリコン原料１１を投入し、ルツボ７を囲繞する誘導コイル８からの電磁誘導加熱により原料１１を溶解させ、この溶融シリコン１２をルツボ７から引き下げながら凝固させてインゴット３を連続鋳造する電磁鋳造装置において、チャンバー１の側壁に監視窓１５を設け、監視窓１５とルツボ７の直下におけるインゴット３の鋳肌表面近傍との間にわたり耐熱管１７を設け、耐熱管１７のインゴット３側の端面が耐熱板１８で閉塞されており、監視窓１５の外部の放射温度計１６により耐熱管１７内を通して耐熱板１８の温度を測定し、この温度に基づいてインゴット３の鋳肌表面温度の変動を監視する。 （もっと読む）

【課題】保温装置内の温度環境の変化を防止して安定した操業を行い、金属不純物による汚染のない、太陽電池の基板材として好適な多結晶シリコンを製造することができるシリコンの電磁鋳造装置を提供する。
【解決手段】無底冷却モールドと、加熱用誘導コイルと、前記モールドの下方に配置され、凝固したシリコンを徐冷する保温装置を有し、前記誘導コイルによる電磁誘導加熱により溶融したシリコンを下方に引き下げ凝固させるシリコンの電磁鋳造装置であって、モールド１と保温装置３の外枠６との間の隙間に、炭素繊維材８ａの上に断熱材８ｂが載置されてなる保温ボード８が配置された電磁鋳造装置。前記炭素繊維材は、少なくとも１箇所で切断されていることが望ましい。炭素繊維材に替えて炭化珪素製またはアルミナ製の部材も使用できる。 （もっと読む）

【課題】被処理物を炉体の中央に対して近い位置で投入可能な被処理物投入装置を提供する。
【解決手段】内部に設けられた炉体にて被処理物を溶融する処理装置に対し、被処理物を外部から投入するための被処理物投入装置において、前記処理装置の内部に投入される被処理物が通過可能な被処理物通路１２を備え、前記被処理物通路１２のうちで、被処理物の前記通過方向を基準とした下流端１２ａが、前記炉体の中央を通る垂直線Ｃを含む中央領域の位置と、前記中央領域から外れた位置との間で移動可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】高純度のポリシリコンを高速で得る方法を提供する。
【解決手段】ポリシリコンの製造方法であって、高周波熱プラズマトーチ１０中にハロゲン化ケイ素化合物を含む原料ガスを導入する原料ガス導入工程と、前記高周波熱プラズマトーチ１０中に導入された前記原料ガスを熱プラズマ処理し、溶融ポリシリコン２００を生成する熱プラズマ工程と、前記熱プラズマ工程において生成した前記溶融ポリシリコン２００を冷却固化する冷却工程と、を有することを特徴とするポリシリコンの製造方法。 （もっと読む）

【課題】鋳造されたシリコンインゴットから切り出されたウェーハにおいて、局所的に金属不純物により汚染された異常部が発生するのを抑え、金属不純物による汚染を低減できるシリコンインゴットの連続鋳造装置および連続鋳造方法を提供する。
【解決手段】電磁鋳造法により多結晶シリコンを連続的に鋳造する際に用いられ、導電性を有し、シリコン原料を溶解させて連続鋳造する無底の冷却ルツボ７と、冷却ルツボ７を固定する天板１０と、冷却ルツボ７の外側を囲繞し、冷却ルツボ７の内側に装入されたシリコン原料を電磁誘導により加熱する誘導コイル８とをチャンバー１内に備えたシリコンインゴットの連続鋳造装置において、冷却ルツボ７の上面に冷却ルツボの内側と外側を仕切る仕切り部材１７を設けることを特徴とするシリコンインゴットの連続鋳造装置である。 （もっと読む）

【課題】シリコン溶湯表面を高温に保つための保温手段として、簡便な構造で製作が容易であり、しかも、るつぼの加熱下に交換可能なリング状の保温蓋を用い、るつぼを加熱したままで数十チャージ分のシリコンを連続的に処理することが可能なシリコン精製装置及びこれを用いたシリコン精製方法及び精製方法を提供する。
【課題手段】真空ポンプを具備した減圧室内に、シリコンを収容する上端開口の黒鉛製るつぼと、該るつぼを加熱する加熱装置を備えたシリコン精製装置であって、前記るつぼの上部において該るつぼの開口部を覆うと共にるつぼ内のシリコン溶湯表面より小さい面積の排気開口を有するリング状の保温蓋を備え、該保温蓋が、前記減圧室内において、前記るつぼの加熱中に交換可能であることを特徴とするシリコン精製装置、及びこれを用いたシリコン精製方法である。 （もっと読む）

【課題】インゴットの外周部において不純物による汚染を低減することができるシリコンインゴットの連続鋳造方法を提供する。
【解決手段】チャンバー１内に不活性ガスを供給しつつ、当該チャンバー１内に配置した導電性を有する無底冷却ルツボ７にシリコン原料を装入し、無底冷却ルツボ７を囲繞する誘導コイル８からの電磁誘導加熱によりシリコン原料を溶解させ、この溶融シリコン１２を無底冷却ルツボ７から引き下げながら凝固させてシリコンインゴットを連続鋳造する方法において、チャンバー１内に不活性ガスを供給する際に、不活性ガスを溶融シリコン１２の上方に供給するとともに、シリコンインゴット３の下部に供給し、当該下部に供給した不活性ガスをシリコンインゴットの外周に流通させることを特徴とするシリコンインゴットの連続鋳造方法である。 （もっと読む）

【課題】電磁鋳造法による連続鋳造の際に、チャンバー内で自然対流する雰囲気ガスに起因して、溶融シリコンが金属不純物で汚染されることを防止できるシリコンインゴットの電磁鋳造装置を提供する。
【解決手段】チャンバー１内に配置した無底冷却ルツボ７にシリコン原料１１を装入し、誘導コイル８からの電磁誘導加熱によりシリコン原料１１を融解させ、この溶融シリコン１２を冷却ルツボ７から引き下げながら凝固させてシリコンインゴット３を連続鋳造する電磁鋳造装置において、チャンバー１の側壁の上部と下部に連結され、冷却ルツボ７の上方の雰囲気ガスを導入して冷却ルツボ７の下方に送り出す通気管１５を備え、この通気管１５の経路に集塵機２０および磁選機２１を設ける。 （もっと読む）

【課題】生産効率の良いＳｉ系材料の製造方法を提供する。
【解決手段】炭素系るつぼ１２、または、炭素系サセプタ１６内に配置した耐熱ガラスるつぼ１８内に純Ｓｉまたは純Ｓｉおよび下記合金原料Ｘを投入し、高周波誘導加熱により炭素系るつぼ１２または炭素系サセプタ１６を加熱して、るつぼ１２、１８内の純Ｓｉまたは純Ｓｉおよび下記合金原料Ｘを溶解し、溶湯１４を得る工程と、合金原料Ｘ：長周期型周期表の２Ａ族元素、遷移元素、２Ｂ族元素、３Ｂ族元素、および、４Ｂ族元素から選択される１または２以上の元素、アトマイズ法またはロール急冷法を用いて、溶湯１４からＳｉ系材料を得る工程とを有する製造方法とする。 （もっと読む）

【解決手段】珪素ナノ粒子が凝集してなる凝集体であって、その表面がＳｉＦ₄で被覆された凝集体。
【効果】本発明によれば、珪素ナノ粒子が凝集してなり、珪素ナノ粒子が均一であり、その表面酸化が抑制された凝集体、凝集体の平均粒径や、珪素ナノ粒子の粒径の調製が容易で、簡便かつ大量に製造することができる上記凝集体の製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】シリコン加工プロセスで発生し、シリコンスラッジ中のシリコン粉の安定的な高純度化が図れ、バッチ間でのシリコン粉の均一な高純度化も可能なシリコンスラッジの洗浄方法を提供する。
【解決手段】シリコン加工プロセスで生じたシリコンスラッジ中のシリコン粉の酸素濃度を測定し、その値から洗浄槽内の全シリコン粉のＳｉＯ_２膜の総重量を求め、さらに全ＳｉＯ_２膜の除去に必要な最小のＨＦ量を算出し、この値以上のＨＦ量のＨＦ洗浄液を洗浄槽に投入しＨＦ洗浄する。よって、シリコン加工プロセスで発生し、バッチでＨＦ洗浄されるシリコンスラッジ中のシリコン粉の安定的な高純度化が図れる。また、バッチ間にわたるシリコン粉の均一純度化も実現できる。 （もっと読む）

【解決手段】非水電解質二次電池負極材に用いられる珪素酸化物であって、ＳｉＯガスとケイ素含有ガスの混合ガスを冷却析出させて得られ、酸素含有量が２０〜３５質量％であることを特徴とする非水電解質二次電池負極材用珪素酸化物。
【効果】本発明によれば、酸化珪素の高い電池容量と低い体積膨張率を維持しつつ、初回充放電効率が高く、サイクル特性に優れた非水電解質二次電池用の負極材として有効な活物質としての珪素酸化物及びその製造方法、ならびにこの珪素酸化物を用いた非水電解質二次電池負極が用いられた非水電解質二次電池を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 シリコン融液及び多結晶シリコンインゴットへの不純物汚染を十分に防止することができる能力を有し、かつ、離型性に優れた、低コストの多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器、及びそのような角形シリカ容器を製造する方法を提供する。
【解決手段】 シリコン融液を収容した後凝固して多結晶シリコンインゴットを製造するための角形シリカ容器であって、該角形シリカ容器は、少なくとも多孔質シリカ基体からなるものであり、前記多孔質シリカ基体は、かさ密度が１．８０〜２．１０ｇ／ｃｍ^３であり、Ａｌ濃度が５〜５００ｗｔ．ｐｐｍであり、ＯＨ基濃度が５〜５００ｗｔ．ｐｐｍであり、前記多孔質シリカ基体の内表面部分の少なくとも一部に、前記多結晶シリコンインゴットの離型を促進する離型促進剤が含有されているものである多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器、及びこのような角形シリカ容器を製造する方法。 （もっと読む）