【課題】 本発明は、太陽電池用、半導体用高純度化シリコンの製造における原料シリコンの前処理に係わるものであり、原料シリコンに含まれる不純物を前もって効率的に除去することにより、後段の精製工程における高純度シリコンの生産性の向上と製品品質の安定化を図るものである。
【解決手段】 原料の金属シリコンを１ｍｍ以下に粉砕した後、酸性水溶液又は塩基性水溶液に分散させてスラリー状とし、浸出温度を１００℃以上、１ｔｏｍ以上の加圧下において浸出処理を行うことにより不純物を除去する。さらに効率的に不純物を除去するには、加圧下での浸出処理を行う前に、粉砕した原料シリコンを１０００〜１４００℃で焼成処理を行うことが望ましい。 （もっと読む）

【課題】高純度のマグネシウムシリサイドを高効率に製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るマグネシウムシリサイドの製造方法は、Ｓｉを主成分とする処理対象物を準備する工程（Ｓ１０）と、上記処理対象物が加熱された状態で、上記処理対象物にＭｇ蒸気を接触させる工程（Ｓ２０）とを備える。Ｍｇ蒸気を接触させる工程（Ｓ１０）を行なう際の、処理対象物の加熱温度が５００℃以上１５００℃以下であることが好ましい。Ｍｇ蒸気を接触させる工程において、Ａｒ、Ｈｅからなる群から選択される少なくとも１種以上のガスを含む雰囲気中に処理対象物を載置することが好ましい。 （もっと読む）

本発明は、長鎖ハロゲン化ポリシランの熱分解により、短鎖ハロゲン化ポリシラン、ならびに／または短鎖ハロゲン化ポリシランおよびハロゲン化物含有ケイ素を製造するための方法および装置に関する。低分子ハロシランで希釈された長鎖ハロゲン化ポリシランの熱分解がハロシランの雰囲気下で行われることにより、簡単で費用対効果の高い方法で、工業的な規模でそのような生成物を確実に製造する。
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本発明は、その場（ｉｎ ｓｉｔｕ）で形成され、製造プロセスの最後に熱酸化により除去される一時的な有機固体骨格支持体を用いた、ゲルの亜臨界乾燥によるゾル−ゲルプロセスによる多孔質ＳｉＯ_２キセロゲルの製造に関する。
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光起電分野用の材料に関するシリコンを精製する方法には、金属シリコンをルツボ装置に提供することが含まれる。金属シリコンは、少なくとも熱工程を施され、金属シリコンの状態が第一状態から摂氏1500℃を超えない溶融状態の第二状態に変化する。少なくとも不純物の一部は、溶融状態において金属シリコンから除かれる。溶融金属シリコンの下方領域から上方領域までを冷却して下方領域を凝固させる一方で残りの不純物の一部を分離させて液状領域に留める。液状領域を凝固させることで精製領域及び不純物領域を有するシリコン構造物が形成される。精製領域は、99.9999%を超える純度によって特徴づけられる。
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半導体材料の物品の作製方法は半導体材料の固体層がその外表面上に既に形成されている中実鋳型を溶融半導体材料の融液から引き出す工程を含む。引出し中に固体層を覆って形成される半導体材料の固体被覆層において１つないしさらに多くの所望の属性を達成するために、温度、力及び相対引出し速度の内の１つないしさらに多くが引出し作業中に制御される。
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【課題】非化学量論的化合物であるケイ素低級酸化物粒子を、安価な原料を用いて、効率よく、かつ工業的に有利に製造する方法、及びこの方法で得られたケイ素低級酸化物粒子の分散液を提供する。
【解決手段】熱プラズマ装置内で、体積比１５／１〜４／１のアルゴン／水素混合ガスの熱プラズマを発生させ、該熱プラズマにより、シリカ粉末を分解処理して、一般式（１）
ＳｉＯ_x ・・・（１）
（式中、ｘは１．０＜ｘ≦１．６の関係を満たす数である。）
で表されるケイ素低級酸化物粒子を得る、ケイ素低級酸化物粒子の製造方法、及びこの方法で得られたケイ素低級酸化物粒子を、溶媒中に分散させてなる、ケイ素低級酸化物粒子の分散液である。 （もっと読む）

【課題】 ウェット洗浄工程を増加させることなく、かつ、より低温でシリサイドを形成することが可能なシリサイドの形成方法を提供すること。
【解決手段】 表面にシリコンとシリコン酸化物とが露出している基板１０１上にシリサイドを形成するシリサイドの形成方法であって、基板１０１の温度を４００℃以上として、シリコンとシリコン酸化物とが露出している基板１０１の表面上にマンガン有機化合物ガスを供給し、基板１０１の表面に露出したシリコンを選択的にマンガンシリサイド化する。 （もっと読む）

【課題】高圧かつ原料大量供給の条件で、シリコンロッドの溶断を防ぎつつ高い成長速度と収率でシリコンロッドを太く成長させる。
【解決手段】反応炉１内のシリコン芯棒４に通電してシリコン芯棒４を発熱させ、シリコン芯棒４にクロロシラン類を含む原料ガスを供給することにより、シリコン芯棒４の表面に多結晶シリコンを析出させシリコンロッドＲとして成長させる多結晶シリコンの製造方法において、反応炉１内の圧力を０．４ＭＰａ以上０．９ＭＰａ以下、シリコンロッドＲの表面温度を１０００℃以上１１００℃以下に維持しながら、原料ガスを１５０℃以上６００℃以下に予熱した後に反応炉１に供給するとともに、シリコンロッドＲの径の増加に合わせて単位表面積当たりのクロロシラン類供給量を２．０×１０^-7ｍｏｌ／ｓｅｃ／ｍｍ²以上３．０×１０^-7以下ｍｏｌ／ｓｅｃ／ｍｍ²の範囲内に維持しながら原料ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】 Ｚｒに代わるアモルファス化促進元素としのＴｉを用いることにより、原料費が安価で、かつリチウム二次電池におけるサイクル特性に優れ、しかもアモルファス性に優れたＳｉ合金を提供する
【解決手段】 原子％で、Ａｌ：１５〜４０％、Ｔｉ：１〜２０％を含み、残部Ｓｉおよび不可避的不純物よりなることを特徴とするリチウム二次電池負極物質用Ｓｉ合金。また上記に加えて、Ｔａ，Ｗの１種または２種を合計で３％以下含有させたこと。また、上記に加えて、Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｒの１種または２種以上を合計で３０％以下含有させたこと。さらに、上記に加えて、Ｚｒを１０％以下含有させた、リチウム二次電池負極物質用Ｓｉ合金。 （もっと読む）

【課題】坩堝内に装入された塊状のシリコン原料を効率良く溶解することができ、多結晶シリコンインゴットの生産効率を大幅に向上させることが可能な多結晶シリコンインゴットの製造方法及び多結晶シリコンインゴットの製造装置を提供する。
【解決手段】坩堝内に装入したシリコン原料を溶解してシリコン融液を生成し、このシリコン融液を凝固させて多結晶シリコンのインゴットを製出する多結晶シリコンインゴットの製造方法であって、前記坩堝内にシリコン原料を装入するシリコン原料装入工程Ｓ０２と、前記シリコン原料と前記坩堝の底面部との接触面積を増大させるシリコン密接層を形成するシリコン密接層形成工程Ｓ０１と、前記坩堝を加熱して前記坩堝内のシリコン原料を溶解し、前記シリコン融液を生成する加熱溶融工程Ｓ０３と、前記坩堝を冷却して、前記坩堝内のシリコン融液を凝固させる凝固工程Ｓ０４と、を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大がかりな設備を用いずに、不純物汚染の少ない球状シリコン粒子を製造する。
【解決手段】発散コーン部１１、収束コーン部１２、発散コーン部１１と収束コーン部１２との接続部に形成されたスロート部１３、および収束コーン部１２から発散コーン部１１へと浮遊ガスを供給するガス供給部１４を備えるガス浮遊装置を用いて、浮遊ガスが供給されている発散コーン部１１に、スロート部１３の内径よりも小さい球状の熔解シリコン粒が形成される量のアスペクト比が１：１〜１：４である原料３０を供給する原料供給工程と、浮遊状態の原料３０を非接触加熱装置４１により加熱して熔解する熔解工程と、熔解された原料３０が浮遊状態のまま非接触加熱装置４１の熱出力を下げ原料３０を凝固させる凝固工程とを行って、シリコンまたはシリコン系半導体材料の球状シリコン粒子３２を製造する。 （もっと読む）

【課題】容易かつ安価に、低温でＳｉを精製する方法を提供する。
【解決手段】アルカリ金属とＳｉとの化合物（固相）の生成後にこの化合物の融液から晶出させることによるＳｉの精製方法であって、少なくとも、前記化合物の一方向凝固による不純物除去を含むことと、アルカリ金属Ｓｉ融液の温度によるＮａ蒸気圧差を利用したＳｉの晶出およびアルカリ金属の再利用の工程を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高容量と良好なサイクル特性を実現するリチウムイオン二次電池用の負極材料を提供する。
【解決手段】種類の異なる元素Ａと元素Ｄとを含み、前記元素ＡがＳｉ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｇｅ、ＩｎおよびＺｎからなる群より選ばれた１種の元素であり、前記元素ＤがＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｂａ、ランタノイド元素（ＣｅおよびＰｍを除く）、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、ＯｓおよびＩｒからなる群より選ばれた１種の元素であり、前記元素Ａの単体または固溶体である、球形状の第１の相と、前記元素Ａと前記元素Ｄとの化合物である第２の相を有し、前記第２の相の一部または全部が、前記第１の相に覆われていることを特徴とするナノサイズ粒子と、前記ナノサイズ粒子を負極活物質として含むリチウムイオン二次電池用負極材料である。 （もっと読む）

【課題】高純度のシリコン単結晶を少ない工程で再生する方法を提供する。
【解決手段】回収された粉末状又は小片状の多結晶シリコン３４を、上面および下面が開口して当該上面および下面のそれぞれがシリコン板２２，２３で閉塞された石英製筒体２に収容する工程と、前記粉末状又は小片状の多結晶シリコンが収容された石英製筒体をＣＺ引上げ炉１内に入れ、所定圧に減圧するとともに不活性ガスを導入する工程と、前記粉末状又は小片状の多結晶シリコンが収容された石英製筒体を前記ＣＺ引上げ炉の坩堝１２上に位置させた状態で、前記ＣＺ引上げ炉内の温度を昇温し、前記粉末状又は小片状の多結晶シリコンと前記シリコン板を溶解して前記坩堝に収容する工程と、前記ＣＺ引上げ炉から前記石英製筒体を取り出す工程と、前記坩堝内の溶解シリコンをＣＺ法により育成し単結晶シリコンを製造する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】籾殻などのケイ酸植物をシリカ原料として用い、効率よく金属シリコンを製造し得る方法の提供。
【解決手段】ケイ酸植物を焼成してシリカを主体として含むシリカ灰を形成する工程、次いで、得られたシリカ灰にアルミニウムを加え不活性ガス雰囲気中で加熱し、次式（１）
４Ａｌ＋３ＳｉＯ_２ → ３Ｓｉ＋２Ａｌ_２Ｏ_３ ・・・（１）
の反応を生じさせて金属シリコンを得る工程とを有することを特徴とする金属シリコンの製造方法。 （もっと読む）

本発明の対象は、一般式（１）及び（２）
Ｓｉ_nＸ_2n+2 （１）
Ｓｉ_mＸ_2m （２）
［式中、Ｘは、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩから選択され、ｎは、２〜１０の整数を意味し、かつｍは、３〜１０の整数を意味する］のオリゴハロゲンシランから選択されるオリゴハロゲンシランの製造方法であって、ケイ素と、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ及びＰｂ及びそれらの混合物から選択される金属のハロゲン化物とを含有する混合物を、−１２５℃〜１１００℃の温度で反応させ、そして形成されたオリゴハロゲンシランを、Ｎ₂、希ガス、ＣＨ₃Ｃｌ、ＨＣｌ、ＣＯ₂、ＣＯ、Ｈ₂及びＳｉＣｌ₄から選択されるキャリヤーガスで除去する、前記製造方法である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体素子や太陽電池の原料として用いられる、高純度のシリコンの製造において、加熱設備を必要としない簡便なシリコン融液の搬送部材と移送方法を提供する。
【解決手段】シリコン融液の搬送部材を、熱容量が極めて小さい、アングルもしくは円筒形状部材で構成し、その周辺を熱容量の極めて小さい断熱材で保護し、搬送部材の熱容量の合計が、13000(J/Kg)以下となるように構成する。この搬送部材を用いて、流量50(Kg/min)以上で、かつ、流速0.1(m/sec)以上で、シリコン融液を搬送する。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコン反応炉において、炉底に付着したポリマーやシリカ等を容易に除去する。
【解決手段】加熱したシリコン芯棒の表面に原料ガスを接触させることにより多結晶シリコンを析出させる多結晶シリコン反応炉１０であって、シリコン芯棒が立設される炉底４０を有し、この炉底４０の上面４０ａが凹形となるように形成され、この上面の最下部に炉底４０を上下方向に貫通する流路４４の開口部４４ａが設けられているとともに、この開口部４４ａに着脱可能に取り付けられるプラグ５０を備える。 （もっと読む）

【課題】珪素等の半金属元素、又は金属元素を主成分とし不純物を含有する材料から、精製された材料を効率的に得ること。
【解決手段】半金属元素又は金属元素を主成分とし不純物を含有する材料と、下記一般式（１）で表される化合物と、を接触させることにより材料中の不純物を除去する、材料の精製方法。
ＡｌＸ_３ （１）
［式中、Ｘはハロゲン原子である。］ （もっと読む）