【課題】基板加熱用ヒータと電極部品との接続部へのプロセスガスの回り込みによる劣化を抑制し、半導体装置の高性能化や信頼性の向上、低コスト化を図ることが可能な半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。
【解決手段】反応室１１にプロセスガスを供給するプロセスガス供給機構１２と、前記反応室より前記プロセスガスを排出するガス排出機構１３と、前記反応室にウェーハＷを載置するウェーハ支持部材１５と、該ウェーハ支持部材を載置するリング１６と、該リングと接続され、前記ウェーハを回転させるための回転駆動制御機構１７と、前記リング内に設置され、前記ウェーハを所定の温度に加熱するために設けられ、平面度０〜０．０１ｍｍの電極接触面１８ｃを有するヒータ１８ａと、該ヒータの前記電極接触面と、平面度０〜０．０１ｍｍの接触面１９ａで接続され、前記ヒータに電力を供給する電極部品１９と、を備える半導体製造装置とする。 （もっと読む）

【課題】 高品質なシリコン膜を高速で結晶成長させる技術を提供する。
【解決手段】 １２００℃〜１４００℃に加熱されているとともに１５００ｒｐｍ〜３５００ｒｐｍで回転している基板６に向けて、基板の表面に直交する方向から、塩化シランガス１８を供給する。このときの塩化シランガス１８の供給量を、基板６の表面１ｃｍ^２当たり２００μｍｏｌ／分以上とする。 （もっと読む）

【課題】多様化する単結晶インゴットの直径及びコーン状の端部形状に関わらず、切断位置の基点を高精度に特定でき、切断位置のずれを抑制することができるインゴットの切断方法を提供することを目的とする。
【解決手段】円筒研削された円柱状の直胴部と、該直胴部の少なくとも一端に形成された円筒研削されていない鏡面状態のコーン状の端部とを有する単結晶インゴットを切断するインゴットの切断方法であって、前記円筒研削された直胴部表面と前記円筒研削されていない鏡面状態のコーン状の端部表面の光の反射の違いを利用して、前記円筒研削面と前記円筒研削されていない境界の位置を検出する工程と、該検出した境界の位置を基点として切断位置の位置決めを行った後、前記インゴットを切断する工程とを有することを特徴とするインゴットの切断方法。 （もっと読む）

【課題】アーク放電による加熱温度を調整すべく電極を移動可能としながらも、隔壁の貫通孔とこれに挿通された電極との隙間を縮小できる構造を備えたシリカガラスルツボ製造装置を提供する。
【解決手段】回転モールド１０の上方に板状の隔壁１５を配し、加熱熔融を行なう電極１３を、隔壁１５をその厚さ方向に貫通する貫通孔１６に挿通させて回転モールド１０に向けて延びるように配し、隔壁１５の上に電極１３を仮想揺動軸Ｐ周りに揺動させる揺動手段４０を設け、仮想揺動軸Ｐが貫通孔１６内を通過するように構成する。 （もっと読む）

【課題】ルツボ内表面の気泡や不純物が少なく、シリコン単結晶の高い結晶化率を達成することができるシリカガラスルツボの製造方法および製造装置の提供。
【解決手段】本発明のシリカガラスルツボの製造方法は、モールド１０内に原料シリカ粉を供給してシリカ粉層１１を形成するシリカ粉供給工程と、複数本の炭素電極１３によるアーク放電でシリカ粉層１１を熔融するアーク熔融工程と、各炭素電極先端とモールド１０内に供給したシリカ粉層１１の被熔融表面との距離をそれぞれ等距離に設定して被熔融表面に吹きつけたアーク火炎により表面除去するファイヤーポリッシュ工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】廃ガラスを用いて、透明層を有するシリカガラスルツボを製造する方法を提供する。
【解決手段】単結晶又は多結晶シリコンインゴット製造用のシリカガラスルツボ１の製造方法であって、前記ルツボ１は、ルツボ形状のシリカ粉焼結体３に対して、前記シリカ粉焼結体３をルツボ内面側からアーク溶融させて前記シリカ粉焼結体３の厚さ方向の全部又は一部をガラス化させる工程を備え、（１）前記アーク溶融時にルツボ外面側から前記シリカ粉焼結体３を減圧することと、（２）前記アーク溶融時に前記シリカ粉焼結体３の内面に合成シリカ粉を散布することによってルツボ内面に合成シリカガラス層５を形成すること、のうちの少なくとも一方の手段を備えるシリカガラスルツボ１の製造方法。 （もっと読む）

【課題】メインチャンバーの構造の複雑化および設備コストの増大を抑制しつつ、るつぼ内に投入した単結晶原料をるつぼ上方から直接加熱することが可能な単結晶原料の溶融装置を提供する。
【解決手段】移動機構を有する本体部と、単結晶製造装置のメインチャンバーのゲートバルブに連結される下部開口端と、上部閉止端とを有する筒状体と、本体部に設けられ、下部開口端とゲートバルブとが連結する連結位置と、下部開口端とゲートバルブとが上下に離間した解除位置との間で筒状体を上下に昇降させる筒状体昇降機構と、筒状体の内部から下方に突出してるつぼ内の単結晶原料を加熱するヒーターと、本体部に設けられ、筒状体内の収容位置と、下部開口端よりも下方の単結晶原料加熱位置との間でヒーターを上下に昇降させるヒーター昇降機構と、ヒーターへ電力を供給する電力供給源との接続部とを備えることを特徴とする単結晶原料の溶融装置である。 （もっと読む）

【課題】シリカガラスルツボの座屈や沈み込みが抑制され且つ亀裂が入りにくいシリカガラスルツボを提供する。
【解決手段】本発明によれば、シリコン単結晶引き上げに用いるシリカガラスルツボであって、前記ルツボの壁が、前記ルツボの内面側から外面側に向かって天然シリカガラス又は合成シリカガラスからなるノンドープの内面層、及び鉱化元素が島状に偏在した鉱化元素偏在領域が分散している鉱化元素偏在シリカガラス層を備え、前記鉱化元素偏在領域のガラス成分とその周辺のガラス成分は、鉱化元素がドープされた天然シリカガラスとノンドープの合成シリカガラスの組み合わせ、又は鉱化元素がドープされた合成シリカガラスとノンドープの天然シリカガラスの組み合わせであり、前記内面層は、前記鉱化元素偏在領域のガラス成分とは異なる種類のガラス成分からなるシリカガラスルツボが提供される。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶引き上げ中の高温下において沈み込みが抑制された石英ガラスルツボ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】石英ガラスルツボ１０は、ルツボの外表面側に設けられた多数の気泡を含む不透明石英ガラス層１１と、ルツボの内表面側に設けられた透明石英ガラス層１２とを備え、不透明石英ガラス層１１は、ルツボ上部に設けられた第１の不透明石英ガラス部分１１ａと、ルツボ下部に設けられた第２の不透明石英ガラス部分１１ｂとを有している。第１の不透明石英ガラス部分１１ａの原料石英粉のＯＨ基濃度が第２の不透明石英ガラス部分１１ｂの原料石英粉のＯＨ基濃度よりも高いため、第１の不透明石英ガラス部分１１ａの比重は第２の不透明石英ガラス部分１１ｂの比重よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】長時間、高温に加熱しても、変形することが少ないシリカガラスルツボを提供する。
【解決手段】本発明によれば、直胴部と、底部と、前記直胴部と前記底部をなめらかに接続する湾曲部とを有するシリカガラスルツボであって、前記シリカガラスルツボの壁は、内側から順に透明層及び気泡含有層を備え、前記直胴部の上端と下端の中間部分において、前記透明層の厚さに対する前記気泡含有層の厚さの比が０．７〜１．４であるシリカガラスルツボが提供される。 （もっと読む）

【課題】シリコン融液への不純物の混入のおそれなく、シリカガラスルツボの座屈や沈み込みを抑制することができるシリカガラスルツボを提供する。
【解決手段】シリコン単結晶の引き上げに用いるシリカガラスルツボであって、前記ルツボの壁３の外表面から内表面に向かって厚さ２ｍｍの領域３ｃのシリカガラスのラマンスペクトルでの４９２ｃｍ^−１におけるピークの面積強度Ｉ１と、６０６ｃｍ^−１におけるピークの面積強度Ｉ２の比Ｉ２／Ｉ１が０．６７〜１．１７であるシリカガラスルツボ。 （もっと読む）

【課題】ルツボ回転軸から炉外への熱逃げを抑制することができ、しかも、製造コストを安価に抑えることのできる金属単結晶引上げ装置を提供する。
【解決手段】単結晶引き上げ装置１は、シリコン体融液３を収納する石英ルツボ２と、石英ルツボ２を保持する黒鉛ルツボ４と、黒鉛ルツボ４を下部で固定保持するための受け皿５と、受け皿５を下部で支持し受け皿５及びルツボ２，４を回転させながら昇降させるルツボ回転軸６とを備えている。受け皿５とルツボ回転軸６との接合面には、低熱伝導部材１０が介在されている。低熱伝導部材１０は略管状に形成されており、低熱伝導部材１０の中央孔をルツボ回転軸６の凸部が挿通した状態で介在配置されている。これにより、受け皿５の底部下側に空隙部１１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】結晶中への気泡の混入をより高いレベルまで防ぐことができる結晶成長方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る結晶成長方法は、固体原料を融解して溶融原料を製造する溶融工程の後、結晶を成長させる結晶成長工程の前に、溶融原料が突沸しない圧力まで減圧し、又は突沸しない温度まで昇温し、前記溶融原料に混入している気泡を前記溶融原料から放出させる脱気工程を有する。前記減圧による到達圧力は５〜２０Ｔｏｒｒが好ましい。前記溶融原料は予め融解された状態で結晶成長用坩堝に供給され、前記脱気工程は、前記溶融原料が前記結晶成長用坩堝に供給される前に行なわれてもよい。前記脱気工程において、前記溶融原料が攪拌されてもよく、この場合の攪拌は、前記溶融原料を収容する坩堝の上方に、前記溶融原料の液面に対し進退自在に設けられた石英棒で行われてもよい。 （もっと読む）

【課題】長手方向の抵抗率分布が同一な単結晶をより確実に製造できるシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】原料シリコン素材９を加熱して溶融帯１１を形成し、溶融帯１１にドーパントを供給しながら溶融帯１１を凝固させて、直径が同一な直胴部１０ａと、直径が拡大又は縮小する直径拡縮部１０ｂ，１０ｃとを有する単結晶１０を製造するＦＺ法によるシリコン単結晶の製造方法であって、直胴部１０ａに対応する溶融帯１１にドーパントを供給しながら直胴部１０ａを形成する直胴部形成工程と、直胴部形成工程の前及び／又は後に、直径拡縮部１０ｂ，１０ｃに対応する溶融帯１１にドーパントを供給しながら直径拡縮部１０ｂ，１０ｃを形成する直径拡縮部形成工程と、を備え、直径拡縮部形成工程において、所定の変更条件に基づいて、直胴部形成工程におけるドーパントの供給条件に対して直径拡縮部形成工程におけるドーパントの供給条件を変更する。 （もっと読む）

【課題】冷却水路の酸化を抑制可能なＦＺ（浮遊帯域溶融）法によるシリコン単結晶製造装置、シリコン単結晶の製造方法及び誘導加熱コイルの加工方法を提供する。
【解決手段】ＦＺ法によるシリコン単結晶の成長を行う反応炉と、反応炉内に収容され、シリコン単結晶の原料となる原料シリコン素材を保持する原料保持具と、反応炉内に収容され、原料シリコン素材を部分的に加熱して溶融帯を形成し、溶融帯を凝固させてシリコン単結晶の成長を行う誘導加熱コイル４と、を備え、誘導加熱コイル４は、誘導加熱コイル４を冷却する冷却水が流通し、冷却水による酸化を防止する被膜４５が形成された冷却水路４４を誘導加熱コイル４の内部に有する。 （もっと読む）

【課題】カーボンヒータや炉内カーボン部品の寿命を延長して設備費用を削減でき、高品質な結晶半導体を製出可能である結晶半導体の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】チャンバ内に配置された坩堝に貯留した半導体融液を、前記坩堝の底部から冷却して凝固させるとともに結晶半導体を成長させる結晶半導体の製造方法であって、前記チャンバ内の圧力を１０^−４Ｐａ以下に減圧し、該チャンバ内の水分を除去する水分除去工程Ｓ１０と、前記チャンバ内に不活性ガスを導入するガス導入工程Ｓ２０と、前記坩堝内に収容した半導体原料をヒータで加熱し溶解させて前記半導体融液とする溶解工程Ｓ３０と、前記坩堝を底部から冷却して、前記半導体融液を凝固させるとともに結晶半導体を成長させる成長工程Ｓ４０と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電気炉の加熱温度を下げないで、ゲートバルブの弁板の熱変形をさせずに、トラブルが無く結晶製造を連続的に行うことができ、大幅な製造コストの削減が出来る熱遮蔽機を提供する。
【解決手段】本発明は、加熱炉の取り出し口に設けられたゲートバルブと加熱容器部の間に挿抜可能に配置される蓋であって、前記蓋内部に冷却媒体を循環させ、前記ゲートバルブへの熱伝達を遮蔽することを特徴とする熱遮断機の構成とした。 （もっと読む）

【課題】種原子層が成膜されていない基板上に、種原子を含まないウィスカ集合体を直接成長させることを可能としたウィスカ集合体の製造方法を提供する。
【解決手段】被形成基板の対面に種基板を配置し、シリコンを含むガスを導入し減圧化学気相成長を行う。被形成基板は、減圧化学気相成長を行う時の温度に耐えられる物であれば、種類を問わない。種原子を含まないシリコンウィスカ集合体を、被形成基板上に接して、直接成長させることができる。更に、形成されたウィスカ集合体の表面形状特性を利用することで、ウィスカ集合体が形成された基板を太陽電池や、リチウムイオン二次電池等へ応用することができる。 （もっと読む）

【課題】単結晶の育成時における熱効率の低下を抑制することによってヒーターの消費電力を低減し、かつ結晶引き上げ後のチャンバー内を短時間で冷却し得る単結晶の製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】原料融液３からチョクラルスキー法により単結晶４を引上げて製造する単結晶製造装置であって、断熱筒１３は上段肉厚部１３ａと、上段肉厚部１３ａから下方に延伸し、上段肉厚部１３ａよりも肉厚が薄い下段肉薄部１３ｂを有する。 （もっと読む）

【課題】ヒータ、石英坩堝、シリコン融液等からの熱を遮熱部材で効果的に遮断して、シリコン融液のシード浸漬部や育成途上結晶を確実に冷却でき、単結晶シリコンの成長を促進できるとともに、生産性を向上できる単結晶シリコンの製造装置を提供する。
【解決手段】チャンバ内に、シリコン融液を貯留する有底筒状の坩堝と、前記坩堝の径方向外側に配置されたヒータとを備え、前記シリコン融液に浸漬したシードを引き上げて単結晶シリコンを成長させる単結晶シリコンの製造装置であって、前記坩堝の上方には、前記シードを囲むように筒状に形成された遮熱部材２４が配設され、前記遮熱部材２４は、黒鉛からなり内部に収容空間２５Ａが形成された第１部材２５と、前記収容空間２５Ａに収容された第２部材２６と、を有し、前記第２部材２６は、シード側とは反対側を向く面が光沢面２７Ａとされた反射板２７を備えることを特徴とする。 （もっと読む）