【課題】種原子層が成膜されていない基板上に、種原子を含まないウィスカ集合体を直接成長させることを可能としたウィスカ集合体の製造方法を提供する。
【解決手段】被形成基板の対面に種基板を配置し、シリコンを含むガスを導入し減圧化学気相成長を行う。被形成基板は、減圧化学気相成長を行う時の温度に耐えられる物であれば、種類を問わない。種原子を含まないシリコンウィスカ集合体を、被形成基板上に接して、直接成長させることができる。更に、形成されたウィスカ集合体の表面形状特性を利用することで、ウィスカ集合体が形成された基板を太陽電池や、リチウムイオン二次電池等へ応用することができる。 （もっと読む）

【課題】単結晶の育成時における熱効率の低下を抑制することによってヒーターの消費電力を低減し、かつ結晶引き上げ後のチャンバー内を短時間で冷却し得る単結晶の製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】原料融液３からチョクラルスキー法により単結晶４を引上げて製造する単結晶製造装置であって、断熱筒１３は上段肉厚部１３ａと、上段肉厚部１３ａから下方に延伸し、上段肉厚部１３ａよりも肉厚が薄い下段肉薄部１３ｂを有する。 （もっと読む）

【課題】特に大口径石英ガラスルツボを用いてシリコン単結晶引上げを行う際、内表面の結晶化物質の剥離を抑制でき、石英ガラスルツボの変形を抑制できるとともに、毒性が低く、取扱いが容易な石英ガラスルツボとその製造方法およびシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】モリブデン含有物質を石英ガラスルツボの内表面および／または外表面の全部または一部に有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンを所望の大きさの塊に破砕するとともに、破砕歯及びロール外表面からの多結晶シリコン塊への不純物のコンタミを防止し、高品質の多結晶シリコンを得ることができる多結晶シリコンの破砕装置を提供する。
【解決手段】平行な軸線周りに互いに逆回転する一対のロール３間に塊状の多結晶シリコンを挟み込んで破砕する多結晶シリコンの破砕装置であって、ロール３の外周面上に超硬合金又はシリコン材によって形成された複数の破砕歯５が半径方向外方に突出して設けられており、ロール３に破砕歯５を挿通させた状態で巻き付けられて、ロール３の外周面を覆う樹脂カバー４５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】積層するウェーハ数を多くした場合でも、積層したウェーハ相互間においてスリップ転位の発生を抑制することができ、また、積層したウェーハ相互間の接着を抑制し、剥離性を高めることができるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハＷの平面全体にシリカパウダーを散布させて、該シリコンウェーハＷの平面同士を複数枚積層してウェーハブロックＷ_Ｂを形成し、該ウェーハブロックＷ_Ｂの最下部のシリコンウェーハＷ_Ｕの平面のみを第１熱処理用部材３２の一面上に全面支持させて該ウェーハブロックＷ_Ｂを水平保持させると共に、第２熱処理用部材３４により前記水平保持させたウェーハブロックＷ_Ｂの外周囲全体を囲繞させて、１２７０℃以上シリコンの融点以下の最高到達温度で熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】シリコン原料の溶融と種結晶の予備加熱を簡単な構成で効率良く行うことが可能なシリコン単結晶引き上げ装置及びシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶引き上げ装置１０は、シリコン融液２を保持する石英ルツボ１４と、石英ルツボ１４の周囲に設けられたヒーター１５と、石英ルツボ１４の上方に設けられ、先端に種結晶１が取り付けられた第１の引き上げ軸１８と、石英ルツボ１４の上方に配置された略逆円錐台形状の筒状部分を有する熱遮蔽部材２０と、中空部を有する円盤状の熱遮蔽板２２とを備えている。熱遮蔽板２２は、シリコン融液２の上方を覆う保温位置とシリコン融液２から見て保温位置よりも上方の待避位置との間を移動可能に構成されており、熱遮蔽板２２の保温位置は垂直方向に対して前記熱遮蔽部材２０と重なる位置である。熱遮蔽板２２の位置制御は、第１の引き上げ軸１８の昇降制御とは独立して行われる。 （もっと読む）

【課題】単結晶シリコンで構成された半導体ウェハを熱処理中に支持するための支持リング、該半導体ウェハの熱処理のための方法、および単結晶シリコンで構成された熱処理された半導体ウェハを提供する。
【解決手段】単結晶シリコンで構成された半導体ウェハを、半導体ウェハの熱処理中に支持するための支持リングであって、外部側面および内部側面と、外部側面から内部側面に延在し、半導体ウェハの配置に役立つ湾曲面とを含み、湾曲面は、直径３００ｍｍの半導体ウェハの配置用に設計されている場合には６０００ｍｍ以上９０００ｍｍ以下の曲率半径を有し、直径４５０ｍｍの半導体ウェハの配置用に設計されている場合には９０００ｍｍ以上１４０００ｍｍ以下の曲率半径を有する、支持リング、該半導体ウェハの熱処理のための方法、および単結晶シリコンで構成された熱処理された半導体ウェハである。 （もっと読む）

【課題】シリコンの針状構造物を得る。
【解決手段】金属基板上にＬＰＣＶＤ法により結晶性シリコン領域を形成すると、｛１１１｝面を双晶面とし、＜１１０＞方向、もしくは＜２１１＞方向に成長する多結晶体よりなるウィスカ状結晶性シリコンが得られる。ウィスカ状結晶性シリコンは、双晶を形成しながら（積層欠陥を導入しながら）成長し、ウィスカ状結晶性シリコン成長方向と垂直な面内（輪切り面内）に双晶面の法線方向＜１１１＞が必ず含まれるように初期核が配置される。このような材料をリチウムイオン二次電池の負極活物質や太陽電池等の光電変換装置として用いる。 （もっと読む）

【課題】 シリコン単結晶を製造する際に転位の発生を抑制するシリコン単結晶の製造方法であって、石英るつぼ内表面に不純物層を形成することなく、またシリコン単結晶を製造していない無駄な時間を短縮できるシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 石英るつぼ内に収容された多結晶シリコンを溶融してシリコン融液とする溶融工程と、前記シリコン融液の融液面に種結晶を接触させ、前記シリコン融液に磁場を印加しながら前記種結晶を上方に引き上げることによりシリコン単結晶を育成する引き上げ工程とを有するＭＣＺ法によるシリコン単結晶の製造方法であって、
少なくとも、前記溶融工程後、前記引き上げ工程前に、前記シリコン融液に磁場を印加して放置する工程と、その後、磁場の印加を止めて放置する工程とを行うことを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 より正確に重量を測定することが可能な単結晶引上装置を提供する。
【解決手段】 単結晶引上装置Ａ１は、重量検出手段５４１を有する支持体５を動かすことにより引上軸３および軸支持部４を動かし、気密容器２内の単結晶１の引き上げを行うものであり、軸支持部４は、引上軸３を支持する本体部４１と、本体部４１と連結された被支持部４３とを具備しており、支持体５は、被支持部４３を支持する支持部５４と、被支持部４３より軸方向ｚ上方に配置された延出部５３とを具備しており、延出部５３と被支持部４３との間に設けられ、軸方向ｚに伸縮可能な第１の筒体７１と、引上軸３を囲むように構成され、軸方向ｚに伸縮可能であり、軸方向ｚにおける上端が本体部４１に固定された第２の筒体７２と、第１の筒体７１と第２の筒体７２とを連結する配管７４を備えている。 （もっと読む）

【課題】デバイス製造工程における熱処理を経た後にも高抵抗を維持するとともに、ウェーハの機械的強度及びゲッタリング能力が高い高抵抗シリコンウェーハを製造する方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により設定抵抗率に応じてドーパントを添加してシリコンインゴットを成長させ、該シリコンインゴットをスライスして設定抵抗率を有するシリコンウェーハを製造するに当たり、設定抵抗率毎に、シリコンウェーハを供するデバイス作製工程における熱処理後の当該シリコンウェーハの熱処理後抵抗率と当該シリコンウェーハが切り出されたシリコンインゴットの酸素濃度との相関を予め求めておき、シリコンインゴットの成長を、該インゴットの設定抵抗率に対する相関において、導電型が逆転する酸素濃度未満となる条件にて行う。 （もっと読む）

【課題】半導体材料あるいは太陽電池材料等の単結晶あるいは多結晶を製造する装置において溶融材料を収容する石英ガラスルツボを支持、保持するために用いられる炭素ルツボであって、石英ガラスルツボを支持し変形を防止できるとともに、冷却後に石英ガラスルツボを容易に取り外すことができる炭素ルツボを提供する。
【解決手段】ルツボ底部を構成する架台部２と、架台部２に載置または嵌挿される筒状体３とを備えた炭素ルツボ１であって、架台部２が黒鉛材からなり、筒状体３は炭素繊維織布４が積層された炭素繊維強化炭素複合材からなり、筒状体３の一端部から他の一端部にかけて不連続部Ｆが設けられており、不連続部Ｆにおいて筒状体３の軸線に垂直な方向の少なくとも一部に炭素繊維強化複合材が存在し、かつ筒状体３の周方向に拘束力を発揮する構造を有する。 （もっと読む）

【課題】デバイス製造工程における熱処理を経た後にも高抵抗を維持するシリコンウェーハを高い生産性を以て製造する方法を提供する。
【解決手段】設定抵抗率に応じてドーパントを添加してシリコンインゴットをチョクラルスキー法により成長させ、該シリコンインゴットをスライスして前記設定抵抗率を有するシリコンウェーハを製造するに当たり、設定抵抗率毎に、シリコンウェーハを供するデバイス作製工程における熱処理後の該シリコンウェーハの熱処理後抵抗率のウェーハ厚み方向のプロファイルを、複数のシリコンインゴット酸素濃度において予め求めておき、前記プロファイルにおいて、熱処理後抵抗率がピークとなる深さまでのウェーハ表面からの厚みが、デバイスのチップ形成領域より厚いプロファイルを有する、酸素濃度となる条件にてシリコンインゴットの成長を行うようにする。 （もっと読む）

【課題】耐久性ならびにルツボの安定支持性を向上させ、充分な単結晶化率を得ることのできるシリカガラスルツボを提供する。
【解決手段】第一の曲率を有する底部と、前記底部の周りに形成され、第二の曲率を有する底部コーナーと、底部コーナーから上方に延びる直胴部を有するシリカガラスルツボにおいて、ルツボ上端から直胴部、及び底部と底部コーナーとの間の曲率変化点Ｐを基準とする所定範囲までが、結晶化促進剤添加シリカガラスからなる外層２と天然原料シリカガラスからなる不透明中間層３と天然原料シリカガラスまたは合成原料シリカガラスからなる透明内層４で形成された３層構造とからなり、底部が、天然原料シリカガラスからなる不透明外層５と天然原料シリカガラスまたは合成原料シリカガラスからなる透明内層４で形成された２層構造とからなり、外層２は境界部Ｋからルツボ上端側の結晶化促進剤の添加濃度が、境界部Ｋから底部側よりも高い。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体形成に好適な、シリコンウェーハをベースとした安価な形成用基板を提供することである。また、厚膜の窒化物半導体エピタキシャル層を成長させた場合でも、各材料間の格子定数差および熱膨張係数差から生じる、反り・クラックの発生を低減し、機械的強度や、熱的強度に優れた窒化物半導体形成用基板を提供すること。
【解決手段】ボロンとゲルマニウムとが特定濃度でドープされており、好ましくはボロンとゲルマニウムの濃度比において、ゲルマニウムの濃度をボロンの濃度の５〜８倍と制御したシリコンウェーハ。 （もっと読む）

【課題】高温熱処理時のウェーハの撓みを抑制し、スリップ転位の発生及びウェーハ表面へのパーティクルの付着を防止することができるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶インゴットをスライスして得られたシリコンウェーハの裏面の外周領域をサポートリングにより支持し、前記シリコンウェーハの外周縁から中心に向かって５ｍｍの位置である外周部の温度が、該シリコンウェーハの中心部の温度よりも４℃以上３０℃以下の範囲で高く、かつ、該シリコンウェーハの外周縁の温度が、前記外周部の温度よりも低くなるように、前記シリコンウェーハの面内温度を制御しながら熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造において、高温でのサスセプタと石英るつぼとの反応により発生する酸化ケイ素、一酸化炭素及び／又は二酸化炭素などの放出ガスを効果的に排気する方法およびサスセプタを提供する。
【解決手段】シリコンチャージが溶融する石英るつぼを保持するためのサスセプタ４４は、その下部でるつぼを受け入れるようなサイズの概ねボウル形の構造であり、前記構造が、るつぼの上部の上方へ延びる内面５２を有し、前記構造の前記内面５２に複数の溝４６，４８，５０が形成されてなり、前記複数の溝４６，４８，５０を通じて、前記サスセプタ４４および前記るつぼが加熱されるときにるつぼの外面から放出されるガスが上昇し、上方の開放端開放端から放出される。前記の溝および開放端は石英るつぼ外面に形成されてもよい。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法によるシリコン単結晶引上装置で、ドーパントが高濃度で添加された低抵抗率のシリコン単結晶を引き上げる際に炉内及び排気管内に付着した活性シリコン酸化物を、前記装置の解体・清掃前に効率的に酸化燃焼させて除去するシリコン単結晶引上装置のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】炉内に配置されたルツボ内に保持されたシリコン融液１０からシリコン単結晶１２を引き上げた後、シリコン単結晶１２を前記炉内から取り出し、前記炉内及び排気管１５内に大気を供給しつつ、排気管１５内から前記大気を強制排気する。 （もっと読む）

【課題】分割された黒鉛ルツボを具備する単結晶製造装置を用いて単結晶を引き上げる際、特に低速の回転速度で引上げる場合にも、ヒーター温度を正確に検出し、ヒーター出力を安定して制御することができる単結晶の製造方法及び単結晶製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】チョクラルスキー法により、前記黒鉛ルツボ及び前記石英ルツボを回転させ、前記ヒーターの温度を測定し、該測定したヒーターの温度を基に前記ヒーターの出力を制御しながら、前記石英ルツボ中の原料融液から単結晶を引き上げる単結晶の製造方法であって、前記ヒーターの温度を、前記回転する黒鉛ルツボの分割部と対応する円周方向の角度位置に同時に一致しない２以上の測定位置で測定して検出し、該測定したヒーターの温度の２以上の検出値を基に前記ヒーターの出力を制御しながら、前記単結晶を引き上げる単結晶の製造方法及び単結晶製造装置。 （もっと読む）

【課題】コドープを行うに際し、シリコン単結晶の育成中であっても液面振動を抑制してドーパントを添加することが可能であるシリコン単結晶引上装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るシリコン単結晶引上装置１０は、シリコン融液１６の上方に配置された熱遮蔽体２０と、熱遮蔽体２０の外周側及びシリコン融液１６の液面から離間して配置され、シリコン単結晶Ｉｇとルツボ１４の内壁との間のシリコン融液１６の液面第１位置１６ａ上に液相ドーパントを供給する第１供給管５２と、液面第１位置１６ａとシリコン単結晶Ｉｇとの間の液面第２位置１６ｂ上に気相ドーパントを供給する第２供給管５４と、を有するドーパント供給部５０とを備える。 （もっと読む）