【課題】変形及び転位が抑制され、且つテール部が省略されたシリコン単結晶を製造し得る、シリコン単結晶製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶製造方法は、磁場中心Ｌ２における磁束密度が１０００ガウス以上２０００ガウス以下である水平磁場を印加しつつシリコン単結晶２の直胴部４を成長させた後、融液３２の液面に対するシリコン単結晶の相対的な引上げ速度を０ｍｍ／分にし、その後、シリコン単結晶の見かけの重量が減少するまで、その停止状態を維持し、さらに停止状態を維持して、融液に接するシリコン単結晶の成長面全体をシリコン単結晶の引上げ方向と反対方向に凸形状にした後、融液から単結晶を切り離す。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハの表面の酸素濃度の低下及びＲＴＰ後のシリコンウェーハの表面の粗さの悪化を抑制することができると共に、ウェーハの表層部におけるＣＯＰ等のボイド欠陥を大きく低減し、かつ、ウェーハのバルク部に酸素析出物を高密度に形成することができるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】ウェーハＷの表面Ｗ１側に不活性ガスを、裏面Ｗ２側に酸素含有ガスをそれぞれ供給し、１３００℃以上１４００℃以下の最高到達温度Ｔ１まで急速昇温し、最高到達温度Ｔ１にて保持した後、急速降温を行い、降温中、７００℃以上９００℃以下の温度Ｔ２で、前記不活性ガスを酸素含有ガスに切り替えて、ウェーハＷの表面Ｗ１側に酸素含有ガスを供給し、前記切り替えた酸素含有ガス中の酸素をウェーハＷの表面Ｗ１側に内方拡散させる。 （もっと読む）

【課題】水平磁場印加チョクラルスキー法（ＨＭＣＺ法）によるシリコン単結晶製造における種付け工程において、シリコン融液表面温度を安定して測定することで、適正な種付け温度に合わせることができ、絞りの失敗や不適正な絞りに起因するコーン育成時の有転位化を従来に比べて大幅に抑制することができ、これによって生産性を向上させることができるシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶の製造方法であって、種結晶をシリコン融液に着液する前に、予め二次元温度計によりシリコン融液表面温度分布を測定して融液表面温度が他の領域より低温となる低温領域となり得る範囲１９を特定し、その後、放射温度計によってシリコン融液表面の表面温度を測定して測定温度により種結晶のシリコン融液３の着液時の融液温度を調節する際に、放射温度計による温度測定点を低温領域となり得る範囲１９外に設定する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、複雑な雰囲気圧力の制御を必要とすることなく、比抵抗のばらつきが小さいシリコン単結晶を確実に製造できる方法を提供することにある。
【解決手段】揮発性ドーパントを添加したシリコン融液から、チョクラルスキー法によって比抵抗値が10Ω・cm以上のｎ型シリコン単結晶の引き上げを行うシリコン単結晶の製造方法であって、シリコン単結晶を引き上げる際の雰囲気圧力を調整しつつシリコン単結晶の引き上げを開始し、雰囲気圧力が所定圧力に達した後、引き上げ終了まで所定圧力±0.5kPaの範囲に雰囲気圧力を維持することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】マルチ引き上げにおいてシリカガラスルツボの座屈や沈み込みを抑制することができるシリカガラスルツボを提供する。
【解決手段】シリコン単結晶引き上げに用いるシリカガラスルツボ１であって、前記ルツボ１の内表面に鉱化剤を備え、前記鉱化剤は、Ca、Sr、Ba、Ra、Ti、Zr、Cr、Mo、Fe、Co、Ni、Cu、及びAgのうちの少なくとも一つの原子を含み、前記内表面上での前記鉱化剤の濃度が１．０×１０^５〜１．０×１０^１７個／ｃｍ^２であるシリカガラスルツボ。 （もっと読む）

【課題】底部における酸素濃度が局所的に高くなる部分を少なくして、多結晶シリコンの生産歩留まりを大幅に向上させることができる多結晶シリコンインゴット製造装置、多結晶シリコンインゴットの製造方法及び多結晶シリコンインゴットを提供する。
【解決手段】断面矩形状をなす坩堝２０と、この坩堝２０の上方に配設された上部ヒータ４３と、坩堝２０の下方に配設された下部ヒータ３３と、を有し、坩堝２０内に貯留されたシリコン融液３を、その底面２１から上方に向けて一方向凝固させる多結晶シリコンインゴット製造装置１０であって、坩堝２０の底面２１側において坩堝２０の側壁部２２の少なくとも一部を加熱する補助ヒータ５０を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】１ミクロンより小さい、好適には１０ｎｍより小さい（チヤネルまたは細孔）幅と、ミクロン範囲またはそれより長い長さとを有する、埋め込まれたナノチヤネル（またはナノ細孔）を含むナノチヤネルデバイスを提供する。
【解決手段】単結晶基板１を含むデバイスであって、単結晶基板１は、単結晶基板１の所定の結晶面を露出させる少なくとも１つのリセス領域４を有し、少なくとも１つのリセス領域４は、更に、リセス幅を有し、および充填材料５と埋め込まれたナノチャネル６とを含み、埋め込まれたナノチャネル６の幅、形状、および深さは、少なくとも１つのリセス領域４のリセス幅と、露出した所定の結晶面に対して垂直な方向における充填材料の成長表面の成長速度により決定されるナノチヤネルデバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ルツボ上部の径方向内側への倒れ込み、及び直胴部の座屈変形の発生を抑制し、サセプタとの密着性を向上する。
【解決手段】シリコン単結晶を引上げる単結晶引上装置において、ルツボ形状のサセプタ２と、該サセプタに収容される石英ガラスルツボ３とからなるルツボ構造１であって、前記石英ガラスルツボは、円筒状に形成され、上端に開口部を有するルツボ直胴部２ｂと、前記ルツボ直胴部の下端側に形成されたルツボ底部２ｃと、前記ルツボ直胴部における外周面の少なくとも一部に、周方向に沿って螺旋状に形成されたリブ４とを有し、前記サセプタは、円筒状に形成され、上端に開口部を有するサセプタ直胴部３ｂと、前記サセプタ直胴部の下端側に形成されたサセプタ底部３ｃと、前記サセプタ直胴部の内周面に、周方向に沿って螺旋状に形成された前記リブに係合可能な螺合溝５とを有し、前記石英ガラスルツボは、前記サセプタに螺合され収容される。 （もっと読む）

【課題】天然石英ガラス原料粉からの熱の拡散を抑制し、この天然石英ガラス原料粉を溶け易くすることで消費電力量を削減したシリコン単結晶引上用石英ガラスルツボの製造方法を提供する。
【解決手段】ルツボ成形用型１１内に天然石英ガラス原料粉末を装填し、さらにその内表面に合成シリカ原料粉末を装填し、ルツボ形状の２層の石英充填層２０を形成し、石英充填層２０に対して、カーボン電極１９に通電して内側から加熱し、天然石英ガラス原料粉末及び合成シリカ原料粉末を溶融し、その後、冷却し、内面側に透明石英ガラス層が形成され、外表側には不透明石英ガラス層が形成されるシリコン単結晶引上用石英ガラスルツボの製造方法において、天然石英ガラス原料粉末として、粒径が１０〜５００μｍかつＢＥＴ法により測定した比表面積が２０ｍ^２／ｇ以上である天然石英ガラス原料粉末が用いられる。 （もっと読む）

【課題】石英ガラスルツボ表面のＳｉＯ_２の蒸発（ベーパライズ）を抑制することによって、Ａｌ、Ｃａ等の不純物の濃縮を抑制することができる石英ガラスルツボの製造方法を提供する。
【解決手段】石英ガラス原料粉末を堆積させ、ルツボ形状体を形成する工程と、アーク放電を開始する工程と、アーク放電がなされ、ルツボ形状体の内側の石英ガラス原料粉末が溶融し、透明石英ガラス層が形成される透明石英ガラス層形成工程と、前記透明石英ガラス層形成工程後、ルツボ形状体の外側に気泡を有する不透明石英ガラス層が形成される不透明石英ガラス層形成工程と、前記不透明石英ガラス層形成工程中、窒素ガスまたはヘリウムガスをルツボ形状体内側の所定の部位に吹付け、前記部位の高温化を抑制するガス吹付け工程と、ルツボ形状体の外側に不透明石英ガラス層が形成された後、前記アーク放電及び該ガスの吹付けを停止する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】ルツボ上部の径方向内側への倒れ込み、及び直胴部の座屈変形の発生を抑制し、サセプタとの密着性を向上することのできる石英ガラスルツボ及びルツボ構造を提供する。
【解決手段】円筒状に形成され、上端に開口部を有する直胴部３ａと、前記直胴部の下端に形成された底部３ｃと、前記直胴部の開口部の周囲において、径方向外側に環状に延設されると共に、サセプタ２の上端２ｂに係合可能なフランジ部３ｂとを有し、前記直胴部の高さ寸法は、前記直胴部と前記底部とが前記サセプタ内に収容され、前記フランジ部が前記サセプタの上端に係合した状態で、前記底部の下端と、前記サセプタの底部２ｃとの間に所定の間隙が形成される長さに形成されている。 （もっと読む）

【課題】ルツボに起因するシリコン単結晶の歩留低下の要因であるポリシリコン融液の液面振動を防止し、さらに、ブラウンモールドの発生を抑制するために、高ＯＨ基濃度かつ高純度のルツボ内表面を低コストで形成することができるシリコン単結晶引上げ用シリカガラスルツボの製造方法を提供する。
【解決手段】直胴部及び底部を有するシリカガラスルツボの製造において、前記ルツボの開口部から直胴部にかけての内表面に、粒径７０〜３００μｍのシリカ粉と酸水素火炎とにより透明シリカガラスを堆積させて内層を形成する。 （もっと読む）

【課題】所定量の半導体粉末からなる小塊を溶融して球状溶融体を形成し、これを冷却凝固させて半導体粒子を製造する方法において、質量バラツキが小さい多数の小塊を相互に確実に離間させた状態で加熱用基板上に形成する。これにより、半導体粒子の高品質化と生産性向上が可能となる。
【解決手段】相互に間隔を設けて型板の表側に形成された所定形状の多数の凹部内に半導体粉末を充填し、その型板の表側に加熱用基板の平面部を重ね合わせる。その状態を維持しつつ表裏を反転させる。次いで、加熱用基板上に配置されている型板を上方に引きあげて、凹部に充填された半導体粉末を加熱用基板上に転写する。上記の凹部の横断面積は開口部に近いほど大きいことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を引上げる際に用いる石英ガラスルツボにおいて、ルツボ上部の径方向内側への倒れ込みの発生を抑制し、サセプタとの密着性を向上することのできる石英ガラスルツボを提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を引上げる際に用いる石英ガラスルツボ１であって、第１の曲率を有する底部１ｂと、前記底部の周囲に形成され、第２の曲率を有する底部コーナー１ｃと、前記底部コーナーから上方に延設され、上端が開口する直胴部１ａとを有し、前記底部コーナーの外周面には、周方向に沿って環状に溝部２ａが設けられている。 （もっと読む）

【課題】レーザ光を照射し、照射によって生じる蛍光の波長と強度から不純物成分を特定し、かつ不純物成分の含有量を算出することによって、ルツボ内表面の極表層に含まれる不純物成分のみを検出するシリコン単結晶引上用石英ガラスルツボの検査装置及び検査方法を提供する。
【解決手段】レーザ光が導かれる出光ファイバ４と、石英ガラスルツボの内表面から蛍光を受光するための受光ファイバ６と、分光器７よって分光された所定波長の光の蛍光強度を検出する検出器９と、予め求めた不純物成分に対応する蛍光波長と不純物成分の含有量に対する蛍光強度データに基づいて、不純物成分の特定と含有量の算出を行うコンピュータ１０と、石英ガラスよりも高屈折率のマッチングオイルの薄膜を前記石英ガラスルツボ内表面に形成するマッチングオイル供給管１３ａと、を備えている。 （もっと読む）

【課題】ルツボに起因するシリコン単結晶の歩留低下の要因であるブラウンモールドの発生を抑制するために、ルツボ内表面における微小な凹凸の発生が抑制され、かつ、塵埃や不純物を１サイクルで効率的に除去することができるシリコン単結晶引上げ用シリカガラスルツボの洗浄方法を提供する。
【解決手段】シリカガラスルツボ内表面を、純水で洗浄する工程、界面活性剤で洗浄する工程、０．２〜１重量％のフッ硝酸水溶液で洗浄する工程、純水で洗浄する工程の順で洗浄する。 （もっと読む）

【課題】成長方向（垂直方向）及び水平方向のいずれの部分においても結晶配向方位の傾きの小さいフッ化金属単結晶体の製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法などの坩堝中の原料溶融液面に上方から種結晶体を接触させ、該種結晶体と同じ結晶配向方位を有する結晶を成長させて、該種結晶体に由来する棒状部（a)、該棒状部よりも径の大きな円柱状の直胴部（b)、及び棒状部（a)と直胴部（b)とを繋ぐ拡径部（c)とを有する単結晶体を得るフッ化金属単結晶体の製造方法において、前記拡径部（c)の高さｈと、直胴部（b)の直径ｒとの比ｈ／ｒが０．３５以下、好ましくは０．２５以下となるように拡径部（c)を形成する。 （もっと読む）

【課題】浸漬タクトを低下させることなく、平滑性に優れた板状半導体を作製することができる消波構造付容器を提供する。
【解決手段】本発明の消波構造付容器は、金属材料または半導体材料のいずれか一方を含有する融液に、成長基板を浸漬させるための坩堝と、該坩堝の上面に接して取り付けられた保持体と、該保持体の融液の液面側に取り付けられた支持体と、該支持体に接触して設けられた消波構造とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】初期固体層率を、0を含む任意の値に制御して、所望の初期固体層率の下に単結晶成長を行うことができる溶融層法(DLCZ法)による単結晶成長方法を提供する。
【解決手段】チャンバ内部に、単結晶用材料を装入する坩堝と、該坩堝の周囲に配設されたヒータと、前記坩堝を回転させる坩堝シャフトと、少なくとも前記チャンバの側壁に配設される断熱材と、前記チャンバの半径方向における前記坩堝シャフトの外側且つ前記ヒータの内側に位置し、前記坩堝を冷却する冷媒供給可能の冷却体とを備える、単結晶成長装置を用いて単結晶を成長するに当たり、冷却体への冷媒の供給並びに停止と、冷却体のチャンバの高さ方向の上下移動とを制御することにより、単結晶材料の初期固体層率を制御する。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハが大口径化された場合であっても、半導体デバイス製造時における熱処理において、スリップ転位の発生を抑制し、半導体デバイスの製造歩留の向上を図ることができるシリコンウェーハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るシリコンウェーハ１は、窒素濃度が５．０×１０^１３〜５．０×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３であり、半導体デバイスが形成される第１面２の無欠陥層２ａ厚さは２．０〜１０．０μｍであり、第１面２の無欠陥層２ａの内方に位置する第１面２から深さ１８０μｍまでの第１バルク層２ｂにおける酸素析出物密度は０．７×１０^１０〜１．３×１０^１０ケ／ｃｍ^３であり、第１面２に対向する第２面３の無欠陥層３ａ厚さは第１面２の無欠陥層２ａ厚さより小さく１．０〜９．０μｍである。 （もっと読む）