【課題】二重坩堝構造の導入により、１回性でない再使用が可能なシリコン溶融用二重坩堝を備えるシリコンインゴット成長装置について開示する。
【解決手段】本発明に係るシリコン溶融用二重坩堝を備える単結晶シリコンインゴット成長装置は、シリコン原料が装入されるシリコン溶融用二重坩堝；前記シリコン原料を溶融させてシリコン溶湯を形成するために前記シリコン溶融用二重坩堝を加熱する坩堝加熱部；前記シリコン溶融用二重坩堝の回転及び昇降運動を制御する坩堝駆動部；及び前記シリコン溶融用二重坩堝の上側に配置され、前記シリコン溶湯にディッピングされたシード結晶を引き上げてシリコンインゴットを成長させる引上駆動部；を含み、前記シリコン溶融用二重坩堝は、上側が開放される容器形態であり、内部底面と内壁とを連結する傾斜面を備える黒鉛坩堝と、前記黒鉛坩堝の内側に挿入されて結合され、内部に前記シリコン原料が装入されるクォーツ坩堝とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＦＺ法（フローティングゾーン法または浮遊帯溶融法）により大口径の単結晶を製造する場合であっても、誘導加熱コイルのスリットにおいて生じる放電を効果的に防止できる絶縁部材及び該絶縁部材がスリットに挿入された誘導加熱コイルを有し、高い単結晶化率で安定して高品質の単結晶を製造することのできる単結晶製造装置並びに該単結晶製造装置を用いた単結晶製造方法を提供する。
【解決手段】ＦＺ法による単結晶製造装置に具備される誘導加熱コイル７の両コイル端部１３を互いに分離するスリット１４に挿入され、該スリット１４において生じる放電を防止するための絶縁部材１６であって、少なくとも、該絶縁部材１６の、前記スリット１４に挿入された際に前記コイル端部１３と対向する表面上に、１以上の溝１７が形成されたものであることを特徴とする絶縁部材。 （もっと読む）

【課題】失透コーティングに形成されるピンホールの直径を小さく抑えることができるシリコン結晶成長用石英坩堝のコーティング方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るコーティング方法では、シリコン結晶成長用石英坩堝の内面に厚さ８０μｍ以上４ｍｍ以下の無気泡石英層を形成し、前記無気泡石英層の表面をアルカリ土類水酸化物で被覆した後、前記表面に失透が発生する温度以上に加熱する。前記被覆は、前記内面を前記アルカリ土類水酸化物の溶液に浸漬させて行なってもよい。また、前記加熱は、前記シリコン結晶成長用石英坩堝に、溶融原料の固体原料を充填する前に行なってもよい。 （もっと読む）

【課題】結晶軸方位が［１１０］でエピタキシャル成長処理を行った場合にエピタキシャル層表面のヘイズの発生を抑制できるシリコンウェーハを製造する方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法により育成されたシリコン単結晶からシリコンウェーハを切り出すシリコンウェーハの製造方法であって、中心軸が［１１０］結晶軸に対して０．６°〜１０°傾斜したシリコン種結晶をシリコン融液に浸漬させ、中心軸が［１１０］結晶軸に対して０．６°〜１０°傾斜したシリコン単結晶を育成し、育成されたシリコン単結晶から、表面が（１１０）面に対して０．４６°〜０．４８°傾斜したシリコンウェーハを切り出すことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ボイド欠陥の消滅力が高い高温下でＲＴＰを行っても、表面粗さの悪化を抑制することができ、更に、凹形状のピットの発生も抑制することができるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】少なくとも半導体デバイスが形成される表面が鏡面研磨されたシリコンウェーハの前記表面をフッ化水素系溶液により洗浄する工程と、前記洗浄したシリコンウェーハを、アンモニア系ガス雰囲気中、９００℃以上１２５０℃以下の第１の温度範囲に急速昇温し保持した後、急速降温する第１の急速昇降温熱処理を行う工程と、前記第１の急速昇降温熱処理を行ったシリコンウェーハを、不活性ガス雰囲気中、１３００℃以上１４００℃以下の第２の温度範囲に急速昇温し保持した後、急速降温する第２の急速昇降温熱処理を行う工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】製造される単結晶の中心部と外周部における温度差を小さくし、単結晶成長時における固液界面深さを小さくすることで有転位化の発生を抑止できる複巻誘導加熱コイル及び該複巻誘導加熱コイルを有する単結晶製造装置並びに該単結晶製造装置が用いられる単結晶製造方法を提供する。
【解決手段】ＦＺ法において、原料結晶棒を加熱して浮遊帯域を形成するために用いられる複巻誘導加熱コイル７であって、外側に位置するコイル１４の方が、内側に位置するコイル１３よりも電気抵抗率が小さいものを有することを特徴とする複巻誘導加熱コイル７。 （もっと読む）

【課題】半導体材料用シリコンについて、アルミニウムおよび鉄の洗浄効果に優れた洗浄方法とその多結晶シリコン塊、洗浄装置を提供する。
【解決手段】半導体材料用シリコンを用意する工程と、逆浸透精製処理と、イオン交換精製処理とを行った純水を用意する工程と、前記純水を用いて半導体材料用シリコンを洗浄する工程と、前記洗浄によって、純水洗浄後のシリコン表面に残留するアルミニウムおよび鉄が低減された半導体材料用シリコンを得る工程と、を含む洗浄方法および洗浄装置。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉインゴット結晶の製造に際し、融液内成長においてSiインゴット結晶を大きく成長させることができるとともに、歪みが十分低減され、かつ生産効率が良いＳｉインゴット結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉインゴット結晶のルツボ融液内成長において、融液上部よりも下部の方が高温となる温度分布を有するＳｉ融液の表面近傍でＳｉ種結晶を用いて核形成させ、Ｓｉ種結晶からＳｉ融液の表面に沿って又は内部に向かってインゴット結晶を成長させる第１の工程と、成長したインゴット結晶の一部を融液内から融液と分離しない程度に引き上げる第２の工程と、融液内に残った結晶からＳｉ融液の表面に沿って又は内部に向かってインゴット結晶を引き続き成長させる第３の工程とを含み、上記第２及び第３の工程を順次複数回繰り返してインゴット結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】製造装置から排出され、減圧ポンプの故障原因となる排気中の微粉体を効率よく除去できる保護フィルター装置を提供する。
【解決手段】保護フィルター装置(10)を、内部空間(19)を有するケーシング(12)と、ケーシング(12)内に微粒子を含む排気(H)を導入する排気導入管(14)と、ケーシング(12)内における排気導入管(14)の開口部において、排気導入管(14)の中心軸線(CL)上に回転可能に保持された回転体(16)と、ケーシング(12)内において、回転体(16)を介して排気導入管(14)の開口部に正対配置されており、少なくとも表面側に微粒子捕集液(L)を含んでいる無端ベルト(18)とで構成し、無端ベルト(18)の表面を回転体(16)に接触させて、無端ベルト(18)が回転することによって回転体(16)を回転させる、無端ベルト(18)の表面側における微粒子捕集液(L)を回転体(16)の表面に塗布することにより上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】 シリコン単結晶を製造する際のシリコン単結晶の有転位化を回避し、かつ、高い耐熱性を有し、生産性、歩留まりの低下を抑制することができる石英ガラスルツボ及びその製造方法、並びにそのような石英ガラスルツボを用いたシリコン単結晶の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 少なくとも、直接法又はスート法により合成石英ガラス材を作製する工程と、前記合成石英ガラス材を、粉砕することなくルツボ形状に加工する工程と、前記ルツボ形状に加工された合成石英ガラス材の外壁にシリカ粉末を溶着させる工程と、を含むことを特徴とする石英ガラスルツボの製造方法。 （もっと読む）

【課題】デバイスが形成される表層に存在する微小欠陥を消滅可能なシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハの表面から指定されたレーザー光を照射し、デバイス活性層内の微小欠陥をスリップフリーにて消滅させ、同時にレーザー照射面近傍の不純物取り込みを制御する事でデバイス特性歩留を向上させる。 （もっと読む）

【課題】単結晶インゴット成長時の温度制御を良好に行って結晶品質のバラツキを抑制し、高品質の単結晶インゴットを生産性良く成長させることができるヒーター出力制御方法及び単結晶製造装置を提供することを目的とする
【解決手段】予め、基準とした単結晶製造装置における前記絞り部形成時の成長速度と前記コーン部形成時間の間の相関式を求め、他の単結晶製造装置で単結晶インゴットを成長させる際に、絞り部形成時の成長速度とコーン部形成時間を測定し、該測定した絞り部形成時の成長速度とコーン部形成時間から、前記相関式を基に制御信号を補正して、該補正した制御信号によって、当該他の単結晶製造装置の前記ヒーターの出力を制御するヒーター出力制御方法。 （もっと読む）

【課題】大口径単結晶の引上げに対応する大型の巻き取りドラムを備えつつも、従来の引上げ装置のプルヘッドのハウジングと同等の容積を有し、しかも従来の引上げ装置と同等の引上げ安定性を維持することができる単結晶引上げ装置を提供する。
【解決手段】半導体原料融液から半導体単結晶を引上げるワイヤ１５を巻き取る巻取りドラム１７と、ワイヤ１５の引上げ経路を調整するシーブ１６とを備え、シーブ１６は、シーブ回転軸芯が巻取りドラム１７の巻取り軸芯より下方に位置するように、かつ上方から透視してシーブ回転軸芯が開口部１３を挟んで巻取り軸芯に相対向するように位置変更可能に設けられ、巻取りドラム１７は、ドラム周縁がワイヤ１５の引上げ中心線から所定の距離だけシーブ１６側に位置するように設けられ、シーブ１６がワイヤ１５を巻取りドラム１７側に横押しすることによりワイヤ１５の引上げ経路を調整するように構成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 シリコン単結晶を製造する際のシリコン単結晶の有転位化を回避し、かつ、高い耐熱性を有し、生産性、歩留まりの低下を抑制することができる石英ガラスルツボ及びその製造方法、並びにそのような石英ガラスルツボを用いたシリコン単結晶の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 少なくとも、石英ガラスからなり、ルツボ形状を有するルツボ基材を準備する工程と、直接法又はスート法により合成石英ガラス材を作製する工程と、前記合成石英ガラス材を、粉砕することなくルツボ形状に加工する工程と、前記ルツボ基材の内壁と、前記ルツボ形状に加工された合成石英ガラス材の外壁とをシリカ粉末を介して熱処理を行って接着させる工程と、を含むことを特徴とする石英ガラスルツボの製造方法。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥が発生したり、膜厚のばらつきが生じたりすることなく、均一で信頼性の高い薄膜を形成することのできるエピタキシャル成長用サセプタを提供する。
【解決手段】ウエハを載置するウエハ載置面１１に凹部１２を有するエピタキシャル成長用サセプタであって、前記凹部は底面に凸面１３を有し、前記凹部１２は中心軸Ｏ_１を有し、前記ウエハ載置面１１を垂直に分割し、前記凹部１２の前記中心軸を含む断面が、前記中心軸Ｏ_１と前記凸面１３の周縁との中間部で、前記中心軸Ｏ_１上の上端と前記外周縁とをとおる円の外周面よりも外側に突出する領域を有する。 （もっと読む）

【課題】 大型、高寸法精度、高耐久性の、シリカを主な構成成分とするシリカ容器を、安価な比較的低品位のシリカ粉体を主原料として、投入エネルギー量を少なく、低コストで製造するためのシリカ容器の製造方法、及び、このようなシリカ容器を提供する。
【解決手段】 シリカを主な構成成分とし、回転対称性を有するシリカ容器の製造方法であって、少なくとも、シリカを主な構成成分とし、回転対称性を有するシリカ基体を形成し、該シリカ基体の内表面上に、シリカゾルからゾル−ゲル法によって透明シリカガラス層を形成するシリカ容器の製造方法。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶引上げに用いられる石英ルツボを内側に装入して保持するカーボンルツボであって、強度特性に優れ、かつ、耐久性を向上させた炭素繊維強化炭素複合材ルツボを提供する。
【解決手段】周縁部に湾曲部１を有する底部２と、湾曲部１から上方に延びる直胴部３とを有する炭素繊維強化炭素複合材ルツボにおいて、少なくとも湾曲部１において、ルツボ最内層及び最外層が炭素繊維織物の積層体１１，１２からなり、これらの積層体１１，１２の間に少なくとも１層の膨張黒鉛シート２１が挟み込まれている構成とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、レーザによりシリコンウェーハの表層を溶融して、結晶欠陥を消滅させた領域を確保しつつ、且つ不純物を除去したシリコンウェーハの製造方法を提供することにある。
【解決手段】本発明のシリコンウェーハの製造方法は、シリコン単結晶インゴットをウェーハ加工し、これにより得られたシリコンウェーハの表層を、パルス発振レーザを照射することにより溶融し、固化して、シリコンウェーハ表層内の結晶欠陥を消滅させる、シリコンウェーハの製造方法において、結晶欠陥の消滅深さがシリコンウェーハ表層に混入する不純物の拡散深さより深くなるようにパルス発振レーザを照射し、その後シリコンウェーハの表面から、不純物の拡散深さと結晶欠陥の消滅深さの間の深さまで、シリコンウェーハ表層を除去して不純物を取り除く。 （もっと読む）

【課題】 大型、高寸法精度、高耐久性の、シリカを主な構成成分とするシリカ容器を、安価な比較的低品位のシリカ粉体を主原料として、投入エネルギー量を少なく、低コストで製造するためのシリカ容器の製造方法、及び、このようなシリカ容器を提供する。
【解決手段】 シリカを主な構成成分とし、回転対称性を有するシリカ容器の製造方法であって、少なくとも、シリカを主な構成成分とし、回転対称性を有するシリカ基体を形成し、該シリカ基体の内表面上に、シリカゾルからゾル−ゲル法によって透明シリカガラス層を形成するシリカ容器の製造方法。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンを収納した容器を洗浄槽との間で円滑かつ確実に搬送することができ、作業効率を向上させて安定した品質を維持できる多結晶シリコン洗浄装置及び洗浄方法を提供する。
【解決手段】多結晶シリコンＳを容器３に収納した状態で洗浄槽２１〜２７に浸漬して洗浄する多結晶シリコンの洗浄装置１であって、洗浄槽２１〜２７の内底部に容器３を載置状態に保持するガイド枠５を有しており、ガイド枠５には上方から容器３の導入を案内する複数のガイド板５２が上方に向かうにしたがってガイド枠５の保持中心から離間する方向に傾斜して設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）