【課題】成長する単結晶に熱を供給するためのリング形状の抵抗ヒータを提供する。
【解決手段】抵抗ヒータは、上部リング１と下部リング２とを含み、上部リング１と下部リング２とは、これらのリングを通って導電される電流の流れ方向がこれらのリングにおいて反対であるように、下部リング２のリングギャップに隣接するループ部により電気的に導電的に接続される。上記抵抗ヒータはさらに、上部リング１と下部リング２とをある距離にて一緒に保持する接続要素１８と、上部リング１および下部リング２を通って電流を導電するための電流リード１１，１２とを含む。 （もっと読む）

【課題】熱ロスを防止し、省エネ効果を得ることができ、かつ、安全性を確保することができる単結晶育成装置を提供する。
【解決手段】原料融液５を収容するルツボ３とそれを加熱するヒーター６とを格納するメインチャンバー２と、メインチャンバー２の底部に設置されルツボ３から漏れてきた融液１７を収容する湯漏れ受皿８とを具備する単結晶育成装置１であって、ルツボ３と湯漏れ受皿８との間に設置され、ルツボ３から漏れてきた湯漏れ融液１７を誘導して湯漏れ受皿８へ落下させるための誘導構造を有する下部誘導部材４を有し、湯漏れ受皿８は、湯漏れ受皿８内の空間に充填された受皿充填断熱材１６を有し、受皿充填断熱材１６の容積は、ルツボ３に収容された原料融液５の最大容量以上であり、受皿充填断熱材１６は、下部誘導部材４で誘導された湯漏れ融液１７が落下する位置に、落下した湯漏れ融液１７を湯漏れ受皿８の下部に導くための誘導路１６ａを有する。 （もっと読む）

【課題】熱ロスを防止し、省エネ効果を得ることができ、かつ、安全性も確保できるＣＺ法単結晶育成装置を提供する。
【解決手段】原料融液５を収容するルツボ３と前記原料融液５を加熱するヒーター６とを格納するメインチャンバー２と、該メインチャンバー２の底部に設置され前記ルツボ３から漏れてきた融液１７を収容する炭素材からなる湯漏れ受皿８を具備するチョクラルスキー法によって単結晶インゴットを製造する単結晶育成装置１であって、前記湯漏れ受皿８は、該湯漏れ受皿内に充填された複数個の受皿充填断熱材１６を有し該受皿充填断熱材１６の占める充填容積は、前記ルツボ３に収容された原料融液５の最大容量以上であり、前記受皿充填断熱材１６のうち少なくとも湯漏れ融液１７が落下する近傍の受皿充填断熱材１６は、直径１ｃｍ以上１０ｃｍ以下である球形状又は多面体形状であることを特徴とする単結晶育成装置１。 （もっと読む）

【課題】熱ロスを防止し、省電力効果を得ることができ、かつ、安全性も確保することができるＣＺ法単結晶育成装置を提供する。
【解決手段】原料融液５を収容するルツボ３と前記原料融液５を加熱するヒーター６とを格納するメインチャンバー２を具備するチョクラルスキー法によって単結晶インゴットを製造する単結晶育成装置１であって、前記ルツボ３の下側であって前記メインチャンバー２の底部に接触しない中空に、前記ルツボ３から漏れてきた融液１７を収容することのできる、炭素材からなる第１断熱板４’を有し、前記第１断熱板４’は、受皿形状を有し、炭素繊維からなる断熱材で充填されたものであり、前記第１断熱板４’の湯漏れ融液の受容量は、前記ルツボ３に収容された原料融液５の最大容量以上であることを特徴とする単結晶育成装置１。 （もっと読む）

【課題】
ＣＺ工程において用いられる時、るつぼ壁にはほとんど体積変化が観察されず、そして溶融レベルにおいてはほとんど影響せず、減少した結晶欠陥でゆっくり引き上げられるシリコンインゴットに特に好適なるつぼを提供する。
【解決手段】
本発明のシリカガラスるつぼは、安定している無気泡内層及び不透明な外層を有し、この両方の層は、チョクラルスキー工程の操業中、減少した気泡成長を示す。本発明の溶融工程は、成形された粒子が緻密な溶融シリカに溶融される溶融前線において動力学的なガスバランスを制御している。 （もっと読む）

【課題】酸素濃度を低減させたシリコン基板を製造するシリコン基板の製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により製造されたシリコン単結晶体から切り出されたシリコン基板のデバイス形成予定領域部分を厚さ５０〜２００μｍに加工し、温度Ｔ（℃）、時間ｔ（秒）、初期酸素濃度Ｏｉ（原子個／ｃｍ^３）としたとき、ｔ＝ｆ（Ｏｉ）^２（Ｔｓｉ／２００）^２／｛［０．５２ｅｘｐ［−２．９４×１０^４／（２７３＋Ｔ）］｝ （ただし式中、ｆ（Ｏｉ）＝１．４３×１０^−６９Ｏｉ^４−３．３５×１０^−５１Ｏｉ^３＋２．５１×１０^−３３Ｏｉ^２−３．９９×１０^−１６Ｏｉ−８３．４３である）で与えられる温度Ｔ（℃）以上の温度で、時間ｔ（秒）以上の時間アニールする。 （もっと読む）

【課題】発熱体からの汚染を防止し、さらに支持シャフトの温度上昇を抑制することで、支持シャフト材及び支持シャフトとハウジングとの間にあるシール材からの汚染を防止し、かつシール材の劣化を防ぎ、もって高品質な単結晶シリコンを製造する。
【解決手段】ハウジングの壁を貫通する回転可能な支持シャフト１１の先端に、誘導加熱コイルによって誘導加熱可能な導電材を有する発熱リングが設けられるとともに、支持シャフト１１に、これを回転させることにより、発熱リングを種結晶ホルダーと多結晶ホルダーとの間で誘導加熱コイルに接近させた加熱位置と、この加熱位置から離間した待機位置との間で往復移動させる操作手段が設けられ、ハウジングの壁と支持シャフト１１との貫通部に、これらの気密を保持するシール材２１Ａが設けられ、支持シャフト１１の内部には、冷却媒体を流通させる冷却流路１４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造において、グローイン欠陥の発生を抑制すると共に、結晶の有転位化を抑制することができる単結晶引上装置を提供する。
【解決手段】ルツボ３の上方に設けられ、上部と下部とが開口形成されて、引き上げられる単結晶Ｃの周囲を包囲すると共に、前記単結晶を冷却する冷却筒７を備え、前記冷却筒７の内周面側には、複数の環状凹部７ａが周方向に沿って並列状に形成されている。このような構成により、単結晶Ｃからの輻射熱は前記冷却筒７によって単結晶に向けて反射されることが無く、複数の環状凹部７ａにおいて効果的に吸収されるので、単結晶Ｃを効率よく冷却することができる。 （もっと読む）

【課題】黒鉛ルツボに関する酸化消耗による肉厚低減と珪化（ＳｉＣ化）による問題を回避することが可能なルツボ装置、該ルツボ装置用加熱装置及び、それら装置で構成される単結晶引上げ装置を提供する。
【解決手段】単結晶引上げ装置１は、ルツボ装置３と、加熱装置１０とを備える。ルツボ装置３は、石英ルツボ５と、石英ルツボ５を下部で保持する黒鉛製受け皿６とから構成される。石英ルツボ５は、直胴部５ｃと底部５ａと該底部５ａから該直胴部５ｃに連なる曲面状部分５ｂとからなる。加熱装置１０は、ルツボ装置３の外周を囲むようにして配置されるヒータ１０と、ルツボ装置３とヒータ１１との間に介在され、ルツボ装置３の外周を囲むようにして配置される円筒状の炭素質材から成る介在部材１２とを備える。介在部材１２は、石英ルツボ５と微小隙間Ｍをあけて配置されている。 （もっと読む）

【課題】引上げ中に生じた予想し得ない外乱がヒータ温度に与える影響を抑制することが可能な半導体単結晶の引上げ方法及び引上げ装置を提供する。
【解決手段】予め設定された温度プロファイルに基づいてヒータ１８を制御しながら半導体単結晶１１を引上げる。ヒータ１８の温度プロファイルの設定に寄与する過去の単結晶の引上げデータをデータベースに蓄積し、この過去の単結晶の引上げデータから次に引上げる単結晶のヒータの温度プロファイルを第１評価機能に基づいて評価する。第１評価機能に基づいて次に引上げる単結晶のヒータ１８の温度プロファイルを引上げ前に修正し、この修正された温度プロファイルに基づいてヒータ１８を制御しながら単結晶１１を引上げる。単結晶１１の引上げ中に所定の引上げ長毎に上記修正された温度プロファイルを更に自動修正しこの自動修正された温度プロファイルに基づいてヒータ１８を制御しながら単結晶１１を引上げる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ＬＰＤが極限まで低減され、検査工程及び出荷段階で不良品発生率が低いシリコンウェーハを、歩留まり良く製造できる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明では、ＣＺ法により育成された無欠陥シリコン単結晶からシリコンウェーハを製造する方法であって、
前記無欠陥シリコン単結晶からスライスされ、鏡面研磨されたシリコンウェーハを準備した後に、
前記鏡面研磨されたシリコンウェーハを、５００℃以上６００℃以下の温度で、４時間以上６時間以下の時間で熱処理する熱処理工程と、
前記熱処理工程後のシリコンウェーハを、研磨量が１．５μｍ以上となるように再研磨する再研磨工程とを行うことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】冷却時における石英ガラスルツボの食い込みを抑制でき、石英ガラスルツボを破壊することなく、石英ガラスルツボを容易に取り外すことができ、更には珪化を抑制できるルツボ及びこのルツボの製造方法を提供する。
【解決手段】溶融材料を収容する石英ガラスルツボを支持、保持するために用いられる、底部と、前記底部の上方に設けられた直胴部とを有するルツボであって、前記底部が黒鉛材で形成されると共に、前記直胴部が、引張弾性率が４００ＧＰａ以上９００ＧＰａ以下のピッチ系炭素繊維を用いた炭素繊維織布を含む炭素繊維強化炭素複合材から形成され、かつ常温から８００℃に昇温した際の直胴部の周方向の平均線熱膨張係数が、石英ガラスの平均線熱膨張係数以下であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】冷却時における石英ガラスルツボの食い込みを抑制でき、石英ガラスルツボを破壊することなく、容易に取り外すことができ、更には珪化を抑制できる、特定の物性を有する炭素繊維強化炭素複合材からなる炭素繊維強化炭素複合円筒部材及び炭素繊維強化炭素複合円筒部材の製造方法、並びに炭素繊維強化炭素複合材ルツボ及びこのルツボの製造方法を提供する。
【解決手段】溶融材料を収容する石英ガラスルツボを支持、保持するために用いられ、底部２２と、前記底部の上方に設けられた直胴部（円筒部材）２１とを有する炭素繊維強化炭素複合材ルツボ２０であって、少なくとも前記直胴部（円筒部材）が、引張弾性率が４００ＧＰａ以上９００ＧＰａ以下のピッチ系炭素繊維を用いた炭素繊維織布を含む炭素繊維強化炭素複合材から形成され、かつ常温から８００℃の温度域における直胴部の周方向の平均線熱膨張係数が、石英ガラスの平均線熱膨張係数以下である。 （もっと読む）

【課題】単結晶のネック部を所定径まで拡げるクラウン工程において、結晶中のドーパント濃度の面内均一性を向上し、結晶の有転位化を抑制する。
【解決手段】種結晶Ｐをルツボ３内のシリコン融液Ｍに接触させ、前記ルツボからチョクラルスキー法によりシリコン単結晶Ｃを引き上げる単結晶引上方法であって、前記種結晶から形成した単結晶のネック部Ｐ１を所定径まで拡げたクラウン部Ｃ１を形成する工程において、前記クラウン部の径をｄ（ｍｍ）、前記クラウン部の引上方向長さをＬ（ｍｍ）とすると、結晶回転速度ｓω（ｒｐｍ）とルツボ回転速度ｃω（ｒｐｍ）とは、式（１）及び式（２）により規定する回転速度に制御される。
［数１］
ｓω＝α／（ｃω×ｄ） ・・・（１）
α＝４×１０-^４×Ｌ^４−３×１０-^７×Ｌ^３−６×１０-^５×Ｌ^２−０．００６９×Ｌ＋０．３ ・・・（２） （もっと読む）

【課題】半導体単結晶の直径変動を低減し、その直径制御の操作量である引上げ速度の変動を抑制し、設定通りの半導体単結晶を引上げて、高品質な半導体単結晶を製造する。
【解決手段】半導体原料をヒータ１８により融解してるつぼ１３に半導体融液１４を貯留し、予め設定された温度プロファイルに基づいてヒータ１８を制御しながら半導体単結晶１１を引上げる。ヒータ１８の温度プロファイルの設定に寄与する過去の半導体単結晶１１の引上げデータをデータベースに蓄積し、この過去の半導体単結晶１１の引上げデータから次に引上げる半導体単結晶１１のヒータ１８の温度プロファイルを特定の評価機能に基づいて評価する。この特定の評価機能に基づいて次に引上げる半導体単結晶１１のヒータ１８の温度プロファイルを引上げ前に修正し、この修正された温度プロファイルに基づいてヒータ１８を制御しながら半導体単結晶１１を引上げる。 （もっと読む）

【課題】 高耐圧が要求されるパワーデバイス等に適した、酸素をほとんど含まない大口径のシリコン単結晶を製造するのに好適なシリコン単結晶の製造方法と、シリコン単結晶ウェーハを提供する。
【解決手段】 チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶ウェーハであって、該シリコン単結晶ウェーハは、酸素濃度が１×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３（ＡＳＴＭ７９）以下で、かつ抵抗率面内分布が１０％以内であることを特徴とするシリコン単結晶ウェーハ及びシリコン単結晶の製造方法であって、チョクラルスキー法によって原料融液からシリコン単結晶を引き上げる際に、少なくとも、前記原料融液を保持するルツボに、シリコンより融点が高く組成に酸素原子を含まない材質で構成されたルツボを用い、かつ前記原料融液の対流を抑制するための磁場を印加することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】下地基板を確実に支持して、安定して複数の薄板を形成する。
【解決手段】下地基板が取り付けられる被取付部１３０を有し、下地基板を着脱可能にかつ主面が融液中を潜るように下地基板を支持する支持機構と、主面上に薄板が形成されていない処理前下地基板を支持機構に取り付け、かつ、主面上に薄板が形成された処理後下地基板１００Ｂを支持機構から取り外す着脱機構１２０と、着脱機構１２０による処理後下地基板１００Ｂの取り外しと処理前下地基板の取り付けとの間に被取付部１３０を清掃する清掃機構とを備える。 （もっと読む）

【課題】水冷チャンバ内の冷却に要する時間を短縮し、生産効率を向上させること。
【解決手段】上方に向けて開口すると共に、内部に原料多結晶シリコンＭが貯留される坩堝２と、坩堝内に貯留された原料多結晶シリコンを加熱するヒータ部３と、坩堝及びヒータ部が径方向の内側に配置された保温筒部４と、坩堝、ヒータ部及び保温筒部を内部に収容する水冷チャンバ５と、を備え、チョクラルスキー法によって原料多結晶シリコンから単結晶シリコンを製造する装置であって、保温筒部の少なくとも一部を保温筒部の軸Ｏ方向に沿って移動させる移動機構１２を備えている単結晶シリコン製造装置１を提供する。 （もっと読む）

【課題】坩堝内に貯留された融液の液面位置を精度良く測定することができ、単結晶インゴットの引き上げを安定して行うことが可能な単結晶インゴットの製造装置を提供する。
【解決手段】気密チャンバ１１と、溶解原料が収容される坩堝２０と、この坩堝２０を加熱して収容した溶解原料を溶融して融液を生成する加熱手段４０と、種結晶を上方向に引き上げる引き上げ手段と、を備えた単結晶インゴットの製造装置１０であって、坩堝２０の上方で、かつ、引き上げられる単結晶インゴットから離間した位置に固定配置された標識部材６０と、石英坩堝２０内および標識部材６０とを撮影する撮像手段６１と、この撮像手段６１による撮影像から、石英坩堝２０内の液面に映り込んだ標識部材６０の映り込み像６０Ａの位置を求め、前記液面の高さ位置を算出する算出手段６２と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】二重坩堝構造の導入により、１回性でない再使用が可能なシリコン溶融用二重坩堝を備えるシリコンインゴット成長装置について開示する。
【解決手段】本発明に係るシリコン溶融用二重坩堝を備える単結晶シリコンインゴット成長装置は、シリコン原料が装入されるシリコン溶融用二重坩堝；前記シリコン原料を溶融させてシリコン溶湯を形成するために前記シリコン溶融用二重坩堝を加熱する坩堝加熱部；前記シリコン溶融用二重坩堝の回転及び昇降運動を制御する坩堝駆動部；及び前記シリコン溶融用二重坩堝の上側に配置され、前記シリコン溶湯にディッピングされたシード結晶を引き上げてシリコンインゴットを成長させる引上駆動部；を含み、前記シリコン溶融用二重坩堝は、上側が開放される容器形態であり、内部底面と内壁とを連結する傾斜面を備える黒鉛坩堝と、前記黒鉛坩堝の内側に挿入されて結合され、内部に前記シリコン原料が装入されるクォーツ坩堝とを有することを特徴とする。 （もっと読む）