【課題】高い光透過率および高い発光量を有するシンチレータアレイを提供するとともに、当該シンチレータアレイを用いた検出感度の高い放射線検出器を提供すること。
【解決手段】本発明によれば、放射線を吸収して発光する複数の柱状のシンチレータからなるシンチレータアレイと、前記シンチレータの発光を検知する受光器とを備える放射線検出器であって、前記複数の柱状のシンチレータは、その長手方向に前記放射線が入射するように、複数の行・列に二次元配列され、前記シンチレータは、Ｇｄ、Ａｌ、Ｏ、およびＣｅ、ならびにＧａ、Ｓｃ、Ｙ、ＹｂおよびＬｕから選択される少なくとも１種を含むガーネット型シンチレータ結晶であり、前記シンチレータは、５５０ｎｍの波長の光に対する吸光係数が０．００５ｍｍ^−１以下である、放射線検出器が提供される。 （もっと読む）

【課題】ファイバーの側面に現れる上下ファセット１組に等しい大きさで反対向きの力を付与することが可能な、ファイバーの固定台を構成要素とするレーザー装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係るファイバーの固定台（５０１）は、ファイバー（５００）を設置するための溝（５１４）を備え、前記溝の形状は、長円を該長円の長軸で分割した形状であり、前記溝の深さは、前記ファイバーの断面に外接する正方形の１辺の長さを２で除した値から０μｍ〜２０μｍを引いた値であり、前記溝の幅は、該正方形の１辺の長さに０μｍ〜４０μｍを足した値であることを特徴とする。
また本発明では、ファイバー（５００）の左右両脇且つ固定台（５０１）の上下のブロックの間に金属箔（５０５、５０６）を挟む。ファイバー（５００）は、その長手方向に垂直な結晶軸が水平方向になるように、固定される。 （もっと読む）

【課題】結晶形状の捩れを発生させること無く、且つフラットな成長界面でファセットの発生を抑制し、歪が無い長尺のガーネット結晶を再現性良く育成できる酸化物単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】炉体内のルツボに単結晶用原料を入れて加熱溶融した後、原料融液に種結晶を接触させて成長結晶を回転させながら引き上げる回転引き上げ法により酸化物単結晶を育成する酸化物単結晶の製造方法において、成長結晶の引き上げは、２０ｒｐｍ以下の初期回転速度（ω_０）で開始し、引き続き、成長結晶の結晶径を増大させ、結晶の界面反転を確認した後、回転速度（ω）を下記式（１）で示される範囲内に低下させて肩部を形成することを特徴とする酸化物単結晶の製造方法。ω_０×（Ｌ／Ｌ_０）＞ω＞ω_０×（Ｌ／Ｌ_０）^１／４・・・（１）（式中、ωは界面反転後の結晶の回転速度、ω_０は初期回転速度、Ｌ_０は初期融液深さ、Ｌは育成中の融液深さである） （もっと読む）

【課題】光通信、光集積回路基板に利用可能な光路長の温度依存性が小さい材料を提供する。
【解決手段】ＳｒＴｉＯ_３にＹＡｌＯ_３を添加した（Ｓｒ_１−Ｘ，Ｙ_Ｘ）（Ｔｉ_１−Ｘ，Ａｌ_Ｘ）Ｏ_３複合酸化物材料は、０＜Ｘ＜０．５０の範囲において光路長温度係数（ＯＰＤ、ここでＯＰＤ＝１／Ｓ・ｄＳ／ｄＴ＝ＣＴＥ ＋ １／ｎ・ｄｎ／ｄＴであって、Ｓが光路長、ＣＴＥが線熱膨張係数、ｎが屈折率、ｄｎ／ｄＴが屈折率の温度係数である）が制御可能であり、特に０．０４＜Ｘ＜０．５０の範囲においてはその絶対値が６ｐｐｍ／℃以下と光路長の温度依存性が極めて小さく、光通信用フィルター、光集積回路基板などに利用可能である。 （もっと読む）

【課題】放射線検出器に好適に適用できる、蛍光寿命の短いシンチレータ用ガーネット型結晶を提供すること。
【解決手段】 一般式（１）： ＲＥ_３−ｘＣｅ_ｘＡｌ_５−ｙＳｃ_ｙＯ_１２ （１）
（式（１）中、０．０００１≦ｘ≦０．０３、０＜ｙ≦３であり、ＲＥはＹおよびＬｕから選択される少なくとも１種である）で表される、シンチレータ用ガーネット型結晶。 （もっと読む）

【課題】大きなベルデ定数を有し、クラックの発生を十分に抑制でき且つ大型化が可能なファラデー回転子用ガーネット型単結晶及びそれを用いた光アイソレータを提供すること。
【解決手段】下記一般式で表されることを特徴とするファラデー回転子用ガーネット型単結晶。
（Ｔｂ_３−ｚＬ_ｚ）（Ｓｃ_{２−ｘ−ｙ}Ｍ_ｘＮ_ｙ）Ａｌ_３Ｏ_１２−ｗ
（式中、Ｍは４価イオン、Ｎは２価イオンを表し、Ｌは、Ｍ，Ｎ及びＳｃからなる群より選ばれる少なくとも１種を表し、ｘ，ｙ，ｚ及びｗは下記式を満たす。０＜ｘ＜０．３、０＜ｙ＜０．３、０＜ｘ＋ｙ＜０．６、０≦ｚ＜０．３、０≦ｗ＜０．５） （もっと読む）

【課題】Ｃ軸が表面に垂直に配向した小型単結晶基板の、効率的な製造方法を提供する。
【解決手段】Ｃ軸が矢印Ｃの方向に配向する第１のシード２を準備し（ステップ１）、続いて引下げ法を用い、第１のシード２におけるＣ軸と平行な平面と原材料融液の漏出部とを接触させ、接触部分より結晶の成長を開始する（ステップ２）。Ｃ軸とは異なるｈ方向に第１のシード２を引下げることにより、結晶の延在方向とは異なる方向にＣ軸が配向した円筒状の単結晶が得られる（ステップ３）。続いて、前記単結晶を第２のシード４とし、Ｃ軸の配向方向と引下げ方向とが直交する配向状態で、漏出孔から漏出する原材料融液と接触させた後、シード４を引下げることによって、第２のシード４と同じ方向にＣ軸配向する単結晶５が成長を開始し、単結晶６が５本同時に育成される（ステップ４，５）。これを切り出すことによって、５本の棒状の単結晶母材が得られる(ステップ６)。 （もっと読む）

【課題】ベルデ定数が大きく、かつ、融液からの大型単結晶育成が可能であり、さらに、稀少で高価な原料成分の使用量を低減することによって、ベルデ定数が大きな磁気光学素子用の結晶体を安価に提供する。
【解決手段】テルビウム・アルミニウム・ガーネットに、元素百分率がＳｃ：Ｌ：Ｍ＝１００−Ｘ−Ｙ：Ｘ：Ｙ（Ｌはマグネシウムとカルシウムから選択される１種類以上の元素、Ｍはジルコニウムとハフニウムから選択される１種類以上の元素、５≦Ｘ≦３０、５≦Ｙ≦３０、０．９≦Ｘ／Ｙ≦１．１）の割合のスカンジウムと元素Ｌと元素Ｍを加えることによって、融液からの結晶育成が可能であることを特徴とする磁気光学素子用のガーネット結晶。
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【課題】サファイアやガーネット等の高融点材料単結晶の製造に適した坩堝ならびにその使用方法を提供する。
【解決手段】坩堝１０は坩堝支持体又は支持本体２と、坩堝支持体又は支持本体の内面上に処理されたコーティング４から成っている。坩堝１０には高融点材料の溶融物７が含まれている。コーティング４は溶融物７との接触面を与え、かつ坩堝支持体２の表面を溶融物７との接触から保護する役割を果たす。コーティング４は好ましくは１８００℃以上の融点をもつ金属、例えばインジウム等の耐熱性金属からなる。 （もっと読む）

【課題】外形形状に優れ高品位のファイバー状単結晶を製造可能な引下げ装置を提供する。
【解決手段】単結晶の原材料融液９を保持する坩堝１１において、円筒部１１ｂの開口端面に対して、該円筒部１１ｂの軸に対して垂直な平面において端面外径を拡大させた所謂鍔状のフランジ部１１ｃが配置されている。挙動抑制部材である当該フランジ部１１ｃの存在によって該円筒部１１ｂを這い登る原材料融液の量は抑制され、これに伴って結晶外表面に影響し得る不安定に開口端近傍に存在する原材料融液が減少し、外表面の状態のよりファイバー状単結晶９ａが得られる。 （もっと読む）

【課題】真空紫外域において高屈折率を有する単結晶、それを用いたレンズなどの光学部品およびその関連機器を提供する。
【解決手段】組成式Ｙ_３Ａｌ_５Ｏ_１２で表されるＹＡＧ単結晶であって、真空紫外域（波長２００ｎｍ以下）における屈折率が２．０５以上である。また、前記ＹＡＧ単結晶はフッ素を含有することができる。フッ素は単結晶中の酸素原子と置換するかまたは酸素欠損を埋めるかのいずれか一方または両方を行うので、ＹＡＧ単結晶の真空紫外域における透過率を向上させる。 （もっと読む）

【課題】真空紫外域における透過率が向上したガーネット型単結晶、それを用いた光学部品およびその関連機器を提供すること。
【解決手段】一般式Ａ_３Ｂ_２Ｃ_３Ｏ_１２（陽イオンの占めるサイトが、Ａ、Ｂ、Ｃの３サイトである結晶構造を有し、ＡはＡサイトを占める元素を示し、ＢはＢサイトを占める元素を示し、ＣはＣサイトを占める元素を示し、Ｏは酸素原子を示す。）で表されるガーネット型単結晶であって、前記酸素原子と置換するかまたは酸素欠損を埋めるかのいずれか一方または両方を行う元素としてフッ素を含有している。 （もっと読む）

【課題】単結晶成長にかかるコストを低減する単結晶育成装置用坩堝を提供する。
【解決手段】単結晶育成装置に配置されて誘導加熱によって側壁１２が加熱され、上面１１が開口された坩堝１０であって、側壁１２は段部を有し、段部よりも上面１１の側の部分側壁１２ａに比べて、段部よりも下面の側の部分側壁１２ｂが、開口の中心を通る中心軸により近く、上面１１の側の部分側壁１２ａ、および下面の側の部分側壁１２ｂ、の断面形状がいずれも、略円形状である。 （もっと読む）

【課題】単結晶粒子の集合体よりなる多結晶材料、特に各単結晶粒子が立方晶系の結晶構造を有する多結晶材料であって、各単結晶粒子の結晶方位が揃った配向多結晶材料を提供する。
【解決手段】この配向多結晶材料の製造方法は、希土類元素が添加された単結晶粒子を含む原料粉末を、溶液中に懸濁してなる懸濁液（スラリー１）を準備する準備工程と、磁場中でスリップキャスティングを行うことにより、懸濁液から成形体を得る成形工程と、成形体を焼成して、結晶方位が制御された多結晶構造を有する配向多結晶材料を得る焼成工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】チョコラルスキー式の単結晶引上げ装置において、結晶の回収や熱構成構築作業の安全性と良好な作業性を確保し、且つ装置を小型安価にして、ひいては据え付ける建造物を低くし、付帯機器も小型化できるような単結晶引き上げ装置を提供する。
【解決手段】チョコラルスキー式の単結晶引上げ装置において、坩堝２とワークコイル３などの加熱源から構成される熱構成部を外界から保護遮蔽する水冷式のチャンバー４を、垂直方向に分割可能な構成にするとともに、分割したチャンバー４を水平方向に、移動または開閉できるようにし、また水冷式のチャンバー４の内部表面を、高導電性の金属で被覆した。 （もっと読む）

【課題】ガンマ線検出装置用に、極めて高い発光量、蛍光の減衰時間が極めて短い特徴を有するＰｒを含むガーネット型酸化物シンチレータ用単結晶を提供すること。
【解決手段】（Ｐｒ_ｘＬｕ_１−ｘ）_３Ａｌ_ｙＯ_１２で表される初期融液を結晶化して、シンチレータ用単結晶を製造する方法において、前記初期融液のｘが０．０２≦ｘ≦０．０３、ｙが５＜ｙ≦５．２となるように調整することを特徴とするシンチレータ用単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】結晶の長手方向に沿った比抵抗プロファイルが拡大されて単結晶のプライム長さが増加することで、従来に比べて生産性を向上させるチョクラルスキー法を用いた半導体単結晶製造方法、この方法を用いて製造された半導体単結晶インゴット及びウエハーを提供する。
【解決手段】るつぼ１０内に含有された半導体原料物質とドーパント物質との融液ＳＭにシード結晶を浸した後、シード結晶を回転させながら上部へと徐々に引き上げ半導体単結晶Ｃを成長させる際に、磁場の垂直成分が０であるＺＧＰ（Ｚｅｒｏ Ｇａｕｓｓ Ｐｌａｎｅ）を基準にして上部と下部との磁場強度が相違するＣｕｓｐタイプの非対称磁場をるつぼに印加して結晶Ｃの長手方向に沿って理論的に計算された比抵抗プロファイルを結晶Ｃの長手方向に沿って拡張させる。 （もっと読む）

【課題】結晶全体に渡って均質な特性を有する結晶を製造することができる単結晶製造方法および単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】るつぼ１１が、内部に、引き上げ中の結晶１の底面形状に沿うよう、中心から周縁にかけて同心円状に浅くなるよう傾斜した傾斜面２１を有している。原料供給手段１３が、引き上げ作業の間、るつぼ１１内に原料を融解して供給可能に設けられている。制御部１４が、融液２の液面を所定の高さに維持するよう、原料供給手段１３を制御可能に設けられている。融液２の液面を所定の高さに維持するよう原料を融解して供給しつつ、融液２の液面の位置でのるつぼ１１の径に対する結晶１の肩１ａより下の結晶１の径の割合が、０．７乃至０．９になるよう引き上げる。結晶１の肩１ａまで引き上げた後、原料の供給量に応じて所定の割合で融液２の中にドーパントを添加する。 （もっと読む）

【課題】特性のばらつきが少なく、より均一に光を変換する光変換素子を提供する。
【解決手段】
Ａｌ₂Ｏ₃単結晶とＣｅ³⁺イオンをドーピングしたＹ₃Ａｌ₅Ｏ₁₂単結晶が連続的かつ三次元的に相互に絡み合って形成されているＭＧＣ１１の周囲をＹ₃Ａｌ₅Ｏ₁₂単結晶の屈折率１．８２よりも高い屈折率を持つ透明物質１２で被覆する。これにより、青色光を入射させると、Ｃｅ³⁺イオンを励起して黄色光を放射する。青色光と黄色光が透明物質１２内で十分に混色することにより、より均一な白色光を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】単結晶構造又は多結晶構造の無機粉体の格子欠陥を低減する。
【解決手段】単結晶構造又は多結晶構造の無機粉体に対して、周期数２回以上のサイクルアニールを実施する。下記式（１）、特に下記式（２）を充足する条件で、サイクルアニールを実施することが好ましい。
０．４５Ｔ_ｍ≦Ｔ_Ｌ＜Ｔ_Ｈ＜Ｔ_ｍ・・・（１）、
０．４５Ｔ_ｍ≦Ｔ_Ｌ＜Ｔ_Ｈ、０．５５Ｔ_ｍ≦Ｔ_Ｈ＜Ｔ_ｍ・・・（２）
（式中、Ｔ_ｍは無機粉体の融点（Ｋ）である。融点がなく、溶融せずに昇華する性質を有する無機粉体の場合には、Ｔ_ｍは昇華温度（Ｋ）とする。Ｔ_Ｌ（Ｋ）はサイクルアニールの最低温度、Ｔ_Ｈ（Ｋ）はサイクルアニールの最高温度である。） （もっと読む）