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Fターム[4G077BE02]の内容

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Fターム[4G077BE02]に分類される特許

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【課題】フッ化物結晶母材とは異なる形状を有して光学特性に優れたフッ化物結晶成形体を提供する。
【解決手段】フッ化物結晶成形体からなる光学部材は、172nmの波長における厚さ10mmあたりの光透過率が90%以上であり、少なくとも一方向の断面の面積が350×350mm以上である。また、146nmの波長における厚さ10mmあたりの光透過率が85%以上である。さらに、126nmの波長における厚さ10mmあたりの光透過率が65%以上である。 (もっと読む)


【課題】従来の蛍石に比べてレーザ耐久性がより一層優れた蛍石を提供する。
【解決手段】蛍石の(111)面をエッチングして得られるエッチピットの分布において、各エッチピットを母点としてVoronoi図を定義したとき(Voronoi分割)のVoronoi領域の面積(「Voronoi面積」と記す)の標準偏差が6000μm以下であるか、或いは、(111)面のエッチピットの分布をDelaunay分割した図形におけるDelaunay辺の距離の標準偏差が80μm以下である。 (もっと読む)


【課題】半導体リソグラフィなどに用いるレンズ材料として利用することができる蛍石(CaF2、フッ化カルシウム)であって、レーザ耐久性がより優れた蛍石を提供する。
【解決手段】(111)面のエッチピットの分布をVoronoi分割した図形におけるVoronoi領域の面積の標準偏差が6000μm以下であるか、或いは、(111)面のエッチピットの分布をDelaunay分割した図形におけるDelaunay辺の距離の標準偏差が80μm以下である蛍石。 (もっと読む)


【課題】 偏光照明露光装置の偏光材料として要求される結晶性が良く、かつ、光を透過させる主軸方向が<100>方向であるMgF単結晶体からなる光学部材の製造方法を提供する。
【解決手段】 チョクラルスキー法でMgF単結晶体を製造するに際し、種結晶体として、<100>軸が、鉛直方向から<001>方向に向かって7°乃至45°、好ましくは7°乃至15°傾いた種結晶体を用いる。傾けた種結晶体を用いることにより、育成される単結晶体の軸方向も同じ角度で傾いたものとなるが、このようにして育成された単結晶体の結晶性は、育成方向を<001>軸方向とした場合と遜色ない結晶性を示す。また育成方向を<001>軸方向とした場合に比べて、{100}面からなる平行2面を有する板状体の取得効率がよい。 (もっと読む)


【課題】 メニスカス生成領域の水平面内での温度分布の改善と、メニスカスの好適な観察とを可能とする引下げ装置を提供する。
【解決手段】 導電性材料からなる第一の環状の部材と光透過性材料からなる第二の環状の部材との積層体からアフターヒータを構成して第二の環状の部材を第一の観察窓とし、保温用の筒状アウターリングには引下げ軸について水平面内で点対称となるように第二の観察窓を配置し、アウターリングを引下げ軸中心に回転させ、第一の観察窓と第二の観察窓とが整列した状態にあるときに撮像手段によるメニスカスの観察を行う。 (もっと読む)


【課題】 メニスカス生成領域の水平面内での温度分布の改善と、メニスカスの好適な観察とを可能とする引下げ装置を提供する。
【解決手段】 導電性材料からなる第一の環状の部材と光透過性材料からなる第二の環状の部材との積層体からアフターヒータを構成して第二の環状の部材を第一の観察窓とし、保温用の筒状アウターリングには引下げ軸について水平面内で点対称となるように第二の観察窓を配置し、アウターリングを引下げ軸中心に回転させ、第一の観察窓と第二の観察窓とが整列した状態にあるときに撮像手段によるメニスカスの観察を行う。 (もっと読む)


【課題】結晶成長又は凝固させたフッ化カルシウムの一部を除去することなく、製品(蛍石結晶)の透過率を高めることができる、新たな蛍石結晶の製造方法を提案する。
【解決手段】フッ化カルシウム粉末とスカベンジャーの混合物を溶融し、続いて冷却して凝固させて溶融凝固体Aを得、得られた溶融凝固体Aの全量を砕いて溶融凝固体破砕物とし、この溶融凝固体破砕物全量とスカベンジャーの混合物を溶融し、続いて冷却して凝固させて溶融凝固体Bを得る溶融凝固工程と、該溶融凝固工程で得られた溶融凝固体Bの全量を砕いて溶融凝固体破砕物とする破砕工程と、前記溶融凝固体破砕物を溶融させた後、冷却して結晶成長させて蛍石結晶を得る結晶育成工程と、結晶育成工程で得られた蛍石結晶を熱処理する熱処理工程と、を備えた蛍石結晶の製造方法を提案する。 (もっと読む)


【課題】放射線照射に対して高い輝度の発光を示すシンチレーター並びにシンチレーターに好適な金属フッ化物結晶を提供する。
【解決手段】LiCa(1−x)MgGaF(0.1≦x≦0.9)の組成を持ち、賦活材としてランタノイドを含有する金属フッ化物結晶について、放射線照射に対して高い発光輝度を示す様子が分かった。この金属フッ化物結晶は、発光素子としての用途に好適に使用でき、特に、中性子検出用途を含むシンチレーターに好適である。 (もっと読む)


【課題】 中性子線に対する感度が高く、かつγ線に由来するバックグラウンドノイズが少ない中性子検出用シンチレーターに好適なコルキライト型結晶、当該結晶からなる中性子検出用シンチレーター及び中性子線検出器を提供する。
【解決手段】 アルカリ金属元素を含有し、且つLiの同位体比が20%以上であるコルキライト型結晶(例えばNaを含有するLiCaAlF等の結晶)、及び当該コルキライト型結晶からなる中性子検出用シンチレーターならびに中性子線検出器である。 (もっと読む)


【課題】紫外線放射に対して高い耐放射線性を有するフッ化物結晶、特にフッ化カルシウム結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】アルカリ金属フッ化物又はアルカリ土類金属フッ化物を含有する結晶粉末6を供給して結晶原料塊を形成するステップと、結晶原料塊を結晶成長ユニット内で溶融するステップと、溶融した結晶原料塊を冷却により凝固させるステップと、を含む方法。複合フルオロ酸のアンモニウム塩7及び脂肪族アルコール8を前記結晶粉末6又は前記結晶原料塊に添加して、酸化物系不純物を減らす。この方法により製造したフッ化物結晶、及び該フッ化物結晶から形成した光学コンポーネント。 (もっと読む)


【課題】BaLu単結晶と同等の有効原子番号及び密度を有し、且つ、斜方晶型結晶構造から単斜晶型結晶構造への相変態を起こさず、融液成長法によって効率よく製造することが可能なフッ化物単結晶を提供する。
【解決手段】化学式Ba(MLu1−x−y(ただし、MはCe、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm及びYbから選ばれる少なくとも1種の元素を表わし、xは0〜0.5の範囲であり、yは0〜0.8の範囲であり、かつx、yが共に0の場合を除く)で表わされ、単斜晶型結晶構造を有するフッ化物単結晶であり、かつ元素M、Y及びLuの平均イオン半径が98.5〜102.5pmであることを特徴とするフッ化物単結晶。 (もっと読む)


【課題】フッ化カルシウム単結晶体のレーザー耐性を向上させるために、その原料となるフッ化カルシウムのレーザー耐性を向上させる精製方法を提供する。
【解決手段】気密化可能な精製炉を用い、原料フッ化カルシウムを溶融させた後、降温することにより凝固させるフッ化カルシウム単結晶体育成用の原料フッ化カルシウムの精製方法において、少なくとも降温開始時から凝固点以下、1200℃以上の所定の温度に到達するまでの間は、炉内を真空排気された状態とし、かつ該所定の温度に到達した後に精製炉内にフッ素系ガスを導入するとともに、少なくとも、1000℃から500℃までの間は、降温速度を50℃/hrよりも遅くする。前記の原料フッ化カルシウムの精製方法により、レーザー誘起吸収(LIA)は、200〜800nmの波長領域において、ピークトップが0.002以下に大幅に低減し、レーザー照射後のカラーセンターの発生が抑制される。 (もっと読む)


【課題】 融液凝固法で育成したフッ化金属単結晶のレーザー耐性を向上させるための熱処理方法を提供する。
【解決手段】 気密化可能な熱処理炉を用い、その融点がXmelt℃であるフッ化金属単結晶をその融点未満の温度まで加熱した後、室温まで徐冷するフッ化金属単結晶の熱処理方法において、250℃以上、(Xmelt−500)℃以下の範囲にある所定の温度までは、真空排気下に昇温を行い、当該所定温度に到達した後にフッ素系ガスを熱処理炉内に導入するとともに、該熱処理における最高温度を(Xmelt−350)℃以上、好ましくは(Xmelt−150)℃以下とすることを特徴とするフッ化金属単結晶の熱処理方法。 (もっと読む)


【課題】大型化が可能で、広範な波長域で大きなベルデ定数を有し且つ高い透過率を有するフッ化物単結晶及びそれを備えた光アイソレータを提供すること。
【解決手段】
下記組成式:
1−x3−x+y
(上記式中、LはTbを含む希土類元素を表す。Mは、Ca及びSrからなる群より選ばれる少なくとも1種を含むII族元素を表す。xは0より大きく1未満である。yは−0.2〜0.2である。)
で表されることを特徴とするフッ化物単結晶。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、硬X線やγ線等の高エネルギーの光子を高感度で検出することができるシンチレーターを提供することを目的とする。
【解決手段】 Nd、Er及びTmから選ばれる少なくとも1種の元素を含有するフッ化ルテチウムからなることを特徴とするフッ化物単結晶、該フッ化物単結晶からなることを特徴とするシンチレーターであって、該フッ化物単結晶は、例えば、少なくともフッ化ルテチウムとアルカリ金属フッ化物とを混合してなる原料混合物にNd、Er及びTmから選ばれる少なくとも1種の元素のフッ化物を添加し、溶融して原料融液とし、該原料融液より引上げ法を用いてフッ化物単結晶を成長せしめる際に、成長速度を下式で表わされるvmax以下として得る。
max=α・R1/2/d1/3
(ただし、αは0.0062であり、Rは原料融液に対する単結晶の回転数(rpm)を表わし、dは単結晶の平均直径(mm)を表わす。) (もっと読む)


【課題】フッ化金属単結晶のアズグロウン単結晶体について、引き上げ後の冷却を短時間とした場合においても、割れを生じることなく切断加工可能な切断方法を提供する。
【解決手段】アズグロウン単結晶体1の一方側の軸端部を含む部分5,7をセメント硬化体10で被覆し、セメント硬化体10で被覆されている部分を回転可能に保持し、単結晶体1をセメント硬化体10と一体的に且つ単結晶体1の軸Lを中心として回転させながら、単結晶体1のセメント硬化体10で被覆されていない部分に切断刃30を単結晶体1の軸方向に対して直角方向且つ単結晶体1の内部に向かって移動させて第一刃の切断を行うと共に、切断刃30による切断に際しては、切断刃30と単結晶体1との当接位置を、当接位置とセメント硬化体10で被覆されていない単結晶体の端部からの距離Dが、単結晶体1の全長Lの20乃至60%となるように設定し、且つ切断刃30の移動を間欠的に行う。 (もっと読む)


【課題】 KLu単結晶、及び当該単結晶のLu元素の一部をCe、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm及びYbから選ばれる少なくとも1種の元素で置換した単結晶を融液成長法によって効率よく製造する方法、および、当該製造方法によって製造される単斜晶型フッ化物単結晶を提供することを目的とする。
【解決手段】 化学式K(MLu1−x(ただし、MはCe、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm及びYbから選ばれる少なくとも1種の元素を表わし、xは0〜0.2の範囲である)で表わされ、単斜晶型結晶構造を有することを特徴とするフッ化物単結晶、該単結晶からなる真空紫外発光素子、該単結晶からなるシンチレーター、及び該単結晶の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】大口径且つ長尺の育成結晶体の上部域から下部域の全域に亘って、レーザー光照射による透過率の低下が抑制された、即ちレーザー耐性の高い高品質の光学特性を有する結晶を、歩止まりが高く、しかも大型の結晶を製造できる工業的価値が高い方法を提供する。
【解決手段】炉内に原料フッ化金属と固体含金属スカベンジャとを収容し、炉内を昇温し原料フッ化金属を溶融させ、次いで溶融したフッ化金属を単結晶化するフッ化金属単結晶の製造方法において、前記固体含金属スカベンジャを、原料フッ化金属の融点以上の温度に保持される炉内の高温部位と、溶融したフッ化金属を単結晶化する工程を通じて、固体含金属スカベンジャの融点以上乃至原料フッ化金属の融点未満、例えば「原料フッ化金属の融点−150℃」以下の保持される炉内の低温部位とに分割して収容、好ましくは、低温部位/高温部位の質量比率が0.3〜1.0となるように収容することを特徴とするフッ化金属単結晶の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】 光リソグラフィー装置などに用いられるフッ化金属単結晶(フッ化カルシウム、フッ化マグネシウムなど)のレーザー耐久性を、比較的短期間で、かつ高精度に評価する。
【解決手段】 ArFレーザー等の実際の使用条件での波長のレーザー光のパルス照射と、該レーザー光照射後の光透過率(T)の測定とを、試料に環境光の当たらない暗環境下で、繰り返して2回以上行い、パルス照射回数(X)と、初期値に比しての光透過率の低下から求めた差分吸光度の200〜800nmの範囲での積分値(Y)とから、Y=aX+bの関係を求める。得られる傾き(a)の大きさからレーザー耐久性を評価する。暗環境下で行うことにより精度が格段に向上する。なお傾きの小さなものほどレーザー耐久性に優れたフッ化金属単結晶である。 (もっと読む)


【課題】チョクラルスキー法によるフッ化金属単結晶体の製造方法において、単結晶引き上げ完了後、単結晶体とされずに坩堝内に残存した原料フッ化金属のリサイクル方法を提供する。
【解決手段】好ましくは四フッ化炭素などのフッ素系ガスからなる気体スカベンジャーを用いて、回収した原料フッ化金属の精製を行う。該精製は、フッ素系ガスの存在下に原料フッ化金属の溶融後、一旦、真空排気し、その後再度のフッ素系ガスの導入と真空排気との繰り返しによって行うことが特に好ましい。 (もっと読む)


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