【課題】多結晶の発生を抑制することのできるＧａＡｓ単結晶の製造方法及びＧａＡｓ単結晶を提供する。
【解決手段】窒素を含む雰囲気ガスで充填される反応容器２内に設置され、ＧａＡｓの原料９を収容しているルツボ５を加熱し、原料を融解させて原料融液にする原料融解工程と、ＧａＡｓの種結晶４を原料融液に接触させ、種結晶４の先端からＧａＡｓ単結晶８を成長させると共に、ＧａＡｓ単結晶８の表面に窒化物薄膜を形成する単結晶成長工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】マグネシウム以外の金属についても、固相反応させることにより、色中心含有金属酸化物を得て、色中心発光特性を有する発光媒体を提供する。
【解決手段】カチオンが電子を受け取って金属原子となる際の標準電極電位が−２．８７〜−２．２（Ｖ）で、かつ、アルカリ金属，マグネシウムを含むアルカリ土類金属、もしくは、スカンジウムを除く希土類元素のいずれかに属する金属と、酸化物を構成する金属の標準電極電位が−１．７〜＋０．４（Ｖ）である酸化物とを、所定の雰囲気下で、所定の温度で加熱する固相反応工程と、固相反応工程で得られる金属の昇華物を回収する工程とから成る。得られる昇華物は、酸素空孔を多量に導入させた金属酸化物であり、色中心由来の発光特性を有する。金属と固相反応させる酸化物のバリエーションを増やして、工業的生産の利便性を図る。 （もっと読む）

【課題】製造された複数のｎ型ＳｉＣ単結晶インゴット間の窒素濃度のばらつきを抑えることができるｎ型ＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施の形態におけるｎ型ＳｉＣ単結晶の製造方法は、坩堝７が配置される領域を有するチャンバ１を備えた製造装置１００を準備する工程と、坩堝７が配置される領域を加熱し、かつ、チャンバ１内のガスを真空排気する工程と、真空排気した後、希ガスと窒素ガスとを含有する混合ガスをチャンバ１内に充填する工程と、領域に配置された坩堝７に収納された原料を加熱により溶融して、シリコンと炭素とを含有するＳｉＣ溶液８を生成する工程と、混合ガス雰囲気下において、ＳｉＣ種結晶をＳｉＣ溶液に浸漬して、ＳｉＣ種結晶上にｎ型ＳｉＣ単結晶を育成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体処理装置および方法の分野に関し、特に、エピタキシャル堆積用の基板としてウェハーなどに使用される、光学および電子部品の製作に適切な、第ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料の持続的大量生産のための方法および装置を提供する。
【解決手段】これらの方法および装置は、第ＩＩＩ族−Ｎ（窒素）化合物半導体ウェハーを製造するために、特にＧａＮウェハーを製造するために最適化される。特に前駆体は、半導体材料の大量生産が促進されるよう、少なくとも４８時間にわたり、第ＩＩＩ族元素が少なくとも５０ｇ／時の質量流で提供される。気状第ＩＩＩ族前駆体の質量流は、所望の量が送達されるように制御することが有利である。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ単結晶の製造装置に備えられる断熱材の劣化を抑制することができるようにする。
【解決手段】加熱容器８の周囲を囲む第１外周断熱材１０を、浸透性の大きな断熱基材１０ａの内周面に浸透性の小さな黒鉛シート１０ｂを配置した構造とし、さらに黒鉛シート１０ｂの内周面を高融点金属炭化膜１０ｃで覆った構造とする。これにより、黒鉛シート１０ｂによって断熱基材１０ａに原料ガス３などが浸入することで固体ＳｉＣが析出することを抑制しつつ、さらに高融点金属炭化膜１０ｃによって黒鉛シート１０ｂがエッチングガスや原料ガス３に含まれる成分と化学反応することを抑制できる。したがって、第１外周断熱材１０が劣化することを抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】高品質のＩＩＩ族窒化物結晶を効率良く製造する方法を提供する。
【解決手段】坩堝１０内にアルカリ金属とＩＩＩ族金属とを含む混合融液２７０を保持する工程と、反応容器２０内に坩堝１０を収容する工程と、反応容器２０と所定の位置関係で加熱装置５０，６０を配置して、反応容器２０を介して坩堝１０を加熱する工程と、密閉容器４００内に少なくとも坩堝１０を収容し、密閉容器４００内の雰囲気を変化させることなく、密閉容器４００内で坩堝１０への原料の投入及び製造されたＩＩＩ族窒化物結晶の取り出しを行う工程と、反応容器２０内の混合融液２７０に窒素ガスを供給する工程とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程によって、高品質かつ低抵抗であるｎ型ＩＩＩ族窒化物単結晶を製造する。
【解決手段】反応容器内に、少なくともＩＩＩ族元素を含む物質と、アルカリ金属と、酸化ホウ素と、を投入する材料投入工程と、前記反応容器を前記酸化ホウ素の融点まで加熱することにより、前記酸化ホウ素を融解させる融解工程と、前記反応容器をＩＩＩ族窒化物の結晶成長温度まで加熱することにより、前記反応容器内に、前記ＩＩＩ族元素と、前記アルカリ金属と、前記酸化ホウ素と、を含む混合融液を形成する混合融液形成工程と、前記混合融液に窒素を含む気体を接触させて、前記混合融液中に窒素を溶解させる窒素溶解工程と、前記混合融液中に溶解した前記ＩＩＩ族元素と、前記窒素と、前記酸化ホウ素中の酸素とから、前記酸素がドナーとしてドープされたｎ型のＩＩＩ族窒化物単結晶を結晶成長させる結晶成長工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】大型で転位密度の低い結晶が得られるＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶の成長方法およびＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶基板を提供する。
【解決手段】気相法によるＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶１０の成長方法であって、結晶成長の際、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ結晶１０の主成長平面１１に複数のファセット１２を有するピット１０ｐを少なくとも１つ形成し、ピット１０ｐが少なくとも１つ存在している状態でＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶１０を成長させることにより、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ結晶１０の転位を低減することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】いずれの結晶面についても低転位密度であり大面積であるＩＩＩ族窒化物単結晶基板を製造する。
【解決手段】反応容器内に、ＩＩＩ族元素と、アルカリ金属とを含む混合融液を形成する混合融液形成工程と、前記混合融液に窒素を含む気体を接触させて、前記混合融液中に前記窒素を溶解させる窒素溶解工程と、前記混合融液中に溶解した前記ＩＩＩ族元素および前記窒素とから、角錐状のＩＩＩ族窒化物単結晶である角錐状結晶部を、前記角錐状結晶部の底面が所定の面積となるまで成長させる第１工程と、前記混合融液中に溶解した前記ＩＩＩ族元素および前記窒素とから、角柱状のＩＩＩ族窒化物単結晶である角柱状結晶部を、前記角柱状結晶部の高さが所定の高さとなるまで成長させる第２工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｎ型ドーパントとＰ型ドーパントとのバランスをより制御しやすくすることによって、半絶縁性の優れた炭化ケイ素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素原料２０を坩堝１０に配置する工程と、坩堝１０に配置された炭化ケイ素原料２０を加熱し、炭化ケイ素単結晶を成長させる工程とを含む炭化ケイ素単結晶の製造方法であって、炭化ケイ素原料２０を加熱する工程では、坩堝１０に水素ガスを導入する。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体膜の気相成長において、一度に処理する基板の枚数を増大させ、生産性を向上させることができる膜の形成方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】縦型バッチ処理室２０１内の基板処理領域２０６２に複数の基板が搬入される工程と、前記処理室内の前記基板処理領域が加熱維持され、前記処理室内の前記基板処理領域外に設けられた第一ガス供給口９３１から窒素含有ガスが供給され、前記第一ガス供給口９３１よりも前記基板処理領域側に設けられた第二，第三，第四，第五ガス供給口９３５，９３６，９３７，９３８から金属含有ガスが供給され、前記複数の基板に窒素及び金属からなる窒化物半導体膜が形成される工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 絶縁破壊特性、耐熱性、耐放射線性等に優れ、電子・光学デバイス等に好適で、多結晶や多型の混入やマイクロパイプ等の欠陥のない高品質な炭化ケイ素単結晶の提供。
【解決手段】 昇華させた昇華用原料を炭化ケイ素単結晶の種結晶上に再結晶させて、炭化ケイ素単結晶を、その全成長過程を通して、その成長面の全面を凸形状に保持したまま成長させる炭化ケイ素単結晶の製造方法により製造され、最大直径が、前記種結晶の直径よりも大きい炭化ケイ素単結晶である。 （もっと読む）

【課題】立方晶炭化ケイ素と格子定数が異なるシリコン基板上に、結晶欠陥が少なくかつ高品質の立方晶炭化ケイ素膜を有する立方晶炭化ケイ素膜付き基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の立方晶炭化ケイ素膜付き基板１は、シリコン基板２の表面２ａに立方晶炭化ケイ素膜３が形成され、このシリコン基板２の立方晶炭化ケイ素膜３との界面近傍に、シリコン基板２の表面２ａから内部に向かって漸次縮小する略四角錐状の空孔４が多数形成されている。 （もっと読む）

【課題】中性子回折法に使用できる程度の大型の良質なタンパク質結晶を再現性よく成長（形成）させることが可能なタンパク質結晶成長装置、及びその方法を提案する。
【解決手段】タンパク質結晶成長装置１は、制御部２と、制御部２に接続され、不活性ガスで密閉されたチャンバー部３と、を備える。制御部２は、タンパク質の原液及び結晶化剤を混合した混合水溶液１５にタンパク質の種結晶１６が入れられたチャンバー部３を減圧する手段と、タンパク質の結晶が形成することにより、チャンバー部３における減圧を停止する手段と、タンパク質の結晶表面が溶解することにより、タンパク質の原液を混合水溶液１５に注入する手段と、を有することとした。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥が少なく、かつ平坦性に優れた高品質の立方晶炭化珪素膜を容易に得ることができる立方晶炭化珪素膜の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板１の表面を炭化させて下地層２を形成し、次いで、Ｓｉ基板１の下地層２上に原料ガスｇ２を供給しつつ、この原料ガス雰囲気にて立方晶炭化珪素層３をエピタキシャル成長させ、次いで、この立方晶炭化珪素層３の表面３ａをクリーニングして異物を除去し、次いで、この立方晶炭化珪素層３上に再度、原料ガスｇ２を供給しつつ、この原料ガス雰囲気にて立方晶炭化珪素層４をエピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

【課題】気体スカベンジャー（スカベンジャーガス）の利点を生かして高いレーザー耐性を有する、ステッパーの光学系レンズとして有用なフッ化金属単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】カーボン製の断熱材壁８を有するフッ化金属単結晶育成炉を使用して、単結晶引上げ法により、フッ化カルシウムやフッ化マグネシウムなどのフッ化金属単結晶を育成するフッ化金属単結晶の製造方法において、前記フッ化金属単結晶育成炉内をアルゴンやヘリウムなどの不活性ガス雰囲気とし、具体的には育成炉内の底部より不活性ガスを炉内に導入しつつ、テトラフルオロメタンなどのスカベンジャーガスを前記フッ化金属の融液１２中に供給するか或いは該融液１２の液面に吹き付けて、フッ化金属単結晶１３を成長せしめる。 （もっと読む）

【課題】白金製の坩堝を使用しながら鉛を含有せず、品質劣化も無く量産性に富み、且つ0.10dB以下の挿入損失を可能とするガーネット単結晶を提供する。
【解決手段】R_3-xBi_xFe_5-wA_wO₁₂（但し、前記Rは一種又は二種以上の希土類元素でGdを必ず含み、前記AはGa,Al,In等からなる一種又は二種以上の元素であり、前記xは0.7<x≦1.5、前記wは0<w≦1.5）で表される組成を有するBi置換希土類鉄ガーネット単結晶にPbを含有させず且つPtを含有させ、更に、Mn又は第2族元素の少なくとも1つの元素を含有し、Mn又は第2族元素の少なくとも１つの元素をM、Bi置換希土類鉄ガーネット単結晶中の、M濃度（atppm）を[M]、Pt濃度（atppm）を[Pt]と表し、[M]と[Pt]との関係式Δを


と表したときにΔを-0.34atppm以上2.87atppm以下に設定する。 （もっと読む）

【課題】加工処理を行わずとも結晶の所在および結晶方位を容易に視認できる窒化物結晶およびその製造方法を提供する。
【解決手段】種結晶の外周に成長した窒化物結晶において、第１の部分領域と、光学的特性が該第１の部分領域と異なっており、かつ結晶方位を示す光学的特性を有する第２の部分領域と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】優れた制御性および再現性を実現しつつ、結晶中の面内方向および膜厚方向に均一に珪素が高濃度にドーピングされたＩＩＩ族窒化物結晶を製造できる方法を提供する。
【解決手段】結晶成長炉内に下地基板を準備する工程と、ＩＩＩ族元素のハロゲン化物と窒素元素を含む化合物を反応させて該下地基板上にＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる成長工程を含むＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法であって、前記成長工程で結晶成長炉にさらにハロゲン元素含有物質及び珪素含有物質を同一の導入管から供給するＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 常圧窒素環境下で新規の薄膜成長技術を確立し、該技術に基づいて高純度な窒化アルミニウム材料を製造する新規の製造方法を提供する。
【解決手段】 窒化アルミニウム製造方法は、常圧窒素雰囲気下で、窒化リチウムおよびアルミニウムから成る原料混合物を、第１図（a）に示す窒化リチウムおよびアルミニウムに関する二元系状態図における斜線領域内の組成および温度で少なくとも２時間保持する工程を含む。 （もっと読む）