【課題】ウエハ径７０ｍｍ以上の大口径で、厚さ２４０μｍ以下まで薄板化した場合でも、反り量が４０μｍ以下となるＧａＰ単結晶ウエハを収率よく提供する。
【解決手段】加工して得られるＧａＰ単結晶ウエハのウエハ径Ｌ_Ｗに対する、結晶育成に用いるルツボの内径Ｌ_cの比Ｌ_c／Ｌ_wを、１．７以上１．９以下とし、引き上げ方向の結晶長１ｍｍあたりにおける、育成中のＧａＰ単結晶と融液の間の固液界面形状の凸度の変化量を±１．３ｍｍ以内に規制することにより、反り量が４０μｍ以下であるＧａＰ単結晶ウエハを９０％以上の収率で得ることを可能とする。 （もっと読む）

【課題】 良好な規格化保持時間を有するエピタキシャル成長させて得られた強誘電体膜の作製方法を提供すること。
【解決手段】 チタン酸ストロンチウム単結晶基板又はシリコン単結晶基板上に、電極層を介して、強誘電体膜をエピタキシャル成長させて形成し、次いでエピタキシャル成長させて形成された強誘電体膜を冷却する強誘電体膜の作製方法において、この冷却を、少なくとも冷却を開始した後から該強誘電体のキュリー温度より１５％高い温度〜１５％低い温度の範囲までの冷却速度をその範囲の温度から室温までの冷却速度より遅くして実施する第１冷却工程と、次いで該第１冷却工程の冷却速度より早い冷却速度で室温まで冷却する第２冷却工程とで実施する。 （もっと読む）

【課題】 メニスカス生成領域の水平面内での温度分布の改善と、メニスカスの好適な観察とを可能とする引下げ装置を提供する。
【解決手段】 導電性材料からなる第一の環状の部材と光透過性材料からなる第二の環状の部材との積層体からアフターヒータを構成して第二の環状の部材を第一の観察窓とし、保温用の筒状アウターリングには引下げ軸について水平面内で点対称となるように第二の観察窓を配置し、アウターリングを引下げ軸中心に回転させ、第一の観察窓と第二の観察窓とが整列した状態にあるときに撮像手段によるメニスカスの観察を行う。 （もっと読む）

【課題】 メニスカス生成領域の水平面内での温度分布の改善と、メニスカスの好適な観察とを可能とする引下げ装置を提供する。
【解決手段】 導電性材料からなる第一の環状の部材と光透過性材料からなる第二の環状の部材との積層体からアフターヒータを構成して第二の環状の部材を第一の観察窓とし、保温用の筒状アウターリングには引下げ軸について水平面内で点対称となるように第二の観察窓を配置し、アウターリングを引下げ軸中心に回転させ、第一の観察窓と第二の観察窓とが整列した状態にあるときに撮像手段によるメニスカスの観察を行う。 （もっと読む）

【課題】クラックが入り難い高抵抗な窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】下地基板の表面に、第１の層Ｂと第２の層Ｆからなる窒化物半導体層１を形成し、その窒化物半導体層１を下地基板から分離して得られる直径４０ｍｍ以上、厚さ２００μｍ以上の自立した窒化物半導体基板１０であって、第２の層Ｆは、その表面の面内の平均転位密度が１×１０³ｃｍ^-2以上、１×１０⁸ｃｍ^-2未満であると共に、電気抵抗率が０．０２Ωｃｍより大きくなるように形成されており、第１の層Ｂは、第２の層Ｆよりも電気抵抗率が低くなるように形成されているものである。 （もっと読む）

【課題】目的とする窒化物単結晶の周囲に発生する多結晶の発生を抑制して、厚さ８．０ｍｍ以上の窒化物単結晶を容易に得ることが出来る製造方法を提供する。
【解決手段】下地基板の周囲に下地基板と異なる種基板を配置する工程と、該下地基板上に窒化物単結晶を成長させる工程を含む窒化物単結晶の製造方法であって、下地基板上の窒化物単結晶の成長速度よりも種基板上の窒化物単結晶の成長速度の方が遅い、窒化物単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】酸素または水素雰囲気中でのレーザーアブレーションにより金属などの異種基板に対して良好なダイヤモンド膜を形成できる方法を提供する。
【解決手段】酸素または水素雰囲気中で、グラファイト、アモルファスカーボン、グラッシーカーボン、またはダイヤモンドからなる炭素ターゲットに、５０ｎｓ以下のパルス幅でレーザー光を照射し、レーザーアブレーションによって前記ターゲットから炭素粒子を飛散させて基板上に堆積させ、パルス毎に堆積粒子の過飽和状態を形成して前記基板上にダイヤモンド膜を形成する方法において、前記基板に負バイアスを印加した状態で前記レーザー光を照射する。 （もっと読む）

【課題】成長させるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶のクラックを抑制し、かつ低いコストを維持し、かつチャンバー内の汚染を抑制するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶の製造方法、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板の製造方法およびＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶１３の製造方法は、チャンバー１０１内に配置された坩堝１０３に結晶成長用原料１５と液体封止剤１７とを収容する工程と、結晶成長用原料１５と液体封止剤１７とを加圧溶融し、かつ結晶成長用原料１５を固化させることにより、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶１３を成長させる工程と、チャンバー１０１内を降温する工程とを備えている。降温する工程は、液体封止剤１７の軟化点に達するまでに、チャンバー１０１内を６０ｋＰａを超えて４００ｋＰａ以下に減圧する工程を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 ルツボの回転数と引上軸の引上速度とを適切に制御することにより、ウエハ取得枚数の歩留の向上を図ったＧａＡｓ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 不活性ガスを充填したチャンバ２内に、ＧａＡｓ原料と封止剤としての三酸化硼素とを収納したルツボ５を設置する。ヒータ８によりルツボ５を加熱して、ルツボ５内にＧａＡｓ融液９を生成する。その後、ＧａＡｓ融液９に引上軸３の下端に取り付けた種結晶７を接触させ、ルツボ５を回転させながら種結晶７を引き上げてＧａＡｓ単結晶１０を製造する。このとき、ルツボ５の回転数ｎ〔ｒｐｍ〕と引上軸３の引上速度Ｖ〔ｍｍ／ｈ〕とが、２８≧ｎ≧５．８９ｅ^{０．０７Ｖ}を満足するようにする。 （もっと読む）

【課題】多結晶材料から容易に単結晶が育成できるとともに、単結晶製造のコストを低下させて、単結晶の利用範囲を広げることが可能な単結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】長尺状の多結晶材料と加熱源を、多結晶材料の長手方向に相対的に移動させることによって多結晶材料を局所加熱で半溶融状態にして多結晶材料の長手方向に単結晶を成長させる方法において、映像観察装置によって多結晶材料の局所加熱部の映像を連続的に観察し、半溶融部の状態をリアルタイムで観察して局所加熱部の加熱温度及び移動速度を制御することにより単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】マイクロパイプや螺旋転位等の結晶欠陥が少なく、かつ異種多形結晶や異方位結晶の混入が殆どない炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】昇華させた昇華用原料４０を種結晶５０上に再結晶化させて炭化珪素単結晶を成長させる昇華法による炭化珪素単結晶の製造方法において、種結晶５０として、（０００１）面より所定オフ角を持つ面を成長端面として有し、かつ成長端面が所定曲率を持つ凸形状のものを使用し、炭化珪素単結晶の成長過程で、種結晶５０の成長端面の２次元核生成による成長または螺旋転位による渦巻き成長を行うｃ面ファセットの成長軸のずれが許容範囲内となる成長速度で結晶成長を行う。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド微粉末を成膜前処理に用いても、凝集なく、高密度にかつ均一に基材表面に分散する方法を示し、ダイヤモンド成長後の表面が十分平滑で異常成長なく、かつ基材との密着性の高いダイヤモンド膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基材１上に形成されたダイヤモンド膜２であって、ダイヤモンド膜２の平均膜厚６の値の３／４以上の横方向差し渡しサイズ５を有する突起部４で定義される、膜２の成長面の異常成長ダイヤモンド突起部４が、１ｃｍ^２当たり１００個以下であるダイヤモンド膜２。ダイヤモンド膜２は、立方晶ダイヤモンドと六方晶ダイヤモンドとを含むダイヤモンド粉末を用意する工程と、ダイヤモンド粉末を液体溶媒中で撹拌する工程と、ダイヤモンド粉末を撹拌したダイヤモンド分散液中で基材１表面にダイヤモンドを種付け処理する工程とを備え、しかる後に基材１上に化学的気相合成法により製造される。 （もっと読む）

【課題】大きな厚みを有し、かつ高品質のＡｌＧａＮバルク結晶を製造するＡｌＧａＮバルク結晶の製造方法を提供する。高品質なＡｌＧａＮ基板を製造するＡｌＧａＮ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ＡｌＧａＮバルク結晶の製造方法は、以下の工程を備えている。まず、Ａｌ_aＧａ_(1-a)Ｎ（０＜ａ≦１）よりなる下地基板が準備される。そして、下地基板上に、主表面を有し、Ａｌ_bＧａ_(1-b)Ｎ（０＜ｂ＜１）よりなるバルク結晶が成長される。下地基板のＡｌの組成比ａは、バルク結晶のＡｌの組成比ｂよりも大きい。ＡｌＧａＮ基板の製造方法は、バルク結晶から１枚以上のＡｌ_bＧａ_(1-b)Ｎよりなる基板を切り出す。 （もっと読む）

【課題】高い結晶性を維持し、かつ低いコストを維持するＳｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v基材、エピタキシャルウエハ、およびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＳｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v基材の製造方法は、異種基板１１を準備する工程と、異種基板１１上に、主表面を有するＳｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v層を成長させる工程とを備えている。Ｓｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v層における主表面に位置する組成比ｘ＋ｖは、０＜ｘ＋ｖ＜１である。Ｓｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v層において、異種基板１１との界面から主表面に向けて組成比ｘ＋ｖが単調増加または単調減少する。Ｓｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v層において、異種基板１１との界面の組成比ｘ＋ｖは、主表面の組成比ｘ＋ｖよりも異種基板１１の材料に近い。 （もっと読む）

【課題】炭素ドープ結晶引き上げにおいてＳｉＣ発生を低減し、炭素粉末をＣドープで使用可能とし、炭素ドープ単結晶の品質低下の防止を図り、有転位化の低減を図る方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法によりチャンバ内において炭素をドープしてシリコン単結晶を製造する方法であって、ルツボ３内にシリコン原料Ｓを配置する工程において、炭素ドープ剤を、ルツボ内面３ａに対して５ｃｍ以上離れた位置、つまり、領域範囲Ｋ３内に配置し、この状態で配置工程後にシリコン原料Ｓを溶融する溶融工程をおこなう。 （もっと読む）

【課題】ＩＧＦ−１の結晶とその生産方法、さらにＩＧＦ−１間接アゴニストを同定する方法を提供する。
【解決手段】ＩＧＦ−１を含む水溶液を、沈殿剤を含むリザーバ液と混合し、生成した混合物を結晶化、場合によっては再結晶化を行い分離する、ＩＧＦ−１の結晶化方法。さらに、結合タンパク質ＩＧＦＢＰ−１又はＩＧＦＢＰ−３のＩＧＦ−１に対する結合の阻害レベルのスタンダードとして、界面活性剤を使用し、また構造に基づく薬剤設計のため、間接アゴニストの候補が結合するＩＧＦ−１の結合ポケットの座標を使用して、ＩＧＦ−１間接アゴニストを同定する方法。 （もっと読む）

【課題】単結晶表面からのＶ族元素の局所的な解離及びＩＩＩ族元素の液垂れを抑制する方法を提供する。
【解決手段】不活性ガスを充填した耐圧容器１内に収容したるつぼ４に原料５と液体封止剤６とを収納して加熱し、種結晶７を原料融液９に接触させつつ種結晶７とるつぼ４とを相対的に移動させて単結晶１０を成長させるＬＥＣによる化合物半導体単結晶の製造方法において、液体封止剤６の上方に引き上げられた単結晶１０の外径が目標とする外径に到達した時の液体封止剤６の厚さをｈ（ｍｍ）、るつぼ４の内径をＤ１（ｍｍ）、目標とする外径をＤ２（ｍｍ）としたときに、０．１９≦ｈ／｛（Ｄ１−Ｄ２）／２｝≦０．５２の範囲になるようにした。 （もっと読む）

【課題】大面積化が可能な非極性基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の製造方法は、サファイア基板上に、ＧａＮ層と、Ａｌ_ＸＧａ_{（１−Ｘ）}Ｎ（０＜Ｘ≦１）層とが交互に積層された半導体成長層を形成する工程と、半導体成長層を、半導体成長層の成長面と交差する方向に沿って分割することにより、ＧａＮ層からなる第１領域１１ａとＡｌ_ＸＧａ_{（１−Ｘ）}Ｎ（０＜Ｘ≦１）層からなる第２領域１２ａとが縞状に配置された非極性面からなる主表面（切り出し面１００ａ）を有する半導体基板１００を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】転位密度が低く、かつ、不純物の濃度が低いＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法、ＩＩＩ族窒化物結晶基板およびＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法は、液相法により少なくとも１種類の金属元素を含有する溶媒とＩＩＩ族元素とを含む結晶成長用液体２を用いて第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる工程と、金属元素の少なくとも１種類を含む結晶処理用液体４中で第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０を熱処理する工程と、熱処理がされた第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０上に気相法により第２のＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】薄膜化をするための加工をする際に発生するクラックを抑制し、かつ厚みの大きい窒化ガリウム結晶を成長させることのできる、窒化ガリウム結晶の成長方法、窒化ガリウム結晶基板、エピウエハ、エピウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】窒化ガリウム結晶の成長方法は、キャリアガスと、窒化ガリウムの原料と、ドーパントとしてのシリコンを含むガスとを用いて、ハイドライド気相成長（ＨＶＰＥ）法により下地基板上に窒化ガリウム結晶を成長させる窒化ガリウム結晶の成長方法である。窒化ガリウム結晶の成長時におけるキャリアガスの露点が−６０℃以下であることを特徴としている。 （もっと読む）