【課題】 種結晶が保持部材から剥離されることを抑制することが可能な種結晶保持体の製造方法、種結晶保持体、結晶育成装置および結晶育成方法を提供する。
【解決手段】 本発明の種結晶保持体の製造方法は、炭素からなる保持部材２と、保持部材２の下面２Ａよりも大きい上面３Ａを持つ、炭化珪素からなる種結晶３とを準備する準備工程と、保持部材２の下面２Ａに種結晶３の上面３Ａを固定する固定工程と、種結晶３の上面３Ａのうち保持部材２からはみ出ている部分に、保持部材２の側面２Ｂと接するように珪素の粒子16を配置する配置工程と、種結晶３、保持部材２および粒子16を、珪素の融点よりも高い温度に加熱する加熱工程と、溶融した粒子16で保持部材２に種結晶３を接合する接合工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、種結晶の反りや歪が、該種結晶上に成長された結晶に及ぼす影響を低減し、大型で低転位、低歪みの窒化物結晶を製造し得る方法を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、種結晶上に成長結晶をａ軸方向に成長させて窒化物結晶を得る窒化物結晶の製造方法であって、成長面として実質的にＡ面を出現させずに前記成長結晶を前記種結晶のａ軸方向に成長させることを特徴とする、窒化物結晶の製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】結晶成長前における反応容器の耐圧性容器への収納や、結晶成長後における反応容器の耐圧性容器からの取り出しを容易化することにより、結晶製造の作業効率を向上させる。
【解決手段】反応容器２に原料５と第一溶媒を充填して密閉した後、該反応容器を収納容器７に収納して、反応容器が収納された収納容器を耐圧性容器１内に設置し、さらに該耐圧性容器と該反応容器の間の空隙に第二溶媒を充填して前記耐圧性容器を密閉した後、該反応容器中で超臨界および／または亜臨界状態において結晶成長を行うことを特徴とする、結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】アモノサーマル法で窒化物単結晶を製造する際に、昇温工程で種結晶表面や反応容器の内壁に品質の低い結晶が析出するのを抑制し、その後の成長工程において、高い原料使用効率で高品質な窒化物単結晶を成長させるようにすること。
【解決手段】アモノサーマル法の昇温工程において、種結晶に対して表面から１μｍ以上の厚みを溶解させるメルトバック処理を施す。 （もっと読む）

【課題】原料の無駄を抑えながら、歩留まり良く品質が良い窒化物結晶を製造する方法を提供すること。
【解決手段】反応容器内に、原料、種結晶、鉱化剤、および、窒素を含有する溶媒を配置し、反応容器内の温度および圧力を溶媒が超臨界状態および／または亜臨界状態となるように制御して種結晶の表面に窒化物結晶を成長させる際に、原料を溶解するための原料溶解領域（９）と窒化物結晶を成長させるための結晶成長領域（６）とを含む反応容器（２０）を採用し、種結晶（７）を結晶成長領域に配置し、結晶成長領域内側の表面積（Ａ）と種結晶の表面積の総和（Ｂ）とが（Ｂ）／（Ａ）＝０．１〜７の関係を満たすようにする。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体結晶のクラック発生を抑制でき、窒化物半導体結晶の歩留の向上が図れる窒化物半導体結晶の製造方法、及び窒化物半導体エピタキシヤルウエハおよび窒化物半導体自立基板を提供する。
【解決手段】
種結晶基板上に窒化物半導体結晶を成長する窒化物半導体結晶の製造方法であって、前記窒化物半導体結晶の成長中に、前記種結晶基板の外周端部にエッチング作用を加えながら、前記窒化物半導体結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】アモノサーマル法や液相法によりIII族窒化物結晶を簡便で効率良く製造する方法を提供する。
【解決手段】貫通孔１０２を有する１００ｍｇ以上のIII族窒化物単結晶シード１０１に、前記貫通孔を利用して前記貫通孔にワイヤーを通して、前記III族窒化物単結晶シードを位置決めした状態で、オートクレーブ１中に吊り下げ、超臨界状態及び／又は亜臨界状態にある窒素を含有する溶媒６中でIII族窒化物結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】単結晶成長時に台座と種結晶との間に空隙が生じることを抑制可能な窒化アルミニウム種結晶の固定方法、該固定方法を用いて得られる台座−種結晶固定体、前記固定方法を用いて固定された種結晶を用いた窒化アルミニウム単結晶の製造方法、及び該製造方法により得られる窒化アルミニウム単結晶の提供。
【解決手段】本発明の窒化アルミニウム種結晶の固定方法は、窒化アルミニウム単結晶を成長させるための窒化アルミニウム種結晶を台座に固定する方法であって、タングステンまたはタンタルを含んでなる台座１の一面上に、融点１９００℃以下で且つ加熱処理により前記台座と反応しうる金属材料からなる金属層２を形成する第１工程と、金属層２上に窒化アルミニウムの種結晶３を配置する第２工程と、台座１と金属層２と種結晶３とがこの順に積層された積層体５を加熱処理し、台座１上方に種結晶３を固定する第３工程と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】種結晶が保持部材から剥離されることを抑制することが可能な結晶育成装置および結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】坩堝内にある炭化珪素の融液に、保持部材２の下端面２Ａに接着材３を介して固定した炭化珪素からなる種結晶４の下面４Ｂを接触させて、下面４Ｂに融液から炭化珪素の結晶を成長させる結晶育成装置において、保持部材２は炭素からなるとともに、接着材３は、沸点が炭化珪素の融点よりも低い材料と炭素とを含み、保持部材２の下端面２Ａは、算術平均粗さＲａが５μｍ以上３０μｍ以下の粗面である。また、結晶の育成方法において、保持部材２の下端面２Ａを所定の粗さの粗面にする工程と、下端面２Ａに、接着材３を塗布する工程と、種結晶４を接着材３に接触させることによって、種結晶４を保持部材２の下端面２Ａに接着材３を介して固定する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】優れた特性のデバイスを安定して製造することが可能な炭化珪素基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素基板８０は、炭化珪素の単結晶からなり、幅が１００ｍｍ以上、マイクロパイプ密度が７ｃｍ^-2以下、貫通螺旋転位密度が１×１０⁴ｃｍ^-2以下、貫通刃状転位密度が１×１０⁴ｃｍ^-2以下、基底面転位密度が１×１０⁴ｃｍ^-2以下、積層欠陥密度が０．１ｃｍ^-1以下、導電性不純物濃度が１×１０¹⁸ｃｍ^-2以上、残留不純物濃度が１×１０¹⁶ｃｍ^-2以下、Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｐｈａｓｅ Ｉｎｃｌｕｓｉｏｎｓが１個・ｃｍ^-3以下である。 （もっと読む）

【課題】ホモエピタキシャルＬＥＤ、ＬＤ、光検出器又は電子デバイスを形成するために役立つＧａＮ基板の形成方法の提供。
【解決手段】約１０^４／ｃｍ^２未満の転位密度を有し、傾角粒界が実質的に存在せず、酸素不純物レベルが１０^１９ｃｍ^−３未満の窒化ガリウムからなる単結晶基板上に配設された１以上のエピタキシャル半導体層を含むデバイス。かかる電子デバイスは、発光ダイオード（ＬＥＤ）及びレーザーダイオード（ＬＤ）用途のような照明用途、並びにＧａＮを基材とするトランジスター、整流器、サイリスター及びカスコードスイッチなどのデバイスの形態を有し得る。また、約１０^４／ｃｍ^２未満の転位密度を有し、傾角粒界が実質的に存在せず、酸素不純物レベルが１０^１９ｃｍ^−３未満の窒化ガリウムからなる単結晶基板を形成し、該基板上に１以上の半導体層をホモエピタキシャルに形成する方法及び電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】転位密度が少なく高品質な１３族窒化物結晶基板に供することが可能であるバルク結晶を製造するための種結晶を提供することを目的とする。
【解決手段】本実施形態の窒化ガリウム結晶は、六方晶構造のｍ面の外周表面の少なくとも１面において、ｃ軸方向の一端部側の領域におけるＸ線ロッキングカーブの半値全幅が、他端部側の領域における前記半値全幅より小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】転位密度が少なく高品質な１３族窒化物結晶基板に供することが可能であるバルク結晶を製造するための種結晶を提供する。
【解決手段】１３族窒化物結晶の製造方法は、ｃ軸方向の長さＬが９．７ｍｍ以上であり、前記長さＬとｃ面における結晶径ｄとの比Ｌ／ｄが、０．８１３より大きい六方晶構造の窒化ガリウム結晶２５を種結晶として、六方晶構造の１３族窒化物の結晶を成長させて１３族窒化物結晶２７を製造する結晶成長工程を含み、前記結晶成長工程は、結晶側面に、｛１０−１０｝面を含む外周面と、｛１０−１１｝面を含む外周面とを形成し、結晶底面に、｛０００１｝面を含む外周面を形成する工程を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】転位密度が少なく高品質な１３族窒化物結晶基板に供することが可能であるバルク結晶を製造するための種結晶を提供することを目的とする。
【解決手段】本実施形態の窒化ガリウム結晶は、六方晶の窒化ガリウム結晶のｃ軸を横切る断面において、断面内側の第１領域と、前記第１領域の外周の少なくとも一部を覆う第２領域とを有し、前記第１領域の電子線または紫外光による発光スペクトルにおいて、窒化ガリウムのバンド端発光を含む第１ピークの強度が、前記第１ピークより長波長側の第２ピークの強度より小さく、前記第２領域の前記発光スペクトルにおいて、前記第１ピークの強度が前記第２ピークの強度より大きいことを特長とする。 （もっと読む）

【課題】光アイソレータ用ファラデー回転子として用いられるテルビウム・ガリウム・ガーネット（ＴＧＧ）を主成分とする常磁性ガーネット結晶（組成式Ｔｂ_３Ｇａ_５Ｏ_１２）をチョクラルスキー法によって容易に製造できるＴＧＧ単結晶育成におけるシーディング方法を提供する。
【解決手段】Ｃｚ法（回転引き上げ法）により、原料融液に種結晶を接触させて成長結晶を引き上げるテルビウム・ガリウム・ガーネット（ＴＧＧ）単結晶育成におけるシーディング方法において、種結晶として、ＴＧＧと同じガーネット構造の単結晶であり、融点が１７５０℃以上、かつＴＧＧとの格子定数差が±３％以下である結晶を用いることを特徴とするＴＧＧ単結晶育成におけるシーディング方法により提供する。本発明によれば、Ｃｚ法によって結晶を引き上げる際に、融点及びＴＧＧとの格子定数差が特定の種結晶を用いるので種結晶の溶解という問題が生じないので、シーディングの成功率が高くなり、高品質なＴＧＧ結晶が育成できる。 （もっと読む）

【課題】成長温度、成長に用いる雰囲気ガスによらず、溶液法によるＳｉＣ単結晶製造において気泡の巻き込みによるボイド欠陥を大幅に抑制しうる製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ及びＣを含む溶液中に、ＳｉＣの種結晶を浸漬し、溶液成長法によりＳｉＣを析出・成長させるにあたり、該種結晶の成長面法線ベクトルと溶液表面の法線ベクトルとのなす角度を９０°以下に保持して製造して結晶成長部分のボイド密度を１０００個／ｃｍ^３以下としたＳｉＣ単結晶およびＳｉＣ単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】炭素同位体^１２Ｃを用いて硬度を高くすることが可能となる単結晶ダイヤモンドおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶ダイヤモンドは、炭素同位体^１２Ｃの濃度が９９．９質量％以上である炭素と、炭素以外の複数の不可避不純物とで構成される。不可避不純物は、窒素と、硼素と、水素と、ニッケルとを含み、複数の不可避不純物のうち窒素、硼素、水素の合計含有量を０．０１質量％以下とする。単結晶ダイヤモンドを製造するには、まず炭素同位体^１２Ｃの濃度が９９．９質量％以上であり脱窒素処理が施された炭化水素ガスを、真空チャンバ内において、例えば１２００℃以上２３００℃以下の温度で、基材上で熱分解することで得られた炭素原料を準備し、該炭素原料を用いてダイヤモンドを合成し、該ダイヤモンドから種結晶を切り出す。この種結晶を、溶媒および炭素源とともにセル内に収容した状態で、高温高圧合成法にて種結晶から単結晶ダイヤモンドを成長させる。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に単結晶ＳｉＣのエピタキシャル層を形成する構成の半導体ウエハの製造方法であって、製造コストの低減及び半導体ウエハの大口径化を実現する方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハの製造方法は、カーボン層形成工程と、貫通孔形成工程と、フィード層形成工程と、エピタキシャル層形成工程と、を含む。カーボン層形成工程では、多結晶ＳｉＣで構成される基板７０の表面にカーボン層７１を形成する。貫通孔形成工程では、基板７０に形成されたカーボン層７１に貫通孔を形成する。フィード層形成工程では、カーボン層７１の表面にＳｉ層７２ａ及び３Ｃ−ＳｉＣ多結晶層７３を形成する。エピタキシャル層形成工程では、基板７０を加熱することで、貫通孔を通じて露出した基板７０の表面に４Ｈ−ＳｉＣ単結晶で構成される種結晶７４を形成し、前記種結晶７４を近接液相エピタキシャル成長させて４Ｈ−ＳｉＣ単結晶層７４ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い窒化アルミニウム単結晶を高収率で製造することができる窒化アルミニウム単結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】成長容器７内に収容した窒化アルミニウム原料６を加熱して昇華させ、成長容器７の内壁面に固定した種結晶１３の表面上に窒化アルミニウムの単結晶１９を成長させて窒化アルミニウム単結晶を製造する単結晶成長工程を含む窒化アルミニウム単結晶の製造方法であって、単結晶成長工程が、種結晶１３の表面のうち結晶成長面１３ａが窒化アルミニウム単結晶１９で全面的に覆われるまでは成長容器７を開放し、成長容器７内に窒素ガスを導入する開放工程と、種結晶１３の表面の結晶成長面１３ａが窒化アルミニウム単結晶１９で全面的に覆われた後は成長容器７を密閉する密閉工程とを含む、窒化アルミニウム単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高品質の窒化アルミニウム単結晶を製造することができる窒化アルミニウム単結晶の製造方法及び製造装置を提供すること。
【解決手段】成長容器２内に内側ガス導入部２ｆを経て窒素ガスを導入するとともに成長容器２内のガスをガス排出部２ｅを経て排出させながら、成長容器２内に収容した窒化アルミニウムからなる原料を昇華させ、成長容器２内の種結晶１０上に結晶１２を成長させて窒化アルミニウム単結晶を得る結晶成長工程を含み、結晶成長工程において、成長容器２を収容する反応管３内に外側ガス導入部３ｂを経て、窒素ガス又は窒化アルミニウムの生成反応に対する不活性ガスからなる外側ガスを導入することにより、ガス排出部２ｅの外側に外側ガスを流す窒化アルミニウム単結晶の製造方法。 （もっと読む）