【課題】β−Ｇａ_２Ｏ_３結晶の双晶密度を許容値以下とすることが可能なβ−Ｇａ_２Ｏ_３結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＥＦＧ（Edge-defined film-fed growth）法によるβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶２５の成長時における双晶密度が許容値以下となるように、許容値が小さいほど種結晶２０の引き上げ方向に対するβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶２５の肩広げ角度θの目標値を大きく設定する第１ステップと、第１ステップで設定した目標値の肩広げ角度でβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶２５が成長するように結晶成長時における温度又は種結晶２０の引き上げ速度を制御して、β−Ｇａ_２Ｏ_３結晶を成長させる第２ステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】双晶化を効果的に抑えることのできるβ−Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】ＥＦＧ（Edge-defined film-fed growth）法を用いたβ−Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶２５の成長方法であって、種結晶２０をＧａ_２Ｏ_３系融液に接触させる工程と、種結晶２０を引き上げ、ネッキング工程を行わずにβ−Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶２５を成長させる工程と、を含み、すべての方向においてβ−Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶２５の幅が種結晶２０の幅の１１０％以下とする。 （もっと読む）

【課題】製造されるインゴットの直径を高い精度で制御できる単結晶直径制御方法を提供する。
【解決手段】単結晶インゴット直径制御方法であって、炉２２内を鉛直上方に引き上げられているインゴット１の直径を、炉内状態視認窓２３を通して計測し、得られた直径データに基づいて製造条件を補正する。前記炉内状態視認窓２３を坩堝２１内の溶融原料の溶融表面を視認できる位置及び角度に設け、前記溶融表面において得られる第一直径データに基づいた前記製造条件の補正の結果を、前記溶融表面から鉛直上方に間隔をあけた位置において得られる第二直径データに基づいて検証してもよい。 （もっと読む）

【課題】ウエハ径７０ｍｍ以上の大口径で、厚さ２４０μｍ以下まで薄板化した場合でも、反り量が４０μｍ以下となるＧａＰ単結晶ウエハを収率よく提供する。
【解決手段】加工して得られるＧａＰ単結晶ウエハのウエハ径Ｌ_Ｗに対する、結晶育成に用いるルツボの内径Ｌ_cの比Ｌ_c／Ｌ_wを、１．７以上１．９以下とし、引き上げ方向の結晶長１ｍｍあたりにおける、育成中のＧａＰ単結晶と融液の間の固液界面形状の凸度の変化量を±１．３ｍｍ以内に規制することにより、反り量が４０μｍ以下であるＧａＰ単結晶ウエハを９０％以上の収率で得ることを可能とする。 （もっと読む）

【課題】結晶性に優れ、異なる直径の単結晶を容易に育成することができる単結晶製造装置等を提供する。
【解決手段】単結晶引き上げ装置１は、底部２１の周囲から立ち上がる筒状の壁部２２と、壁部２２上に設けられ、中央部に開口２３ａを有する円板状の蓋部２３とから構成され、アルミナ融液３００を保持するるつぼ２０と、るつぼ２０を壁部２２から加熱する上部ヒータ３０と、るつぼ２０の下方に設けられ、るつぼ２０を底部２１から加熱する下部ヒータ３５と、アルミナ融液３００からサファイアインゴット２００を引き上げる引き上げ棒４０と、上部ヒータ３０に電力を供給する上部ヒータ電源９０と、下部ヒータ３５に電力を供給する下部ヒータ電源９５とを備えている。 （もっと読む）

【課題】引上げ中に生じた予想し得ない外乱がヒータ温度に与える影響を抑制することが可能な半導体単結晶の引上げ方法及び引上げ装置を提供する。
【解決手段】予め設定された温度プロファイルに基づいてヒータ１８を制御しながら半導体単結晶１１を引上げる。ヒータ１８の温度プロファイルの設定に寄与する過去の単結晶の引上げデータをデータベースに蓄積し、この過去の単結晶の引上げデータから次に引上げる単結晶のヒータの温度プロファイルを第１評価機能に基づいて評価する。第１評価機能に基づいて次に引上げる単結晶のヒータ１８の温度プロファイルを引上げ前に修正し、この修正された温度プロファイルに基づいてヒータ１８を制御しながら単結晶１１を引上げる。単結晶１１の引上げ中に所定の引上げ長毎に上記修正された温度プロファイルを更に自動修正しこの自動修正された温度プロファイルに基づいてヒータ１８を制御しながら単結晶１１を引上げる。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉインゴット結晶の製造に際し、融液内成長においてSiインゴット結晶を大きく成長させることができるとともに、歪みが十分低減され、かつ生産効率が良いＳｉインゴット結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉインゴット結晶のルツボ融液内成長において、融液上部よりも下部の方が高温となる温度分布を有するＳｉ融液の表面近傍でＳｉ種結晶を用いて核形成させ、Ｓｉ種結晶からＳｉ融液の表面に沿って又は内部に向かってインゴット結晶を成長させる第１の工程と、成長したインゴット結晶の一部を融液内から融液と分離しない程度に引き上げる第２の工程と、融液内に残った結晶からＳｉ融液の表面に沿って又は内部に向かってインゴット結晶を引き続き成長させる第３の工程とを含み、上記第２及び第３の工程を順次複数回繰り返してインゴット結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】結晶形状の捩れを発生させること無く、且つフラットな成長界面でファセットの発生を抑制し、歪が無い長尺のガーネット結晶を再現性良く育成できる酸化物単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】炉体内のルツボに単結晶用原料を入れて加熱溶融した後、原料融液に種結晶を接触させて成長結晶を回転させながら引き上げる回転引き上げ法により酸化物単結晶を育成する酸化物単結晶の製造方法において、成長結晶の引き上げは、２０ｒｐｍ以下の初期回転速度（ω_０）で開始し、引き続き、成長結晶の結晶径を増大させ、結晶の界面反転を確認した後、回転速度（ω）を下記式（１）で示される範囲内に低下させて肩部を形成することを特徴とする酸化物単結晶の製造方法。ω_０×（Ｌ／Ｌ_０）＞ω＞ω_０×（Ｌ／Ｌ_０）^１／４・・・（１）（式中、ωは界面反転後の結晶の回転速度、ω_０は初期回転速度、Ｌ_０は初期融液深さ、Ｌは育成中の融液深さである） （もっと読む）

【課題】単結晶インゴット成長時の温度制御を良好に行って結晶品質のバラツキを抑制し、高品質の単結晶インゴットを生産性良く成長させることができるヒーター出力制御方法及び単結晶製造装置を提供することを目的とする
【解決手段】予め、基準とした単結晶製造装置における前記絞り部形成時の成長速度と前記コーン部形成時間の間の相関式を求め、他の単結晶製造装置で単結晶インゴットを成長させる際に、絞り部形成時の成長速度とコーン部形成時間を測定し、該測定した絞り部形成時の成長速度とコーン部形成時間から、前記相関式を基に制御信号を補正して、該補正した制御信号によって、当該他の単結晶製造装置の前記ヒーターの出力を制御するヒーター出力制御方法。 （もっと読む）

【課題】 中性子線に対する感度が高く、かつγ線に由来するバックグラウンドノイズが少ない中性子検出用シンチレーターに好適なコルキライト型結晶、当該結晶からなる中性子検出用シンチレーター及び中性子線検出器を提供する。
【解決手段】 アルカリ金属元素を含有し、且つ^６Ｌｉの同位体比が２０％以上であるコルキライト型結晶（例えばＮａを含有するＬｉＣａＡｌＦ_６等の結晶）、及び当該コルキライト型結晶からなる中性子検出用シンチレーターならびに中性子線検出器である。 （もっと読む）

【課題】直径１２インチ以上の半導体デバイス用シリコンウェーハを製造するためのシリコン単結晶インゴットの引上げ中に、シリコン原料融液を保持する石英ルツボの使用時間が予め設定された耐用時間を経過し、かつ、その時点で引上げ中のシリコン単結晶が有転位化している場合であっても、該シリコン単結晶インゴットにおけるクラックや割れの発生を抑制することができ、石英ルツボ内に残存したシリコン原料融液を半導体デバイス用に、安全かつ効率的に再利用する方法を提供する。
【解決手段】直胴部の最大直径が２１０〜２６０ｍｍの第２のシリコン単結晶インゴットＩｇ２の引上げに変更して、石英ルツボ１４ａに残存しているシリコン原料融液を第２のシリコン単結晶インゴットＩｇ２として回収し、直径８インチ以下のシリコンウェーハを製造するためのシリコン単結晶インゴットとして、又は、シリコンウェーハを製造するためのシリコン原料として再利用する。 （もっと読む）

【課題】大口径化しても、スリップ不良の発生を抑制できるＧａＡｓウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＬＥＣ法によりＧａＡｓ単結晶を成長する成長工程と、成長工程で得られたＧａＡｓ単結晶をスライスしてＧａＡｓウェハを作製するウェハ作製工程とを有するＧａＡｓウェハの製造方法において、成長工程では、ＧａＡｓ単結晶と原料融液との固液界面の形状が原料融液側に凸状となっており、原料融液と前記液体封止剤との界面から原料融液中のＧａＡｓ単結晶の先端部までの長さＴ１と、ＧａＡｓ単結晶の外径Ｔ２との比Ｔ１／Ｔ２が、０.２５≦Ｔ１／Ｔ２≦０.４５であり、ウェハ作製工程で得られたＧａＡｓウェハは、ユニバーサル硬度がウェハ面内で一様に４０００Ｎ／ｍｍ^２以上４８５０Ｎ／ｍｍ^２以下である。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法によってテルビウム・ガリウム・ガーネット（ＴＧＧ）結晶を、捩れや結晶内の歪を生じることなく容易に製造できる酸化物単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】Ｃｚ法（回転引き上げ法）によりテルビウム・ガリウム・ガーネット（ＴＧＧ）単結晶を育成する方法において、原料融液に種結晶を接触させて成長結晶を引き上げ、所望の大きさ（直胴部）まで結晶径を拡大していく際に、結晶の広がり角θを４５°以上とし、且つ、坩堝の上部で直胴部直径（ｄ）に対して１．３倍以下の内径（Ｄ）を持つ平板円環状のジルコニウム製の絞りを通過させることを特徴とする酸化物単結晶の育成方法により提供する。 （もっと読む）

【課題】超伝導マグネットが発生する磁気力場中で高品位結晶を効率よく生成するための強磁場中結晶生成装置を提供し、生成したタンパク質結晶の効率的な評価を行うことができる強磁場中結晶生成装置を提供する。
【解決手段】超強磁場を形成する超伝導マグネット１と、超伝導マグネット１が形成する超強磁場内に設置される結晶生成容器３と、結晶生成容器３内における結晶生成の過程をその場観察する観察機構２とを備え、結晶生成容器３は、非磁性の透明材料からなり、中央部に観察機構２が挿通される透孔を有し、この透孔の周囲に複数の結晶生成用の個室が配列されている。 （もっと読む）

【課題】ネック部に拡径部と縮径部とを交互に形成して、品質の安定した単結晶を引き上げ可能とし、且つ、種結晶から直胴部への転位化を防止することのできる単結晶引上装置及び単結晶引上げ方法を提供する。
【解決手段】育成されるネック部の径を測定するネック径測定手段と、前記ネック径測定手段から得られたネック部の測定値と、記憶手段に予め記憶したネック部径の狙い値との差分に基づき、種結晶の補正された第一の引上速度を出力する第一の引上速度補正手段２１，２２と、前記第一の引上速度の上限を第一の制限値に制限した、第二の引上速度を出力する第二の引上速度補正手段２３と、少なくとも前記引上速度の上限が前記第一の制限値に制限されている間、ルツボの回転数を低下させるルツボ回転数補正手段２４，２５とを備える。 （もっと読む）

【課題】 絶縁破壊特性、耐熱性、耐放射線性等に優れ、電子・光学デバイス等に好適で、多結晶や多型の混入やマイクロパイプ等の欠陥のない高品質な炭化ケイ素単結晶の提供。
【解決手段】 昇華させた昇華用原料を炭化ケイ素単結晶の種結晶上に再結晶させて、炭化ケイ素単結晶を、その全成長過程を通して、その成長面の全面を凸形状に保持したまま成長させる炭化ケイ素単結晶の製造方法により製造され、最大直径が、前記種結晶の直径よりも大きい炭化ケイ素単結晶である。 （もっと読む）

【課題】中性子回折法に使用できる程度の大型の良質なタンパク質結晶を再現性よく成長（形成）させることが可能なタンパク質結晶成長装置、及びその方法を提案する。
【解決手段】タンパク質結晶成長装置１は、制御部２と、制御部２に接続され、不活性ガスで密閉されたチャンバー部３と、を備える。制御部２は、タンパク質の原液及び結晶化剤を混合した混合水溶液１５にタンパク質の種結晶１６が入れられたチャンバー部３を減圧する手段と、タンパク質の結晶が形成することにより、チャンバー部３における減圧を停止する手段と、タンパク質の結晶表面が溶解することにより、タンパク質の原液を混合水溶液１５に注入する手段と、を有することとした。 （もっと読む）

【課題】成長方向（垂直方向）及び水平方向のいずれの部分においても結晶配向方位の傾きの小さいフッ化金属単結晶体の製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法などの坩堝中の原料溶融液面に上方から種結晶体を接触させ、該種結晶体と同じ結晶配向方位を有する結晶を成長させて、該種結晶体に由来する棒状部（a)、該棒状部よりも径の大きな円柱状の直胴部（b)、及び棒状部（a)と直胴部（b)とを繋ぐ拡径部（c)とを有する単結晶体を得るフッ化金属単結晶体の製造方法において、前記拡径部（c)の高さｈと、直胴部（b)の直径ｒとの比ｈ／ｒが０．３５以下、好ましくは０．２５以下となるように拡径部（c)を形成する。 （もっと読む）

【課題】高品位のサファイア単結晶を成長させる方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法を用いた単結晶インゴットの育成方法であって、種結晶を所定温度に加熱する種結晶加熱工程と、前記種結晶を原料融液に接触させた後、該種結晶を引き上げながらネック部を形成するネッキング工程とを具え、前記ネッキング工程は、前記種結晶を引き上げる際に、種結晶の先端表面上に育成される結晶が、縮径から拡径および拡径から縮径の少なくとも一方の径変化を１回以上経ることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶の成長工程（コーン工程や直胴工程等）や操業条件（結晶の回転数や回転方向等）に対応でき、安定して結晶径等を制御でき、安定した結晶成長を行うことが可能なＦＺ法(フローティングゾーン法または浮遊帯溶融法)による半導体単結晶棒の製造方法を提供する。
【解決手段】ＦＺ法による半導体単結晶棒の製造方法であって、少なくとも、前記半導体単結晶棒等のパラメータの値を検出する段階と、該検出値から誘導加熱コイルへの電力や原料結晶棒の移動速度の制御値を計算する段階と、上記電力や移動速度を制御する段階を、周期的に自動実施してフィードバック制御して半導体単結晶棒を成長させるときに、成長中に、検出段階、制御値計算段階および制御段階の少なくとも１つの段階の周期を変更し、フィードバック制御しつつ、半導体単結晶棒を製造する半導体単結晶棒の製造方法。 （もっと読む）