【課題】結晶の成長速度の大きいＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法は、外側容器２２内に設けられた反応容器２１内に、少なくともＩＩＩ族元素と触媒剤とを含む融液１を種結晶２の周りに形成する融液形成工程と、融液１に窒素含有物３を供給して種結晶２上にＩＩＩ族窒化物結晶４を成長させる結晶成長工程とを含むＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法であって、外側容器２２内に反応容器２１とともに設けられたヒータ２３および断熱材２４にグラファイトを用いることを特徴とする。 （もっと読む）

窒化ガリウムボウルの大規模製造方法である。大面積単結晶種プレートは、ラックに吊るされており、アンモニア及び鉱化剤と共に大直径加圧滅菌器又は内部加熱高圧装置中に配置されており、そして、アンモノサーマル法により成長される。種の方向及び取り付け配置は、種プレート、及び加熱滅菌器又は高圧装置中のかたまり、の効率的な利用を提供するように選択される。この方法は、非常に大きいかたまりにまで拡張可能であり、また費用効果が高い。
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【課題】結晶基板の結晶状態を維持し且つ欠陥のない単結晶のナノワイヤを成長させることが可能なナノワイヤ作製方法を提供する。
【解決手段】フリースタンディングナノワイヤの成長を可能とする比較的狭い範囲の成長条件からあえてずらした成長条件でナノワイヤを成長させることにより、フリースタンディングナノワイヤに必要なサイドファセットの形成を不安定にし、結晶基板の表面と平行に且つ当該表面に沿ったナノワイヤの成長を可能とする。また、ナノワイヤの成長途中で、例えばドーパントを切り替えることにより、ｎ型ＩｎＰナノワイヤ３ｎとｐ型ＩｎＰナノワイヤ３ｐを連設することができる。更に、平行な複数のナノワイヤを交差させて網状の半導体膜を得ることもできる。 （もっと読む）

【課題】結晶の成長速度の大きいＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法は、反応容器２１を予め加熱処理して水分を除去する工程と、水分が除去された反応容器２１内に、少なくともＩＩＩ族元素と、触媒剤とを含む融液１を種結晶２の周りに形成する融液形成工程と、融液１に窒素含有物３を供給して種結晶２上にＩＩＩ族窒化物結晶４を成長させる結晶成長工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】結晶の成長速度の大きいＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の製造装置は、少なくとも、種結晶２の周りにＩＩＩ族元素と触媒剤とを含む融液１を収容することができる反応容器２１を有するＩＩＩ族窒化物結晶の製造装置であって、種結晶２を局所的に冷却するための冷却材４２を設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】溶液法により４Ｈ−ＳｉＣ単結晶を安定して平坦成長させることができる４Ｈ−ＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ融液を溶媒とし、これにＣを溶解させた溶液から４Ｈ−ＳｉＣ種結晶上に４Ｈ−ＳｉＣ単結晶を成長させる方法において、
上記溶媒として、Ｓｉ融液にＴｉとＡｌ、Ｓｎ、Ｇｅのいずれか１種である元素Ｘとを添加したＳｉ−Ｔｉ−Ｘ３元溶媒を用い、４Ｈ−ＳｉＣ種結晶のＳｉ面上に、１７８０℃以上の成長温度で４Ｈ−ＳｉＣ単結晶を成長させることを特徴とする４Ｈ−ＳｉＣ単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】実用的な大きさの高品質なIII族窒化物結晶を成長させることが可能なIII族窒化物の結晶製造方法を提供する。
【解決手段】少なくともアルカリ金属とIII族金属と窒素が溶解した溶液２５からIII族窒化物結晶３０を成長させる結晶製造方法において、溶液２５に、溶液２５中への窒素の溶解度を増加させる物質を含ませる。窒素の溶解度を増加させる物質はリチウムであり、リチウム原料は窒素化合物である。また、III族窒化物を種結晶に成長させる。 （もっと読む）

【課題】高純度アセチレンガスを用いて、良質なダイヤモンドでかつ接合強度の高いダイヤモンド皮膜を合成する燃焼炎法によるダイヤモンド皮膜合成方法を提供する。
【解決手段】燃焼炎法によるダイヤモンド皮膜合成方法において、ガスボンベの残量に関わらず、ほぼ一定の純度（Ｃ２Ｈ２９９．５％以上）を保つことのできる高純度アセチレンガス３を用いた高純度アセチレン−酸素の燃焼ガスを使用し、ダイヤモンドの合成促進成分として窒素ガス４を用いる。より具体的には、高純度アセチレン−酸素の流量比（Ｏ_２／Ｃ_２Ｈ_２）０．９の燃焼ガスにダイヤモンド合成促進成分として窒素ガスを流量比（Ｎ_２／(Ｃ_２Ｈ_２＋Ｏ_２＋Ｎ_２)）０．２８％〜０．４０％混合する。 （もっと読む）

【課題】ＩＧＦ−１の結晶とその生産方法、さらにＩＧＦ−１間接アゴニストを同定する方法を提供する。
【解決手段】ＩＧＦ−１を含む水溶液を、沈殿剤を含むリザーバ液と混合し、生成した混合物を結晶化、場合によっては再結晶化を行い分離する、ＩＧＦ−１の結晶化方法。さらに、結合タンパク質ＩＧＦＢＰ−１又はＩＧＦＢＰ−３のＩＧＦ−１に対する結合の阻害レベルのスタンダードとして、界面活性剤を使用し、また構造に基づく薬剤設計のため、間接アゴニストの候補が結合するＩＧＦ−１の結合ポケットの座標を使用して、ＩＧＦ−１間接アゴニストを同定する方法。 （もっと読む）

【課題】実用化に必要なレベルの成長速度を実現できるｐ型ＳｉＣ半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ融液にＣを溶解させた溶液からＳｉＣ単結晶基板上にｐ型ＳｉＣ半導体単結晶を成長させる方法において、上記溶液として、上記Ｓｉ融液と下記ＣｒおよびＡｌとの合計量を基準として、３０〜７０at％のＣｒと０．１〜２０at％のＡｌとを更に添加した溶液を用いる。ＣｒはＳｉ−Ｃ溶液のＣ溶解度を高め、また、Ａｌは、ｐ型ドーパントとして機能する他、Ｃｒと同様に溶液のＣ溶解度を高めることにより結晶成長速度を高める。 （もっと読む）

【課題】半導体材料、電子部品、光学部品、切削・耐磨工具などに用いられる大面積で高品質なダイヤモンド単結晶基板を高速に製造する方法を提供する。
【解決手段】種基板１として、主面の面方位が略＜１００＞方向に揃った複数個のダイヤモンド単結晶基板を並べて配置し、気相合成法により種基板１上にダイヤモンド単結晶を成長させるダイヤモンド単結晶基板の製造方法であって、種基板１の主面の面方位が｛１００｝面に対する傾きが５度以下であり、第一の段階における成長パラメータαが２．０以上３．０未満であり、第二の段階におけるαが３．０以上である。 （もっと読む）

【課題】非鉄製錬中間産物等に含まれる砒素を結晶質のスコロダイト型鉄砒素化合物として固定する反応に、種晶を使用するプロセスにおいて、その種晶の生成工程を短縮すると共に、このプロセスで発生する洗浄液量を削減する合理的な方法を提供する。
【解決手段】 工程Ａ；５価の砒素と２価の鉄が溶解している水溶液に酸化剤を加え、予め得られているスコロダイト型鉄砒素化合物を種晶として鉄砒素化合物を合成し、スコロダイト含有スラリーを得る工程、工程Ｂ；前記スラリーを固液分離して、スコロダイト含有残渣を回収する工程、工程Ｃ；前記スコロダイト含有残渣を洗浄する工程を実施する際に、工程Ｂで回収されたスコロダイト含有残渣の一部、または工程Ａで得られたスコロダイト含有スラリーの一部を、その後に行われる工程Ａの種晶として利用する、鉄砒素化合物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】平坦な成長表面を持つ単一の単結晶が安定して高い成長速度で得られるＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】黒鉛るつぼ内のＳｉ融液内に内部から融液面に向けて温度低下する温度勾配を維持しつつ、該融液面の直下に保持したＳｉＣ種結晶を起点としてＳｉＣ単結晶を成長させる方法において、上記Ｓｉ融液に、５〜３０at％のＴｉと、１〜２０at％のＳｎまたは１〜３０at％のＧｅとを添加する。Ｔｉ添加によりＣの溶解度が増加してＳｉＣ単結晶の成長速度が向上し、同時に、ＳｎまたはＧｅのサーフアクタント効果により平坦性の高いＳｉＣ単結晶が得られる。 （もっと読む）

第１の結晶組成物がガリウムと窒素を含む、結晶組成物を成長させる方法。この結晶組成物は約３１７５ｃｍ^−１に赤外吸収ピークを有し、単位厚み当りの吸光度が約０．０１ｃｍ^−１より大きい。一態様で、この材料は１立方センチメートル当り約３×１０^１８未満の濃度の酸素量を有し、第１の結晶組成物の所定の体積中には二次元の平面境界欠陥がない。
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【課題】 応力が低減された半導体素子用基板の提供。
【解決手段】異種基板１１としてサファイア基板を使用し、ＭＯＣＶＤ装置を用いて前記サファイア基板上に３００Å以下の膜厚でＧａＮからなるバッファー層（図示せず）を形成した後、前記異種基板１１の上に触媒層１２をパターン形成する（ａ）。この触媒層１２は基板側から窒化物／遷移金属、又は遷移金属／窒化物／遷移金属との順に積層され、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏから選ばれる少なくとも一つの元素を含有するものであって、スパッタ装置を用いて形成される。その後、ウェハーをプラズマＣＶＤ装置に搬入し、カーボンナノチューブ１３を前記触媒層上に形成する（ｂ）。この後、ウェハーをＭＯＣＶＤ装置に移動し、半導体層１４を形成する（ｃ）。次に、半導体層１４を形成したウェハーから異種基板１１を除去して半導体素子用基板とする（ｄ）。 （もっと読む）

【課題】大きな塊状単結晶が収率良く、安価かつ安定的に得られる周期表１３族元素の窒化物の塊状単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】アンモニアを溶媒とするアモノサーマル法による結晶成長を行う方法において、出発原料として、相対的に平均粒径の異なる２種の結晶を使用し、種結晶を配置した育成部および／または出発原料を供給した原料充填部に超音波を印可しながら結晶成長を行う。また、反応容器内の結晶成長時の温度差にともなって生じる溶媒の対流の集束点近傍に、析出物捕集ネットを設ける、輸送流中の微結晶あるいは析出物を捕捉するとともに、この捕集ネット上に選択的に微結晶を析出させる。 （もっと読む）

【課題】 ゲル・カウンタ・ディフュージョン法を用いて微量のサンプルで結晶化を実施できて、かつ、結晶を取り出すことなく結晶作製器具をそのままの状態でＸ線回折装置の試料ホルダーに取り付けることができるようにする。
【解決手段】 流路２４の第１端部２６にはタンパク質溶液導入口１６が連通し、流路２４の第２端部２８には第１の沈殿剤導入口１８ａが連通している。流路２４の途中にはゲル導入口２０と空気抜き穴２２が連通している。流路プレート１０のサイズは１２．２ｍｍ×２６ｍｍと小さくなっている。流路２４は渦巻き状に曲がっており、流路２４に沿った第１端部２６から第２端部２８までの長さ（流路の全長）は、第１端部２６から第２端部２８までの直線距離Ｌ７の３倍以上である。これにより、小さな平面サイズで充分な流路長さを確保できる。 （もっと読む）

【課題】大口径のＣ面を有する窒化物半導体や、ｍ軸方向に厚い窒化物半導体を効率よく簡便に製造することができる実用的な製造方法を提供する。
【解決手段】六方晶系の結晶構造を有するシード１０、窒素元素を含有する溶媒、周期表１３族金属元素を含む原料物質９、及び鉱化剤を入れたオートクレーブ３内の温度および圧力を、溶媒が超臨界状態及び／又は亜臨界状態となるように制御してシード１０の表面にアモノサーマル的に窒化物半導体を結晶成長させる工程を含む窒化物半導体の製造方法において、シード１０上のｍ軸方向の結晶成長速度をシード１０上のｃ軸方向の結晶成長速度の１．５倍以上にする。 （もっと読む）

超臨界アンモニアと窒素の混合ガス中でＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる方法と、この方法で成長されたＩＩＩ族結晶。ＩＩＩ族窒化物結晶は、超臨界アンモニア中の反応容器の中で、多結晶のＩＩＩ族窒化物、非晶質ＩＩＩ族窒化物、ＩＩＩ族金属、またはこれらの混合物である原材料または栄養剤と、ＩＩＩ族窒化物単結晶である種結晶を用いて成長される。高品質ＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるために、結晶化温度は５５０℃以上に設定される。理論計算によれば、この温度でのＮＨ₃分解はかなり大きいことが示される。しかしながら、ＮＨ₃分解は反応容器をＮＨ₃で充填した後に更なるＮ₂圧力を加えることによって回避できる。
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【課題】本発明は、蛋白質、ペプチド、アミノ酸、核酸などの水溶性高分子の結晶化を促す結晶化剤を種々保持することができる水溶性高分子結晶化用ゲル、およびそれを用いたマイクロアレイ等を提供する。
【解決手段】糖誘導体モノマーを結晶化剤を含む水性媒体中で重合することにより、種々の結晶化剤を保持した透明なゲル状物を形成することができる。得られたゲルは、蛋白質、ペプチド、アミノ酸、核酸などの水溶性高分子を含む試料と接触させることにより、微量の試料で、多くの結晶化条件を探索することができる結晶化剤として使用することができる。 （もっと読む）