【課題】ナトリウムフラックス法を用いて窒化ガリウムの単結晶を育成するにあたって、成長速度および収率を増大させる方法を提供する。
【解決手段】ナトリウムに対して、ストロンチウム材料を、金属ストロンチウム換算で３ｍｏｌ％未満添加する。すなわち、金属ストロンチウムベースのｍｏｌ％で、０＜Ｘ＜３となる微量のＸｍｏｌ％だけ添加する。これによって、ＧａＮ系単結晶のｃ軸方向の成長速度が、Ｎａのみの場合（ａ）と比較すると、０．０５ｍｏｌ％の添加で約３倍以上に増加し、また収率も０．０３ｍｏｌ％の添加（ｂ）で約２１倍になる。こうして、微量のストロンチウムをナトリウムフラックスに添加することで、ＧａＮ系単結晶の収率を大幅に増加することができる。 （もっと読む）

【課題】親水性化合物といろいろな塩との組み合わせを沈澱剤として対象たんぱく質の沈澱曲線を作成し、その沈澱曲線からたんぱく質の結晶化を誘導する沈澱剤濃度の範囲を予測することで結晶化条件探索を合理化する。
【解決手段】塩類と親水性化合物の中からそれぞれ3種類1種を選択し、塩により静電的につり合った状態にあるたんぱく質の親水性化合物濃度に対する沈澱曲線を作成し、その沈澱曲線から選択した3種類以外の塩についてもたんぱく質の結晶化に適した親水性化合物濃度を予測する。さらに、塩の中から1種を、親水性高分子の中から2種、もしくは、3種を選択し、添加される塩により静電的につり合った状態にある対象たんぱく質のそれぞれの親水性化合物の濃度に対する沈澱曲線を作成し、作成した2本、もしくは、3本の沈澱曲線から別の親水性化合物についてもたんぱく質の結晶化に適した濃度を予測する。 （もっと読む）

【課題】ラテラル成長技術を用いて製造される新規な窒化物半導体ウェハを提供することを目的とする。
【解決手段】異種基板１と、異種基板１上に成長した窒化物半導体結晶層３と、からなる窒化物半導体ウェハであって、窒化物半導体結晶層３が、第１結晶層３１と、第１結晶層３１を下地層として成長した第２結晶層３２とを含んでおり、第２結晶層３２の少なくとも一部にはＭｇが添加されており、第１結晶層３１と第２結晶層３２との間にはマスク層Ｍが挟まれている窒化物半導体ウェハ。好ましくは、窒化物半導体結晶層３が、更に、第２結晶層３２の上にＭｇ拡散防止層３３を含んでいる。 （もっと読む）

安熱法という成長技術を用いて、窒素面またはＭ面を有するＩＩＩ−Ｖ族窒化物薄膜を成長する方法が開示される。この方法は、耐圧釜を用いるステップと、耐圧釜を加熱するステップと、耐圧釜にアンモニアを導入するステップとを含み、平坦な窒素面またはＭ面の窒化ガリウムの薄膜及びバルクＧａＮを作製する。
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【課題】結晶性の優れた大型の有機単結晶の形成方法及びその有機単結晶を提供する。
【解決手段】有機単結晶４Ａを構成する有機物が溶解した溶液１中にゲル化剤２を投入することによりゲル３を形成し、ゲル３を冷却することにより有機物が過飽和となり、この有機物の結晶核４がゲル３の中に発生する。そして、ゲル３の中に形成された結晶核４から結晶成長が進行して、有機単結晶４Ａが形成される方法において、結晶の成長に最適なゲル３の性状を特定する。ゲルの振動による複素粘度を、温度２５℃、周波数１Ｈｚのときに０．２Ｐａ・ｓ以上６００Ｐａ・ｓ以下に調整することが望ましい。 （もっと読む）

ケイ素前駆体の組み合わせを用いたエピタキシャルに配向したナノワイヤを成長させる方法、および配向したナノワイヤを成長させるためのパターン形成された基板の使用を含む、ナノワイヤを成長させ、ドープし、収集するシステムおよび方法が提供される。犠牲成長層を使用することによってナノワイヤの質が向上する。ナノワイヤを１つの基板から別の基板に移動する方法も提供される。本発明のプロセスで使用される基板材料は、結晶またはアモルファスであってよい。 （もっと読む）

【課題】結晶性が良好な窒化物単結晶を速い速度で成長させる方法を提供する。
【解決手段】シード、窒素元素を含有する溶媒、周期表１３族金属元素を含む原料物質、および前記溶媒の１．５〜１５ｍｏｌ％の量の鉱化剤を入れたオートクレーブ内の温度および圧力を、前記溶媒が超臨界状態および／または亜臨界状態となるように制御して前記シードの表面にアモノサーマル法により窒化物単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】温度勾配を増加させることなく成長速度を向上させ、同時に、安定して平坦な成長表面を維持できるＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】黒鉛るつぼ内のＳｉ融液内に内部から融液面に向けて温度低下する温度勾配を維持しつつ、該融液面の直下に保持したＳｉＣ種結晶を起点としてＳｉＣ単結晶を成長させる方法において、上記Ｓｉ融液に、希土類元素の少なくとも１種と、Ｓｎ、Ａｌ、Ｇｅのうちのいずれか１種とを添加する。希土類元素がＤｙまたはＣｅであることが望ましい。添加元素を含むＳｉ融液全体に対して、希土類元素の添加量が５〜３０at％であり、Ｓｎ、Ａｌ、Ｇｅのうちのいずれか１種の添加量が５〜２０at％であることが望ましい。Ｓｎ、Ａｌ、ＧｅのうちＳｎを添加することが望ましい。 （もっと読む）

【課題】融解したＳｉ合金の溶媒中にＳｉＣが溶解した溶液から、種結晶基板上にＳｉＣ単結晶を成長させる液相成長法による炭化珪素単結晶の製造において、量産化を実現するため、比較的容易に入手できる原料を用いて、良質の炭化珪素単結晶を高い成長速度で安定して製造できる方法を提供する。
【解決手段】溶媒としてＳｉ−Ｃｒ合金を使用し、Ｃｒのモル濃度を[Ｃｒ]、Ｓｉのモル濃度を[Ｓｉ]として、[Ｃｒ]／([Ｃｒ]＋[Ｓｉ]）の値が０.２以上、０.６以下の組成とする。温度勾配法でＳｉＣ単結晶を連続成長させても、安定して均一なバルクまたは薄膜単結晶を成長させることができる。 （もっと読む）

【課題】良質なＳｉＣ単結晶を高い成長速度で製造する。
【解決手段】ＳｉＣ成長用の種結晶基板４を融液６に接触させ、少なくとも前記種結晶基板周辺において前記融液の過冷却により融液に溶解しているＳｉＣを過飽和状態とすることによって前記種結晶基板上にＳｉＣ単結晶を成長させる液相成長法において、前記融液が（１）ＳｉとＣとＶ、または（２）ＳｉとＣとＶとＴｉを含む。融液中のＶの量は、ＳｉとＶの原子比を[Ｖ]／[Ｓｉ]＋[Ｖ]なる式で表して、０.１≦[Ｖ]／[Ｓｉ]＋[Ｖ]≦０.４５を満たし、融液がさらにＴｉを含む場合のＴｉの量は、ＳｉとＴｉの原子比を[Ｔｉ]／[Ｓｉ]＋[Ｔｉ]なる式で表して、０.１≦[Ｔｉ]／[Ｓｉ]＋[Ｔｉ]≦０.２５を満たす。 （もっと読む）

本発明は基板上のナノワイヤのエピタキシャル成長に関する。特に、本発明は触媒としてＡuを使用せずにＳi基板上のナノワイヤの成長に関する。本発明に基づく方法では、酸化物テンプレートを不活性化した基板表面に提供する。酸化物テンプレートは、その後のナノワイヤ成長のために複数の核形成開始位置を画定する。１つの実施例では、有機薄膜を酸化物テンプレートを形成するために使用する。
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メタン／水素混合物を含むガス状の混合物（任意に窒素、酸素およびキセノン添加を共に含んでいてもよい）を用いて、部分的な真空中でマイクロ波プラズマ化学蒸着（ＣＶＤ）プロセスを用いて単結晶ダイヤモンド成長を形成するための材料および方法が提供される。このような単結晶サブストレートは、真空誘導溶解プロセスを用いて、改変された方向性凝固法で、純ニッケル、または、コバルト、鉄またはそれらの組み合わせを含むニッケル合金のうち少なくとも１種で開始して形成することができる。このような単結晶サブストレートの表面は、電子ビーム蒸着装置を用いて、純イリジウム、または、イリジウムと、鉄、コバルト、ニッケル、モリブデン、レニウムおよびそれらの組み合わせからなる群より選択される成分との合金でコーティングされる。このような合金でコーティングされた単結晶サブストレートは、マイクロ波プラズマＣＶＤ反応器中に入れられ、メタン、水素およびその他の任意のガスのガス状の混合物の存在下で、マイナス１００〜４００ボルトのバイアス電圧を用いてバイアス印加による核形成処理される間、そのコーティングされた表面上での大型の単結晶ダイヤモンドの成長を支持する。
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【課題】アモノサーマル法による単結晶窒化物の製造において、原料としての窒化物含有成型体ならびにこれを用いた単結晶窒化物の製造方法を提供する。
【解決手段】周期表第１３族元素の窒化物と鉱化剤とを含有する窒化物含有組成物をプレス成型等により窒化物含有成型体Ｂを成型する。つづいて、該窒化物含有成型体Ｂと種結晶Ａとを、超臨界状態のアンモニア及び／又はアンモニア誘導体（溶媒Ｃ）中に配置することにより、窒化物含有成型体Ｂを構成する窒化物含有組成物を超臨界状態のアンモニア及び／又はアンモニア誘導体に溶解し、溶解した窒化物含有成型体Ｂを種結晶Ａに供給して結晶育成する。 （もっと読む）

【課題】溶液法による、窒素をドーピングした炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉとＣを含む原料を融解した融液に炭化珪素単結晶基板を接触させ、前記基板上に炭化珪素単結晶を成長させることを含む炭化珪素単結晶の製造方法において、ドーパントとしての窒素を、前記ＳｉとＣを含む原料を収容している多孔質ルツボの気孔中に吸着している窒素を供給源として前記融液に供給し、炭化珪素単結晶成長中に窒素をドープする。 （もっと読む）

【課題】 水晶結晶薄膜、特にＡＴカット面に優先的に配向した水晶結晶薄膜を均一な厚みで製造するために有利に用いることができる水晶薄膜の製造装置を提供すること。
【解決手段】 排気口を備えた反応容器、反応容器内に装着された基板ホルダ、反応容器内に酸素含有気体を供給する、基板ホルダに支持される基板の表面もしくは基板表面を含む平面上の基板の周囲の領域に間隔を介して先端開口部が向けられて配置されている気体供給管、反応容器内に珪素アルコキシドを含有する気体を供給する供給口、反応容器内に反応促進剤を含む気体を供給する供給口、および各気体供給口側の反応容器の端部と上記基板の設置位置との間に設けられ、基板表面に向いた開口部を有する、珪素アルコキシド含有気体と反応促進剤含有気体との混合室を含む水晶薄膜製造装置。 （もっと読む）

【解決手段】 極めて微細な結晶粒径の焼結多結晶ダイヤモンド（ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａ
ｌｌｉｎｅ ｄｉａｍｏｎｄ ｍａｔｅｒｉａｌ：ＰＣＤ）材料は、高圧／高温（ｈｉｇ
ｈ ｐｒｅｓｓｕｒｅ／ｈｉｇｈ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ：ＨＰ／ＨＴ）処理下で、事
前に混合する触媒金属とともにダイヤモンド粉末を焼結することにより作製する。前記Ｐ
ＣＤ材料は、焼結後の平均ダイヤモンド結晶粒構造寸法が１．０μｍ未満である。 （もっと読む）

【課題】 多くの結晶化条件で結晶化を試みる必要なく、結晶の形状および空間群を容易に変えることのできるタンパク質結晶化方法を開発する。
【解決手段】 ゼオライトの存在下においてタンパク質を結晶化させることを特徴とする、タンパク質結晶化方法、ならびにゼオライトを構成成分として含むタンパク質結晶化用キット。 （もっと読む）

【課題】 従来のゲル拡散法における不具合を改善し、蛋白質など生体高分子の単結晶を大型で良質な状態で均一に生成する結晶成長方法及び装置を提供すること。
【解決手段】 生体高分子を含有する溶液から、その生体高分子を結晶成長させる方法において、生体高分子溶液と、半透過性物質と、生体高分子の結晶化を促進する溶液とを、この順に各界面を接触させて並列させると共に、略水平に配置し、結晶化促進溶液を、半透過性物質を通過させ生体高分子溶液中に拡散させることで過飽和状態とし、生体高分子の結晶を析出させる。生体高分子溶液の下面に、生体高分子溶液より比重が大きな不活性液体を接触させて配置して、生体高分子溶液中における結晶化促進溶液の分散の均一化に寄与させてもよい。 （もっと読む）

【課題】 蛋白質、ペプチド、アミノ酸、核酸、または水溶性高分子の結晶化方法を提供する。
【解決手段】以下の工程を含む蛋白質、ペプチド、アミノ酸、核酸、または水溶性高分子の結晶化方法。
(a) 蛋白質、ペプチド、アミノ酸、核酸、又は水溶性高分子含有試料を、結晶化剤を含むゲルに接触させる工程。
(b) 前記試料に油相を接触させる工程。
本発明の結晶化方法により、蛋白質、ペプチド、アミノ酸、核酸、または水溶性高分子のＸ線解析や精製工程などに適した良好な品質の結晶を得ることが可能となる。
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【課題】結晶の析出位置を制御し、結晶の収率を向上させ、また、結晶への不純物混入を防止して結晶を高純度化するソルボサーマル法による結晶製造方法、結晶製造装置を提供する。
【解決手段】溶媒と臨界密度の異なる物質を反応容器内に所定量存在させ、ソルボサーマル法により結晶成長を行う結晶製造方法、結晶製造装置である。 （もっと読む）