【課題】 短波長域においても十分に大きな透過率を示すフッ化物単結晶が得られるフッ化物単結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】 粒子状のフッ化物に粒子状のスカベンジャーを混合した粒子混合物を溶融した溶融物を冷却することによりフッ化物単結晶を育成するフッ化物単結晶の製造方法において、フッ化物の平均粒径ｄｆ及びスカベンジャーの平均粒径ｄｓが下記式：
０．０５≦ｄｓ／ｄｆ≦２０
を満たす、フッ化物単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 短波長域においても十分に大きな透過率を示すフッ化物単結晶が得られるフッ化物単結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】 フッ化物にスカベンジャーを混合した混合物を溶融した溶融物を冷却することによりフッ化物単結晶を育成するフッ化物単結晶の製造方法において、スカベンジャーが、圧力−温度曲線において１４００℃以下に１以上の極大点を有する化合物を２種以上含む、フッ化物単結晶の製造方法。 （もっと読む）

ナノエンジニアリングを用いた構造であって、基板上に所定の空間配置でおよそ１０００以上のナノウィスカのアレイを有し、例えばフォトニックバンドギャップアレイなどに用いられ、各ナノウィスカは所定のサイトから、そのナノウィスカと最隣接ウィスカとの距離のおよそ２０％以内に位置する。アレイの形成に際し、触媒物質塊のアレイを基板上に位置決めし、熱を加えかつ気体状の物質を導入して各塊から触媒シード粒子を生成し、触媒シード粒子から所定物質のナノウィスカをエピタキシャルに成長させ、その際各塊は融解したときに基板表面との界面をほぼ同一のまま維持し、塊を前記表面を横切って移動させる力は基板表面におけるぬれ界面を介しての保持力よりも小さい。
（もっと読む）

【課題】 特別な装置を用いることなく、高濃度のｐ型シリコンカーバイド層を形成する製造方法を提供する。
【解決手段】 シリコンカーバイド基板の表面に、アルミニウム部材と、このアルミニウム部材が融解したとき、アルミニウムへシリコンカーバイド基板表面のシリコン及び炭素の溶解を促進する元素を含む第１の板状部材とを積層し、昇温、降温することでｐ型シリコンカーバイド層を形成する。融解したアルミニウムがシリコンカーバイド基板上に凝集する場合には、第１の板状部材上に、融解したアルミニウムが凝集しない重量で、第１の板状部材と接合しない材料からなる第２の板状部材を、または第２の板状部材上にさらに昇温時に融解することがない高融点金属からなる錘部材とを積層して昇温、降温することでｐ型シリコンカーバイド層を形成する。 （もっと読む）

【課題】酸素と亜鉛とが実質的に化学量論的に等量の組成、すなわちストイキオメトリー組成であって電気比抵抗が極めて高い酸化亜鉛単結晶、この酸化亜鉛単結晶より得られるエピタキシャル成長用基板及びこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】酸素と亜鉛とが実質的に化学量論的に等量の組成であり、電気比抵抗が１×１０^９Ω・ｃｍ以上である酸化亜鉛単結晶、それより得られるエピタキシャル成長用基板およびそれらの製造方法を用いる。 （もっと読む）

【課題】 水晶結晶薄膜、特にＡＴカット面が優先的に配向した水晶結晶薄膜を効率良く製造するために有利に用いることができ、そして反応容器の交換頻度が低い実用的な水晶薄膜の製造装置を提供すること。
【解決手段】 排気口を備える石英ガラス製の反応容器、反応容器内に着脱可能に装着された筒状遮蔽体、筒状遮蔽体の内側に備えられた基板ホルダ、そして基板ホルダに支持される基板の表面もしくは基板表面を含む平面上の基板の周囲の領域に各々間隔を介して先端開口部が向けられて配置された、反応容器の外部から内部に原料の珪素アルコキシドを含有する気体を供給する第一気体供給管と酸素含有気体を供給する第二気体供給管とを含んでなり、上記の筒状遮蔽体の内側表面が、気相状態の珪素酸化物に対して不活性な材料から形成されていることを特徴とする水晶薄膜製造装置。 （もっと読む）

本発明は、簡単にかつ効率的に生体高分子結晶を得ることができる生体高分子結晶生成装置及び生成方法である。本発明では、生体高分子試料を収容した第一容器、生体高分子の結晶化に際して緩衝剤として作用するゲルを収容した第二容器、及び生体高分子の結晶化に際して分子の凝集化を促進するための機能を果たす沈殿化剤溶液を収容した第三容器をそれぞれ準備し、これらを所定の態様で結合して生体高分子試料と沈殿化剤溶液とをゲルを介して接触させることにより生体高分子の結晶化を行わせるようにする。
本発明によれば、多種、多数の蛋白質結晶用試料が必要となる場合であっても、所望の生体高分子溶液に対応した所望のゲル及び沈殿化剤溶液を備えた生体高分子結晶生成装置を迅速容易に得ることができる。
（もっと読む）

核形成セクションにおいて、結晶化することになる化合物の供給溶液の少なくとも一つの流れと、逆溶媒の少なくとも一つの流れとを、供給溶液および逆溶媒の衝突を介して混合するステップと、高い圧力の混合した流れを少なくとも一つの局所的な流れの狭窄部の中に通して、流体力学的キャビテーションを引き起こし、それにより、核形成および種結晶の生成を引き起こすステップと、種結晶を含む流体流を、中間セクションを通じて、結晶成長セクションに渡すステップと、種結晶を含む流体流を、高い圧力の結晶成長セクションの中に通し、少なくとも一つの局所的な流れの狭窄部の中に通して、流体力学的キャビテーションを引き起こし、それにより溶液中に含まれる化合物のさらなる結晶化を引き起こすステップとを含む、流体力学的キャビテーションを用いて化合物を結晶化させるためのデバイスおよび方法。 （もっと読む）

【課題】極微細な探針先端部を生成させるとともに、その成長方向を制御可能なナノ構造物の探針先端生成方法を提供する。
【解決手段】金属やシリコンで作製した１個の探針の先端の所定の方向にカーボンナノチューブを成長させるナノ構造物の探針先端生成方法であって、前記探針先端近傍が、選択的に法線方向にカーボンナノチューブの成長が生じる面を有するように構成する。 （もっと読む）

約１０^４／ｃｍ^２未満の転位密度を有し、傾角粒界が実質的に存在せず、酸素不純物レベルが１０^１９ｃｍ^−３未満の窒化ガリウムからなる単結晶基板上に配設された１以上のエピタキシャル半導体層を含むデバイス。かかる電子デバイスは、発光ダイオード（ＬＥＤ）及びレーザーダイオード（ＬＤ）用途のような照明用途、並びにＧａＮを基材とするトランジスター、整流器、サイリスター及びカスコードスイッチなどのデバイスの形態を有し得る。また、約１０^４／ｃｍ^２未満の転位密度を有し、傾角粒界が実質的に存在せず、酸素不純物レベルが１０^１９ｃｍ^−３未満の窒化ガリウムからなる単結晶基板を形成し、該基板上に１以上の半導体層をホモエピタキシャルに形成する方法及び電子デバイスも提供される。
（もっと読む）

本発明は、圧力Ｐで窒素を溶融金属中に混合して、第１温度範囲の第１温度Ｔ₁での析出によって、前記溶融金属中に配置されたＩＩＩ属窒化物の種結晶上に、または前記溶融金属中に配置された異質の基板上に、前記ＩＩＩ属を含む溶融金属から１つのＩＩＩ属窒化物のまたは異なる複数のＩＩＩ属窒化物の混合物の結晶層あるいはバルク結晶を製造する方法に関する。本法では、前記溶融金属中でＩＩＩ属窒化物へのＩＩＩ属金属の変換速度を増やす溶媒添加物を前記溶融金属に加える。前記溶融金属が、第１処理段階と第２処理段階とをもつ少なくとも１回の温度サイクルを通過し、前記温度サイクルにおいて、前記溶融金属が、前記第１処理段階の後で前記第１温度Ｔ₁から前記第１温度範囲より低い第２温度Ｔ₂まで冷却され、前記第２処理段階の終わりに前記第２温度Ｔ₂から前記第１温度範囲の温度まで加熱される。上記の方法は、１１００℃以下の温度と５×１０⁵Ｐａ以下の処理圧で、転位密度１０⁸ｃｍ^-2未満を有し、１０ｍｍより大きい直径を有するかなり大きな結晶と１０μｍより大きい厚さを有するＩＩＩ属窒化物結晶層を製造することを可能にする。
（もっと読む）

本発明はIII属元素を含む溶融金属中でのIII属金属のIII属窒化物への変換を増やす方法であって、III属元素を含む溶融金属中に１１００℃以下の温度、１×１０⁸Ｐa以下の圧力で窒素を導入し、溶媒添加物が前記III属元素を含む溶融金属中に加えられる。前記溶媒添加物は、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｆｅのうちの少なくとも１つの元素、および／または、希土類元素のうちの少なくとも１つを含む合金、または複数の希土類元素の化合物、特に希土類元素の窒化物を含む。
（もっと読む）

本発明は、ガリウム含有窒化物バルク単結晶を得るためのプロセス、得られた結晶から不純物を排除するプロセス、及びガリウム含有窒化物バルク単結晶からなる基板を製造するプロセスを提供することを目的とする。本発明は、ミネラライザが添加された超臨界アンモニア含有溶媒中において、ガリウム含有フィードストックから単結晶ガリウム含有窒化物を得るプロセスであって、上記プロセスは、
金属の形態からガリウム含有窒化物多結晶までフィードストックを変換する第１ステップと、
フィードストックが徐々に溶解され、そしてフィードストックの溶解温度より高い温度で少なくとも１つの単結晶シード上においてガリウム含有窒化物が選択的に結晶化されることにより、ガリウム含有窒化物が結晶化されその後ガリウム含有窒化物バルク単結晶が得られる第２ステップと、を有することを特徴とするプロセスにある。
（もっと読む）

【課題】 ０．５ｍｍ以上のシリカ多孔体結晶を再現性よく、効率的に合成する方法を提供する。
【解決手段】 水熱反応によりシリカ多孔体結晶を合成する方法において、水熱合成容器内の一部に珪素の高濃度領域を形成し、シリカ多孔体結晶の骨格構成元素の一部または全部の供給源として、珪素および酸素を含む化合物からなり、表面平滑化処理したバルク体を、少なくともその一部が前記珪素の高濃度域内にあるように存在させて水熱反応を行うことを特徴とするシリカ多孔体結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ＲＥ１２３相の熱分解工程を含まず、高温かつ長時間の溶融が不必要なプロセスを開発し、大型でかつ高性能、かつ、機械的特性に優れた超電導バルク体を作製する方法を提供する。
【解決手段】 ＲＥ−Ｂａ−Ｏ系化合物（ＲＥは希土類元素のうちの１種又は２種以上）とＢａ−Ｃｕ−Ｏ系液相原料を出発原料とし、液相成分を溶融した後、結晶成長させることを特徴とするＲＥ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超電導体の作製方法である。 （もっと読む）

優先的な方向への成長を抑制するために核形成条件を規則することによって、ナノウィスカーが非優先成長方向に成長する。好ましい実施例において、＜００１＞III-Ｖ半導体ナノウィスカーは、優先的な＜１１１＞Ｂ方向への成長を有効に抑制することによって、（００１）III-Ｖ半導体基板上に成長する。一例として、金属−有機物の蒸気相エピタキシーによって、＜００１＞ＩｎＰナノワイヤが直接（００１）ＩｎＰ基板上に成長する。走査電子顕微鏡と透過電子顕微鏡による特徴付けによって、ほぼ正方形の断面と積層欠陥のない完壁なせん亜鉛鉱結晶の構造を持つワイヤが明らかになった。
（もっと読む）

希釈磁性半導体（ＤＭＳ）ナノワイヤを製作する方法について示した。この方法は、触媒がコーティングされた基板を提供するステップと、前記基板の少なくとも一部を、塩化物系蒸気搬送体を介して、半導体およびドーパントに暴露するステップと、を有し、ナノワイヤが合成される。この新しい塩化物系化学気相搬送処理方法を用いて、単結晶希釈磁性半導体ナノワイヤＧａ_１−ｘＭｎ_ｘＮ（ｘ＝０．０７）が合成される。ナノワイヤは、直径が〜１０ｎｍ乃至１００ｎｍであり、全長は最大数十μｍであり、キューリー点が室温を超える強磁性体であり、２５０Ｋ（ケルビン）まで磁気抵抗を示す。
（もっと読む）

第１ステージと第２ステージとを有する、ツリーの形態を持つナノ構造を形成する方法。第１ステージは、基板表面上に少なくとも１つの触媒粒子を供給し、かつ、各触媒粒子を介して第１ナノウィスカーを成長させる工程を含む。第２ステージは、各第１ナノウィスカーの周囲に、１つ以上の第２触媒粒子を供給し、各第１ナノウィスカーの周囲から横方向に伸びる第２ナノウィスカーを成長させる工程を含む。更なるステージは、以前のステージのナノウィスカーから伸びる１つ以上のさらなるナノウィスカーを成長させる工程を含み得る。ヘテロ構造は、ナノウィスカー中に形成され得る。このようなナノ構造は、太陽電池アレイまたは光放出フラットパネルのコンポーネントを形成し得る。その構造において、ナノウィスカーは光電性材料から形成される。神経ネットワークは、複数の第１ナノウィスカーを近くに一緒に配置し、連続するステージで成長したナノウィスカーを通して隣接するツリーが互いに接触し、ナノウィスカー内のヘテロ結合が電流の流れに対してトンネル障壁を形成するようにすることによって、形成され得る。
（もっと読む）

本発明は、核形成化合物でドープしたアルキルケテン二量体の表面を使用して、内在性膜タンパク質の結晶化を促進するためのデバイスを提供する。界面活性剤の存在下で内在性膜タンパク質の結晶化を高めるコーティングが、提供される。本発明の別の局面において、核形成化合物でドープしたアルキルケテン二量体の表面を作製して、内在性膜タンパク質の結晶化を促進する方法が提供される。本発明の別の局面において、核形成化合物でドープしたアルキルケテン二量体によりコーティングした表面を使用して、内在性膜タンパク質を結晶化する方法が提供される。
（もっと読む）