【課題】 レーザー照射により結晶の内部に損傷が生じた有機光学結晶の損傷を修復する方法を提供する。
【解決手段】 スチルバゾリウム誘導体からなる有機光学単結晶を、不活性ガス中で有機光学単結晶の融点以下かつ結晶分子の自由度が高まる温度以上の範囲でアニーリング処理することにより、レーザー照射により結晶の内部に損傷が生じた有機光学結晶の損傷を修復する修復方法により、テラヘルツ波の発生時間が向上した有機光学単結晶を安定して容易にかつ簡便に提供することができる。 （もっと読む）

【課題】混合比、ガス圧力および温度を制御してＩＩＩ族窒化物結晶を結晶成長する結晶成長装置を提供する。
【解決手段】圧力／温度相関図ＰＴ１〜ＰＴ３は、金属Ｎａと金属Ｇａとの量比を示す混合比ｒ＝０．４，０．７，０．９５にそれぞれ対応して決定される。圧力／温度相関図ＰＴ１〜ＰＴ３は、ＧａＮ結晶を溶解する領域（領域ＲＥＧ１１，ＲＥＧ２１，ＲＥＧ３１）と、ＧａＮ結晶を種結晶から結晶成長する領域（領域ＲＥＧ１２，ＲＥＧ２２，ＲＥＧ３２）と、柱状形状のＧａＮ結晶を結晶成長させる領域（領域ＲＥＧ１３，ＲＥＧ２３，ＲＥＧ３３）と、板状形状のＧａＮ結晶を結晶成長させる領域（領域ＲＥＧ１４，ＲＥＧ２４，ＲＥＧ３４）とを含む。混合比ｒが複数の混合比の範囲で決定され、その決定された混合比に応じた圧力／温度相関図に含まれる所望の圧力および温度を用いてＧＡＮ結晶が結晶成長される。 （もっと読む）

【課題】結晶シリコンインゴットの製造方法が提供される。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る製造方法は、方向性凝固法を用いてシリコン原料を溶融及び冷却するために形成された鋳型を供給し、鋳型内部にバリア層を配置し、バリア層の上に１つ以上のシリコン種結晶を配置し、シリコン種結晶の上にシリコン原料を入れ、鋳型を加熱してシリコン融液を得て、鋳型を方向性凝固法で冷却することでシリコン融液を凝固させてシリコンインゴットを得ることを含む。鋳型は、シリコン原料が完全に溶融し且つシリコン種結晶が少なくとも部分的に溶融するまで加熱される。 （もっと読む）

【課題】 大粒で結晶性の良好な窒化アルミニウム単結晶を製造する方法を提供すること。
【解決手段】 本発明に係る窒化アルミニウム単結晶の製造方法は、アルミニウムガスまたはアルミニウム酸化物ガスを発生する原料ガス発生用基板と、
炭素成形体と、
窒化アルミニウム単結晶析出用の種結晶との存在下に窒素ガスを流通して、加熱環境下で窒化アルミニウム単結晶を成長させるに際して、
原料ガス発生用基板上に、炭素成形体を窒素ガス流通方向に対してほぼ平行に間隔を空けて配置し、
窒素ガス流通方向に対して上流側に原料ガス発生用基板を配置し、下流側に窒化アルミニウム単結晶析出用の種結晶を配置して、該種結晶に窒化アルミニウム単結晶を成長させることを特徴としている。 （もっと読む）

半導体材料薄片製造用の成形装置は成形型枠及び担体バンドを有する。成形型枠は、溶融半導体材料を保持するよう側壁を有する構成とし、側壁のうちの出口側壁は、半導体材料薄片の産出位置に配置する。出口側壁には、出口スリットを設ける。成形装置は、さらに、出口スリットの位置で、溶融半導体材料に対して局部的な相対的に増大した、外力を加えて、前記出口スリットで溶融半導体材料に対する外圧を局部的に増大させる局部的力印加手段を備える。 （もっと読む）

半導体材料物品を製造かつ／または処理するための方法が開示されている。さまざまな方法において、第１の半導体材料物品が提供され、この第１の半導体材料物品は、半導体材料を溶融させるのに充分なほどに加熱され、溶融した半導体材料は、溶融した半導体材料物品の最短寸法に対し実質的に平行な方向で固化される。本明細書中に記載された方法によって製造される半導体材料物品も同様に開示されている。
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【課題】基材上に高純度で高品質な結晶薄膜が形成されており、その結晶特性を充分に発揮することのできる積層体、及びその積層体を従来のフラックス法に比べて、低コストで簡便に形成することができ、大型のものを大量に製造できる簡便な製造方法を提供する。
【解決手段】積層体は、アルカリ金属とアルカリ土類金属と遷移金属と卑金属との少なくとも何れかの金属の酸化物、炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、塩化物、フッ化物、リン酸塩、アンモニウム塩、及び有機化合物から選ばれる結晶原材料から得られたアパタイト、アルカリ土類金属酸化物、遷移金属酸化物、遷移金属含有複酸化物、卑金属酸化物、卑金属含有複酸化物、又はそれらのドーパント含有化合物からなるナノ無機結晶が、基材上に形成され積層している積層体であり、基材にコーティングされた結晶原材料と硝酸塩等のフラックスとが加熱等により結晶成長してナノ無機結晶が形成されている。 （もっと読む）

指向性の高い熱伝導性を有するグラファイト製品を提供する。中間相ピッチ（１２）の中間相部分（１４）が互いに並んで、安定化される延伸中間相ピッチを生成する。必要によっては、前記グラファイト製品をさらに炭化および黒鉛化できる。
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【課題】低温で結晶半導体を形成可能な結晶半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】８０〜２４０ｎｍの膜厚を有するａ−Ｇｅ膜２が基板１上に形成される（工程（ｂ）参照）。そして、約１０ｎｍの膜厚を有するＳｉＯ_２膜３がａ−Ｇｅ膜２上に形成される（工程（ｃ）参照）。その後、約９０ｎｍの膜厚を有するＰｔ薄膜４がスパッタリングまたは蒸着によってＳｉＯ_２膜３上に形成される（工程（ｄ）参照）。そして、Ｐｔ薄膜４は、水素リモートプラズマによって処理される（工程（ｅ）参照）。 （もっと読む）

【課題】ナノクリスタルが集合したナノクリスタル集合体、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】１種以上の金属イオンを含む混合溶液やコロイド分散溶液において超音波を照射することにより、粒径が１ナノメートルから２０ナノメートルの単結晶粒子の、ナノクリスタルが特定の結晶方位を向いて整列・集合し、集合体の粒径が１００ナノメートル〜５０マイクロメートルの範囲で揃っているナノクリスタルの集合体を製造する。 （もっと読む）

【課題】酸素不純物が少なく高純度で良質なＧａＮを提供する。
【解決手段】ガリウムを主成分とする１３族元素窒素化合物結晶の製造方法であって、少なくともガリウムを含む１３族元素の金属及び／又は該金属の窒素化合物１２を、アンモニア雰囲気下、酸素除去添加剤１４の存在下で、加熱処理して結晶を得るステップを含み、ここで、該酸素除去添加剤１４は、その中心部がチタン金属、ジルコニウム金属、チタン合金、及びジルコニウム合金から成る群から選ばれる金属又は合金から構成され、かつ、その表層部が該金属又は合金の水素化物で覆われた複合構造を有する前記製造方法。 （もっと読む）

【課題】混合比、ガス圧力および温度を制御してＩＩＩ族窒化物結晶を結晶成長する結晶成長装置を提供する。
【解決手段】圧力／温度相関図ＰＴ１〜ＰＴ３は、金属Ｎａと金属Ｇａとの量比を示す混合比ｒ＝０．４，０．７，０．９５にそれぞれ対応して決定される。圧力／温度相関図ＰＴ１〜ＰＴ３は、ＧａＮ結晶を溶解する領域（領域ＲＥＧ１１，ＲＥＧ２１，ＲＥＧ３１）と、ＧａＮ結晶を種結晶から結晶成長する領域（領域ＲＥＧ１２，ＲＥＧ２２，ＲＥＧ３２）と、柱状形状のＧａＮ結晶を結晶成長させる領域（領域ＲＥＧ１３，ＲＥＧ２３，ＲＥＧ３３）と、板状形状のＧａＮ結晶を結晶成長させる領域（領域ＲＥＧ１４，ＲＥＧ２４，ＲＥＧ３４）とを含む。混合比ｒが複数の混合比の範囲で決定され、その決定された混合比に応じた圧力／温度相関図に含まれる所望の圧力および温度を用いてＧＡＮ結晶が結晶成長される。 （もっと読む）

【課題】 テラヘルツ波発生装置に使用した場合に、テラヘルツ波出力が減衰しない有機光学結晶を提供する。
【解決手段】 本発明の有機光学結晶は、前記結晶内部の劈開面上に直線状欠陥が存在しないことを特徴とする。前記直線状欠陥は、転位とは異なる欠陥である。また、前記直線状欠陥は、結晶内部に存在し、かつ結晶表面には存在しない欠陥である。例えば、図１の顕微鏡写真に示すように、ＤＡＳＴ結晶の劈開面は、ａ軸と平行方向および（００１）面と平行方向に劈開面を有しており、ここに前記直線状欠陥が存在する。 （もっと読む）

【課題】粒状シリコン結晶の製造方法において、粒状シリコン結晶の生産性が高く、製造された粒状シリコン結晶の粒径バラツキが小さく、しかも再現性良く粒状シリコン結晶を製造できる粒状シリコン結晶の製造方法を提供することにある。
【解決手段】坩堝１内のシリコン融液を炭化珪素または窒化珪素から成るノズル部１ａから粒状に排出して落下させるとともに、この粒状のシリコン融液４を落下中に冷却して凝固させることによって粒状シリコン結晶５を製造する方法において、前記坩堝１内のシリコン融液に、前記ノズル部１ａが炭化珪素から成る場合には炭素源を、前記ノズル部１ａが窒化珪素から成る場合には窒素源を添加することである。 （もっと読む）

大単結晶金属の成長方法が公開される。金属試料の多結晶形態が当初、非酸化環境において加熱される。最小塑性歪がそれから加熱金属試料内部で選定粒子の成長を開始させるために加熱金属試料に加えられる。付加塑性歪が、選定粒子の大単結晶への成長を伝播させるために、加熱金属試料に引き続き加えられる。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＶＰＥ法による窒化物系半導体のエピタキシャル成長速度を高める新たなエピタキシャル成長方法を提供する
【解決手段】ＭＯＶＰＥ法において一定条件下でV／III比を下げることにより、１０μｍ／Ｈｒ以上の成長速度が得られ、またこれをＲ面サファイア基板上のＡ面窒化物系半導体層の成長に適用することにより、Ａ面窒化物系半導体を用いた発光素子および電子デバイスへの応用を行う。 （もっと読む）

【課題】 高純度石英等から成る収集皿への衝突により、粒状結晶の突起が破損したり、欠損や傷が発生したりすることを確実に防止できる粒状結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】 坩堝１のノズル部５から結晶材料の融液４を粒状に排出して落下させるとともに、この粒状の融液７を落下中に冷却して凝固させることによって得られる粒状結晶８を収集皿11で受ける粒状結晶の製造方法において、収集皿11に噴出孔11ａを設けて不活性気体Ｇを噴出させながら粒状結晶８を受ける粒状結晶の製造方法である。収集皿11への衝突速度を低減させることにより、粒状結晶８の欠損や傷の発生を減らすことができる。 （もっと読む）

【課題】 大きな窒化物単結晶およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 窒化物結晶１１の表面に希土類元素の化合物を含有する物質輸送媒体層１２を形成し、種結晶１３を物質輸送触体層１２に接触させることにより、種結晶１３に窒化物単結晶１４を成長させることを特徴とする窒化物単結晶の製造方法である。さらには、物質輸送媒体層１２として、アルミニウム化合物、アルカリ土類化合物および遷移金属化合物からなる群から選ばれる１以上の化合物と希土類元素の化合物を含有する窒化物単結晶の製造方法である。かかる製造方法により、結晶径が１０ｎｍ以上の窒化物単結晶が得られる。 （もっと読む）