【課題】簡単な製造方法を有し、コストが低く、高品質のエピタキシャル構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャル構造体の製造方法は、少なくとも一つの結晶面を有する基板１００を提供する第一ステップと、前記基板１００の結晶面１０１に複数の空隙を含むカーボンナノチューブ層１０２を配置し、前記基板１００の結晶面１０１の一部を前記カーボンナノチューブ層１０２の複数の空隙によって露出させる第二ステップと、前記基板１００の結晶面１０１にエピタキシャル層１０４を成長させ、前記カーボンナノチューブ層１０２を覆う第三ステップと、前記カーボンナノチューブ層１０２を除去する第四ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】リン系化合物半導体の原料としてホスフィンおよびオキシ塩化リンを使用しないで、高圧に加圧することなく、効率よくリン系化合物半導体を製造することができるリン系化合物半導体の製造方法を提供すること。
【解決手段】リン系化合物半導体の原料としてスズと三リン化四スズとの混合物を用い、当該混合物を不活性ガス雰囲気中で加熱し、発生したリンの蒸気をリンとの反応によって半導体を形成する金属の表面に接触させることを特徴とするリン系化合物半導体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ｐ型伝導性のＮドープＺｎＯ系半導体膜の新規な製造方法を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ系半導体膜製造方法は、Ｚｎソースガン、Ｏラジカルガン、Ｎラジカルガン、Ｍｇソースガンを備え、Ｎラジカルガンが、ラジオ周波が印加されｐＢＮまたは石英を用いた無電極放電管を含む結晶製造装置により、ＮドープＭｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ膜を成長させる方法であって、基板法線方向から見て、膜の成長表面側上方に、Ｚｎソースガン、Ｏラジカルガン、Ｎラジカルガン、Ｍｇソースガンが円周方向に並んで配置されており、ＮラジカルガンとＺｎソースガンのビーム照射方向の方位角同士のなす角θ_ｃを９０°≦θ_ｃ≦２７０°とするとともに、ラジオ周波パワーを、無電極放電管からスパッタリングされたＢまたはＳｉが膜中に取り込まれない程度に低くする。 （もっと読む）

【課題】デバイス作製に供用可能なウェハ面積部分を増大し、かつ大口径化に伴って増大する加工負荷を回避できる炭化珪素単結晶ウェハを提供する。
【解決手段】ウェハの特定の方位端に総面積の小さい加工欠損部、あるいは非対称な形状を有するノッチ状の加工欠損部を有する炭化珪素単結晶ウェハ。 （もっと読む）

【課題】大口径かつ反りが少ない１３族窒化物結晶の製造方法、１３族窒化物結晶基板の製造方法、１３族窒化物結晶および１３族窒化物結晶基板を提供する。
【解決手段】下地基板の主面上において、三角格子の格子点位置となるよう１３族窒化物結晶の成長開始領域１０５を配置する第１の工程と、前記各成長開始領域１０５から結晶方位を揃えて前記１３族窒化物結晶１０６を成長させる第２の工程と、結晶成長を継続させて、隣り合う前記成長開始領域から結晶成長した複数の前記１３族窒化物結晶１３を連結させて、前記下地基板の主面上に１３族窒化物結晶層１１００を形成する第３の工程と、前記１３族窒化物結晶層１１００の冷却過程において、前記１３族窒化物結晶層１１００と前記下地基板とを剥離させる第４の工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】格子定数が下地基板と略等しい乃至同一の単結晶の化合物半導体結晶をエピタキシャル成長させるに当たり、当該化合物半導体結晶をクラックフリーのものとして大面積のエピタキシャル半導体基板を提供すること。
【解決手段】半導体バルク結晶の製造に際し、下地基板と化合物半導体単結晶との間に、下地基板と化合物半導体単結晶とが直接接する態様で空洞を形成したり、下地基板の主面に凹凸を形成し、さらに、化合物半導体単結晶のエピタキシャル成長方向に直交する結晶軸の下地基板の格子定数ａ₁と化合物半導体単結晶の格子定数ａ₂の差の比率である格子不整合度（２｜ａ₁−ａ₂｜／［ａ₁＋ａ₂］）を１×１０^-3以下とした。上記空洞や凹凸によりエピタキシャル成長途中におけるクラックの発生を抑制することができ、大面積のクラックフリーのエピタキシャル半導体バルク結晶を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】種結晶基板を用いた昇華法であっても、品質の良い結晶を得ることのできる自立基板の製造方法、この製造方法により製造されたＡｌＮ自立基板、及び、このＡｌＮ自立基板を用いたIII族窒化物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】自立基板の製造にあたり、種結晶基板としてＳｉＣ基板６の表面上に昇華法により成長材料としてＡｌＮを成長させるとともに、成長材料の成長時に種結晶基板を昇華させる。これにより、成長材料の成長時に種結晶基板が除去されるので、成長材料と種結晶基板６の熱膨張係数等の違いに起因して成長材料中に欠陥が生じることは殆どない。 （もっと読む）

【目的】
原子レベルで平坦な表面を有し、シリカやシリケート等の表面付着のない基板処理方法を提供する。
【解決手段】
ＥＤＴＡキレート化合物とＥＤＡとの混合溶液を用いて化合物単結晶基板の加工変質層をエッチングして除去する第１のエッチング工程と、第１のエッチング工程後、バッファードフッ酸（ＢＨＦ）によりエッチングを行う第２のエッチング工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ系化合物半導体結晶の加工変質層による欠陥と、結晶固有の欠陥の双方を正確に検出する方法を提供する。
【解決手段】フッ化水素酸（ＨＦ）を用いてＺｎＯ系化合物結晶の表面をエッチングする工程と、ＺｎＯ系化合物結晶の表面に形成されるエッチピットを検出する検出工程を有する。検出工程は、エッチピットの各々が錐形状ピット及び錐台形状ピットのいずれであるかを判別する判別工程を含み、さらに、錐台形状ピットのエッチピット密度を算出する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】量産に用い得る厚さと面積を確保しながら、容易な生産方法でかけやわれの発生を抑制してオリエンテーションフラットを形成することを目的とする。
【解決手段】窒化ガリウム結晶体２７から、ファセット１５を有する硬質の立体構造物１４を陵線等に平行に除去することで、欠けや割れの発生を抑制した窒化ガリウム基板を提供できる。しかも、ファセット１５を有する硬質の立体構造物１４の陵線等は特有の結晶方位を有し、かつ、明瞭であるので、立体構造物１４の陵線等に平行に切断加工した窒化ガリウム結晶体２７の切断線２１をデバイス加工の基準線となるオリエンテーションフラットに用いることができる。 （もっと読む）

【課題】亜鉛シリサイドやシリカなどが残留しないＺｎＯ基板の成長前処理方法を提供する。
【解決手段】Ｚｎ極性面を主面としたＺｎＯ単結晶の基板を、ＥＤＴＡキレート化合物を含む溶液をエッチャントとして用いてエッチングするエッチング工程と、エッチングの後、配位子を有する電解質溶液を洗浄液として用いて基板を洗浄する洗浄工程と、を有する。前記エッチャントはＥＤＴＡ・２Ｎａ（エチレンジアミン４酢酸２ナトリウム）及びＥＤＡ（エチレンジアミン）の混合溶液であり、前記洗浄液は、ＥＤＴＡ・２Ｎａ及びＥＤＡの混合溶液、ＥＤＴＡ・２Ｎａ及びＥＤＡのうちいずれか１の純水による希釈液である。 （もっと読む）

【課題】波長２４０〜３００ｎｍの領域における紫外光の透過性に優れた窒化アルミニウム単結晶、該単結晶からなる層を有する積層体、該積層体を製造する方法、および該積層体から紫外光の透過性に優れる窒化アルミニウム単結晶を製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
酸素原子、及び炭素原子を含む窒化アルミニウム単結晶であって、酸素原子の濃度を［Ｏ］ｃｍ^−３、炭素原子の濃度を［Ｃ］ｃｍ^−３としたときに、下記式（１）の条件を満足することを特徴とする窒化アルミニウム単結晶。
［Ｏ］−［Ｃ］ ＞ ０ （１） （もっと読む）

【課題】貫通転位密度が低く高い結晶性を有するＧａＮのａ面：＜１１−２０＞面やｍ面：＜１−１００＞面を主面とする基板、或いは＜１１−２２＞面を主面とする基板など、多様な面方位の面がサファイア下地基板上に積層されたＧａＮ積層基板、並びにその製造方法を提供する。
【解決手段】サファイア下地基板１０と、該基板上に結晶成長せしめて形成された窒化ガリウム結晶層とを含み、該窒化ガリウム結晶層は、サファイア下地基板１０の主面に複数本形成された溝部の各側壁２１から横方向結晶成長して該主面と平行に表面が形成された、ａ面やｍ面などの無極性面、＜１１−２２＞面等の半極性面からなり、且つ、該窒化ガリウム結晶の暗点密度が２×１０^８個／ｃｍ^２未満、好ましくは１．８５×１０^８個／ｃｍ^２以下、特に好ましくは１．４×１０^８個／ｃｍ^２以下である窒化ガリウム結晶積層基板。 （もっと読む）

【課題】本発明は、第III族−Ｎ（窒素）化合物半導体ウエハを製造するために、特にＧａＮウエハを製造するために最適化された方法及び装置に関する。
【解決手段】
具体的には、この方法は、化学気相成長（ＣＶＤ）反応器内の隔離弁取付具上の不要な材料の形成を実質的に防止することに関する。特に、本発明は、システムで使用される隔離弁上のＧａＣｌ₃及び反応副生成物の堆積／凝縮を抑制する装置及び方法と、１つの反応物質としてのある量の気体状第III族前駆体と別の反応物質としてのある量の気体状第Ｖ族成分とを反応チャンバ内で反応させることによって、単結晶第III−Ｖ族半導体材料を形成する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】シリコンなどの基板上に形成した高品質な結晶を有するウェーハ、結晶成長方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、基板と、ベース層と、下地層と、中間層と、機能部と、を備えたウェーハが提供される。前記ベース層は、前記基板の主面上に設けられシリコン化合物を含む。前記下地層は、前記ベース層の上に設けられＧａＮを含む。前記中間層は、前記下地層の上に設けられＡｌＮを含む層を含む。前記機能部は、前記中間層の上に設けられ窒化物半導体を含む。前記下地層の前記ベース層の側の第１領域におけるシリコン原子の濃度は、前記下地層のうちの前記中間層の側の第２領域におけるシリコン原子の濃度よりも高い。前記下地層は、前記第１領域に設けられた複数の空隙を有する。 （もっと読む）

【課題】結晶内のキャリア濃度のムラの少ない窒化物半導体結晶を得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】結晶成長炉内に下地基板８を準備する工程、およびＩＩＩ族元素のハロゲン化物と窒素元素を含む化合物を反応させて前記下地基板８上にＣ面とＣ面以外のファセット面を混在させながらＩＩＩ族窒化物半導体結晶９を成長させる成長工程、を含むＩＩＩ族窒化物半導体結晶９の製造方法であって、前記成長工程は、ケイ素含有物質を前記結晶成長炉内に導入し、かつＣ面以外のファセット面で成長した領域に酸素を含有させながらＩＩＩ族窒化物半導体結晶９を成長させる。 （もっと読む）

【課題】原子レベルで平坦な表面またはヘテロ界面を有する窒化物半導体構造を提供する。
【解決手段】窒化物半導体基板１０１は、（１１−２０）面を主方位面とするＧａＮであり、らせん成分を含む貫通転位１０４の密度は１×１０^５ｃｍ^−２であった。該基板上に複数の開口部１０３（１辺が２０ミクロンの正方形）を有するマスク材１０２（酸化シリコン薄膜、厚さ１００ｎｍ）が形成されている。該開口部には、ｎ型ＧａＮ層１０６ａ、アンドープＡｌＮ層１０６ｂ、アンドープＧａＮ層１０６ｃ、アンドープＡｌＮ層１０６ｄ、および、ｎ型ＧａＮ層１０６ｅが順次形成されている。様々な条件下で貫通転位１０４の密度と開口部１０３の面積との関係を検討すると、貫通転位密度がＮｃｍ^−２である場合、各開口部１０３の面積が１／Ｎｃｍ^２以下であれば各開口部１０３内に形成した窒化物半導体多層薄膜の少なくとも一つの界面が平坦になることを見出した。 （もっと読む）

【課題】結晶内のキャリア濃度のムラの少ない窒化物半導体結晶を得ることを課題とする。
【解決手段】Ｃ面とＣ面以外のファセット面を混在させながらＩＩＩ族窒化物半導体結晶を成長させて得られる、Ｃ面エリアとファセットエリアとを有するＩＩＩ族窒化物半導体結晶であって、前記Ｃ面エリアは、酸素含有量が１×１０¹⁸ｃｍ^-3以下であり、かつ酸素以外のドーパント含有量が２×１０¹⁷ｃｍ^-3以上であることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体結晶により課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、小さい遅延時間定数、特に少なくともＣｅ：ＬＳＯと同等な遅延時間定数を有することができる物質を与える。
【解決手段】本発明は、一般式Ｍ_1−xＣｅ_xＢｒ₃の無機シンチレーション物質に関する。ここで、Ｍは、Ｌａ、Ｇｄ、Ｙからなる群のランタニド又はランタニドの混合から選択され、特にＬａ、Ｇｄからなる群のランタニド又はランタニドの混合から選択され、またｘは、セリウムによるＭの置換の程度であり、０．０１ｍｏｌ％又はそれよりも大きく、厳密に１００ｍｏｌ％未満である。また本発明は、単結晶シンチレーション物質を成長させる方法、並びに産業、医療及び／又は原油掘削探知の用途のためのシンチレーション検知器の部品としてシンチレーション物質の使用に関する。 （もっと読む）

【課題】アモノサーマル法により窒化物結晶を成長させる際に、反応容器の破損を防いで再利用を可能にするとともに、品質が高い結晶が得られるようにすること。
【解決手段】反応容器に少なくとも原料とアンモニアを充填して該反応容器を密閉した後、耐圧性容器内に該反応容器を装填し、前記耐圧性容器と前記反応容器の間の空隙にアンモニアを充填した後、該反応容器中を超臨界および／または亜臨界アンモニア雰囲気にして、該反応容器内で結晶成長を行う窒化物結晶の製造方法において、前記耐圧性容器と前記反応容器の間の空隙に充填したアンモニアが前記耐圧性容器に接触する面積が前記耐圧性容器内部の全表面積の５０％以下となるようにする。 （もっと読む）