【課題】高品質で且つ空隙の発生が十分に抑制される単結晶を形成することができる種結晶保持体の製造方法及びこれを用いた単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】基材９と、基材９の上に接合部１１を介して接合される種結晶１０とを備える種結晶保持体８の製造方法であって、基材９上に気相法により種結晶１０と同一材料からなる多結晶体を接合部１１として形成する接合部形成工程と、接合部１１において種結晶１０を接合させる接合予定面の表面粗さを減少させて平滑化面を得る接合部表面粗さ減少工程と、接合部１１の平滑化面に種結晶１０を接合させる種結晶接合工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】石英製の反応炉の損傷を抑制することができ、副生成物の生成を抑制できるＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法、ＩＩＩ族窒化物テンプレートの製造方法、ＩＩＩ族窒化物結晶及びＩＩＩ族窒化物テンプレートを提供する。
【解決手段】本発明に係るＩＩＩ族窒化物結晶は、ＩＩＩ族窒化物結晶中に１×１０^１６ｃｍ^−３以上１×１０^２０ｃｍ^−３未満の炭素を含み、前記炭素がＶ族サイトを置換しており、かつ、前記ＩＩＩ族窒化物結晶内でアクセプタとして働く他の不純物を含まないものである。 （もっと読む）

【課題】大口径化しても、スリップ不良の発生を抑制できるＧａＡｓウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＬＥＣ法によりＧａＡｓ単結晶を成長する成長工程と、成長工程で得られたＧａＡｓ単結晶をスライスしてＧａＡｓウェハを作製するウェハ作製工程とを有するＧａＡｓウェハの製造方法において、成長工程では、ＧａＡｓ単結晶と原料融液との固液界面の形状が原料融液側に凸状となっており、原料融液と前記液体封止剤との界面から原料融液中のＧａＡｓ単結晶の先端部までの長さＴ１と、ＧａＡｓ単結晶の外径Ｔ２との比Ｔ１／Ｔ２が、０.２５≦Ｔ１／Ｔ２≦０.４５であり、ウェハ作製工程で得られたＧａＡｓウェハは、ユニバーサル硬度がウェハ面内で一様に４０００Ｎ／ｍｍ^２以上４８５０Ｎ／ｍｍ^２以下である。 （もっと読む）

【課題】インゴット全域にわたって厚さと形状の揃った単結晶サファイア基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】ａ軸方向に引き上げてサファイアの結晶ブールを作製する工程と、結晶ブールからｃ面を端面とする円柱形状のサファイアインゴットを切り出す工程と、サファイアインゴットをｃ面に沿って切断し単結晶サファイア基板を切り出す工程と、を含むｃ面を主面とする単結晶サファイア基板の製造方法であって、サファイアインゴットへの切り込み方向が、引き上げ方向であるａ軸方向を０度方向とした場合に、５度±３度、１１０度±３度、１３０度±３度、１７０度±３度、１９０度±３度、２３０度±３度、２５０度±３度、３５５度±３度の範囲であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】実用的な結晶成長条件でのIII族窒化物の結晶成長を可能とするIII族窒化物結晶成長方法およびIII族窒化物結晶成長装置およびIII族窒化物結晶および半導体デバイスを提供する。
【解決手段】反応容器内で、アルカリ金属とIII族金属を含む混合融液と窒素を含む物質とから、III族窒化物結晶を成長させるIII族窒化物結晶の製造方法であって、前記反応容器内の圧力と前記混合融液の温度とを制御して、第１の結晶成長条件に設定し、自然核発生によりIII族窒化物の柱状結晶または板状結晶を成長する第１の工程と、前記第１の結晶成長条件と比較して、少なくとも前記反応容器内の圧力を低下させるか、もしくは前記混合融液の温度を上昇させるよう制御して第２の結晶成長条件に設定し、前記III族窒化物の柱状結晶または板状結晶を種結晶として用いてIII族窒化物結晶を成長する第２の工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎを含む窒化物化合物半導体結晶で、より容易にｐ型の電気的特性が得られるようにする。
【解決手段】まず、基板１０１を加熱する。次に、少なくともＩｎ原料、アンモニア、窒素以外のＶ族の原料、およびｐ型ドーパントの原料を基板１０１の上に供給する。ただし、窒素以外のＶ族は、Ａｓ，Ｐ，およびＳｂの中より選択したものである。なお、Ｉｎ原料の他に、Ｇａ原料、Ａｌ原料などを加えるようにしてもよい。これにより、基板１０１の上に、Ｉｎを含むｐ型窒化物化合物半導体結晶の層１０２が形成できる。 （もっと読む）

【課題】マグネシウム以外の金属についても、固相反応させることにより、色中心含有金属酸化物を得て、色中心発光特性を有する発光媒体を提供する。
【解決手段】カチオンが電子を受け取って金属原子となる際の標準電極電位が−２．８７〜−２．２（Ｖ）で、かつ、アルカリ金属，マグネシウムを含むアルカリ土類金属、もしくは、スカンジウムを除く希土類元素のいずれかに属する金属と、酸化物を構成する金属の標準電極電位が−１．７〜＋０．４（Ｖ）である酸化物とを、所定の雰囲気下で、所定の温度で加熱する固相反応工程と、固相反応工程で得られる金属の昇華物を回収する工程とから成る。得られる昇華物は、酸素空孔を多量に導入させた金属酸化物であり、色中心由来の発光特性を有する。金属と固相反応させる酸化物のバリエーションを増やして、工業的生産の利便性を図る。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体単結晶の反り（面方位分布）を抑制するとともに、均質な結晶成長を行うことができる窒化物半導体基板の製造方法及び窒化物半導体自立基板の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体基板の製造方法は、ＨＶＰＥ炉２０において、石英リアクタ７内の結晶成長領域の温度分布を略均一に保持してＧａＮ薄膜２及びストライプマスク４を有する基板１上にＧａＮ厚膜５を成長させるとともに、成長中のＧａＮ厚膜５の反りが予め定めた範囲内になるように当該ＨＶＰＥ炉２０を加熱するヒータ８の制御温度を変化させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体処理装置および方法の分野に関し、特に、エピタキシャル堆積用の基板としてウェハーなどに使用される、光学および電子部品の製作に適切な、第ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料の持続的大量生産のための方法および装置を提供する。
【解決手段】これらの方法および装置は、第ＩＩＩ族−Ｎ（窒素）化合物半導体ウェハーを製造するために、特にＧａＮウェハーを製造するために最適化される。特に前駆体は、半導体材料の大量生産が促進されるよう、少なくとも４８時間にわたり、第ＩＩＩ族元素が少なくとも５０ｇ／時の質量流で提供される。気状第ＩＩＩ族前駆体の質量流は、所望の量が送達されるように制御することが有利である。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板の表面に形成されたＧａＮ系化合物結晶層を剥離するためのレーザリフトオフ処理において、ワークの温度が多少上昇したとしても、レーザリフトオフ装置内で、レーザリフトオフ後のサファイア基板がＧａＮ層から、完全に剥がれてしまうことがないようにすること。
【解決手段】レーザ光をＧａＮ結晶層の一部に複数回（２回以上）照射する。詳しくは、レーザ光を１回照射してＧａＮ層のサファイア基板との界面がガリウム（Ｇａ）となったところに、再度サファイア基板越しにレーザ光を照射する。 （もっと読む）

【課題】濾過、洗浄性が良好で、かつ蛍光体原料や、ターゲット用原料、透明導電膜や透明導電性を有する単結晶基板材料として好適な、不純物含量の低い、高純度酸化ガリウムを提供する。
【解決手段】ガリウムを含有する酸性水溶液と塩基性溶液を混合し、ｐＨを８〜１０の範囲に調整し水酸化ガリウムを得る工程と、得られた水酸化ガリウムをｐＨを８〜１０の範囲で８０℃以上の温度で１時間以上保持しオキシ水酸化ガリウムを得る熱処理工程と、該熱処理により得られたオキシ水酸化ガリウムを濾別、洗浄後、乾燥、焼成し酸化ガリウムを得る工程を含んでなり、かつ該水酸化ガリウムの熱処理工程における水酸化ガリウムと接触する部位に、フッ素含有樹脂を用いこれらの反応を行う。 （もっと読む）

【課題】より良質な窒化物半導体結晶層を製造する方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、窒化物半導体結晶層の製造方法は、基体の上に設けられたシリコン結晶層の上に、第１の厚さを有する窒化物半導体結晶層を形成する工程を備える。前記シリコン結晶層は、前記窒化物半導体結晶層の形成の前には、前記第１の厚さよりも薄い第２の厚さを有している。前記窒化物半導体結晶層の形成は、前記シリコン結晶層の少なくとも一部を前記窒化物半導体結晶層に取り込ませ、前記シリコン結晶層の厚さを前記第２の厚さから減少せることを含む。 （もっと読む）

【課題】大口径のＣ面を有する窒化物半導体や、ｍ軸方向に厚い窒化物半導体を効率よく簡便に製造することができる実用的な製造方法を提供すること。
【解決手段】六方晶系の結晶構造を有するシード、窒素元素を含有する溶媒、周期表１３族金属元素を含む原料物質、及び鉱化剤を入れたオートクレーブ内の温度および圧力を、前記溶媒が超臨界状態及び／又は亜臨界状態となるように制御して前記シードの表面にアモノサーマル的に窒化物半導体を結晶成長させる工程を含む窒化物半導体の製造方法において、前記シード上のｍ軸方向の結晶成長速度を前記シード上のｃ軸方向の結晶成長速度の１．５倍以上にする。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程によって、高品質かつ低抵抗であるｎ型ＩＩＩ族窒化物単結晶を製造する。
【解決手段】反応容器内に、少なくともＩＩＩ族元素を含む物質と、アルカリ金属と、酸化ホウ素と、を投入する材料投入工程と、前記反応容器を前記酸化ホウ素の融点まで加熱することにより、前記酸化ホウ素を融解させる融解工程と、前記反応容器をＩＩＩ族窒化物の結晶成長温度まで加熱することにより、前記反応容器内に、前記ＩＩＩ族元素と、前記アルカリ金属と、前記酸化ホウ素と、を含む混合融液を形成する混合融液形成工程と、前記混合融液に窒素を含む気体を接触させて、前記混合融液中に窒素を溶解させる窒素溶解工程と、前記混合融液中に溶解した前記ＩＩＩ族元素と、前記窒素と、前記酸化ホウ素中の酸素とから、前記酸素がドナーとしてドープされたｎ型のＩＩＩ族窒化物単結晶を結晶成長させる結晶成長工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】高品質のＩＩＩ族窒化物結晶を効率良く製造する方法を提供する。
【解決手段】坩堝１０内にアルカリ金属とＩＩＩ族金属とを含む混合融液２７０を保持する工程と、反応容器２０内に坩堝１０を収容する工程と、反応容器２０と所定の位置関係で加熱装置５０，６０を配置して、反応容器２０を介して坩堝１０を加熱する工程と、密閉容器４００内に少なくとも坩堝１０を収容し、密閉容器４００内の雰囲気を変化させることなく、密閉容器４００内で坩堝１０への原料の投入及び製造されたＩＩＩ族窒化物結晶の取り出しを行う工程と、反応容器２０内の混合融液２７０に窒素ガスを供給する工程とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】下地基板の表面品質を均一にし、窒化物厚膜成長の歩留と品質の向上を実現することができる窒化物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイスのエピタキシャル成長に用いる窒化物半導体基板の製造方法において、基材１上に窒化物半導体からなる第１の層２が設けられた下地基板１０上に金属膜層（若しくは炭化膜層）３を形成し、金属膜層（若しくは炭化膜層）３を窒化した後、表面酸化処理を施し、窒化物半導体からなる第２の層５を成長させ、しかる後、基材１から第２の層５を剥離して窒化物半導体基板４０を製造する方法である。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体形成に好適な、シリコンウェーハをベースとした安価な形成用基板を提供することである。また、厚膜の窒化物半導体エピタキシャル層を成長させた場合でも、各材料間の格子定数差および熱膨張係数差から生じる、反り・クラックの発生を低減し、機械的強度や、熱的強度に優れた窒化物半導体形成用基板を提供すること。
【解決手段】ボロンとゲルマニウムとが特定濃度でドープされており、好ましくはボロンとゲルマニウムの濃度比において、ゲルマニウムの濃度をボロンの濃度の５〜８倍と制御したシリコンウェーハ。 （もっと読む）

【課題】大型で転位密度の低い結晶が得られるＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶の成長方法およびＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶基板を提供する。
【解決手段】気相法によるＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶１０の成長方法であって、結晶成長の際、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ結晶１０の主成長平面１１に複数のファセット１２を有するピット１０ｐを少なくとも１つ形成し、ピット１０ｐが少なくとも１つ存在している状態でＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶１０を成長させることにより、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ結晶１０の転位を低減することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】主面が（０００１）面から２０°以上９０°以下で傾斜しているＧａＮ種結晶基板上にＧａＮ結晶を成長させても、積層欠陥の発生が抑制されるＧａＮ結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ結晶の成長方法は、主面１０ｍが（０００１）面１０ｃから２０°以上９０°以下で傾斜しているＧａＮ種結晶基板１０を準備する工程と、ＧａＮ種結晶基板１０上にＧａＮ結晶２０を成長させる工程と、を備え、ＧａＮ種結晶基板１０の不純物濃度とＧａＮ結晶２０の不純物濃度との差が３×１０¹⁸ｃｍ^-3以下である。 （もっと読む）

【課題】放射線検出器に好適に適用できる、蛍光寿命の短いシンチレータ用単結晶を提供すること。
【解決手段】 一般式（１）：
Ｇｄ_{３−ｘ−ｙ}Ｃｅ_ｘＲＥ_ｙＡｌ_５−ＺＭ_ＺＯ_１２ （１）
（式（１）中、０．０００１≦ｘ≦０．１５、０．６≦ｙ≦３、０≦ｚ≦４．５であり、ＭはＧａおよびＳｃから選択される少なくとも１種であり、ＲＥはＹ、ＹｂおよびＬｕから選択される少なくとも１種である）で表され、
蛍光寿命が１００ナノ秒以下の蛍光成分を有する、シンチレータ用ガーネット型単結晶。 （もっと読む）