【課題】積層欠陥が少なくて大型のIII族窒化物半導体基板を製造することができる方法を提供する。
【解決手段】半極性面を主面とする複数のIII族窒化物シード１１０を同一平面上に各シード１１０間の主面の面方位の分布が±０．５°以内となるように配置し、半極性面上にホモエピタキシャル成長を行ってIII族窒化物半導体結晶を得る第１工程、および、III族窒化物半導体結晶から、半極性面とは異なる面を主面とするIII族窒化物半導体基板を取得する第２工程を含むIII族窒化物半導体基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】反応容器や部材を繰返し使用できて、均一で高品質な結晶を製造できる方法を提供すること。
【解決手段】反応容器内で結晶成長を行った後に、該反応容器の表面及び該反応容器内で使用される部材の表面に付着した付着物を化学的溶解反応により除去する。 （もっと読む）

【課題】主面上に良質な結晶を成長させることが可能なIII族窒化物半導体基板を提供すること。
【解決手段】Ｃ面以外の面を主面とするIII族窒化物半導体基板（１）であって、主面とＣ面の交線方向（ｘ方向）における主面のチルト角分布Ｗ１と、その交線に直交する方向（ｙ方向）における主面のチルト角分布Ｗ２との比（Ｗ１／Ｗ２）が１未満であることを特徴とするIII族窒化物半導体基板。 （もっと読む）

【課題】種基板の両末端周辺部における窒化ガリウム結晶の異常成長を抑制する方法を提供する。
【解決手段】種基板１４を固定するポケット部１２と、サセプター１１と種基板１４との間に、種基板１４と反応しないサブサセプター１３とを備えてなり、かつ、種基板１４とサブサセプター１３との間に間隙を有してなる、サセプター１１を用いる。なお、間隙の大きさと、窒化ガリウム自立基板の厚みは、それぞれ、０ｍｍ超過２ｍｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物半導体の転位密度の更なる低減と同時に、自立基板製造時および半導体素子製造時のケミカルリフトオフ所要時間の大幅な短縮が可能なIII族窒化物半導体を提供する。
【解決手段】基板上にＡｌＮ単結晶層またはＡｌを含むIII族窒化物単結晶層を０．００５μm以上１０μm以下の厚みで形成したＡｌＮテンプレート基板又はサファイア基板を窒化処理したＡｌＮテンプレート基板、もしくはＡｌＮ単結晶基板上に、ストライプ状の開口部を有するパターンマスクと、前記開口部に形成された金属窒化物層と、前記金属窒化物層上に形成されたIII族窒化物半導体層を有し、前記III族窒化物半導体層は前記金属窒化物層を核としたＥＬＯ成長による連続膜である、III族窒化物半導体。 （もっと読む）

【課題】気相成長法による窒化ガリウム自立基板の製造において種基板の両末端周辺部における窒化ガリウム結晶の異常成長を抑制する。
【解決手段】種基板１４に、剥離層を形成し、種基板を配置してなるサセプター１１に、窒化ガリウム結晶を形成する原料ガスを供給し、前記サセプターにおける前記種基板において、前記種基板の両末端周辺部における窒化ガリウム結晶の異常成長を抑制し、窒化ガリウム自立基板２２を気相成長させることを含んでなり、前記サセプターが、前記種基板を固定するポケット部分１２と、前記サセプターと前記種基板との間に、前記種基板と反応しないサブサセプター１３とを備えてなり、かつ、前記種基板と前記サブサセプターとの間に間隙を有してなり、前記種基板の両末端周辺部における窒化ガリウム結晶の異常成長を抑制する。 （もっと読む）

【課題】加熱されたセル上へのフレークの落下付着を防止する分子線結晶成長（ＭＢＥ）装置のシャッタ機構を提供する。
【解決手段】動作時に、セル２の中心軸上で該セル２と対向する位置において蒸発原料を通過させる開口部１１を備え、非動作時には、該開口部１１以外の部分でセル２上面を覆うシャッタ板１と、シャッタ板１の側面に一体的に取り付けられ、セル２の側面の一部または全体を覆うスカート部４と、シャッタ板１を回転または移動させる駆動軸３と、を有し、シャッタ開の状態でも、セル２の分子線照射開口以外を覆うことを特徴とする分子線結晶成長装置のシャッタ機構。 （もっと読む）

【課題】合金形態の半導体結晶、その製造方法及び有機電界発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体結晶の製造方法は、（ａ）１種以上の１２族金属前駆体を分散剤及び溶媒と混合し、これを加熱して１２族金属前駆体溶液を得る段階と、（ｂ）１種以上の１６族元素前駆体をこれと配位可能な溶媒に溶解して１６族元素前駆体溶液を得る段階と、（ｃ）前記１種以上の１２族金属前駆体溶液と１種以上の１６族元素前駆体溶液とを混合して反応させた後、結晶を成長させる段階と、を含み、前記結晶のサイズ分布を表す光励起発光スペクトルの半値幅が５０ｎｍ以下、かつ、発光効率が３０％以上であり、前記１２族金属前駆体溶液、及び前記１６族元素前駆体溶液の濃度は０．００１Ｍないし２Ｍであり、前記（ａ）段階において、加熱が１００ないし４００℃であり、前記（ｃ）段階において、反応温度は５０℃ないし４００℃であることを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】
ｐ型ドーパント濃度の制御性に優れ、高品質なｐ型ＺｎＯ系結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】
ＭＯＣＶＤ法により、分子構造中に酸素原子を含まない有機金属化合物と極性酸素材料とを用いてＺｎＯ系結晶層を成長する単結晶成長工程を有し、上記単結晶成長工程は、ＴＢＰ（ターシャリーブチルホスフィン）を供給する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物単結晶の基板からの剥離の成功率を高め、クラックの発生を抑制することである。
【解決手段】基板１上にIII 族金属窒化物単結晶の複数の帯状の種結晶膜３を形成し、この際基板に非育成面１ｂを形成する。複数の種結晶膜３上にフラックス法によってIII 族金属窒化物単結晶を育成する。複数の種結晶膜３が互いに非育成面１ｂによって分けられており、複数の種結晶膜３が、それぞれ、一方の端部３ａ、他方の端部３ｂおよび一方の端部と他方の端部との間の本体部３ｃを備えている。種結晶膜３の一方の端部３ａの幅Ｗａが他方の端部３ｂの幅Ｗｂよりも小さく、前記複数の種結晶膜において一方の端部が各種結晶膜の長手方向に見て同じ側に設けられている。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ単結晶体を成長させる際および成長させたＧａＮ単結晶体を基板状などに加工する際、ならびに基板状のＧａＮ単結晶体上に少なくとも１層の半導体層を形成して半導体デバイスを製造する際に、クラックの発生が抑制されるＧａＮ単結晶体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ単結晶体１０は、ウルツ型結晶構造を有し、３０℃において、弾性定数Ｃ₁₁が３４８ＧＰａ以上３６５ＧＰａ以下かつ弾性定数Ｃ₁₃が９０ＧＰａ以上９８ＧＰａ以下、または、弾性定数Ｃ₁₁が３５２ＧＰａ以上３６２ＧＰａ以下かつ弾性定数Ｃ₁₃が８６ＧＰａ以上９３ＧＰａ以下であって、主面の面積が３ｃｍ²以上である。 （もっと読む）

【課題】結晶化度が高く、形状、質量のばらつきが小さい結晶半導体粒子を合理的に製造し、安価に供給できる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体粒子の表面に、該半導体粒子と同種の半導体からなる微粉末を付着させ、加熱用容器内に配置して、半導体の融点未満の温度で予備的に加熱して、前記微粉
末を酸化もしくは窒化するとともに、半導体粒子表面に酸化物あるいは窒化物を主成分とする被膜を形成する。この半導体粒子を、該半導体の融点以上の温度に加熱して溶融し、球状の溶融体を形成し、これを冷却し、凝固させて結晶半導体粒子を製造する。 （もっと読む）

【課題】 収容液体を効率よく撹拌する。
【解決手段】 耐圧容器２内にて、反応容器３に収容したフラックスとなる液体Ｎａ５と液体Ｇａ６の混合液体４を、窒素ガス８の存在下で加圧及び加熱して窒化ガリウム結晶を製造する窒化ガリウム結晶製造装置１における反応容器３の下部外周に、ヒータ１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄを設ける。反応容器３の中央部の上方に、ガリウム供給管１０の吐出口１３を配置する。ヒータ１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄによる反応容器３の下部外周に位置する混合液体４の局部加熱により、混合液体４に、反応容器３の内底部の中央部に配置した種結晶基板１１の真上となる反応容器３中央部でダウンフローとなる熱対流を発生させると共に、そのダウンフローを、ガリウム供給管１０より滴下供給する液体Ｇａ６による反応容器３中央部に位置する混合液体４の局部冷却により促進して、混合液体４を撹拌させる。 （もっと読む）

【課題】厚膜層の成長過程で厚膜層にヒビやクラックが発生することを抑制可能な窒化物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基材２上に窒化物半導体からなる下地層を設けて下地基板３を形成し、下地基板３の下地層上に金属膜を形成した後、水素ガスまたは水素含有化合物ガスを含む雰囲気中で下地基板３を熱処理することで、下地層中に空隙を形成すると共に金属膜に微細孔を形成し、その微細孔を形成した金属膜上に窒化物半導体を成長させて厚膜層５を形成した後、厚膜層５を下地基板３から剥離して窒化物半導体基板１を得る窒化物半導体基板の製造方法において、基材２として、窒化物半導体基板１の径よりも大きい径のものを用い、下地基板３の中央部で厚膜層５を成長させる。 （もっと読む）

【課題】表面加工を施したテンプレート基板を種基板に用い、フラックス法で結晶成長を実施するに際して、クラックのない窒化物結晶を再現性よく高い歩留まりで得る方法を提供することである。
【解決手段】基板１上にIII 族金属窒化物単結晶からなる種結晶膜を成膜し、この際基板に種結晶膜によって被覆されていない非育成面１ｂを形成する。種結晶膜上にフラックス法によってIII 族金属窒化物単結晶を育成する。基板１が、基板の外縁に沿って全周にわたって設けられた外縁部１３と、外縁部１３の内側に設けられた中央部１２とを含む。中央部の全体にわたって種結晶膜からなる複数の帯状部１９が配列されており、外縁部の全周にわたって種結晶膜からなる複数の分離部２５が配列されている。外縁部１３の種結晶面積比率が中央部１２の種結晶面積比率よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ半導体自立基板上に形成される電子デバイスの耐電圧、オン抵抗、素子寿命等のばらつきを抑えて歩留まりを向上させることが可能なＳｉＣ半導体自立基板及びＳｉＣ半導体電子デバイスを提供する。
【解決手段】ＳｉＣ半導体自立基板を構成するＳｉＣ半導体結晶３は六方晶系であり、ＳｉＣ半導体結晶３の格子定数のばらつきを、ＳｉＣ半導体自立基板の主面内のａ軸方向の格子定数の標準偏差をａ軸方向の格子定数の平均値で除した値とするとき、格子定数のばらつきが±５５ｐｐｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】ガリウム極性面の粗研磨実施後の精密研磨実施中のクラック発生率を低下させることができる窒化ガリウム基板を提供する。
【解決手段】ＨＶＰＥ成長装置１内にある基板ホルダ３に基板１１をセットする。反応炉内は常圧とし、ヒータ４により基板１１を加熱、昇温させる。初期核は、反応ガス導入管５によりＮＨ3ガスをキャリアガスであるＮ2ガスと共に導入し、金属Ｇａ６が載置された原料載置室７を有する反応ガス導入管８によりＧａＣｌガスをキャリアガスであるＮ2ガスとＨ2ガスと共に導入して、成長させる。初期核の形成後は、ＧａＣｌガス分圧とＮ2ガス分圧を高くした以外は初期核を形成した条件で結晶成長させる。得られる窒化ガリウム基板は、窒素極性面側の結晶成長時に平坦に成長した領域とファセット成長した領域との段差が７μｍ以下、より好ましくは５μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶品質を有するＧａＮ層のようなＩＩＩ族−窒化物が得られる方法で形成されたＩＩＩ族−窒化物／基板構造と、少なくとも１つのそのような構造を含む半導体デバイスを提供する。
【解決手段】基板１の上に、例えばＧａＮ層５のような、ＩＩＩ族−窒化物層の堆積または成長を行う方法であり、基板１は、少なくともＧｅ表面３、好適には六方対称を有する。この方法は、基板１を４００℃と９４０℃の間の窒化温度に加熱するとともに、基板１を窒化ガスの流れに露出させる工程と、続いて、１００℃と９４０℃の間の堆積温度で、Ｇｅ表面３の上に、例えばＧａＮ層５のようなＩＩＩ族−窒化物を堆積する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】高品質で且つ空隙の発生が十分に抑制される単結晶を形成することができる種結晶保持体の製造方法及びこれを用いた単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】基材９と、基材９の上に接合部１１を介して接合される種結晶１０とを備える種結晶保持体８の製造方法であって、基材９上に気相法により種結晶１０と同一材料からなる多結晶体を接合部１１として形成する接合部形成工程と、接合部１１において種結晶１０を接合させる接合予定面の表面粗さを減少させて平滑化面を得る接合部表面粗さ減少工程と、接合部１１の平滑化面に種結晶１０を接合させる種結晶接合工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】結晶品質の良いＩＩＩ族窒化物単結晶を得ると共に、その基板からの自然剥離を促進することで、クラックを更に低減することである。
【解決手段】基板１と、基板１上に形成されたＩＩＩ族窒化物からなるバッファ層２およびこのバッファ層２上に形成されたＩＩＩ族窒化物単結晶からなる種結晶膜３を備える複数の育成部９とを備えており、隣り合う複数の育成部９の間に基板１の表面１ｂが露出している育成用部材７を使用する。育成用部材７をウエットエッチングに供することによってバッファ層２を育成部９の端面からエッチングし、次いでＩＩＩ族窒化物単結晶を種結晶膜３上にフラックス法によって育成する。 （もっと読む）