【課題】オン／オフ比などの特性が良好な単層カーボンナノチューブＦＥＴの実現が可能となる単層カーボンナノチューブヘテロ接合およびその製造方法ならびにこの単層カーボンナノチューブヘテロ接合を用いた半導体素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】単層カーボンナノチューブの成長途中で欠陥を導入してグラフェンシートの６員環構造中に５員環または７員環を導入することによりカイラリティ変化を誘起し、半導体的単層カーボンナノチューブ１１と金属的単層カーボンナノチューブ１２とがそれらの長手方向に互いに接合している単層カーボンナノチューブヘテロ接合を形成する。この単層カーボンナノチューブヘテロ接合をチャネルに用いて単層カーボンナノチューブＦＥＴを製造する。 （もっと読む）

本発明では、電解方法、光化学的方法、化学的方法及び封入方法を使用して実質的に完全に安定なドープカーボンナノチューブを達成することができる。最大のドーピング効果を達成するために好ましいＣＮＴの構造及び形態も説明する。チューブタイプの広い分布のドーピングを達成するためのドーパント処方物及び方法も説明する。 （もっと読む）

【課題】一様な長さを有する高純度の単層カーボンナノチューブを安全に高収率で製造することができ、しかも長さの制御が可能な単層カーボンナノチューブの製造方法を提供する。
【解決手段】各種の方法により合成された単層カーボンナノチューブを含むカーボン系材料を硝酸などの酸で処理することにより、金属不純物を除去するとともに、単層カーボンナノチューブのチューブ壁に欠陥を生成する。次に、このカーボン系材料を硝酸、過酸化水素、過硫酸塩化合物などの酸化剤で処理することにより単層カーボンナノチューブを切断する。次に、このカーボン系材料をアンモニアガスなどの還元性ガスで処理することにより、カーボン不純物を除去するとともに、単層カーボンナノチューブの欠陥を回復させる。 （もっと読む）

【課題】 使用される温度領域によらず高い出力特性を有する電気二重層キャパシタ用電極材、その製造方法及び電気二重層キャパシタ用電極材を用いた電気二重層キャパシタを提供する。
【解決手段】 炭化物をアルカリ賦活処理して得られる電気二重層キャパシタ用電極材であって、炭化物のラマンスペクトルに観察される１５８０ｃｍ^−１付近のピーク（Ｇ１）の半値幅（Δν１）とアルカリ賦活処理して得られる電気二重層キャパシタ用電極材のラマンスペクトルに観察される１５８０ｃｍ^−１付近のピーク（Ｇ１）の半値幅（Δν１）の変化率が１０以下である電気二重層キャパシタ用電極材、その製造方法及び電気二重層キャパシタ用電極材を用いた電気二重層キャパシタ。 （もっと読む）

次記の工程を含む、実質的に同一の直径を有するカーボンナノチューブを分離する方法：カーボンナノチューブの試料の提供；試料内の個々のナノチューブの分離、少なくとも一部の分離したナノチューブとタンパクフィブリルとの複合体を形成するための、試料とタンパクフィブリルを含む溶液との混合、及び複合体を形成したナノチューブの分離。好適には、タンパクはコラーゲンである。分離されたナノチューブは、電子工学、医学及び材料科学の分野で使用可能である。
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【課題】比較的安価な材料よりなる基板を用い、シリコンウェハを用いた場合と同等な優れた特性を有するカーボンナノチューブを大量且つきわめて安価に製造できる技術を提供する。
【解決手段】Ｎｉ２０原子％以上を含有するＮｉ基合金よりなる金属基板上に金属触媒の存在下にカーボンナノチューブを化学気相成長（ＣＶＤ）させる方法を用い、反応雰囲気下に複数のカーボンナノチューブを成長させることを特徴とする。Ｎｉ２０原子％以上を含有するＮｉ基合金として、Ｎｉ−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｃｒ及びＮｉ−Ｆｅ−Ｃｒよりなる群から選ばれる１種の合金が好ましく用いられる。 （もっと読む）

【課題】フラーレン細線を再現性よく、かつ高い歩留まりで製造することができるフラーレン細線の製造方法を提供する。
【解決手段】フラーレン分子からなるフラーレン細線の製造方法であって、乾燥雰囲気下で、
（Ａ）フラーレン分子を第１溶媒に溶解したフラーレン溶液に、前記第１溶媒よりもフラーレン分子の溶解能の低い第２溶媒を添加する工程、
（Ｂ）フラーレン溶液と第２溶媒との間に液−液界面を形成させる工程、
（Ｃ）フラーレン細線を析出させる工程、
を含むこととする。 （もっと読む）

【課題】金属性ＳＷＮＴ及び半導体性ＳＷＮＴをそれぞれ分離可能であり、簡便かつスケールアップ容易なＳＷＮＴの分離方法の提供
【解決手段】本発明の単層カーボンナノチューブ（ＳＷＮＴ）の分離方法は、金属性ＳＷＮＴと半導体性ＳＷＮＴとを含むＳＷＮＴ混合物を金属性ＳＷＮＴと半導体性ＳＷＮＴとに分離する方法であって、前記ＳＷＮＴ混合物を水及び界面活性剤を含む液体に分散させてサスペンションとする工程、及び、前記サスペンションに電界を印加して金属性ＳＷＮＴと半導体性ＳＷＮＴとを分離する工程を含み、前記界面活性剤が、非イオン性界面活性剤、陰イオン性界面活性剤、ポリマー界面活性剤、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される界面活性剤である。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法により十〜数十ｎｍの厚さのグラフェン積層体を得る。
【解決手段】図１の単結晶グラファイト膜生成装置１００は石英管から成るＣＶＤ反応容器１を水平に固定し、キャリアガスとしてアルゴン（Ａｒ）を左側口１Ｌから導入し、右側口１Ｒから排出するものである。ＣＶＤ反応容器１の中央よりも左側に第１の領域１０を設け、右側に第２の領域２０を設けた。各々独立した加熱装置１５及び２５により所定温度に保つ。第１の領域１０にはショウノウ（camphor）を０．１〜１グラム、第２の領域２０には、一辺２ｃｍの正方形の３枚のニッケル（Ｎｉ）板２１を配置させた。第１の領域を１００℃まで加熱してショウノウ（camphor）を蒸気化させて、７００〜９００℃に保った第２の領域のニッケル（Ｎｉ）板２１上にＣＶＤによりグラファイト膜を形成した。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、上記の課題を解決し、高グラファイト化度を有し、高品質なカーボンナノチューブを高純度で製造することを課題とする。
【解決手段】 炭素数２以上の炭素含有化合物を含む原料ガスを触媒と接触させるカーボンナノチューブの合成方法であり、前記炭素含有化合物の７００℃以上における熱分解率が１０％以下となるような条件で触媒と接触させることを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法であり、前記炭素数２以上の炭素含有化合物としてはエチレンであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブの内部空間を有効な吸蔵空間として十分に活用するために、チューブ径分布を制御しつつ適切なチューブ径に拡大できるカーボンナノチューブの大径化方法を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブを真空中または不活性雰囲気中で熱処理して大径化する方法において、出発材料として、チューブ径の相対分散χｄ／ｄ＝０．１０〜０．１６であり、ラマン分光におけるＤ／Ｇ比≧０．０２であるカーボンナノチューブを用いることを特徴とするカーボンナノチューブの大径化方法。 （もっと読む）

単層カーボンナノチューブを合成する方法及び工程が提供される。炭素前駆ガスを、担体材料上に担持した金属触媒に接触させる。金属触媒は好ましくは直径約５０ｎｍ未満のナノ粒子である。反応温度は、金属触媒粒子と炭素との混合物の共晶点付近となるように選択される。
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【課題】カーボンナノウォール（ＣＮＷ）のウォール間の間隔を変化させ、その表面積を制御させたり、その結晶性を制御して高電位における耐腐食性を向上させるカーボンナノウォール（ＣＮＷ）の構造制御方法を提供するとともに、構造制御された高表面積のカーボンナノウォール（ＣＮＷ）及び高結晶性のカーボンナノウォール（ＣＮＷ）を提供する。
【解決手段】（１）ウォール表面積が５０ｃｍ^２／ｃｍ^２−基板・μｍ以上であることを特徴とするカーボンナノウォール。（２）照射レーザ波長５１４．５ｎｍで測定したラマンスペクトルのＤバンド半値幅が８５ｃｍ^−１以下の結晶性を有することを特徴とするカーボンナノウォール。（３）ウォール表面積が５０ｃｍ^２／ｃｍ^２−基板・μｍ以上であるとともに、照射レーザ波長５１４．５ｎｍで測定したラマンスペクトルのＤバンド半値幅が８５ｃｍ^−１以下の結晶性を有することを特徴とするカーボンナノウォール。 （もっと読む）

本発明は、単層カーボンナノチューブを成長させるための方法と過程を提供するものである。一形態において、支持材に接触した炭素前駆ガスと金属触媒は、金属−炭素相の共晶点（液相）の近くで反応温度まで加熱される。さらに、反応温度は、金属触媒の融点よりも低い温度である。本発明によれば、長いＳＷＮＴが形成される。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブに別の機能性分子を結合させるなどして修飾し、複合材料としての物性を改善すること。
【解決手段】カーボンナノチューブと１６〜１２８のアミノ酸残基からなるペプチドとを含む複合体。個々のアミノ酸残基は、リンカーを介して、ポルフィリン又は金属ポルフィリンを含む。カーボンナノチューブは、ポルフィリン又は金属ポルフィリンとπ−π相互作用をしている。半導体性カーボンナノチューブが選択的に複合体を形成する。 （もっと読む）

【課題】 絶縁性および熱伝導性に優れ、かつこれらの特性の高温状態における経時的変化が少ない耐熱性および耐久性に優れた複合材料となる混合物及びこれからなるフィルムなどの成形物を提供することである。
【解決手段】 フッ素化ナノダイヤモンドに、重量平均分子量が１，０００から１，０００，０００の高分子量樹脂、アルコキシシラン含有化合物またはアルコキシシラン含有化合物を加水分解したものうち、少なくとも１つ以上を含有することを特徴とする混合物を提供する。 （もっと読む）

【課題】 大きな重量比表面積と同時に、体積比表面積を有する炭素ナノ構造体を得ることができ、さらに、該炭素ナノ構造体の細孔径を自在に制御できることにより、ＥＤＬＣ用電極として有用な炭素ナノ構造体を製造することができる炭素ナノ構造体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る炭素ナノ構造体の製造方法は、ゼオライト細孔内部を鋳型として用い、該ゼオライト細孔内部に炭素を積層させて炭素構造体を形成する工程と、該ゼオライトを酸で溶解除去する工程と、該溶解除去工程により得られた炭素構造体をホットプレスすることにより、該炭素構造体の細孔径を縮小させ炭素ナノ構造体を得る工程と、からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】より高い成長率、成長効率または垂直合成等を達成できるＳＷＣＮＴの製造方法を提供する。
【解決手段】真空、かつ、６００〜９００℃の封入空間下にある触媒に、有機脱水アルコールを接触させることを含む、単層カーボンナノチューブの製造方法。 （もっと読む）

本発明は、カーボン・ナノスフィアを高分子材料中へ導入した新規な複合材料に関するものである。高分子材料は、グラファイト材料に親和性のあるどのような高分子または重合可能な材料であってもよい。カーボン・ナノスフィアは、中空のグラファイト状ナノ粒子である。カーボン・ナノスフィアは、鋳型ナノ粒子を使用したカーボン前駆体から製造することができる。カーボン・ナノスフィアのユニークなサイズ、形状、および電気的性質は、これらのナノ材料を導入した複合材料に有利な性質を与える。 （もっと読む）

【課題】遠心分離を行うことなく、分散した単層カーボンナノチューブを含み近赤外域に蛍光を発するカーボンナノチューブ含有物質の作成方法を提供する。
【解決手段】カルボキシメチルセルロース（ＣＭＣ）と、単層カーボンナノチューブが凝集した集合体を含むバルク体のカーボンナノチューブとを水（Ｈ₂ Ｏ）に投入し、溶液を作成する。ＣＭＣにより溶液中で単層カーボンナノチューブが可溶化して集合体から分離する。超音波を用いて単層カーボンナノチューブを分散させた溶液をフィルタ２１，２２，２３で濾過し、単層カーボンナノチューブが分散したカーボンナノチューブ溶液を作成する。カーボンナノチューブ溶液を板上に滴下して乾燥させることにより、カーボンナノチューブ含有膜を作成する。ＣＭＣにより単層カーボンナノチューブの凝集が防止され、カーボンナノチューブ含有膜は近赤外域に蛍光を発する。 （もっと読む）